專利名稱：具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，尤指一種以雙自主回饋偏壓架構(gòu)的設(shè)計與概念。
背景技術(shù)：
在各式各樣的通信系統(tǒng)中，混頻器(Mixer)皆為一重要且不可或缺的元件。而混頻器本身的線性度(Linearity)、轉(zhuǎn)換增益(ConversionGain)、噪聲比(Signal-to-Noise Rate)、溫度響應(yīng)(Temperature Response)等特性影響通信系統(tǒng)的品質(zhì)及效能。一般而言會提供一偏壓至混頻器，但傳統(tǒng)的偏壓電路在輸入訊號增加時會使混頻器的線性度特性變的很差。于是改良成單一回饋偏壓電路來略為提升混頻器的線性度，但線性度特性仍無法滿足所需。
近來有許多各種改善混頻器線性度的方法，如美國專利US6,205,325號(請參閱圖1)、6,472,925號(請參閱圖2)、6,639,446號與6,639,447號等。
然而這些方法含有復(fù)雜的(數(shù)字)控制電路架構(gòu)，有的需要多組的偏壓電源，雖然提升了混頻器的線性度，卻導(dǎo)致轉(zhuǎn)換增益的降低、噪聲比的增加等等。更有甚者，將破壞混頻器的原有特性或增加電流的消耗，使得通信系統(tǒng)整體的運作效能受到極大的影響。
由此，本發(fā)明人有感上述缺陷的可改善，乃特潛心研究并配合學(xué)理的運用，終于提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺陷的發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的用途為解決已知混頻器的線性度不佳與混頻器中偏壓電路設(shè)計上的不便與缺陷等問題。為了達成上述的目的，本發(fā)明提供一種自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其中更運用雙自主回饋偏壓架構(gòu)，該自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器包括一供給電壓、一射頻輸入匹配/驅(qū)動單元、一本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元、一混頻核心單元、一自調(diào)性雙偏壓電路與一中頻輸出匹配/緩沖單元。其中，該供給電壓提供該射頻輸入匹配/驅(qū)動單元、該本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元、該混頻核心單元、該自調(diào)性雙偏壓電路單元與該中頻輸出匹配/緩沖單元所需的電壓。
該射頻輸入匹配/驅(qū)動單元接收一射頻輸入訊號，該本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元接收一本地振蕩輸入訊號，然后該混頻核心單元接收該射頻輸入匹配/驅(qū)動單元與該本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元的輸出訊號，進行訊號混頻的運算。而該自調(diào)性雙偏壓電路單元則輸出一穩(wěn)定且具補償效果的偏壓至該混頻核心單元。于是該中頻輸出匹配/緩沖單元接收該混頻核心單元所輸出的訊號并進行訊號匹配/緩沖處理后，即輸出一中頻訊號。該自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器更可增加一帶差參考電路(Bandgap Reference Circuit)，該供給電壓提供電壓至該帶差參考電路，該帶差參考電路更輸出一穩(wěn)定電壓或穩(wěn)定電流至該自調(diào)性雙偏壓電路單元。
該自調(diào)性雙偏壓電路單元由一兩個線性化偏壓電路并聯(lián)所組成。而該線性化偏壓電路可由復(fù)數(shù)個晶體管或復(fù)數(shù)個被動元件所構(gòu)成。
