專利名稱：量子干涉裝置、原子振蕩器以及磁傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及量子干涉裝置、原子振蕩器以及磁傳感器。
背景技術(shù)：
基于電磁誘導(dǎo)透明(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)方式(有時也稱為CPT (Coherent Population Trapping,相干布居捕獲)方式)的原子振蕩器是利用這樣的現(xiàn)象(EIT現(xiàn)象)的振蕩器，即，當(dāng)向堿金屬原子同時照射波長(頻率)不同的2個共振光時，2個共振光的吸收停止的現(xiàn)象。公知的是，堿金屬原子和2個共振光的相互作用機構(gòu)可使用Λ型3能級系模型進行說明。堿金屬原子具有2個基態(tài)能級，當(dāng)將具有與基態(tài)能 級I和激勵能級的能量差相當(dāng)?shù)牟ㄩL(頻率)的共振光1、或者具有與基態(tài)能級2和激勵能級的能量差相當(dāng)?shù)牟ㄩL(頻率)的共振光2分別單獨照射到堿金屬原子時，眾所周知產(chǎn)生光吸收。然而，當(dāng)向該堿金屬原子同時照射頻率差跟與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率準(zhǔn)確一致的共振光I和共振光2時，處于2個基態(tài)能級的重合狀態(tài)，即量子干涉狀態(tài)，產(chǎn)生向激勵能級的激勵停止且共振光I和共振光2透射堿金屬原子的透明化(EIT)現(xiàn)象。利用該現(xiàn)象，通過檢測、控制在共振光I和共振光2的頻率差偏離了與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率時的光吸收舉動的急劇變化，可制造高精度的振蕩器。并且，由于基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差根據(jù)外部磁場的強度或波動而敏感變化，因而也能利用EIT現(xiàn)象來制造高靈敏度的磁傳感器。另外，在該原子振蕩器和磁傳感器中，為了提高輸出信號的信號對噪聲比(S/N比)，可以增加產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的堿金屬原子的數(shù)量。例如，在專利文獻I中，公開了這樣的方法以改善原子振蕩器的輸出信號的S/N比為目的，增大封閉氣體狀的堿金屬原子的池的厚度，或者增大入射到池的激光的光束直徑。無論哪種方法，都是增大池的厚度或高度，以擴大堿金屬原子與共振光接觸的區(qū)域。并且，在專利文獻2中，提出了這樣的原子振蕩器通過使用Dl線作為光源，與以往的D2線的情況相比在理論上提高EIT信號(根據(jù)EIT現(xiàn)象透射堿金屬原子的光的信號)的強度，由此提高靈敏度和頻率穩(wěn)定精度。在專利文獻I和專利文獻2中記載的原子振蕩器中，僅使用I對滿足EIT現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)條件的2種波長的激光。專利文獻I日本特開2004- 96410號公報專利文獻2美國專利第6359916號公報另外，當(dāng)著眼于構(gòu)成池內(nèi)的氣體狀的堿金屬原子團的各個原子時，具有與各自的運動狀態(tài)對應(yīng)的恒定的速度分布。圖15不出封閉在容器內(nèi)的氣體狀的堿金屬原子團的速度分布的概略圖。圖15的橫軸表示氣體狀的堿金屬原子的速度，縱軸表示具有該速度的氣體狀的堿金屬原子的數(shù)量比例。如圖15所示，以速度O為中心，氣體狀的堿金屬原子具有與溫度對應(yīng)的恒定的速度分布。這里，速度表示在向氣體狀的堿金屬原子團照射激光時的與照射方向平行的原子速度分量，將相對于光源處于靜止的速度的值設(shè)定為O。這樣，當(dāng)氣體狀的堿金屬原子的速度有分布時，根據(jù)光的多普勒效應(yīng)(多普勒偏移)，共振光的視在波長(頻率)，即從氣體狀的堿金屬原子觀察的共振光的波長(頻率)產(chǎn)生分布。由于這意味著在速度不同的原子中，激勵能級視在不同，因而如圖16所示，激勵能級具有恒定的寬度展寬(多普勒展寬)。因此，即使同時照射I對共振光I和共振光2，也能實際產(chǎn)生EIT現(xiàn)象，這只限于具有針對激光入射方向的特定速度分量的值(例如O)的一部分原子，未產(chǎn)生EIT現(xiàn)象而殘留的氣體狀的堿金屬原子在團中存在相當(dāng)數(shù)量，有助于EIT發(fā)現(xiàn)的原子的比例極低。這樣，在EIT發(fā)現(xiàn)效率低的狀態(tài)下，為了增大EIT信號的強度，如專利文獻I所公開那樣，必須增大池的厚度或高度的任意一方，具有難以小型化的問題。并且，由于在EIT發(fā)現(xiàn)效率低的狀態(tài)下，激光功率的利用效率降低，因而為了將EIT信號的強度保持在恒定水平以上，難以降低激光功率，因而也不利于省電
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述問題而完成的，根據(jù)本發(fā)明的若干形式，可提供一種通過提高針對堿金屬原子的EIT現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)效率，可提高激光功率的利用效率的量子干涉裝置，并可提供通過利用該量子干涉裝置而小型化的原子振蕩器或者磁傳感器。本發(fā)明提供一種量子干涉裝置，其特征在于，該量子干涉裝置具有光源，其用于產(chǎn)生共振光；以及原子，其具有多個3能級系的能級，在與入射的所述共振光之間引起基于所述多個3能級系的能級的相互作用，產(chǎn)生電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象。在上述量子干涉裝置中，優(yōu)選的是，所述3能級系的能級基于所述原子的基態(tài)能級和激勵能級發(fā)生塞曼分裂后的能級。在上述量子干涉裝置中，優(yōu)選的是，所述3能級系是Λ型3能級系。在上述量子干涉裝置中，優(yōu)選的是，所述量子干涉裝置具有磁場產(chǎn)生單元，該磁場產(chǎn)生單元向所述原子施加用于引起所述塞曼分裂的磁場。在上述量子干涉裝置中，優(yōu)選的是，所述共振光包含頻率不同的多個光，所述量子干涉裝置具有控制單元，該控制單元根據(jù)所述磁場的強度，控制所述多個光之間的頻率差。在上述量子干涉裝置中，優(yōu)選的是，所述共振光包含頻率不同的多個光，所述量子干涉裝置具有控制單元，該控制單元根據(jù)所述多個光之間的頻率差，控制所述磁場的強度。在上述量子干涉裝置中，優(yōu)選的是，所述共振光包含頻率不同的多個光，所述量子干涉裝置具有控制單元，該控制單元根據(jù)使所述原子透明的所述共振光的強度，控制所述多個光之間的頻率差。此外，本發(fā)明提供一種原子振蕩器，其中，該原子振蕩器具有所述量子干涉裝置。此外，本發(fā)明提供一種磁傳感器，其中，該磁傳感器具有所述量子干涉裝置。


