專利名稱：彈性表面波裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在各種移動通信終端器件等中使用的彈性表面波裝置及其制造方法。
背景技術：
以下，對以往的彈性表面波裝置進行說明。近年來，彈性表面波裝置在各種移動通信終端裝置(例如移動電話)等電子裝置中廣 泛被使用，但是，伴隨著裝置的小型化，對彈性表面波裝置的更加小型化、扁平化的要求 變得更加強烈。針對于此，如圖6所示，提出了將設有梳形電極l的元件2通過突起(Bmnp) 4倒裝在線路基板3上，并以樹脂膜5覆蓋元件2 ，從而謀求彈性表面波裝置的小型化及扁 平化的建議。然而，隨著裝置的模塊化的進展，在將彈性表面波裝置安裝之后要進行成型，而在成 型時會施加給元件以較大的壓力，有時偶爾會出現(xiàn)突起毀壞的問題。另外，作為與此申請的發(fā)明相關的前沿技術文獻信息，例如己知日本專利公開公報特 開2001-176995號(以下稱作"專利文獻l")。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于解決以往技術中所存在的問題，提供一種耐成型等外力的彈性表面 波裝置。為了達到所述目的，本發(fā)明所提供的彈性表面波裝置包括，壓電基板，在其主面上設 有梳形電極和片狀電極；蓋體，與所述壓電基板的主面相對而置，并在與所述壓電基板側 相反的一側的面上設有外部端子；連接電極，將所述片狀電極和所述外部端子相互電連接； 以及絕緣體，介于所述壓電基板的主面和所述片狀電極中的至少其中之一與所述蓋體之 間。在本發(fā)明中，因為絕緣體介于壓電基板的主面及片狀電極中至少其中之一與蓋體之 間，所以，即使例如在成型時對壓電基板施加壓力，其壓力也從壓電基板直接地或經(jīng)由片 狀電極間接地傳到絕緣體，使得施加于連接電極的壓力變小。因此，能夠獲得連接電極不
容易因成型等外力而被毀壞的彈性表面波裝置。


圖l是本發(fā)明的第一實施例涉及的彈性表面波裝置的剖視圖。圖2 (a) 圖2 (d)是說明本發(fā)明的第一實施例涉及的彈性表面波裝置的制造方法的圖。圖3是第一實施例的變形實施例的彈性表面波裝置的剖視圖。 圖4是第一實施例的變形實施例的彈性表面波裝置的剖視圖。圖5 (a)是本發(fā)明的第二實施例涉及的彈性表面波裝置的俯視圖；圖5 (b)是圖5 (a) 的沿VB-VB線的剖視圖。圖6是以往的彈性表面波裝置的剖視圖。
具體實施方式
以下，對本發(fā)明的第一實施例進行說明。圖1是本發(fā)明的第一實施例涉及的彈性表面波裝置10A的剖視圖。如圖1所示，彈性表 面波裝置10A包括相互間隔一定距離(在本實施例中約5nm)并相對而置的壓電基板ll和 蓋體15。所述壓電基板ll由厚約0.25mm的鉭酸鋰構成，在蓋體15側的主面上設有梳形電極12 和片狀電極(Pad Electrode) 13等。另外，雖然在壓電基板ll的主面上的、用于配置梳 形電極12和反射電極(未圖示)等的、且用于傳播彈性表面波的有效區(qū)域lla是開放于空 氣中的，不過，在其外側的區(qū)域，存在片狀電極13的部分從該片狀電極13上，而其它部分 是直接地被含有二氧化硅的絕緣體14覆蓋。換句話說，絕緣體14，以包圍壓電基板ll的有 效區(qū)域lla的方式存在于壓電基板ll的主面與蓋體15之間以及片狀電極13與蓋體15之間。 再者，絕緣體14的最大厚度與所述一定距離的間隔相同約為5iim。所述蓋體15由厚約0.2mm的玻璃構成。而且，蓋體15與絕緣體14相接合并且其間是 被密封的。即，由所述壓電基板ll的有效區(qū)域lla、所述絕緣體14及蓋體15所包圍的空間 18是被保持氣密封的。并且，在蓋體15的與壓電基板11側相反的一側的面上、對應于片狀 電極13的位置上設有外部端子17。