一種供電時(shí)序管理電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明屬于機(jī)電伺服系統(tǒng)中伺服控制驅(qū)動(dòng)器控制電路和功率驅(qū)動(dòng)電路的供電時(shí)序控制【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種供電時(shí)序管理電路。其中RC延時(shí)電路的參數(shù)可調(diào)，在上電瞬間，由于RC電路的充電，三極管關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)芯片沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓，防止上電瞬間驅(qū)動(dòng)芯片的誤導(dǎo)通，只有經(jīng)過(guò)延時(shí)，系統(tǒng)電源穩(wěn)定后，驅(qū)動(dòng)芯片才能正常的開(kāi)通，對(duì)控制信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)放大；下電瞬間，當(dāng)控制電路電源+3.3V先于驅(qū)動(dòng)電路電源+5V下電，關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)芯片輸出高電平，保護(hù)下電瞬間的功率電路部分。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，在PCB布局當(dāng)中較為靈活，占用空間較小，成本較低，使用壽命長(zhǎng)，可以保證伺服控制驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)定、可靠工作，具有很強(qiáng)的通用性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種供電時(shí)序管理電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于機(jī)電伺服系統(tǒng)中伺服控制驅(qū)動(dòng)器控制電路和功率驅(qū)動(dòng)電路的供電時(shí)序控制【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種供電時(shí)序管理電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在機(jī)電伺服系統(tǒng)中，伺服控制驅(qū)動(dòng)器由伺服控制電路和功率驅(qū)動(dòng)電路組成。為了保障伺服控制驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)定、可靠工作，要求+3.3V電源先上電，待控制芯片工作穩(wěn)定后，+5V電源再上電。因此，需要在電源供電電路的后端加入供電時(shí)序管理電路，以確保伺服+3.3V先于+5V上電。
[0003]通常的供電時(shí)序管理電路是通過(guò)數(shù)字時(shí)序管理電路實(shí)現(xiàn)精確控制的，雖然精度較高，但電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，可靠性方面不及模擬時(shí)序管理電路，且在PCB布局當(dāng)中不夠靈活。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種模擬的供電時(shí)序管理電路，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案為:
[0006]一種供電時(shí)序管理電路，包括二極管D1、二極管D2、電容Cp電阻Rp電阻R2、電阻R3、穩(wěn)壓管、三極管、MOSFET功率管、電阻R4和驅(qū)動(dòng)芯片；所述二極管D1與二極管D2同向串聯(lián)，串聯(lián)形成的電路兩端分別接有+3.3V電源和電容C1，且二極管D1的負(fù)極與+3.3V電源連接，二極管D2的正極與電容C1的一端連接，電容C1的另一端接地；二極管D2的正極與電阻R1和電阻R2并聯(lián)后形成的電阻的一端連接，電阻R1和電阻R2并聯(lián)后形成的電阻的另一端分別與電阻R3的一端和MOSFET功率管的源極連接，電阻R3的另一端與三極管的集電極連接；穩(wěn)壓管的負(fù)極與二極管D2的正極連接，穩(wěn)壓管的正極與三極管的基極連接；三極管的集電極與MOSFET功率管的柵極連接，三極管的發(fā)射極接地；M0SFET功率管的漏極與電阻R4的一端連接，電阻R4的另一端與驅(qū)動(dòng)芯片的OUT端口連接；驅(qū)動(dòng)芯片的COM端口連接有+5V電源，驅(qū)動(dòng)芯片的GND端口接地。
[0007]所述驅(qū)動(dòng)芯片的GND端口與COM端口之間連接有電容C2。
[0008]所述MOSFET功率管的源極與電感的一端連接，電感的另一端連接有+5V電源。
[0009]所述驅(qū)動(dòng)芯片的型號(hào)為ULN2003。
[0010]所述三極管的型號(hào)為3DG103。
[0011]所述MOSFET功率管的型號(hào)為IRF7424。
[0012]本發(fā)明所取得的有益效果為:
[0013]本發(fā)明所述供電時(shí)序管理電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，在PCB布局當(dāng)中較為靈活，占用空間較小，成本較低，使用壽命長(zhǎng)；且時(shí)序控制參數(shù)可以根據(jù)電路系統(tǒng)的實(shí)際工況進(jìn)行調(diào)節(jié)，保證了伺服控制驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)定、可靠工作，具有很強(qiáng)的通用性；[0014]RC延時(shí)電路的參數(shù)可調(diào)，在上電瞬間，由于RC電路的充電，三極管關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)芯片沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓，防止上電瞬間驅(qū)動(dòng)芯片的誤導(dǎo)通，只有經(jīng)過(guò)延時(shí)，系統(tǒng)電源穩(wěn)定后，驅(qū)動(dòng)芯片才能正常的開(kāi)通，對(duì)控制信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)放大；下電瞬間，當(dāng)控制電路電源+3.3V先于驅(qū)動(dòng)電路電源+5V下電，關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)芯片輸出高電平，保護(hù)下電瞬間的功率電路部分。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明所述供電時(shí)序管理電路結(jié)構(gòu)圖；
