專利名稱：恒溫型晶體振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用引線(lead)型晶體單元的恒溫型晶體振蕩器(下文中稱作 恒溫型振蕩器)的技術(shù)領(lǐng)域，特別是，涉及能夠減小其高度尺寸的恒溫型振蕩器。
背景技術(shù)：
即便當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，恒溫型振蕩器也保持其晶體單元的工作溫度不變，并且 改善頻率穩(wěn)定性。因此，恒溫型振蕩器用于通信設(shè)施中的無(wú)線設(shè)備，該無(wú)線設(shè)備是，例如，基 站。近年來(lái)，加熱電阻器被用作熱源，代替其上纏繞加熱線圈的傳統(tǒng)的恒溫槽(bath)，以簡(jiǎn) 化恒溫結(jié)構(gòu)。作為其中之一，有利用引線型晶體單元的恒溫型振蕩器。
圖2A和2B是用于說明現(xiàn)有技術(shù)恒溫型振蕩器的示意圖。圖2A是現(xiàn)有技術(shù)恒溫 型振蕩器的剖視圖，圖2B是其電路圖。圖3A和3B是用于說明現(xiàn)有技術(shù)恒溫型振蕩器的晶 體單元的示意圖。圖3A是其剖視圖，而圖3B是其頻率-溫度特性曲線圖。
圖2A和2B所示的恒溫型振蕩器包括引線型晶體單元1、形成振蕩器輸出電路2和 溫度控制電路3的相應(yīng)的電路元件4、以及包括晶體單元1的電路元件4安裝在其上的電 路基板5。于是，恒溫型振蕩器構(gòu)造成使得電路基板5用振蕩器底板(金屬底板)7的引線 8 (所謂的氣密端子)保持，該引線8用玻璃6做成氣密的，并且這些部件用振蕩器的蓋子 (金屬蓋)9通過電阻焊等封蓋。在這種情況下，振蕩器的底板7與在振蕩器的蓋子9的外 周邊上伸出的凸緣IO相結(jié)合以將其氣密地密封。 如圖3A所示，在晶體單元1中，從晶體元件1A的激勵(lì)電極lx延伸的引出電極ly 的兩端部由連接于金屬底板ll的一對(duì)引線(氣密端子)12的支撐件12a保持。于是，金屬 底板11和金屬蓋13的凸緣14通過與上述相同方式的電阻焊而結(jié)合，以氣密地密封晶體元 件1A。晶體元件1A形成為，例如，SC切割晶體元件或AT切割晶體元件，并且具有其極限值 為大約8(TC的頻率-溫度特性。例如，在AT切割晶體元件中，頻率-溫度特性示出三次曲 線(圖3B中的曲線A)，而在SC切割晶體元件中，頻率-溫度特性示出二次曲線(圖3B中 的曲線B)。順便提及，頻率偏移Af/f沿著圖的縱坐標(biāo)畫出，其中f是在室溫下的頻率，Af 是與室溫下的頻率f的頻率差。 振蕩器輸出電路2包括用作振蕩器電路的振蕩級(jí)2a和具有緩沖放大器等的緩沖 級(jí)2b。振蕩級(jí)2a形成為具有未示出的分壓電容器和用于振蕩的晶體管的柯匹茲型電路，它 們與晶體單元1 一起形成諧振電路。在這里，例如，振蕩級(jí)2a形成為在振蕩回路中具有電 壓控制的電容元件4Cv的電壓控制型電路。在圖中，Vcc是電源，Vout是輸出，而Vc是控制 電壓。 在溫度控制電路3中，由溫度感測(cè)元件(例如，熱敏電阻)4th和電阻器4R1檢測(cè) 的感溫電壓Vt施加于運(yùn)算放大器40A的一個(gè)輸入端，而由電阻器4R2和4R3檢測(cè)的參考電壓Vr施加于另一個(gè)輸入端。于是，參考電壓Vr和感溫電壓Vt之間的差分電壓施加于功率 晶體管4Tr的基極，并且來(lái)自電源Vcc的電力施加于用作加熱元件的片式電阻器4h(加熱 電阻器的一個(gè)例子)(下文中叫做加熱電阻器)。據(jù)此，到加熱電阻器4h的電力用與溫度相 關(guān)的溫度感測(cè)元件4th的電阻值來(lái)控制，以保持晶體單元1的工作溫度恒定。在室溫或高 于室溫下的工作溫度大約是8(TC，該8(TC為最小值或最大值(見圖3B，該8(TC為圖3B的 曲線A的最小值，并且為圖3B的曲線B的最大值)。 如圖2所示，電路基板5由例如玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成，并且未示出的電路圖案形 成在該電路基板5上，而且包括晶體單元1的相應(yīng)的電路元件4安裝在兩個(gè)主表面上。