本發(fā)明自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，除了改善已知混頻器的線性度且不影響其它特性外，本發(fā)明所需的元件數(shù)量與面積較少。更有甚者，能改善溫度響應(yīng)、提高良率、降低單位成本，同時雙自主回饋偏壓架構(gòu)的設(shè)計，更可應(yīng)用至其它半導(dǎo)體制程、元件與其它微波產(chǎn)品。
為了能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而所示附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為已知的負(fù)反饋式線性化混頻器的電路示意圖；圖2為已知的退化式線性化混頻器的電路示意圖；圖3為本發(fā)明具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器的功能方塊示意圖；圖4為本發(fā)明線性化偏壓電路的第一實施態(tài)樣；圖5為本發(fā)明線性化偏壓電路的第二實施態(tài)樣；圖6為本發(fā)明線性化偏壓電路的第三實施態(tài)樣；圖7為本發(fā)明主動式混頻器的第一實施例，為具雙線性化回饋偏壓電路的單平衡式混頻器的電路示意圖；及圖8為本發(fā)明主動式混頻器的另一實施例，為具雙線性化回饋偏壓電路的雙平衡式混頻器的電路示意圖。
圖中符號說明圖3供給電壓 31 自調(diào)性雙偏壓電路單元 32混頻核心單元 33 射頻輸入訊號RFin振蕩輸入訊號 LOin中頻輸出訊號IFout本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元 34射頻輸入匹配/驅(qū)動單元 35中頻輸出匹配/緩沖單元 36帶差參考電路單元37 本發(fā)明的混頻器30圖4直流電壓源 V4直流電流源 Is4第一NPN晶體管 Q41第二NPN晶體管 Q42第一被動元件 Pc41第二被動元件Pc42
第三被動元件 Pc43第四被動元件 Pc44第五被動元件 Pc45電壓輸出端 Vo4線性偏壓第一實施態(tài)樣 40圖5直流電壓源V5直流電流源 Is5第一NPN晶體管 Q51第二NPN晶體管 Q52第三NPN晶體管 Q53第一被動元件 Pc51第二被動元件 Pc52電壓輸出端 Vo5線性偏壓第二實施態(tài)樣 50圖6直流電壓源V6第一被動元件 Pc61第二被動元件 Pc62第三被動元件 Pc63電壓輸出端Vo6線性偏壓第三實施態(tài)樣 60圖7直流電壓源V7第一偏壓電路 Vbais71第二偏壓電路 Vbais72第一NPN晶體管 Q71第NPN晶體管 Q72第三NPN晶體管 Q73第一被動元件 Pc71第二被動元件 Pc72第三被動元件 Pc73第四被動元件 Pc74射頻輸入訊號 RFin振蕩輸入訊號 LOin中頻輸出訊號 IFout本發(fā)明的單平衡式混頻器70圖8直流電壓源V8第一偏壓電路Vbais81第二偏壓電路 Vbais82第一NPN晶體管 Q81第二NPN晶體管 Q82第三NPN晶體管 Q83第四NPN晶體管 Q84第五NPN晶體管 Q85第六NPN晶體管 Q86第一被動元件Pc81第二被動元件 Pc82第三被動元件Pc83
第四被動元件Pc84第五被動元件Pc85第六被動元件Pc86第七被動元件Pc87第八被動元件Pc88射頻輸入訊號RFin振蕩輸入訊號LOin中頻輸出訊號IFout本發(fā)明的雙平衡式混頻器 80具體實施方式
請參閱圖3，圖3為本發(fā)明具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器的功能方塊示意圖。本發(fā)明的混頻器30與已知最大差異改良之處，即在于運用一種雙自主回饋偏壓架構(gòu)的設(shè)計與概念來提供穩(wěn)定與補償效果的偏壓電路。并提供恰當(dāng)?shù)钠珘弘娏鹘o主動電路，以避免或減少訊號失真。以下詳述本發(fā)明的工作原理與技術(shù)特征。