[0016]圖中:1、二極管D1 ;2、二極管D2 ;3、電容C1 ;4、電阻R1 ;5、電阻R2 ;6、電阻R3 ;7、電感；8、穩(wěn)壓管；9、三極管；10、MOSFET功率管；11、電容C2 ; 12、電阻R4 ; 13、驅(qū)動(dòng)芯片。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0018]如圖1所示，本發(fā)明所述供電時(shí)序管理電路包括二極管D1U二極管D22、電容Q3、電阻札4、電阻R25、電阻R36、電感7、穩(wěn)壓管8、三極管9、MOSFET功率管10、電容C2I1、電阻R412和驅(qū)動(dòng)芯片13 ；
[0019]所述二極管D1I與二極管％2同向串聯(lián)，串聯(lián)形成的電路兩端分別接有+3.3V電源和電容Q3，且二極管D1I的負(fù)極與+3.3V電源連接，二極管％2的正極與電容Q3的一端連接，電容Q3的另一端接地；二極管D22的正極與電阻凡4和電阻R25并聯(lián)后形成的電阻的一端連接，電阻M和電阻R25并聯(lián)后形成的電阻的另一端分別與電阻R36的一端和MOSFET功率管10的源極連接，電阻R36的另一端與三極管9的集電極連接；穩(wěn)壓管8的負(fù)極與二極管D22的正極連接，穩(wěn)壓管8的正極與三極管9的基極連接；三極管9的集電極與MOSFET功率管10的柵極連接，三極管9的發(fā)射極接地；M0SFET功率管10的漏極與電阻R412的一端連接，電阻R412的另一端與驅(qū)動(dòng)芯片13的OUT端口連接；驅(qū)動(dòng)芯片13的COM端口連接有+5V電源，驅(qū)動(dòng)芯片13的GND端口接地；
[0020]所述驅(qū)動(dòng)芯片13的GND端口與COM端口之間連接有電容C211 ;
[0021]所述MOSFET功率管10的源極與電感7的一端連接，電感7的另一端連接有+5V電源；
[0022]所述驅(qū)動(dòng)芯片13的型號(hào)為ULN2003 ;所述三極管9的型號(hào)為3DG103 ;所述MOSFET功率管10的型號(hào)為IRF7424 ；
[0023]上電瞬間，驅(qū)動(dòng)電路供電電源+5V先通過(guò)電感7濾波，由電容Q3、電阻札4、電阻R25構(gòu)成的參數(shù)可調(diào)的RC延時(shí)電路將電容CJ正極的電壓延時(shí)建立，在電容CJ充滿電之前，三極管9關(guān)閉，致使MOSFET功率管10也關(guān)閉，驅(qū)動(dòng)芯片13沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓，不能工作，從而保證由+3.3V供電的控制電路先進(jìn)入工作狀態(tài)，待電容Q3充滿電后，三極管9打開(kāi)，從而使電阻R36兩端產(chǎn)生壓降，致使MOSFET功率管10打開(kāi)，驅(qū)動(dòng)芯片13有驅(qū)動(dòng)電壓，可以正常工作，對(duì)控制信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)放大；下電瞬間，當(dāng)控制電路電源+3.3V先于驅(qū)動(dòng)電路電源+5V下電，由于穩(wěn)壓管8為+3.3V，當(dāng)電容Q3放電，使三極管9關(guān)閉，致使MOSFET功率管10也關(guān)閉，驅(qū)動(dòng)芯片13沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓，不能工作，驅(qū)動(dòng)芯片13輸出高電平，保護(hù)下電瞬間的功率電路部分；其中電容C2Il起到濾波作用，電阻R412起到限流作用。
【權(quán)利要求】
1.一種供電時(shí)序管理電路，其特征在于:該電路包括二極管DJ1)、二極管D2(2)、電容C1 (3)、電阻R1 (4)、電阻R2 (5)、電阻R3 (6)、穩(wěn)壓管(8)、三極管(9)、M0SFET功率管(10)、電阻R4 (12)和驅(qū)動(dòng)芯片(13);所述二極管D1 (I)與二極管D2 (2)同向串聯(lián)，串聯(lián)形成的電路兩端分別接有+3.3V電源和電容C1 (3)，且二極管D1 (I)的負(fù)極與+3.3V電源連接，二極管D2 (2)的正極與電容C1 (3)的一端連接，電容C1 (3)的另一端接地；二極管D2 (2)的正極與電阻R1 (4)和電阻R2 (5)并聯(lián)后形成的電阻的一端連接，電阻R1 (4)和電阻R2 (5)并聯(lián)后形成的電阻的另一端分別與電阻R3 (6)的一端和MOSFET功率管(10)的源極連接，電阻R3 (6)的另一端與三極管(9)的集電極連接；穩(wěn)壓管(8)的負(fù)極與二極管D2 (2)的正極連接，穩(wěn)壓管(8)的正極與三極管(9)的基極連接；三極管(9)的集電極與MOSFET功率管(10)的柵極連接，三極管(9)的發(fā)射極接地；M0SFET功率管(10)的漏極與電阻R4 (12)的一端連接，電阻R4 (12)的另一端與驅(qū)動(dòng)芯片(13)的OUT端口連接；驅(qū)動(dòng)芯片(13)的COM端口連接有+5V電源，驅(qū)動(dòng)芯片(13)的GND端口接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電時(shí)序管理電路，其特征在于:所述驅(qū)動(dòng)芯片(13)的GND端口與COM端口之間連接有電容C2 (11)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電時(shí)序管理電路，其特征在于:所述MOSFET功率管(10)的源極與電感(7)的一端連接，電感(7)的另一端連接有+5V電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電時(shí)序管理電路，其特征在于:所述驅(qū)動(dòng)芯片(13)的型號(hào)為 ULN2003。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電時(shí)序管理電路，其特征在于:所述三極管(9)的型號(hào)為3DG103。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電時(shí)序管理電路，其特征在于:所述MOSFET功率管(10)的型號(hào)為IRF7424。
【文檔編號(hào)】H03K17/687GK103532533SQ201210231007
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月4日
【發(fā)明者】龍海峰, 尹升愛(ài), 姜麗婷, 閆麗媛, 黃玉平 申請(qǐng)人:北京精密機(jī)電控制設(shè)備研究所, 中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院