圖1是本實施方式的量子干涉裝置的功能框圖。圖2是示出第I實施方式的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是用于說明銫原子的發(fā)生塞曼分裂后的基態(tài)能級和共振光的關(guān)系的圖。圖4是示出本實施方式中的半導(dǎo)體激光器出射的激光的頻譜一例的圖。
圖5是用于說明銫原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的2個共振光的組合一例的圖。圖6是示出銫原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的2個共振光的組合一例的圖。圖7是示出銫原子產(chǎn)生EI·T現(xiàn)象的2個共振光的組合的另一例的圖。圖8是示出銫原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的2個共振光的組合的另一例的圖。圖9是示出第2實施方式的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。圖10是示出第2實施方式的原子振蕩器的變型例的結(jié)構(gòu)的圖。圖11是示出第3實施方式的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。圖12是示出第3實施方式的原子振蕩器的變型例的結(jié)構(gòu)的圖。圖13是示出第I實施方式的磁傳感器的結(jié)構(gòu)的圖。圖14是示出第2實施方式的磁傳感器的結(jié)構(gòu)的圖。圖15是氣體狀的堿金屬原子團的速度分布的概略圖。圖16是示意性示出考慮了由堿金屬原子的運動引起的多普勒效應(yīng)的能級的圖。標(biāo)號說明1:量子干涉裝置；10 :光源；20 :原子池；30 :磁場產(chǎn)生單元；40 :光檢測單元；50 控制單元；52 :磁場控制單元；54 :磁場檢測單元；100 :原子振蕩器；110 :中心波長控制單元；120 :半導(dǎo)體激光器；130 :原子池；140 :磁場產(chǎn)生單元；150 :光檢測器；160 :放大器；170 :檢波單元；180 :調(diào)制單元；190 :振蕩器；200 :檢波單元；210 :振蕩器；220 :調(diào)制單元；230 :振蕩器；240 :變頻單元；250 :檢波單元；260 :振蕩器；270 :調(diào)制單元；280 :振蕩器；290 :調(diào)制單元；300 :變頻單元；310 :磁場控制單元；320 :振蕩器；330 :磁場檢測單元；340 :頻率設(shè)定單元；350 :變頻單元；360 :磁場控制單元；370 :信號處理單元；372 :掃描信號；380 :振蕩器；382 :頻率信息；400 :磁傳感器。
具體實施例方式以下，使用附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。另外，以下說明的實施方式并不對權(quán)利要求書中記載的本發(fā)明的內(nèi)容進行不當(dāng)限定。并且以下說明的全部結(jié)構(gòu)不一定是本發(fā)明的必要構(gòu)成要件。1、量子干涉裝置圖1是本實施方式的量子干涉裝置的功能框圖。本實施方式的量子干涉裝置I構(gòu)成為包含光源10，原子池(atomic cell) 20，磁場產(chǎn)生單元30，光檢測單元40以及控制單元50。光源10產(chǎn)生頻率相差Δ ω的多個第I共振光(共振光I)和頻率相差Δ ω的多個第2共振光(共振光2)。在原子池20內(nèi)包含有氣體狀的堿金屬原子，由磁場產(chǎn)生單兀30向堿金屬原子提供磁場。光檢測單元40檢測包含透射了堿金屬原子的共振光I和共振光2的光的強度?？刂茊卧?0根據(jù)光檢測單元40的檢測結(jié)果進行控制，以使預(yù)定的第I共振光與預(yù)定的第2共振光的頻率差等于與堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差?？刂茊卧?0還控制頻率△ ω和磁場產(chǎn)生單元產(chǎn)生的磁場的強度中的至少一方，使得對于與下述能量差相當(dāng)?shù)念l率δ ,滿足2 X δ Xn = Δω以及ΔωΧη = 2Χδ中的至少一方,所述能量差是由于磁場引起的能量分裂，在堿金屬原子的2個基態(tài)能級的各方產(chǎn)生的多個塞曼分裂能級中、磁量子數(shù)彼此相差I(lǐng)的2個塞曼分裂能級的能量差，其中，η是正整數(shù)。不過，期望的是，控制單元50控制成滿足η= 1，即Λω =2δ的關(guān)系，以使EIT信號的強度最大。并且，控制單元50可以包含磁場控制單元52，該磁場控制單元52根據(jù)預(yù)先決定的頻率Λ ω，控制磁場產(chǎn)生單元30產(chǎn)生的磁場的強度。并且，控制單元50可以根據(jù)光檢測單元40的檢測結(jié)果控制所述頻率Λ ω。例如，控制單元50可以對頻率Λ ω進行反饋控制，以使光檢測單元40的檢測結(jié)果為最大。并且，控制單元50可以根據(jù)堿金屬原子附近的磁場的強度控制頻率Λ ω。例如，控制單元50可以包含檢測堿金屬原子附近的磁場的強度的磁場檢測單元54，并根據(jù)磁場檢測單元54的檢測結(jié)果控制頻率Λ ω。并且，例如，控制單元50可以用磁場控制單元52控制成使磁場產(chǎn)生單元30產(chǎn)生預(yù)先決定的強度的磁場，并根據(jù)該預(yù)先決定的磁場的強度控制頻率Λ ω。以下，以使用本實施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器和磁傳感器為例，說明更具體的結(jié)構(gòu)。2、原子振蕩器(1)第1實施方式圖2是示出使用圖1的量子干涉裝置I的第I實施方式的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示，第I實施方式的原子振蕩器100構(gòu)成為包含中心波長控制單元110，半導(dǎo)體激光器120，原子池130，磁場產(chǎn)生單元140，光檢測器150，放大器160，檢波單元170，調(diào)制單元180，振蕩器190，檢波單元200，振蕩器210，調(diào)制單元220，振蕩器230，變頻單元240，檢波單元250，振蕩器260，調(diào)制單元270，振蕩器280，以及調(diào)制單元290。原子池130在容器中封入有氣體狀的堿金屬原子(鈉(Na)原子、銣(Rb)原子、銫(Cs)原子等)。然后，在本實施方式中，由磁場產(chǎn)生單元140 (例如，線圈)向原子池130施加磁場。因此，堿金屬原子的2個基態(tài)能級通過由磁場引起的能量分裂(塞曼分裂)，被分為磁量子數(shù)m不同的多個能級(塞曼分裂能級)。這里，公知的是，塞曼分裂能級的數(shù)量根據(jù)堿金屬原子的種類而不同。例如，在銫原子的情況下，如圖3所示，基態(tài)能級I按照能量從高到低的順序被分為磁量子數(shù)m = — 3、一 2、一 1、0、+1、+ 2、+ 3的7個塞曼分裂能級。另一方面，基態(tài)能級2按照能量從高到低的順序被分為磁量子數(shù)m=+4、+3、+2、+l、0、一1、一 2、一 3、一 4的9個塞曼分裂能級。