請配合圖3，一供給電壓31提供一射頻輸入匹配/驅(qū)動單元35、一本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元34、一混頻核心單元33、一自調(diào)性雙偏壓電路單元32與一中頻輸出匹配/緩沖單元36所需的電壓。射頻輸入匹配/驅(qū)動單元35接收一射頻輸入訊號RFin后，對射頻輸入訊號RFin進行訊號匹配/驅(qū)動，而本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元34則接收一本地振蕩輸入訊號LOin后，對本地振蕩輸入訊號LOin進行訊號匹配/驅(qū)動。而混頻核心單元33接收射頻輸入匹配/驅(qū)動單元35與本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元34所輸出的訊號后，進行訊號混頻的運算。
然后自調(diào)性雙偏壓電路單元32輸出一穩(wěn)定且具補償效果的偏壓至混頻核心單元33。于是中頻輸出匹配/緩沖單元36接收混頻核心單元33所輸出的訊號并進行訊號匹配/緩沖處理后，即輸出一中頻輸出訊號IFOUT。其中，自調(diào)性雙偏壓電路單元32由一兩個線性化偏壓電路并聯(lián)所組成。本發(fā)明的混頻器30更可增加一帶差參考電路37(Bandgap Reference Circuit)，供給電壓31提供電壓至帶差參考電路37，帶差參考電路37輸出一穩(wěn)定電壓或電流至自調(diào)性雙偏壓電路單元32。以下將介紹自調(diào)性雙偏壓電路單元32中的線性化偏壓的實施態(tài)樣。
請參閱圖4，圖4為本發(fā)明線性化偏壓電路的第一實施態(tài)樣，本發(fā)明的線性化偏壓電路40包括一直流電壓源V4、一直流電流源Is4、一第一NPN晶體管Q41、一第二NPN晶體管Q42、一第一被動元件Pc41、一第二被動元件Pc42、一第三被動元件Pc43、一第四被動元件Pc44、及一第五被動元件Pc45。
直流電壓源V4提供直流電壓，直流電流源Is4提供直流電流。首先第一NPN晶體管Q41，其集極端電性連接至直流電壓源V4正端，其基極端電性連接直流電流源Is4正端。然后第二NPN晶體管Q42，其集極電性連直流電流源Is4正端。接著第一被動元件Pc41，其一端電性連接第二NPN晶體管Q42集極端，另一端則電性連接第二NPN晶體管Q42射極端。緊接著第二被動元件Pc42、第三被動元件Pc43、第四被動元件Pc44、第五被動元件Pc45的一端共同電性連結(jié)，而第二被動元件Pc42另一端電性連接第一NPN晶體管Q41射極端，第三被動元件Pc43另一端電性連接第二NPN晶體管Q42基極端，第四被動元件Pc44另一端電性連接第二NPN晶體管Q42射極端，第五被動元件Pc45另一端則電性連接至一電壓輸出端V04。最后直流電壓源V4與直流電流源Is4提供電壓與電流后，經(jīng)各元件的分壓，由該電壓輸出端V04輸出一線性偏壓。
請配合圖4，其中線性化偏壓電路40中的各個NPN晶體管可以PNP、NMOS或PMOS晶體管等功效相近的元件來取代的。然后線性化偏壓電路40中的各個被動元件亦可為適當(dāng)尺寸、種類、比例或形式晶體管、二極管、電阻、電感性阻抗或電容性阻抗。
請參閱圖5，圖5為本發(fā)明線性化偏壓電路的第二實施態(tài)樣，本發(fā)明的線性化偏壓電路50包括一直流電壓源V5、一直流電流源Is5、一第一NPN晶體管Q51、一第二NPN晶體管Q52、一第三NPN晶體管Q53、一第一被動元件Pc51、及一第二被動元件Pc52。
直流電壓源V5提供直流電壓，直流電流源Is5提供直流電流。首先第一NPN晶體管Q51，其集極端電性連接至直流電壓源V5正端，其基極端電性連接至直流電流源Is5正端。然后第二NPN晶體管Q52，其集極端電性連接直流電流源Is5正端，其基極端電性連接第一NPN晶體管Q51射極端。接著第一被動元件Pc51，其一端電性連接第一NPN晶體管Q51射極端，另一端電性接地。緊接著第二被動元件Pc52，其一端電性連接第二NPN晶體管Q52射極端，另一端電性接地。還有第三NPN晶體管Q53，其集極端、基極端與直流電流源Is5正端彼此電性相接，第三NPN晶體管Q53射極端則電性連接至一電壓輸出端V05。最后直流電壓源V5與直流電流源Is5提供電壓與電流后，經(jīng)各元件的分壓，由該電壓輸出端V05輸出一線性偏壓。