此外部端子17通過貫通絕緣體14及蓋體15的孔中設置 的包含鈦、銅、鎳的連接電極16來與片狀電極13相電連接。-所述絕緣體14的彈性率約為70GPa，所述壓電基板LL加彈性率約為135GPa，所述蓋 體15的彈性率約為64GPa。即，絕緣體14具有壓電基板11的彈性率與蓋體15的彈性率之 間的彈性率。在以往的彈性表面波裝置中，如果從元件的背面施加壓力，該壓力則直接施加于突起， 但是，在具有所述結構的彈性表面波裝置10A中，由于在壓電基板11的主面與蓋體15之間 以及片狀電極13與蓋體15之間有絕緣體14存在，所以，即使例如在進行成型時向壓電基板 11施加了壓力，該壓力在經(jīng)壓電基板11直接地傳到絕緣體14的同時還經(jīng)由片狀電極13間接 地傳到絕緣體14，因此所施加的壓力被分散，傳到連接電極16的力變小。因此，可以提高 對外力的耐力，從而能獲得連接電極16不容易因成型等外力而被毀壞的彈性表面波裝置。并且，由于連接電極16的周圍全部被絕緣體14覆蓋，因此，即使僅給壓電基板ll的局 部施加壓力，也能夠有效地防止連接電極16的毀壞。而且，因為壓電基板ll的有效區(qū)域lla所面對的空間18是通過以壓電基板11、蓋體15、 絕緣體14包圍所述空間18來保持氣密性的，所以，不用進行對通常的彈性表面波元件來說 是必須進行的附加性的封接。另一方面，在以往的彈性表面波裝置中，因為在元件的周圍需要用于封接的區(qū)域，因 此裝置的尺寸比元件的尺寸都大，但是，由于彈性表面波裝置10A不須另外設置用于封接 的區(qū)域，因此能夠謀求裝置的小型化。而且，在連接了多個彈性表面波諧振器的梯形(Rudder)彈性表面波濾器等中，優(yōu)選 的是，分別以絕緣體14包圍各個諧振器。據(jù)此，可以用有效區(qū)域lla以外的寬廣的表面支 撐蓋體15，能夠更加提高對外力的耐力。對于這種具體結構，在第二實施例中描述。另外，為了確保有效區(qū)域lla所面對的空間18能較大，如圖3所示的變形實施例的彈性 表面波裝置10B所示，也可以使蓋體15的與有效區(qū)域lla相對應的區(qū)域凹下而設置凹部 15a。所述絕緣體14也起到，在壓電基板11與蓋體15之間確保特定的空間，使得蓋體15不 接觸梳形電極12的作用，不過，如果蓋體15具有凹部15a，則能通過凹部15a來確保用以 防止蓋體15接觸梳形電極12的空間。由此，可以將絕緣體14的厚度設為更薄，以謀求裝置 的扁平化(即，降低裝置的高度)。其次，對彈性表面波裝置10A的制造方法進行說明。首先，如圖2 (a)所示，準備由晶片狀的厚約0.25mm的鉭酸鋰構成的晶片狀壓電基 板21。晶片狀壓電基板21是通過縱橫切斷該晶片狀壓電基板21可以切割出多個所述壓電基 板11的基板。接著，在晶片狀壓電基板21的主面上，采用光刻(Photo Lithography )技 術形成主要由以厚約0.2!mi的fa^^^的金屬膜而構成的梳形電極12、反射電極(未圖 示)、片狀電極13等彈性表面波裝置圖案。其后，在晶片狀壓電基板21上除梳形電極12、 反射電極等傳播彈性表面波的有效區(qū)域lla以外的所有面上，形成由厚約5imi的二氧化硅 構成的絕緣層24。此絕緣層24在后述的切割工序中被切斷后，成為所述絕緣體14。在此， 為了形成絕緣體14的圖案，可以采用，通過濺射蒸鍍(sputtering vapor deposition)來在 晶片狀壓電基板21的整個主面上形成絕緣層24之后，形成阻膜圖案(resistpattern)并通過 干式蝕刻(diy etching)來除去有效區(qū)域lla上的絕緣層24的方法；也可以采用，通過剝離 技術(Lift-Off)來形成圖案的方法。而，為了后面的接合工序方便，絕緣層24的表面呈 平坦為宜，但是，在采用通常的蒸鍍的情況下，因片狀電極13等的電極厚度而容易產(chǎn)生高 低不平。