這里，對于基態(tài)能級I和基態(tài)能級2雙方來說，磁量子數(shù)m彼此相差I(lǐng)的2個塞曼分裂能級的能量差Es相等。并且，能量差Es根據(jù)磁場強度而變化。即，磁場強度越大，則能量差Es就越大。另外，在以下說明中，設(shè)與Es相當(dāng)?shù)念l率為δ。當(dāng)向該原子池130同時照射了具有與堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差的共振光對(共振光1、共振光2)時，堿金屬原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。另外，在以下說明中，設(shè)共振光1、共振光2的頻率分別為f\、f2。圖3是示出在基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的磁量子數(shù)相等時(公共的πι)Λ型3能級系成立的情況的例子。磁量子數(shù)m = O的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz,因而當(dāng)被同時照射了滿足一 f2 = 9. 1926GHz的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，磁量子數(shù)m = + I的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz + 2 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足一 f2 =9. 1926GHz + 2 δ的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，磁量子數(shù)m=—I的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz 一 2 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足— f2 = 9. 1926GHz — 2 δ的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。同樣，磁量子數(shù)m = + 2、+ 3、一 2、一 3的各銫原子當(dāng)分別被同時照射了滿足 = 9. 1926GHz + 4 δ、= 9. 1926GHz + 6 δ、= 9. 1926GHz_4 δ、=9. 1926GHz-6 δ的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。另外，磁量子數(shù)m=+4或一 4的銫原子由于不存在基態(tài)能級1，因而不產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。在本實施方式中，半導(dǎo)體激光器120出射包含多個共振光對的激光，向堿金屬原子照射，以使封入在原子池130內(nèi)的堿金屬原子效率良好地產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。具體地說，半導(dǎo)體激光器120出射的激光根據(jù)中心波長控制單元110的輸出被控制中心波長λ ^，并根據(jù)調(diào)制單元290的輸出被施加調(diào)制。例如，在使用向半導(dǎo)體激光器120提供驅(qū)動電流的激光驅(qū)動器作為中心波長控制單元110的情況下，通過使調(diào)制單元290輸出的交流電流與激光 驅(qū)動器的驅(qū)動電流重疊，可向半導(dǎo)體激光器120出射的激光施加調(diào)制。并且，在本實施方式中，如后所述，對調(diào)制單元290的輸出進行反饋控制，以使與調(diào)制分量相當(dāng)?shù)墓獬蔀獒槍A金屬原子的共振光I或共振光2。另外，半導(dǎo)體激光器120可以是端面發(fā)光激光器(Edge Emitting Laser),也可以是垂直共振腔面發(fā)光激光器(VCSEL :Vertical Cavity Surface Emitting Laser)等的面發(fā)光激光器。光檢測器150檢測透射過原子池130的光，并輸出與檢測出的光的量對應(yīng)的信號強度信號。光檢測器150的輸出信號由放大器160放大,并被輸入到檢波單兀170、檢波單元200以及檢波單元250。檢波單元170根據(jù)振蕩器190的振蕩信號對放大器160的輸出信號進行同步檢波。調(diào)制單元180根據(jù)振蕩器190的振蕩信號調(diào)制檢波單元170的輸出信號。振蕩器190只要以例如數(shù)十Hz 數(shù)百Hz左右的低頻率振蕩即可。并且，中心波長控制單元110根據(jù)調(diào)制單元180的輸出信號，控制半導(dǎo)體激光器120出射的激光的中心波長λ”利用通過半導(dǎo)體激光器120、原子池130、光檢測器150、放大器160、檢波單元170、調(diào)制單元180以及中心波長控制單元110的反饋環(huán)路，中心波長λ ^得到穩(wěn)定。檢波單元200根據(jù)振蕩器230的振蕩信號對放大器160的輸出信號進行同步檢波。振蕩器210是振蕩頻率根據(jù)檢波單兀200的輸出信號的大小而變化的振蕩器，例如可利用電壓控制晶體振蕩器(VCXO :Voltage Controlled Crystal Oscillator)來實現(xiàn)。這里，振蕩器210例如以IOMHz左右振蕩，該振蕩信號成為原子振蕩器100的輸出信號。調(diào)制單元220根據(jù)振蕩器230的振蕩信號調(diào)制振蕩器210的輸出信號。振蕩器230只要以例如數(shù)十Hz 數(shù)百Hz左右的低頻率振蕩即可。變頻單元240將調(diào)制單元220的輸出信號變換為等于與封入在原子池130內(nèi)的磁量子數(shù)m = O的堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差的1/2 (在銫原子的情況下是9. 1926GHz/2 = 4. 5963GHz)的頻率的信號。變頻單元240例如可使用PLL (PhaseLocked Loop，鎖相環(huán))來實現(xiàn)。另外，如后所述，變頻單元240可將調(diào)制單元220的輸出信號變換為等于與封入在原子池130內(nèi)的磁量子數(shù)m = O的堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差(在銫原子的情況下是9. 1926GHz)的頻率的信號。檢波單兀250根據(jù)振蕩器280的振蕩信號對放大器160的輸出信號進行同步檢波。振蕩器260是振蕩頻率根據(jù)檢波單兀250的輸出信號的大小而變化的振蕩器，例如可利用電壓控制晶體振蕩器(VCXO)來實現(xiàn)。這里，振蕩器260以頻率Λ ω (例如，IMHz IOMHz程度)振蕩，頻率Λ ω比起與封入在原子池130內(nèi)的堿金屬原子的激勵能級的多普勒展寬寬度相當(dāng)?shù)念l率充分小。調(diào)制單元270根據(jù)振蕩器280的振蕩信號調(diào)制振蕩器260的輸出信號。