請配合圖5，其中線性化偏壓電路50中的各個NPN晶體管可以PNP、NMOS或PMOS晶體管等功效相近的元件來取代的。然后線性化偏壓電路50中的各個被動元件亦可為適當(dāng)尺寸、種類、比例或形式晶體管、二極管、電阻、電感性阻抗或電容性阻抗。
請參閱圖6，圖6為本發(fā)明線性化偏壓電路的第三實施態(tài)樣，本發(fā)明的線性化偏壓電路60包括一直流電壓源V6、一第一被動元件Pc61、一第二被動元件Pc62及一第三被動元件Pc63。
直流電壓源V6提供直流電壓。首先第一被動元件Pc61，其一端電性連接直流電壓源V6正端。然后第二被動元件Pc62，其一端電性連接第一被動元件Pc61的另一端。接著第三被動元件Pc63，其一端電性連接第二被動元件Pc62的另一端，第三被動元件Pc63另一端則電性連接至一電壓輸出端。最后直流電壓源V6提供電壓后，經(jīng)各元件的分壓，由該電壓輸出端V06輸出一線性偏壓。
請配合圖6，其中線性化偏壓電路60中的各個被動元件亦可為適當(dāng)尺寸、種類、比例或形式晶體管、二極管、電阻、電感性阻抗或電容性阻抗。
請參閱圖3并請配合圖3、圖4及圖5?；祛l器的型式可為任何型式的混頻器。其中自調(diào)性雙偏壓電路單元32，由線性化偏壓電路40與線性化偏壓電路50兩者并聯(lián)而成?；蛘?，自調(diào)性雙偏壓電路單元32，由線性化偏壓電路40與線性化偏壓電路60兩者并聯(lián)而成。又或，自調(diào)性雙偏壓電路單元32，由線性化偏壓電路50與線性化偏壓電路60兩者并聯(lián)而成。
以下將介紹本發(fā)明的具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器的實施例。請參閱圖7并請配合圖3、圖4、圖5及圖6，圖7為本發(fā)明主動式混頻器的第一實施例，為具雙線性化回饋偏壓電路的單平衡式混頻器電路示意圖。在自調(diào)性雙偏壓電路單元32的運用上，搭配第一偏壓電路Vbais71與第二偏壓電路Vbais72。而第一偏壓電路Vbais71與第二偏壓電路Vbais72為線性化偏壓電路40與線性化偏壓電路50兩者并聯(lián)而成；或由線性化偏壓電路40與線性化偏壓電路60兩者并聯(lián)而成；又或，由線性化偏壓電路50與線性化偏壓電路60兩者并聯(lián)而成。
本發(fā)明可運用多種形式的混頻器。請參閱圖8并請配合圖3、圖4、圖5及圖6，圖8為本發(fā)明主動式混頻器的另一實施例，為具雙線性化回饋偏壓電路的雙平衡式混頻器電路示意圖。在自調(diào)性雙偏壓電路單元32的運用上，搭配第一偏壓電路Vbais81與第二偏壓電路Vbais82。而第一偏壓電路Vbais81與第二偏壓電路Vbais82亦為線性化偏壓電路40與線性化偏壓電路50兩者并聯(lián)而成；或由線性化偏壓電路40與線性化偏壓電路60兩者并聯(lián)而成；又或，由線性化偏壓電路50與線性化偏壓電路60兩者并聯(lián)而成。
本發(fā)明以自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，除了提供溫度補償、改善線性度、改善效能、電路架構(gòu)簡易、所需元件較少、電路高整度及面積較少外，尚不增加消耗電流，同時不破壞混頻器原有特性。其中雙自主回饋偏壓架構(gòu)，更可運用至各式半導(dǎo)體制程、元件與其它微波產(chǎn)品，如低噪聲放大器、振蕩器或功率放大器等等。綜上所述，本發(fā)明實為一不可多得的發(fā)明裝置，極具產(chǎn)業(yè)上利用性、新穎性及進步性，完全符合發(fā)明專利申請要件，依專利法提出申請。