于 是，電路基板5由振蕩器的底板的引線8保持。在這個(gè)例子中，晶體單元1、以及溫度控制電 路3中的加熱電阻器4h、功率晶體管4Tr和溫度感測(cè)元件4th安裝在電路基板5的一側(cè)板 平面上。電路基板5的該一側(cè)板平面(底面)設(shè)置在振蕩器的底板7的一側(cè)處，而其另一 側(cè)板平面(頂面)設(shè)置在振蕩器的蓋子9的一側(cè)處。 晶體單元1的主表面面向電路基板5的一側(cè)板平面，以接觸例如安裝在電路基板 的中心區(qū)上的兩個(gè)加熱電阻器4h。于是，這對(duì)引線12被彎曲以穿過電路基板5，以用未示出 的焊料等牢固地固定在另一側(cè)板平面處。功率晶體管4Tr設(shè)置在晶體單元1的外側(cè)，并且 溫度感測(cè)元件4th安裝在加熱電阻器4h之間。這些晶體單元1和電路元件4h、4Tr和4th 用導(dǎo)熱樹脂15覆蓋。在這里，與溫度相關(guān)以逐漸改變其特性的電壓控制的電容元件4Cv安 裝在加熱電阻器4h之間。 振蕩器輸出電路2和溫度控制電路3的其他電路元件4安裝在設(shè)置為電路基板5 的另一側(cè)板平面的頂面上、以及在設(shè)置為一側(cè)板平面的底面上的導(dǎo)熱樹脂15的區(qū)域之外 的外周邊部分上。具體說，對(duì)振蕩頻率有影響的振蕩級(jí)2a的相應(yīng)的電路元件4設(shè)置在與用 導(dǎo)熱樹脂15覆蓋的區(qū)域相面對(duì)的電路基板5的頂面上。而且，例如，用于調(diào)節(jié)振蕩頻率的 諸如電容器等的調(diào)節(jié)器元件安裝在電路基板5的頂面上，這使其容易調(diào)節(jié)振蕩頻率。
于是，例如，在用作調(diào)節(jié)器元件的釬焊的電容器或電阻器需要更換的情況下，通過 用玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成電路基板5，焊接調(diào)節(jié)元件的更換工作變成很容易。S卩，由于焊接 中的熱被玻璃環(huán)氧樹脂聚集，所以焊接變成很容易。例如，在電路基板5是陶瓷基板的情況 下，熱很容易傳出，這使得在更換元件中的焊接工作變得困難。 順便提及，JP-A-2000-315916、JP-A-2006-311496和JP-A-2005-341191每個(gè)都公 開了一種現(xiàn)有技術(shù)的恒溫型振蕩器。 然而，在具有上述結(jié)構(gòu)的恒溫型振蕩器中，晶體單元1的主表面設(shè)置在加熱電阻 器4h上以便接觸加熱電阻器4h，這導(dǎo)致振蕩器高度尺寸增加的問題。為此原因，如圖4所 示，例如，加熱電阻器從晶體單元1的底面移除，并且多個(gè)加熱電阻器設(shè)置成圍繞晶體單元 的外周邊。認(rèn)為通過這種結(jié)構(gòu)減少了振蕩器的高度尺寸。順便提及，為了方便的原因，加熱 電阻器4th等在圖4中被略去。 然而，在這種情況下，由于晶體單元l的凸緣14接觸電路基板5，以被傾斜，所以凸 緣的伸出部分變成比較高。于是，載荷施加于這對(duì)引線的彎折區(qū)域，并且，例如，在氣密端子 處的玻璃中產(chǎn)生裂紋等，這導(dǎo)致到電路基板的安裝工作變得很困難。此外，在金屬底板側(cè)的 導(dǎo)熱樹脂的厚度增加，這導(dǎo)致從金屬蓋的主表面到電路基板的熱傳導(dǎo)變得不均勻的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種恒溫型振蕩器，該恒溫型振蕩器能夠減少其高度尺寸， 以便改善其可加工性，并且能夠使其溫度分布均勻。 