振蕩器280只要以例如數(shù)十Hz 數(shù)百Hz左右的低頻率振蕩即可。調(diào)制器290根據(jù)調(diào)制單元270的輸出信號調(diào)制變頻單元240的輸出信號(可以根據(jù)變頻單元240的輸出信號對調(diào)制單元270的輸出信號進行調(diào)制)。調(diào)制單元290可使用混頻器(mixer)、調(diào)頻(FM !Frequency Modulation)電路、調(diào)幅(AM !Amplitude Modulation)電路等來實現(xiàn)。并且，如上所述，半導(dǎo)體激光器120出射的激光根據(jù)調(diào)制單元290的輸出被施加調(diào)制，生成多個共振光I和共振光2。 在這種結(jié)構(gòu)的原子振蕩器100中，在半導(dǎo)體激光器120出射的共振光I與共振光2的頻率差跟與封入在原子池內(nèi)的堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率未準(zhǔn)確一致的情況下，堿金屬原子不產(chǎn)生EIT現(xiàn)象，因而光檢測器150的檢測量根據(jù)共振光I和共振光2的頻率極其敏感地變化。因此，利用通過半導(dǎo)體激光器120、原子池130、光檢測器150、放大器160、檢波單元200、振蕩器210、調(diào)制單元220、變頻單元240以及調(diào)制單元290的反饋環(huán)路，施加反饋控制，使得變頻單元240的輸出信號的頻率跟等于與磁量子數(shù)m = O的堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差的1/2的頻率極其準(zhǔn)確一致。其結(jié)果，存在于該反饋環(huán)路內(nèi)的振蕩器210也以極其穩(wěn)定的振蕩頻率振蕩，可使原子振蕩器100的輸出信號的頻率精度極高。不過，即使變頻單元240的輸出信號的頻率跟等于與磁量子數(shù)m = O的堿金屬原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差的1/2的頻率極其準(zhǔn)確一致，如后所述，在未滿足至少2X δ Xn = Δω或者Δ ω Xn = 2Χ δ (期望的是η = I)的關(guān)系的情況下,產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的堿金屬原子的比例也極低，其結(jié)果，EIT信號的信號強度也低。因此，在本實施方式的原子振蕩器100中，利用通過半導(dǎo)體激光器120、原子池130、光檢測器150、放大器160、檢波單元250、振蕩器260、調(diào)制單元270以及調(diào)制單元290的反饋環(huán)路，施加反饋控制，使得振蕩器260的振蕩頻率Δ ω滿足2ΧδΧη = Δω或者ΔωΧη = 2Χδ (期望的是η=1)的關(guān)系。另外，半導(dǎo)體激光器120、原子池130、磁場產(chǎn)生單元140以及光檢測器150分別對應(yīng)于圖1的光源10、原子池20、磁場產(chǎn)生單元30以及光檢測單元40。并且，由中心波長控制單元110、放大器160、檢波單元170、調(diào)制單元180、振蕩器190、檢波單元200、振蕩器210、調(diào)制單元220、振蕩器230、變頻單元240、檢波單元250、振蕩器260、調(diào)制單元270、振蕩器280以及調(diào)制單元290構(gòu)成的電路對應(yīng)于圖1的控制單元50。下面，詳細說明半導(dǎo)體激光器120出射的激光的頻率。圖4 (A)和圖4 (B)是示出半導(dǎo)體激光器120出射的激光的頻譜一例的圖。如圖4 (A)和圖4 (B)所不,半導(dǎo)體激光器120出射的激光施加調(diào)制,具有以中心頻率fci (= ν/λ 0:v是光速)為中心的中心頻帶和該中心頻帶兩側(cè)的邊帶(sideband)。并且，中心頻帶、上側(cè)的邊帶、下側(cè)的邊帶包含有相差Λω的多個頻率分量。另外，在圖4(A)和圖4 (B)中，為了方便起見，假定中心頻帶、上側(cè)的邊帶、下側(cè)的邊帶分別僅包含有5個頻率分量(中心的頻率分量及其兩側(cè)的I次和2次高諧波分量)，然而實際上還包含有3次以上的高諧波分量。在圖4 (A)的例子中，上側(cè)邊帶的中心與中心頻帶的中心的頻率差以及中心頻帶的中心與下側(cè)邊帶的中心的頻率差均是4. 5963GHz。因此，上側(cè)邊帶的中心(ω J與下側(cè)邊帶的中心(ω2)的頻率差(Co1 - ω2)跟與磁量子數(shù)m = O的銫原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差9. 1926GHz—致。因此，在將激光的中心頻率fC1 (中心波長λ J設(shè)定為期望值的情況下，上側(cè)邊帶內(nèi)包含的各頻率分量分別為共振光1，下側(cè)邊帶內(nèi)包含的各頻率分量分別為共振光2。另一方面，在圖4 (B)的例子中，上側(cè)邊帶的中心((O1)與中心頻帶的中心(ω2 =fo)的頻率差(O1-CO2)跟與磁量子數(shù)m = O的銫原子的2個基態(tài)能級的能量差相當(dāng)?shù)念l率差9. 1926GHz 一致。因此，在將激光的中心頻率& (中心波長λ J設(shè)定為期望值的情況下，上側(cè)邊帶內(nèi)包含的各頻率分量分別為共振光1，中心頻帶內(nèi)包含的各頻率分量分別為共振 光2。另外，由于中心頻帶的中心與下側(cè)邊帶的中心的頻率差也是9. 1926GHz，因而可以將激光的中心頻率fo (中心波長λ J設(shè)定成中心頻帶內(nèi)包含的各頻率分量分別為共振光1，下側(cè)邊帶內(nèi)包含的各頻率分量分別為共振光2。另外，施加反饋控制，使得變頻單元240的輸出信號的頻率在圖4 (A)的例子中為(G)1- ω2) /2 = 4. 5963GHz，在圖 4 (B)的例子中為(W1 — ω2) /2 = 9. 1926GHz。圖5是用于說明基態(tài)能級發(fā)生塞曼分裂后的銫原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的共振光I和共振光2的組合的圖。在圖5中，假定 兩足Δ ω = 2δ的關(guān)系。并且，激勵能級EpEyEyE4'E5或者激勵能級E1’、E2’、E3’、E4’、E5’的各能量差ΕΔω表示與Λω相當(dāng)?shù)哪芰坎?。首?考慮磁量子數(shù)m = O的銫原子。磁量子數(shù)m = O的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz,因而當(dāng)被同時照射了滿足一 f2 =9. 