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳可行實施例的詳細(xì)說明與圖式，非因此即局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所為的等效變化實施例，均同理皆包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)容，任何熟悉該項技藝者在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在本案的專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其特征是，該主動式混頻器包括一供給電壓，用于提供該主動式混頻器所需的電壓；一射頻輸入匹配/驅(qū)動單元，接收一射頻輸入訊號，并對該射頻輸入訊號進行訊號匹配/驅(qū)動處理；一本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元，接收一本地振蕩輸入訊號，并對該本地振蕩輸入訊號進行訊號匹配/驅(qū)動處理；一混頻核心單元，接收該射頻輸入匹配/驅(qū)動單元與該本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元的輸出訊號，該混頻核心單元用于進行訊號混頻的運算；一自調(diào)性雙偏壓電路單元，該供給電壓提供電壓至該自調(diào)性雙偏壓電路單元，而該自調(diào)性雙偏壓電路單元則輸出一穩(wěn)定且具補償效果的偏壓至該混頻核心單元；及一中頻輸出匹配/緩沖單元，接收該混頻核心單元所輸出的訊號，該中頻輸出匹配/緩沖單元進行訊號匹配/緩沖處理后，輸出一中頻訊號；其中，該供給電壓提供該射頻輸入匹配/驅(qū)動單元、該本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元、該混頻核心單元、該自調(diào)性雙偏壓電路單元與該中頻輸出匹配/緩沖單元所需的電壓；及其中，該自調(diào)性雙偏壓電路單元由一兩個線性化偏壓電路并聯(lián)所組成；及藉此，在該供給電壓與該自調(diào)性雙偏壓電路單元提供所需電壓下，該主動式混頻器進行該射頻輸入訊號與該本地振蕩輸入訊號的混頻運算，最后輸出該中頻訊號。
2.如權(quán)利要求1所述的具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其特征是，更增加一帶差參考電路，該供給電壓提供電壓至該帶差參考電路，該帶差參考電路輸出一穩(wěn)定電壓或穩(wěn)定電流至該自調(diào)性雙偏壓電路單元。
3.如權(quán)利要求1所述的具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其特征是，該自調(diào)性雙偏壓電路單元，其中一個線性化偏壓電路包括一直流電壓源，提供直流電壓；一直流電流源，提供直流電流；一第一NPN晶體管，其集極端電性連接至該直流電壓源正端，其基極端電性連接該直流電流源正端；一第二NPN晶體管，其集極電性連接該直流電流源正端；一第一被動元件，其一端電性連接該第二NPN晶體管集極端，另一端則電性連接該第二NPN晶體管射極端；及一第二被動元件、第三被動元件、第四被動元件與第五被動元件的一端共同電性連結(jié)，而該第二被動元件另一端電性連接該第一NPN晶體管射極端，該第三被動元件另一端電性連接該第二NPN晶體管基極端，該第四被動元件另一端電性連接該第二NPN晶體管射極端，該第五被動元件另一端則電性連接至一電壓輸出端；藉此，該直流電壓源與該直流電流源提供電壓與電流后，由該電壓輸出端輸出一線性偏壓。
4.如權(quán)利要求1所述的具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其特征是，該自調(diào)性雙偏壓電路單元，其中一個線性化偏壓電路包括一直流電壓源，提供直流電壓；一直流電流源，提供直流電流；一第一NPN晶體管，其集極端電性連接至該直流電壓源正端，其基極端電性連接至該直流電流源正端；一第二NPN晶體管，其集極端電性連接該直流電流源正端，其基極端電性連接該第一NPN晶體管射極端；一第一被動元件，其一端電性連接該第一NPN晶體管射極端，另一端電性接地；一第二被動元件，其一端電性連接該第二NPN晶體管射極端，另一端電性接地；及一第三NPN晶體管，其集極端、基極端與該直流電流源正端彼此電性相接，其射極端則電性連接至一電壓輸出端；藉此，該直流電壓源與該直流電流源提供電壓與電流后，由該電壓輸出端輸出一線性偏壓。