與此相比，在采用濺射蒸鍍的情況下，由于是一邊施加偏壓一邊形成絕緣層24， 可以一邊切削絕緣層24—邊形成膜，因此能夠將絕緣層24的表面刨平到可順暢進行接合工 序的程度。其次，如圖2 (b)所示，準備由厚約0.2mm的玻璃構成的晶片狀蓋基板25。晶片狀蓋 基板25是通過縱橫切斷該晶片狀蓋基板25可以切割出多個所述蓋體15的基板。接著，在絕 緣層24的表面接合晶片狀蓋基板25。作為將絕緣層24的表面與晶片狀蓋基板25接合的方 法，可以采用直接接合或用水玻璃粘接等方法。在晶片狀蓋基板25上的與片狀電極13相對應的部分，設有用于設置連接電極16的貫通 孔28。貫通孔28不一定需要在接合之前設置，也可以在絕緣層24的表面上接合了晶片狀蓋 基板25之后形成貫通孔28，但是，為加工方便，預先設置為宜。在絕緣層24上接合了晶片狀蓋基板25之后設置貫通孔28的情況下，可以采用噴沙、激 光加工等方法。通常，在填埋貫通孔來保持氣密封的情況下，如果貫通孔的壁面不平滑就 不能保持氣密封性，但是，由于在第一實施例中貫通孔28不接觸氣密封接區(qū)域，因此即使 采用噴沙、激光加工等簡易的方法，也不會給氣密封接帶來影響。其次，如圖2 (c)所示，采用C2F6等氟系蝕刻氣體，通過干式蝕刻法并利用貫通孔28 在絕緣層24上形成到達片狀電極13的孔24a。由于氟系蝕刻氣體幾乎不蝕刻以鋁為主體的 片狀電極13，因此從晶片狀蓋基板25的方向來看，片狀電極13處于通過貫通孔28及孔24a 被露出的狀態(tài)。當沒有預先在晶片狀蓋基板25上設置貫通孔28的情況下，在利用阻膜形成 圖案后迸行一直到達片狀電極13為止的干式蝕刻。其次，如圖2 (d)所示，通過濺射來從晶片狀蓋基板25側蒸鍍鈦和銅，從而形成外部 端子層27的,并對貫通孔28里面進行金屬噴鍍；然后通過對其表面鍍鎳，來填埋貫通孔 28-，--從葡開^W來將片狀電極13與外部端子層27相電連接的連接電極16。所述外部端子層27在后述的切割工序中被切斷后，成為所述外部連接端子17。另外，在獲得本發(fā)明效果方 面，即使貫通孔28的內部沒有被連接電極16完全填埋也可以。此后，通過切割工序，按照特定尺寸切斷晶片狀壓電基板21、絕緣層24、晶片狀蓋基 板25及外部端子層27，只需將壓電基板11及蓋體15個片化即能夠得到每個彈性表面波裝置 IOA。由此，能夠同時制造多個彈性表面波裝置10A。如果同時切割粘合在一起的彈性率相差很大的材料，在其粘合面就容易產(chǎn)生切屑，但 是，如第一實施例那樣，如果絕緣層24具有晶片狀壓電基板21的彈性率與晶片狀蓋基板25 的彈性率之間的彈性率，則能減小相鄰材料之間的彈性率差，因此能夠減少制造彈性表面 波裝置時因切割而產(chǎn)生的切屑。另外，在通過絕緣層24來接合所述晶片狀壓電基板21與晶片狀蓋基板25之后，也可以 通過研磨晶片狀壓電基板21的與主面相反的面來減少裝置的厚度。在第一實施例中，利用 絕緣層24，由于晶片狀壓電基板21被除有效區(qū)域lla以外的寬闊面積而支撐，因此即使研 磨晶片狀壓電基板21也不容易開裂，可以謀求彈性表面波裝置的扁平化。而且，通過研磨， 可以使晶片狀壓電基板21的與有效區(qū)域lla相反的面粗糙，由此也能夠得到可控制因無用 的體波(bulk wave)的反射所引起的特性劣化這樣一個效果。在進行所述切割工序時，也可以沿著分割所述連接電極16的線切斷所述晶片狀壓電基 板21及晶片狀蓋基板25。通過這種方法，如圖4所示，能夠得到在蓋體15端面配置連接電 極16的彈性表面波裝置10C。此彈性表面波裝置10C，與連接電極16貫通蓋體15的圖1所 示的彈性表面波裝置10A相比，可以縮減蓋體15的位于連接電極16外側的部分，從而能夠 謀求器件的小型化。其次，參照圖5 (a)及圖5 (b)，對本發(fā)明的第二實施例的彈性表面波裝置10D進行 說明。