1926GHz的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是E1的銫原子當(dāng)被同時照射了 = ωι + 2Λ ω的共振光I和f2 = ω2 + 2Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E2的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Co1 + Λ ω的共振光I和f 2 = ω2 + Δω的共振光2時,產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且,視在激勵能級是E3的銫原子當(dāng)被同時照射了 = O1的共振光I和f2 = ω2的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E4的銫原子當(dāng)被同時照射了 A= ω1 — Δω的共振光I和f 2 = ω2 — Δω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E5的銫原子當(dāng)被同時照射了 f1= Co1 —2Δ ω的共振光I和f2 = ω2 - 2Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。然后，考慮磁量子數(shù)m= + I的銫原子。磁量子數(shù)m= + I的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz + 2 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足
— f2 = 9. 1926GHz + 2 δ = 9. 1926GHz +Δω的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是E2’的銫原子當(dāng)被同時照射了 fl = Co1 + 2Λ ω的共振光丄和^= ω2+ Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E3’的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Co1 + Λ ω的共振光I和f2 = ω2的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E/的銫原子當(dāng)被同時照射了 = W1的共振光I和f2 = ω2 — Λ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E5’的銫原子當(dāng)被同時照射了 =CO1-A ω的共振光I和f2 = ω2-2Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。然后，考慮磁量子數(shù)m=+2的銫原子。磁量子數(shù)m=+2的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz + 45,因而當(dāng)被同時照射了滿足
—f2 = 9. 1926GHz + 4 δ = 9. 1926GHz + 2Δ ω的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是E2的銫原子當(dāng)被同時照射了 & = Co1 + 2Λ ω的共振光1和4= 2的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E3的銫原子當(dāng)被同時照射了 = CO1 + Δ ω的共振光1和& = ω2 - Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E4的銫原子當(dāng)被同時照射了 = CO1的共振光I和f2 = ω2 — 2 Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。
然后，考慮磁量子數(shù)m=+3的銫原子。磁量子數(shù)m=+3的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz + 6 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足
—f2 = 9. 1926GHz + 6 δ = 9. 1926GHz + 3Δ ω的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是E3’的銫原子當(dāng)被同時照射了 fl = Co1 + 2Λ ω的共振光1和&= ω2- Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E/的銫原子當(dāng)被同時照射了 \= ωι + Λω的共振光1和&= ω2 - 2Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。然后，考慮磁量子數(shù)m=— I的銫原子。磁量子數(shù)m=— I的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz 一 2 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足f1- f2 = 9. 1926GHz — 2 δ = 9. 1926GHz -Δω的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是Ε2’的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Co1 + Λ ω的共振光1和&= ω2 + 2Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E/的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Q1的共振光I和& = ω2 + Λ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E/的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Co1 — Λ ω的共振光I和f2 = ω2的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是Ε5’的銫原子當(dāng)被同時照射了 =ω! - 2Δ ω的共振光I和f2 = ω2 - Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。然后，考慮磁量子數(shù)m=— 2的銫原子。磁量子數(shù)m=— 2的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz 一 4 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足f1- f2 = 9. 1926GHz — 4 δ = 9. 1926GHz — 2 Λ ω的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是E2的銫原子當(dāng)被同時照射了 A=O1的共振光I和f2 =ω2 + 2Δω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E3的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Q1 - Δ ω的共振光1和4 = ω2 + Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E4的銫原子當(dāng)被同時照射了 A= CO1 — 2Δ ω的共振光I和f2 = ω2的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。然后，考慮磁量子數(shù)m=— 3的銫原子。磁量子數(shù)m=— 3的銫原子由于與基態(tài)能級I和基態(tài)能級2的能量差相當(dāng)?shù)念l率是9. 1926GHz 一 6 δ，因而當(dāng)被同時照射了滿足