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種恒溫型晶體振蕩器，其包括晶體單元，其中一 對(duì)引線從其引出的金屬底板與金屬蓋的凸緣結(jié)合以氣密地密封該晶體元件；振蕩器輸出電 路，其包括與所述晶體單元一起形成的振蕩級(jí)和緩沖級(jí)；溫度控制電路，其保持所述晶體單 元的工作溫度恒定；以及電路基板，所述晶體單元、振蕩器輸出電路和溫度控制電路的電路 元件安裝在該電路基板上；其中所述溫度控制電路包括加熱電阻器、向該加熱電阻器供給 電力的功率晶體管以及檢測(cè)晶體單元的工作溫度的溫度感測(cè)元件；其中通過將第一導(dǎo)熱樹 脂插入在晶體單元的主表面與電路基板的一側(cè)板平面之間，所述晶體單元的主表面被安裝 成面向電路基板的一側(cè)板平面，并且該加熱電阻器安裝成鄰近晶體單元，以便經(jīng)由第二導(dǎo) 熱樹脂熱耦合于所述晶體單元；其中晶體單元的凸緣插入設(shè)置在電路基板中的凹槽中，并 且通過在晶體單元的主表面與電路基板的一側(cè)板平面之間設(shè)置第一導(dǎo)熱樹脂，晶體單元的 主表面粘接于電路基板的所述一側(cè)板平面，并且其中加熱電阻器安裝在電路基板的一側(cè)板 平面上，以便將包括在晶體單元的所述對(duì)引線之間的部分的引線夾在中間，并且該加熱電 阻器圍繞該晶體單元的外周邊。 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在該恒溫型晶體振蕩器中，其中所述第一導(dǎo)熱樹脂是粘
性樹脂薄片，并且其中所述第二導(dǎo)熱樹脂形成為應(yīng)用將被固化的液體樹脂。 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在該恒溫型晶體振蕩器中，其中所述電路基板的平面區(qū)
域設(shè)置為熱耦合區(qū)，在該平面區(qū)域上晶體單元和加熱電阻器利用第二導(dǎo)熱樹脂相互熱耦
合，并且其中所述振蕩級(jí)的電路元件安裝在電路基板的另一側(cè)板平面上的熱耦合區(qū)域上，
該另一側(cè)板平面與電路基板的所述一側(cè)板平面相對(duì)。 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在該恒溫型晶體振蕩器中，其中所述電路基板用玻璃環(huán)
氧樹脂基板構(gòu)成，并且由振蕩器的底板的引線保持，其中振蕩器的蓋子結(jié)合于振蕩器的底
板以形成振蕩器殼體，其中晶體單元安裝在其上的電路基板的所述一側(cè)板平面面向振蕩器
的底板，并且其中用于調(diào)節(jié)的電路元件安裝在電路基板的另一側(cè)板平面上。 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在該恒溫型晶體振蕩器中，其中該溫度感測(cè)元件與晶體
單元和加熱電阻器一起安裝在電路基板的一側(cè)板平面上，以便經(jīng)由第二導(dǎo)熱樹脂相互熱耦
合，以形成熱耦合區(qū)。 根據(jù)本發(fā)明的各方面，由于晶體單元的凸緣插入到電路基板的凹槽中，所以晶體 單元的主表面(金屬蓋)基本上沿著水平方向設(shè)置于電路基板的一側(cè)板平面上。因此，能 夠減少針對(duì)凸緣的伸出部分的高度。于是，晶體單元的主表面與電路基板的所述一側(cè)板平 面之間的間隙最小化，并且第一導(dǎo)熱樹脂的厚度也減小。據(jù)此，能夠使從金屬蓋的主表面到 電路基板的傳導(dǎo)熱最大化，使電路基板的溫度分布均勻。而且，在將晶體單元安裝于電路基 板時(shí)，具體說，當(dāng)一對(duì)引線插入電路基板以與其連接時(shí)，施加于彎曲區(qū)域的載荷減小，這使 得能夠改善可加工性。 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，由于第一導(dǎo)熱樹脂是樹脂薄片，因此與將液體樹脂用作 第一導(dǎo)熱樹脂的情況相比，更能夠改善可加工性。 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，具體說，由于對(duì)振蕩頻率有影響的振蕩級(jí)的電路元件的工作溫度是穩(wěn)定的，因此能夠防止頻率根據(jù)這些電路元件的溫度性質(zhì)而變化。 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，例如，能夠很容易地調(diào)節(jié)振蕩頻率。具體說，由于電路基