5.如權(quán)利要求1所述的具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其特征是，該自調(diào)性雙偏壓電路單元，其中一個線性化偏壓電路包括一直流電壓源，提供直流電壓；一第一被動元件，其一端電性連接該直流電壓源正端；一第二被動元件，其一端電性連接該第一被動元件的另一端；及一第三被動元件，其一端電性連接該第二被動元件的另一端，該第三被動元件另一端則電性連接至一電壓輸出端；藉此，該直流電壓源提供電壓后，由該電壓輸出端輸出一線性偏壓。
6.如權(quán)利要求3、4或5所述的具自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其特征是，線性偏壓電路中的各個被動元件，為適當(dāng)尺寸、種類、比例或形式的晶體管、二極管、電阻、電感性阻抗或電容性阻抗。
7.一種線性化偏壓電路，其特征是，包括一直流電壓源，提供直流電壓；一直流電流源，提供直流電流；一第一NPN晶體管，其集極端電性連接至該直流電壓源正端，其基極端電性連接該直流電流源正端；一第二NPN晶體管，其集極電性連接該直流電流源正端；一第一被動元件，其一端電性連接該第二NPN晶體管集極端，另一端則電性連接該第二NPN晶體管射極端；及一第二被動元件、第三被動元件、第四被動元件與第五被動元件的一端共同電性連結(jié)，而該第二被動元件另一端電性連接該第一NPN晶體管射極端，該第三被動元件另一端電性連接該第二NPN晶體管基極端，該第四被動元件另一端電性連接該第二NPN晶體管射極端，該第五被動元件另一端則電性連接至一電壓輸出端；藉此，該直流電壓源與該直流電流源提供電壓與電流后，由該電壓輸出端輸出一線性偏壓。
8.一種線性化偏壓電路，其特征是，包括一直流電壓源，提供直流電壓；一直流電流源，提供直流電流；一第一NPN晶體管，其集極端電性連接至該直流電壓源正端，其基極端電性連接至該直流電流源正端；一第二NPN晶體管，其集極端電性連接該直流電流源正端，其基極端電性連接該第一NPN晶體管射極端；一第一被動元件，其一端電性連接該第一NPN晶體管射極端，另一端電性接地；一第二被動元件，其一端電性連接該第二NPN晶體管射極端，另一端電性接地；及一第三NPN晶體管，其集極端、基極端與該直流電流源正端彼此電性相接，其射極端則電性連接至一電壓輸出端；藉此，該直流電壓源與該直流電流源提供電壓與電流后，由該電壓輸出端輸出一線性偏壓。
9.一種線性化偏壓電路，其特征是，包括一直流電壓源，提供直流電壓；一第一被動元件，其一端電性連接該直流電壓源正端；一第二被動元件，其一端電性連接該第一被動元件的另一端；及一第三被動元件，其一端電性連接該第二被動元件的另一端，該第三被動元件另一端則電性連接至一電壓輸出端；藉此，該直流電壓源提供電壓后，由該電壓輸出端輸出一線性偏壓。
10.如權(quán)利要求7、8或9所述的線性偏壓電路，其特征是，該線性偏壓電路中的各個被動元件，為適當(dāng)尺寸、種類、比例或形式的晶體管、二極管、電阻、電感性阻抗或電容性阻抗。
全文摘要
本發(fā)明提供一種自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器，其中更運用雙自主回饋偏壓架構(gòu)，該自調(diào)性偏壓回饋的主動式混頻器包括一供給電壓、一射頻輸入匹配/驅(qū)動單元、一本地振蕩輸入匹配/驅(qū)動單元、一混頻核心單元、一自調(diào)性雙偏壓電路與一中頻輸出匹配/緩沖單元。本發(fā)明的目的，除了改善已知混頻器的線性度且不影響其它特性外，本發(fā)明所需的元件數(shù)量與面積較少。并且，能改善溫度響應(yīng)、提高良率、降低單位成本，同時雙自主回饋偏壓架構(gòu)的設(shè)計，更可應(yīng)用至其它半導(dǎo)體制程、元件與其它微波產(chǎn)品。
文檔編號H03D7/00GK1819448SQ20051000820
公開日2006年8月16日 申請日期2005年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月7日
發(fā)明者吳經(jīng)國, 陳志緯, 張云山, 王是琦 申請人:立積電子股份有限公司