—f2 = 9. 1926GHz — 6 δ = 9. 1926GHz — 3 Λ ω的關(guān)系的共振光I和共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。因此，視在激勵能級是E/的銫原子當(dāng)被同時照射了 = Co1 — Λ ω的共振光1和&= ω2 + 2Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且，視在激勵能級是E/的銫原子當(dāng)被同時照射了 = ωι — 2Λ ω的共振光I和f 2 = ω2 + Δ ω的共振光2時，產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。另外,磁量子數(shù)m = + 4或一 4的銫原子由于不存在基態(tài)能級I,因而不產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。圖5中說明的共振光I和共振光2的組合可使用圖6所示的圖表在視覺上理解。圖6的圖表中，橫軸表示共振光I的頻率,縱軸表示共振光2的頻率f2。并且，對于交點由黑圓圈表示的共振光I的頻率和共振光2的頻率f2的組合，表示存在產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的銫原子，對于交點由白圓圈表示的共振光I的頻率和共振光2的頻率f2的組合，表示不存在產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的銫原子。更詳細地說，對于在一 f2 = 9. 1926GHz - 3 Δ ω , f-f2 = 9. 1926GHz — 2 Λ ω、— f2 = 9. 1926GHz — Λ ω、— f2 = 9. 1926GHz、— f2 =9. 1926GHz + Λ ω、— f2 = 9. 1926GHz + 2 Λ ω、— f2 = 9. 1926GHz + 3Δ ω 的各直線上的由黑圓圈表示的共振光I的頻率和共振光2的頻率f2的組合，磁量子數(shù)m= —
3、一 2、一 1、0、+1、+ 2、+ 3的銫原子分別產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。 在以往的方法中，由于僅同時照射= O1的共振光I和f2 = ω2的共振光2，因而僅在圖6的= CO1和f2 = ω2的交點銫原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。與此相對,在本實施方式中，通過向銫原子同時照射F1= ω1 — 2Δ ω , Q1 — Δ ω , Q1, Q1 + Δ ω , Q1 + 2Δ ω的多個共振光1和1^2= ω 2 — 2 Δ ω ^ ω 2 — Δω、ω2、ω2 + Δω、ω2 + 2Δω的多個共振光2，至少磁量子數(shù)m = O的銫原子產(chǎn)生EIT現(xiàn)象(f\ - f2 = 9. 1926GHz的交點)。而且，通過進行反饋控制以滿足Δω = 2 δ ,磁量子數(shù)m= — 3、一 2、一1、+1、+ 2、+ 3的銫原子也產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。這樣，根據(jù)本實施方式的原子振蕩器100 (量子干涉裝置I )，通過控制成滿足Λ ω=2δ的關(guān)系，可比以往大幅增加產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的堿金屬原子的比例，因而可比以往大幅提高半導(dǎo)體激光器120的功率效率。因此，也容易小型化。并且，例如在分配給I個共振光對的功率被設(shè)定成與以往的功率大致相等的情況下，光吸收的飽和臨界增高，總功率增大，因而可取得高對比度的EIT信號。并且，在總的光照射功率與以往大致相等的情況下，由于每I個共振光對的功率減少，因而EIT信號的功率展寬(當(dāng)光功率強時，EIT信號的線寬增大的現(xiàn)象)被抑制，與以往相比，可取得半值寬度窄的良好的EIT信號。因此，根據(jù)本實施方式，可比以往提高頻率穩(wěn)定性。并且，施加給原子池130的磁場的強度受到地球磁場的影響或溫度變化的影響而變化，根據(jù)本實施方式，還加進地球磁場的影響或溫度變化的影響來施加反饋控制。因此，可消除干擾影響來提供更高精度的原子振蕩器(量子干涉裝置)。另外，在本實施方式中，為了使產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的堿金屬原子的數(shù)量最大，期望的是Δ ω = 2 δ ,然而只要至少滿足2ΧδΧη = Δω或者ΔωΧη = 2Χδ (η是正整數(shù))的關(guān)系即可。例如在Δ ω = 4 δ的情況下(在2ΧδΧη = Δω時η = 2的情況下),如圖7所示，在 - f2 = 9. 1926GHz — Δ ω ^f1 - f2 = 9. 1926GHz,^ - f2 = 9. 1926GHz +Δω上的交點，磁量子數(shù)m =— 2、0、+2的銫原子分別產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。并且,例如在Δω = δ的情況下(在Λ ωΧη = 2Χ δ時η = 2的情況下)，如圖8所示，在— f2 = 9. 1926GHz —6Δ ω ^f1 - f2 = 9. 1926GHz - 4 Δ ω ^f1 - f2 = 9. 1926GHz - 2 Δ ω ^f1 - f2 = 9. 1926GHz、f1- f2 = 9. 1926GHz + 2 Λ ω、— f2 = 9. 1926GHz + 4 Λ ω、— f2 = 9. 1926GHz +6Δ ω上的交點，磁量子數(shù)m = — 3、一 2、一 1、0、+1、+ 2、+ 3的銫原子分別產(chǎn)生EIT現(xiàn)象。(2)第2實施方式圖9是示出使用圖1的量子干涉裝置I的第2實施方式的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖9所示，第2實施方式的原子振蕩器100與圖2所示的第I實施方式的原子振蕩器100相比，刪除了檢波單元250、振蕩器260、調(diào)制單元270以及振蕩器280，并新追加了變頻單元300和磁場控制單元310。