專利名稱：基于共源放大電路中mos管電壓非線性輸出的補(bǔ)償方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及基于共源放大電路MOS管的柵極非線性電容的補(bǔ)償方法。
背景技術(shù)：
集成電路中的共源極放大器的的輸入信號(hào)電壓Vin與柵漏極之間的電壓Vgs是非線性關(guān)系。例如

圖1所示的共源極放大器等效電路，其中Rs為信號(hào)源內(nèi)阻，A為NMOS的漏源寄生電阻，Rl為放大器的負(fù)載。使用密勒效應(yīng)對(duì)圖1進(jìn)行等效，等效后的電路如圖2所示。
由密勒定理可知，Cgdl = Cgd(1-Av)，Cgd2 = Cgd(1-AvH)，其中
權(quán)利要求
1.基于共源放大電路中MOS管電壓非線性輸出的補(bǔ)償方法，其特征在于在所述共源放大電路的MOS管Ml的柵極連接一有源電感電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于共源放大電路中MOS管電壓非線性輸出的補(bǔ)償方法，其特征在于所述有源電感電路包括MOS管M2和連接該MOS管漏極及柵極的反饋電阻R。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于共源放大電路中MOS管電壓非線性輸出的補(bǔ)償方法，其特征在于所述共源放大電路包括MOS管Ml、所述MOS管Ml柵極上的信號(hào)源內(nèi)阻先和連接在MOS管Ml漏極上的負(fù)載電阻^。
全文摘要
本發(fā)明涉及基于共源放大電路MOS管的柵極非線性電容的補(bǔ)償方法。所述補(bǔ)償方法，是在共源放大電路的MOS管M1的柵極連接一有源電感電路。本發(fā)明利用有源電感對(duì)MOS管柵極電容隨柵極電壓變化而產(chǎn)生的非線性變化的特性，對(duì)MOS管柵極電容進(jìn)行反向的非線性補(bǔ)償，從而來平滑MOS管柵極電容特性，有效提高放大器的線性度，該方法簡(jiǎn)單易行且實(shí)用效果好。
文檔編號(hào)H03F1/32GK103151990SQ20131010321
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月30日
發(fā)明者孫玲, 邢飛燕, 邊程浩, 彭艷軍 申請(qǐng)人:南通大學(xué)