板由玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成，所以當(dāng)需要通過拆卸更換用于調(diào)節(jié)的電路元件時(shí)，能夠使電
路元件的焊接工作很容易。 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，由于用于加熱的片式電阻器(熱源)(在下文稱之為加 熱電阻器或加熱片式電阻器)、晶體單元以及溫度感測(cè)元件相互熱耦合，使得其溫度是均勻 的，這使得實(shí)時(shí)溫度控制成為可能。


圖1A和圖1B是用于說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的恒溫型振蕩器的示意圖，其中 圖1A是該恒溫型振蕩器的剖視圖，圖1B是作為該恒溫型振蕩器的電路基板的底面的一側(cè) 板平面的俯視圖； 圖2A和圖2B是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的恒溫型振蕩器的示意圖，其中圖2A是現(xiàn)有技
術(shù)的恒溫型振蕩器的剖視圖，圖2B是現(xiàn)有技術(shù)的恒溫型振蕩器的電路圖； 圖3A和圖3B是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的恒溫型振蕩器的晶體單元的示意圖，其中圖
3A是該晶體單元的剖視圖，而圖3B是該晶體單元的頻率-溫度特性曲線圖。 圖4是現(xiàn)有技術(shù)的恒溫型振蕩器的電路基板的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A和圖1B是用于說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的恒溫型振蕩器的示意圖。圖1A 是該恒溫型振蕩器的剖視圖，圖1B是作為其電路基板的底面的一側(cè)板平面的俯視圖。
如上所述，恒溫型振蕩器包括晶體單元l，其中金屬底板11和金屬蓋13的凸緣14 通過電阻焊接結(jié)合，以氣密地密封晶體元件1A，并且一對(duì)引線12從其引出(參考圖2A)。晶 體單元1安裝在作為電路基板5的一側(cè)板平面的中心區(qū)域，以面向振蕩器的底板7。然后， 這對(duì)引線12被彎曲以穿過其前端，用焊料連接于另一側(cè)板平面。電路基板5被振蕩器的底 板7的一對(duì)引線8保持，并且振蕩器用蓋9結(jié)合于振蕩器的底板7。 在這里，通槽16設(shè)置在電路基板上，并且晶體單元1的凸緣14插入到該槽16中。 晶體單元1 (金屬蓋13)的主表面沿著水平方向設(shè)置于電路基板5的一側(cè)板平面，以通過設(shè) 置第一導(dǎo)熱樹脂15a而牢固地粘接于電路基板5。第一導(dǎo)熱樹脂15a是粘性樹脂薄片。然 后，加熱電阻器4h安裝成在電路基板5的所述一側(cè)板平面上圍繞該晶體單元1的外周邊。
詳細(xì)地說，加熱電阻器4h安裝在晶體單元1的這對(duì)引線12之間，并且在這對(duì)引線 12的外側(cè)，以將相應(yīng)的引線12夾在中間。于是，加熱電阻器4h安裝成鄰近金屬底板11和 金屬蓋13的外周邊，以便圍繞它們。但是，在這個(gè)例子中，例如，功率晶體管4Tr用作熱源， 并且溫度感測(cè)元件4th和電壓控制的電容元件4Cv也安裝在，例如，金屬蓋13的加熱區(qū)。這 些元件用第二導(dǎo)熱樹脂15b覆蓋，該第二導(dǎo)熱樹脂15b應(yīng)用為液體樹脂并且其后被固化，這 些元件分別相互熱耦合。于是，用第二導(dǎo)熱樹脂15b覆蓋的平面區(qū)域設(shè)置為電路基板5的 熱耦合區(qū)。 振蕩器輸出電路2和溫度控制電路3的其他相應(yīng)的電路元件4安裝在電路基板5 的另一側(cè)板平面上，該另一側(cè)板平面與電路基板5的所述一側(cè)板平面相對(duì)。