在圖9中，對與圖2相同的結(jié)構(gòu)附上相同標(biāo)號，省略其說明。變頻單元300將振蕩器210的振蕩信號變換為頻率是Λ ω的信號。變頻單元300也可以使用分頻電路來實現(xiàn)。 這里，在第2實施方式的原子振蕩器100中，變頻單元300的輸出信號的頻率Λ ω是預(yù)先決定的恒定值而與磁場強度沒有關(guān)系。因此，磁場控制單元310控制磁場產(chǎn)生單元140產(chǎn)生的磁場的強度，使得至少滿足2 X δΧη=Λω或者ΛωΧη = 2Χδ (η是正整數(shù))的關(guān)系(期望的是Λω = 2δ)。另外，半導(dǎo)體激光器120、原子池130、磁場產(chǎn)生單元140、光檢測器150以及磁場控制單元310分別對應(yīng)于圖1的光源10、原子池20、磁場產(chǎn)生單元30、光檢測單元40以及磁場控制單元52。并且，由中心波長控制單元110、放大器160、檢波單元170、調(diào)制單元180、振蕩器190、檢波單元200、振蕩器210、調(diào)制單元220、振蕩器230、變頻單元240、調(diào)制單元290、變頻單元300以及磁場控制單元310構(gòu)成的電路對應(yīng)于圖1的控制單元50。根據(jù)第2實施方式，利用磁場控制單元310，還加進地球磁場的影響或溫度變化的影響，控制磁場產(chǎn)生單元140產(chǎn)生的磁場的強度。因此，可消除干擾影響來提供更高精度的原子振蕩器(量子干涉裝置)。[變型例]圖10是示出第2實施方式的原子振蕩器100的變型例的結(jié)構(gòu)的圖。在圖10所示的原子振蕩器100中，與圖9所示的原子振蕩器100相比，新追加了振蕩器320。并且，變頻單元300將振蕩器320的振蕩信號變換為頻率是Λ ω的信號。這里，振蕩器320的頻率穩(wěn)定度雖然比不上圖9的振蕩器210，但是只要能確保使封入在原子池130內(nèi)的堿金屬原子能充分產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的Λω的精度即可。振蕩器320例如可采用晶體振蕩器(X0:CryStalOscillator)來實現(xiàn)。另外，在圖9或圖10所示的原子振蕩器100中，在使Λ ω與振蕩器210或振蕩器320的振蕩頻率一致的情況下，不需要變頻單元300，在該情況下，磁場控制單元310只要根據(jù)振蕩器210或振蕩器320的振蕩信號控制磁場產(chǎn)生單元140產(chǎn)生的磁場的強度即可。(3)第3實施方式圖11是示出使用圖1的量子干涉裝置I的第3實施方式的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖11所示，第3實施方式的原子振蕩器100與圖2所示的第I實施方式的原子振蕩器100相比，刪除了檢波單元250、振蕩器260、調(diào)制單元270以及振蕩器280，并新追加了磁場檢測單元330、頻率設(shè)定單元340、變頻單元350以及磁場控制單元360。在圖11中，對與圖2相同的結(jié)構(gòu)附上相同標(biāo)號，省略其說明。磁場控制單元360控制成使磁場產(chǎn)生單元140產(chǎn)生期望強度的磁場。例如，在磁場產(chǎn)生單元140是線圈的情況下，磁場控制單元360只要控制流經(jīng)該線圈的電流的大小即可。磁場檢測單元330檢測施加給原子池130的磁場的強度。頻率設(shè)定單元340根據(jù)磁場檢測單元330的檢測結(jié)果控制變頻單元350的變頻比率。變頻單元350根據(jù)頻率設(shè)定單元340的輸出信號(變頻比率的設(shè)定信息)，將振蕩器210的振蕩信號變換為頻率是Λ ω的信號。變頻單元350也可以使用分頻電路來實現(xiàn)。在該情況下，頻率設(shè)定單元340只要設(shè)定該分頻電路的分頻比即可。這里，頻率設(shè)定單元340根據(jù)磁場檢測單元330檢測出的磁場的強度，控制變頻單元350的變頻比率(例如分頻比),使得至少滿足2ΧδΧη = Δω或者ΔωΧη = 2Χ δ(η是正整數(shù))的關(guān)系(期望的是Λ ω = 2 δ )。
另外，半導(dǎo)體激光器120、原子池130、磁場產(chǎn)生單元140、光檢測器150以及磁場檢測單元330分別對應(yīng)于圖1的光源10、原子池20、磁場產(chǎn)生單元30、光檢測單元40以及磁場檢測單元54。并且，由中心波長控制單元110、放大器160、檢波單元170、調(diào)制單元180、振蕩器190、檢波單元200、振蕩器210、調(diào)制單元220、振蕩器230、變頻單元240、調(diào)制單元290、磁場檢測單元330、頻率設(shè)定單元340、變頻單元350以及磁場控制單元360構(gòu)成的電路對應(yīng)于圖1的控制單元50。根據(jù)第3實施方式，利用磁場檢測單元330，還加進地球磁場的影響或溫度變化的影響，檢測施加給封入在原子池130內(nèi)的堿金屬原子的磁場的強度。并且，利用頻率設(shè)定單元340，根據(jù)檢測出的磁場的強度控制變頻單元350的變頻比率。因此，可消除干擾影響來提供更高精度的原子振蕩器(量子干涉裝置)。[變型例]圖12是示出第3實施方式的原子振蕩器100的變型例的結(jié)構(gòu)的圖。在圖12所示的原子振蕩器100中，與圖11所示的原子振蕩器100相比，刪除了磁場檢測單元330。并且，頻率設(shè)定單元340根據(jù)磁場控制單元360的針對磁場產(chǎn)生單元140的控制信息控制變頻單元350的變頻比率。S卩，在圖12的原子振蕩器100中，根據(jù)針對磁場產(chǎn)生單元140的控制信息估計磁場的強度，控制變頻單元350的變頻比率。因此，變頻單元350的輸出信號的頻率精度雖然比不上圖11的振蕩器210，但是只要能確保使封入在原子池130內(nèi)的堿金屬原子能充分產(chǎn)生EIT現(xiàn)象的Λ ω的精度即可。例如，只要是可忽略地球磁場影響或溫度變化影響的環(huán)境，就沒有問題。3、磁傳感器(I)第I實施方式圖13是示出使用圖1的量子干涉裝置I的第I實施方式的磁傳感器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖13所不,第I實施方式的磁傳感器400除了振蕩器260的振蕩信號為輸出信號這一點以外，與圖2所示的第I實施方式的原子振蕩器100的結(jié)構(gòu)相同。在圖13中，對與圖2相同的結(jié)構(gòu)附上相同標(biāo)號，省略其說明。如上所述，當(dāng)向原子池130施加了磁場時，堿金屬原子的基態(tài)能級I和基態(tài)能級2被分為磁量子數(shù)m不同的多個塞曼分裂能級。并且，對于基態(tài)能級I和基態(tài)能級2雙方來說，磁量子數(shù)m彼此相差I(lǐng)的2個塞曼分裂能級的能量差Es與磁場強度成正比。根據(jù)圖13的結(jié)構(gòu)，施加反饋控制，使得光檢測器150的輸出信號(放大器160的輸出信號)的信號強度為最大。