在此彈性表面波裝置10D中，壓電基板ll具有兩個以上的有效區(qū)域lla，絕緣體14被 設置為分別地包圍各有效區(qū)域lla。即，壓電基板ll的主面上的兩個有效區(qū)域lla以外的區(qū) 域被絕緣體14覆蓋。另外，壓電基板ll只要具有兩個有效區(qū)域lla即可，也可以具有三個 以上的有效區(qū)域lla。并且，在所述壓電基板11的與主面相反的整個面上設有樹脂層19。在第二實施例中，絕緣體14具有由二氧化硅層14a和樹脂層14b構成的兩層結構。作為 此樹脂層14b可以采用的樹脂，例如可為環(huán)氧或聚酰亞胺等樹脂。另外，對于絕緣體14， 只要包含樹脂層14b即可，沒有必要使整個絕緣體14具有兩層結構，也可以僅使一部分具 有兩層結構。而且，絕緣體14也可以為具有包含樹脂層14b的三層以上的結構.
如此，如果將絕緣體14設置為分別包圍各有效區(qū)域lla的話，則可以確保壓電基板ll 與絕緣體14之間的接觸面積較大，能夠更加降低施加于連接電極16的壓力。而且，因為在壓電基板11的與主面相反的面上設有樹脂層19，所以在壓電基板ll內由 主面向與主面相反的面?zhèn)鞑サ捏w波(bulk wave)被樹脂層19吸收，使得該體波被與主面相 反的面反射并返回到主面的比例變小，能夠降低因體波的反射所引起的頻率特性的劣化。并且，因為絕緣體14包含樹脂層14b，所以在成型時或熱沖擊時各部分所產(chǎn)生的應力 的峰值，可以通過絕緣體14的樹脂層14b的彈性變形而得到緩和。再者，在所述第一實施例及第二實施例中，雖然只示意了除壓電基板ll的有效區(qū)域lla 以外的所有區(qū)域都被絕緣體14覆蓋的實施方式，但是，絕緣體14只要介于壓電基板11的主 面及片狀電極13中的至少之一與蓋體15之間，就能減少施加于連接電極16的壓力。如上所述，本發(fā)明所涉及的彈性表面波裝置包括，壓電基板，在其主面上設有梳形電 極和片狀電極；蓋體，與所述壓電基板的主面相對而置，并在與所述壓電基板側相反的一 側的面上設有外部端子；連接電極，將所述片狀電極和所述外部端子相互電連接；以及絕 緣體，介于所述壓電基板的主面和所述片狀電極中的至少其中之一與所述蓋體之間。在采用此結構的情況下，因為絕緣體介于壓電基板的主面及片狀電極中的至少一個與 蓋體之間，所以，即使例如在成型時給壓電基板施加了壓力，其壓力也從壓電基板直接地 或經(jīng)由片狀電極間接地傳到絕緣體，因此施加于連接電極的壓力變小。由此，可以獲得連 接電極不容易因成型等外力而被毀壞的彈性表面波裝置。在所述彈性表面波裝置中，優(yōu)選的是，所述絕緣體至少介于所述片狀電極與所述蓋體 之間；所述連接電極貫通所述絕緣體及所述蓋體。在采用此結構的情況下，因為在連接電極的周圍存在絕緣體，因此即使給壓電基板的 一部分施加了壓力，也能夠有效地防止連接電極的毀壞。在所述彈性表面波裝置中，優(yōu)選的是，所述絕緣體介于所述片狀電極與所述蓋體之間 以及所述壓電基板的主面與所述蓋體之間，從而包圍設有所述梳形電極的壓電基板的主面 上的有效區(qū)域。在采用此結構的情況下，可以通過絕緣體來將壓電基板的主面上的有效區(qū)域與蓋體之 間的空間保持氣密封。并且，優(yōu)選的是，所述壓電基板至少具有兩個以上的有效區(qū)域；所述絕緣體被設置成 可分別包圍各有效區(qū)域。 -在采用此結構的情況下，可以確保壓電基板與絕緣體湘接觸的較大面積，能夠更加降