具體說，對(duì)振蕩頻率有影響的振蕩級(jí)2a的電路元件4安裝在電路基板5的熱耦合區(qū)(導(dǎo)熱樹脂15b施加在其上的區(qū)域)上，即另一側(cè)板平面(頂面)上。然后，緩沖級(jí)2b和溫度控制電路3的電路元件4安裝在熱耦合區(qū)中并在該熱耦合區(qū)的外面。具體說，用于調(diào)節(jié)振蕩頻率的電路元件4安裝在振蕩器的蓋子9 一側(cè)處的電路基板5的頂面(所述另一側(cè)板平面)上。順便提及，溫度控制電路3起晶體單元1的溫度補(bǔ)償電路的作用。 按照這種結(jié)構(gòu)，由于晶體單元1的凸緣14插入到電路基板5的凹槽16中，晶體單元1(金屬蓋13)的主表面沿著水平方向基本上設(shè)置于電路基板5的一側(cè)板平面。因此，能夠減少針對(duì)凸緣14的伸出部分的高度。于是，晶體單元1的主表面和電路基板5的一側(cè)板平面之間的間隙最小化，并且第一導(dǎo)熱樹脂15a的厚度也減小。 據(jù)此，能夠使從金屬蓋13到電路基板5的傳導(dǎo)熱最大化，并且使電路基板5的溫度分布均勻。而且，在將晶體單元1安裝于電路基板5時(shí)，具體說，當(dāng)一對(duì)引線12插過電路基板5以與其連接時(shí)，施加于彎曲區(qū)域的載荷減少，這使得能夠改善可加工性。
而且，由于第一導(dǎo)熱樹脂15a是粘性樹脂薄片，這比將液體樹脂用作第一導(dǎo)熱樹脂15a的情況更能夠改善可加工。而且，對(duì)振蕩頻率有影響的振蕩級(jí)2a的電路元件4安裝在電路基板5的另一側(cè)板平面上，通過將第二導(dǎo)熱樹脂15b施加在該另一側(cè)板平面上上而將其設(shè)置成熱耦合區(qū)。因此，由于振蕩級(jí)2a的電路元件4的工作溫度是恒定的，因此能夠防止頻率根據(jù)這些電路元件的溫度性質(zhì)而改變。 而且，由于用于調(diào)節(jié)的電路元件4安裝在在電路基板5的振蕩器的蓋子9的這一側(cè)的頂面上，因此，例如，能夠容易調(diào)節(jié)振蕩頻率。具體說，在電路基板5用玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成的情況下，當(dāng)需要通過拆卸更換用于調(diào)節(jié)的電路元件4時(shí)，能夠防止熱輻射，使得焊接工作很容易。 而且，在這個(gè)例子中，用作熱源的加熱電阻器4h和功率晶體管4Tr、晶體單元1以及溫度感測(cè)元件4th通過第二導(dǎo)熱樹脂15b相互熱耦合，即設(shè)置為熱耦合區(qū)。因此，特別是，熱源、晶體單元1和溫度感測(cè)元件的溫度是均勻的，這使得實(shí)時(shí)溫度控制成為可能。
在上述實(shí)施例中，功率晶體管4Tr與加熱電阻器4h —起排列在晶體單元1的外周邊上?？蛇x地，功率晶體管4Tr可以排列在加熱電阻器4h的外側(cè)。在這種情況下，例如，能夠消除由于功率晶體管4Tr和各加熱電阻器4h的熱量不同而引起的溫度分布的不均勻性。順便提及，如果功率晶體管4Tr設(shè)置在第二導(dǎo)熱樹脂15b的外側(cè)從而不作為熱源，則溫度分布的均勻性進(jìn)一步改善。但是，由于作為熱源的能量被浪費(fèi)，所以這種模式根據(jù)需要來(lái)選擇。 而且，第二導(dǎo)熱樹脂15b覆蓋晶體單元、加熱電阻器4h以及溫度感測(cè)元件4th。但是，用第二導(dǎo)熱樹脂15b填充在這些相應(yīng)的元件(1、4h、4th等)中的空間，以使這些元件相互熱耦合就足夠了，而用第二導(dǎo)熱樹脂15b從上面覆蓋相應(yīng)的元件不是必須的。
權(quán)利要求