并且，光檢測器150的輸出信號(放大器160的輸出信號)的信號強度為最大是在這樣的時候?qū)τ谂c振蕩器260的振蕩頻率Λ ω與塞曼分裂能級的能量差Es相當(dāng)?shù)念l率δ ,滿足2ΧδΧη = Δω或者ΔωΧη = 2Χδ (η是正整數(shù))的關(guān)系(期望的是Δ ω=2 δ )。也就是說，由于振蕩器260的振蕩頻率Λ ω與磁場強度成正比，因而通過使振蕩器260的振蕩信號為輸出信號，可作為磁傳感器發(fā)揮功能。不過，·在圖13的結(jié)構(gòu)中總是由磁場產(chǎn)生單元140產(chǎn)生磁場，然而通過以外部磁場的強度為O時的振蕩器260的振蕩頻率為基準(zhǔn)求出輸出信號的相對頻率，可計算外部磁場的強度。(2)第2實施方式圖14是示出使用圖1的量子干涉裝置I的第2實施方式的磁傳感器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖14所不,第2實施方式的磁傳感器400與圖13所不的第I實施方式的磁傳感器400相比，刪除了檢波單元250、振蕩器260、調(diào)制單元270以及振蕩器280，并新追加了信號處理單元370和振蕩器380。在圖14中，對與圖13相同的結(jié)構(gòu)附上相同標(biāo)號，省略其說明。信號處理單元370向振蕩器380發(fā)送用于使振蕩頻率階段性變化的掃描信號372，并監(jiān)視掃描信號372的各狀態(tài)下的放大器160的輸出信號和振蕩器380的頻率信息382(可以是振蕩信號自身)。并且，在第2實施方式的磁傳感器400中，振蕩器380的振蕩頻率為Δ ω，當(dāng)滿足了 2ΧδΧη = Δω或者ΔωΧη = 2Χδ (η是正整數(shù))的關(guān)系(期望的是Δ ω = 2 δ )時,放大器160的輸出信號的信號強度急劇增大。由于頻率信息382與磁場強度成正比，因而只要輸出基于在放大器160的輸出信號的信號強度急劇增大時的頻率信息382的信息(表示磁場強度的信息)，就能作為磁傳感器發(fā)揮功能。不過，在圖14的結(jié)構(gòu)中總是由磁場產(chǎn)生單元140產(chǎn)生磁場，然而通過以外部磁場的強度為O時的頻率信息382為基準(zhǔn)求出振蕩器380的相對頻率,可輸出表不外部磁場的強度的信息。另外，在信號處理單元370可從掃描信號372的狀態(tài)估計振蕩器380的振蕩頻率的情況下，也可以不監(jiān)視頻率信息382。根據(jù)第I實施方式或第2實施方式，通過提高針對堿金屬原子的EIT現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)效率，可提高激光功率的利用效率，并可提供高靈敏度的磁傳感器。因此，也容易小型化。另外，本發(fā)明不限定于本實施方式，能在本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)實施各種變型。例如，在本實施方式的原子振蕩器100中，構(gòu)成為使交流電流與半導(dǎo)體激光器120的驅(qū)動電流重疊來使半導(dǎo)體激光器120出射調(diào)制后的光，然而也可以使用電光學(xué)調(diào)制元件(EOM Electro-0ptic Modulator)來向從半導(dǎo)體激光器120出射的光提供調(diào)頻。本發(fā)明包含與在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)，或者目的和效果相同的結(jié)構(gòu))。并且，本發(fā)明包含置換了在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分后的結(jié)構(gòu)。并且，本發(fā)明包含可取得與在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或者可達到相同目的的結(jié)構(gòu)。并且，本發(fā)明包含向在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)附加了公知技術(shù)后的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種量子干涉裝置，其特征在于，該量子干涉裝置具有 光源，其用于產(chǎn)生共振光；以及 原子，其具有多個3能級系的能級，在與入射的所述共振光之間引起基于所述多個3能級系的能級的相互作用，產(chǎn)生電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子干涉裝置，其特征在于，所述3能級系的能級基于所述原子的基態(tài)能級和激勵能級發(fā)生塞曼分裂后的能級。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子干涉裝置，其特征在于，所述3能級系是Λ型3能級系。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項所述的量子干涉裝置，其特征在于，所述量子干涉裝置具有磁場產(chǎn)生單元，該磁場產(chǎn)生單元向所述原子施加用于引起所述塞曼分裂的磁場。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子干涉裝置，其特征在于，所述共振光包含頻率不同的多個光，所述量子干涉裝置具有控制單元，該控制單元根據(jù)所述磁場的強度，控制所述多個光之間的頻率差。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子干涉裝置，其特征在于，所述共振光包含頻率不同的多個光，所述量子干涉裝置具有控制單元，該控制單元根據(jù)所述多個光之間的頻率差，控制所述磁場的強度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子干涉裝置，其特征在于，所述共振光包含頻率不同的多個光，所述量子干涉裝置具有控制單元，該控制單元根據(jù)使所述原子透明的所述共振光的強度，控制所述多個光之間的頻率差。
8.一種原子振蕩器，其中，該原子振蕩器具有權(quán)利要求4所述的量子干涉裝置。
9.一種磁傳感器，其中，該磁傳感器具有權(quán)利要求4所述的量子干涉裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種量子干涉裝置、原子振蕩器以及磁傳感器，通過提高針對堿金屬原子的EIT現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)效率，可提高激光功率的利用效率。所述量子干涉裝置具有光源，其用于產(chǎn)生共振光；以及原子，其具有多個3能級系的能級，在與入射的所述共振光之間引起基于所述多個3能級系的能級的相互作用，產(chǎn)生電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象。
文檔編號H03L7/26GK103023496SQ20121039676
公開日2013年4月3日 申請日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月7日
發(fā)明者青山拓, 珎道幸治 申請人:精工愛普生株式會社