低施加于連接電極的壓力。在此，所述絕緣體也起到，在所述壓電基板與所述蓋體之間確保特定的空間，使得蓋 體不接觸梳形電極的作用，不過，如果蓋體在與壓電基板主面上的用于設置所述梳形電極 的有效區(qū)域相對的區(qū)域上具有所凹陷的凹部，則能通過凹部來確保用來防止蓋體接觸梳形 電極的空間。由此，可以將絕緣體的厚度設為更薄，能夠謀求器件的扁平化。在所述彈性表面波裝置中，優(yōu)選的是，所述絕緣體具有所述壓電基板的彈性率與所述 蓋體的彈性率之間的彈性率。如果同時切割粘合在一起的彈性率相差很大的材料，在其粘合面就容易產(chǎn)生切屑，但 是，在采用所述結構的情況下，由于可以減小相鄰材料之間的彈性率差，因此能夠減少制 造彈性表面波裝置時因切割而產(chǎn)生的切屑。在所述彈性表面波裝置中，優(yōu)選的是，在所述壓電基板的與主面相反的面上設有樹脂層。在采用此結構的情況下，由于在壓電基板內由主面向與主面相反的面?zhèn)鞑サ捏w波被樹 脂層吸收，使得該體波被與主面相反的面反射并返回到主面的比例變小，因此能夠降低因 體波的反射所引起的頻率特性的劣化。在所述彈性表面波裝置中，優(yōu)選的是，所述連接電極被設置在所述蓋體的端面。在采用此結構的情況下，與連接電極貫通蓋體的結構相比，可以縮減蓋體的位于連接 電極外側的部分，從而能夠謀求器件的小型化。在所述彈性表面波裝置中，優(yōu)選的是，所述絕緣體至少包含樹脂層。在采用此結構的情況下，在成型時或熱沖擊時各部分所產(chǎn)生的應力的峰值，可以通過 絕緣體的樹脂層的彈性變形而得到緩和。而且，本發(fā)明涉及的彈性表面波裝置的制造方法包括在壓電基板的主面上形成梳形 電極及片狀電極的步驟；用絕緣體覆蓋除了有效區(qū)域以外的其它區(qū)域的步驟，其中有效區(qū) 域是指在所述壓電基板的主面上設有所述梳形電極的區(qū)域；在所述絕緣體上接合蓋體的步 驟；在所述絕緣體的與所述片狀電極相對應的位置上形成孔的步驟；以及在所述絕緣體所 形成的孔中形成連接電極的步驟。在采用此結構的情況下，可以制造連接電極不容易因成型等外力而被毀壞的彈性表面 波裝置。例如，在所述絕緣體上形成孔的步驟包括，進行干式蝕刻來形成孔的步驟。 在所述彈性表面波裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在所述絕緣體上接合蓋體的步驟包 括，準備形成有用于形成連接電極的貫通孔的蓋體的步驟。在采用此結構的情況下，可以利用在蓋體所設置的貫通孔來容易在絕緣體設置用于形 成連接電極的孔。在所述彈性表面波裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在所述壓電基板的主面上形成梳形 電極及片狀電極的步驟包括，準備晶片狀壓電基板的步驟；在所述絕緣體上接合蓋體的步 驟包括，準備晶片狀蓋基板的步驟；在形成所述連接電極的步驟之后，還包括切斷所述晶 片狀壓電基板及所述晶片狀蓋基板，從而使壓電基板及蓋體個片化的步驟。在采用此結構的情況下，能夠同時制造多個彈性表面波裝置。并且，優(yōu)選的是，切斷所述晶片狀壓電基板及所述晶片狀蓋基板的步驟還包括，沿著 分割所述連接電極的線切斷晶片狀壓電基板及晶片狀蓋基板的步驟。在采用此結構的情況下，能夠制造連接電極被配置在蓋體端面的小型彈性表面波裝置。本發(fā)明涉及彈性表面波裝置的小型化和扁平化，并提高彈性表面波裝置對外力的抵抗 力，因此本發(fā)明在產(chǎn)業(yè)上有用。
權利要求
1.一種彈性表面波裝置，其特征在于包括壓電基板，在其主面上設有梳形電極和片狀電極；蓋體，與所述壓電基板的主面相對而置，并在與所述壓電基板側相反的一側的面上設有外部端子；連接電極，將所述片狀電極和所述外部端子相互電連接；以及絕緣體，介于所述壓電基板的主面和所述片狀電極中的至少其中之一與所述蓋體之間。
2. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于 所述絕緣體至少介于所述片狀電極與所述蓋體之間； 所述連接電極貫通所述絕緣體及所述蓋體。
3. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述絕緣體介于所述片狀電 極與所述蓋體之間以及所述壓電基板的主面與所述蓋體之間，從而包圍設有所述梳形電極 的壓電基板的主面上的有效區(qū)域。