一種恒溫型晶體振蕩器，包括晶體單元，其中金屬底板和金屬蓋的凸緣相結(jié)合以氣密地密封晶體元件，一對(duì)引線從該金屬底板引出；振蕩器輸出電路，其包括與所述晶體單元一起形成的振蕩級(jí)和緩沖級(jí)；溫度控制電路，其保所述持晶體單元的工作溫度恒定；以及電路基板，所述晶體單元、振蕩器輸出電路和溫度控制電路安裝在該電路基板上，其中所述溫度控制電路包括加熱電阻器、向所述加熱電阻器供給電力的功率晶體管以及檢測(cè)所述晶體單元的工作溫度的溫度感測(cè)元件，其中，所述晶體單元的主表面被安裝成面向所述電路基板的一側(cè)板平面，同時(shí)將第一導(dǎo)熱樹脂設(shè)置在所述晶體單元的主表面和所述電路基板的一側(cè)板平面之間，并且所述加熱電阻器安裝成鄰近所述晶體單元，以便經(jīng)由第二導(dǎo)熱樹脂熱耦合于所述晶體單元，其中所述晶體單元的凸緣插入到設(shè)置在所述電路基板中的凹槽中，并且通過將所述第一導(dǎo)熱樹脂設(shè)置在所述晶體單元的主表面和所述電路基板的一側(cè)板平面之間，所述晶體單元的主表面粘接于所述電路基板的該一側(cè)板平面，并且其中所述加熱電阻器安裝在所述電路基板的一側(cè)板平面上，以便將包括在所述晶體單元的所述對(duì)引線之間的部分的引線夾在中間，并且所述加熱電阻器圍繞所述晶體單元的外周邊。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒溫型晶體振蕩器， 其中所述第一導(dǎo)熱樹脂是粘性樹脂薄片，并且 其中所述第二導(dǎo)熱樹脂形成為應(yīng)用將被固化的液體樹脂。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒溫型晶體振蕩器，其中將所述電路基板的平面區(qū)域設(shè)置為熱耦合區(qū)，在該平面區(qū)域上，所述晶體單元和 所述加熱電阻器通過第二導(dǎo)熱樹脂相互熱耦合，并且，其中所述振蕩級(jí)的電路元件安裝在所述電路基板的另一側(cè)板平面上的熱耦合區(qū)上，該 另一側(cè)板平面與電路基板的所述一側(cè)板平面相對(duì)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒溫型晶體振蕩器，其中所述電路基板用玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成，并且由所述振蕩器的底板的引線保持， 其中所述振蕩器的蓋子結(jié)合于所述振蕩器的底板，以形成振蕩器殼體， 其中所述晶體單元安裝在其上的電路基板的所述一側(cè)板平面面向所述振蕩器的底板，并且其中用于調(diào)節(jié)的電路元件安裝在所述電路基板的所述另一側(cè)板平面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒溫型晶體振蕩器，其中所述溫度感測(cè)元件與所述晶體單元和所述加熱電阻器一起安裝在電路基板的所 述一側(cè)板平面上，以便經(jīng)由第二導(dǎo)熱樹脂相互熱耦合，以形成熱耦合區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種恒溫型振蕩器，該恒溫型振蕩器包括晶體單元；振蕩器輸出電路；溫度控制電路；以及電路元件安裝在其上的電路基板。晶體單元的主表面安裝成面向電路基板的一側(cè)板平面，同時(shí)第一導(dǎo)熱樹脂設(shè)置在該晶體單元的主表面和該電路基板的一側(cè)板平面之間，并且該加熱的電阻器安裝成經(jīng)由第二導(dǎo)熱樹脂熱耦合于該晶體單元。通過設(shè)置在其之間的第一導(dǎo)熱樹脂，晶體單元的主表面粘接于電路基板的一側(cè)板平面。加熱電阻器安裝在電路基板的一側(cè)板平面上，以便將包括在晶體單元的一對(duì)引線之間的部分的這對(duì)引線夾在中間，并且該加熱電阻器圍繞該晶體單元的外周邊。
文檔編號(hào)H03B5/32GK101719756SQ200910178138
公開日2010年6月2日 申請(qǐng)日期2009年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月8日
發(fā)明者伊藤學(xué) 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社