4. 根據(jù)權利要求3所述的彈性表面波裝置，其特征在于 所述壓電基板至少具有兩個以上的有效區(qū)域； 所述絕緣體被設置成可分別包圍各有效區(qū)域。
5. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述蓋體，在與設有所述梳 形電極的壓電基板的主面上的有效區(qū)域相對的區(qū)域具有凹陷的凹部。
6. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述絕緣體具有所述壓電基 板的彈性率與所述蓋體的彈性率之間的彈性率。
7. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于在所述壓電基板的與主面相 反的面上設有樹脂層。
8. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述連接電極被設置在所述 蓋體的端面。
9. 根據(jù)權利要求l所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述絕緣體至少包含樹脂層。
10. —種彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于包括 在壓電基板的主面上形成梳形電極及片狀電極的步驟；用絕緣體覆蓋除了有效區(qū)域以外的其它區(qū)域的步驟，其中有效區(qū)域是指在所述壓電基 板的主面上設有所述梳形電極的區(qū)域； 在所述絕緣體上接合蓋體的步驟；在所述絕緣體的與所述片狀電極相對應的位置上形成孔的步驟；以及 在所述絕緣體所形成的孔中形成連接電極的步驟。
11. 根據(jù)權利要求10所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于在所述絕緣體 上形成孔的步驟包括，進行干式蝕刻來形成孔的步驟。
12. 根據(jù)權利要求10所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于在所述絕緣體上接合蓋體的步驟包括，準備形成有用于形成連接電極的貫通孔的蓋體的步驟。
13. 根據(jù)權利要求10所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于在所述壓電基板的主面上形成梳形電極及片狀電極的步驟包括，準備晶片狀壓電基板的步驟；在所述絕緣體上接合蓋體的步驟包括，準備晶片狀蓋基板的步驟； 在形成所述連接電極的步驟之后，還包括切斷所述晶片狀壓電基板及所述晶片狀蓋基 板，從而使壓電基板及蓋體個片化的步驟。
14. 根據(jù)權利要求13所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于切斷所述晶片 狀壓電基板及所述晶片狀蓋基板的步驟還包括，沿著分割所述連接電極的線切斷晶片狀壓 電基板及晶片狀蓋基板的步驟。
全文摘要
本發(fā)明所提供的彈性表面波裝置包括相互間隔一定距離并相對而置的壓電基板和蓋體。在壓電基板的蓋體側的主面上設有梳形電極及片狀電極，并在蓋體的與壓電基板側相反的一側的面上設有外部端子。并且，彈性表面波裝置包括連接電極，其將所述片狀電極和所述外部端子相互電連接；以及絕緣體，其介于所述壓電基板的主面和所述片狀電極中的至少其中之一與所述蓋體之間。
文檔編號H03H9/00GK101151802SQ20068001080
公開日2008年3月26日 申請日期2006年3月30日 優(yōu)先權日2005年4月1日
發(fā)明者古川光弘, 高山了一, 鷹野敦 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社