中的R167，第六電阻可以為附圖中的R191，第七電阻可以為附圖中的R168，第八電阻可以為附圖中的R169，二極管可以為附圖中的D23，電容可以為附圖中的C71，第一場效應管可以為附圖中的G26，第二場效應管可以為附圖中的G25，Sff_l具體可以為PMIC的第一開關(guān)引腳，Sff_2具體可以為PMIC的第二開關(guān)引腳，GD具體可以為PMIC的一個門極信號引腳，GDI具體可以為PMIC的另一個門極信號引腳，VAA可以為輸出電壓。
[0047]參閱圖2，圖2為本發(fā)明第一較佳實施方式提供的PMIC的保護電路，該保護電路如圖2所示，包括:PMIC 201和保護電路202，
[0048]其中保護電路202包括:1號接口、2號接口、3號接口和4號接口 ；其中，PMIC的⑶引腳(30號引腳，當然在不同的型號的芯片，該引腳的編號可能不同，本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案以HX5562R11U型號的PMIC為例，在本發(fā)明第一較佳實施方式也可以采用其他型號的PMIC，本發(fā)明第一較佳實施方式并PMIC的型號并不限定)連接電阻R137的一端，電阻R137的另一端連接電容C71的一端，電容C71的一端連接保護電路的1號引腳，保護電路的2號引腳連接電阻R138的一端，電阻R138的另一端連接VAA端口 ；
[0049]PMCI的SW_1和SW_2引腳均連接保護電路的3號引腳，保護電路的4號引腳連接二極管D23的陽極、二極管D23的陰極連接PMIC的GDI引腳(即29號引腳，當然在不同的型號的芯片，該引腳的編號可能不同，本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案以HX5562R11U型號的PMIC為例，在本發(fā)明第一較佳實施方式也可以采用其他型號的PMIC，本發(fā)明第一較佳實施方式并PMIC的型號并不限定)；
[0050]該保護電路202，用于如VAA電壓或電流過高時，斷開3號接口和4號接口之間的連接。
[0051]本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案提供了一種保護電路，該保護電路串聯(lián)連接在VAA的引腳上，并且當VAA的電壓或電流過高時，控制關(guān)斷3號接口和4號接口之間的連接，這樣就對PMIC中的SW_1和SW_1引腳斷開，從而保護了 PMIC，防止PMIC在過電流或過電壓情況下的損壞，所以其具有保護PMIC的作用。
[0052]優(yōu)選的，本發(fā)明第一較佳實施方式還可以包括如下方案:
[0053]保護電路202，用于如VAA電壓或電流正常時，閉合3號接口和4號接口之間的連接。
[0054]此方式能夠在電壓或電流正常時，閉合3號接口和4號接口之間的連接，使得PMIC能夠正常的供電工作。
[0055]參閱圖3，圖3為本發(fā)明第一較佳實施方式提供的PMIC保護電路，該保護電路如圖3所示，包括:PMIC 301和保護電路302 ；
[0056]其中保護電路302包括:1號接口、2號接口、3號接口和4號接口 ；其中，PMIC的⑶引腳(30號引腳，當然在不同的型號的芯片，該引腳的編號可能不同，本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案以HX5562R11U型號的PMIC為例，在本發(fā)明第一較佳實施方式也可以采用其他型號的PMIC，本發(fā)明第一較佳實施方式并PMIC的型號并不限定)連接電阻R137的一端，電阻R137的另一端連接電容C71的一端，電容C71的一端連接保護電路的1號引腳，保護電路的2號引腳連接電阻R138的一端，電阻R138的另一端連接VAA端口 ；
[0057]PMCI的SW_1和SW_2引腳均連接保護電路的3號引腳，保護電路的4號引腳連接二極管D23的陽極、二極管D23的陰極連接PMIC的GDI引腳(即29號引腳，當然在不同的型號的芯片，該引腳的編號可能不同，本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案以HX5562R11U型號的PMIC為例，在本發(fā)明第一較佳實施方式也可以采用其他型號的PMIC，本發(fā)明第一較佳實施方式并PMIC的型號并不限定)；
[0058]該保護電路302，用于如VAA電壓或電流過高時，斷開3號接口和4號接口之間的連接。
[0059]該保護電路302具體可以包括:過流保護模塊3021和開關(guān)模塊3022 ；
[0060]其中，過流保護模塊3021如圖3所示，包括:光電耦合器30210、第一比較器0P1和或門電路30211 ;開關(guān)模塊3022可以包括:場效應管G26、場效應管G25和電阻R191 ；
[0061]其中，光電耦合器30210的1號引腳連接電容C71的另一端，光電耦合器30210的2號引腳連接電阻R138的一端，光電耦合器30210的3號引腳連接電阻R167的另一端，光電耦合器30210的4號引腳連接電阻R131的一端，電阻R167的一端接地，電阻R131的另一端連接VCC(電壓源)；
[0062]第一比較器0P1的正相輸入端連接光電親合器的3號引腳，第一比較器0P1的反相輸入端連接第一參考電壓Vrefl，第一比較器0P1的正電源端連接5V電壓，第一比較器0P1的負電源端接地，第一比較器0P1的輸出端連接或門電路30211的一個輸入端，或門電路30211的輸出端連接場效應管G26的G極；
[0063]場效應管G26的D極連接場效應管G25的G極，場效應管G26的S極接地；場效應管G25的D極連接PWIC的SW_2引腳和SW_1引腳，場效應管G25的S極連接二極管D23的陽極；電阻R191的一端連接VCC(電壓源)，電阻R191的另一端連接場效應管G25的G極。
[0064]上述光電耦合器30210的1號引腳和2號引腳即為保護電路的1號接口和2號接口，上述場效應管G25的D極即為保護電路的3號接口，場效應管G25的S極即為保護電路的4號接口。
[0065]參閱圖3，下面結(jié)合附圖3中電路圖中的原理來說明本發(fā)明第二較佳實施方式的技術(shù)效果，當PMIC在進行EOS Test時，如果出現(xiàn)電流過大，則流過光電耦合器1號引腳到2號引腳的電流也必定增大，根據(jù)光電耦合器的工作原理，1號引腳到2號引腳的電流增加必將增加3號引腳到4號引腳的電流，從而流過電阻R167的電流增加，光電耦合器的3號引腳的電壓增加，當光電親合器的3號引腳的電壓大于第一參考電壓Vrefl時，第一比較器0P1的輸出端outputl輸出高電平，與門電路30211的輸出端output輸出高電平給場效應管G26的G極，場效應管G26導通，使得場效應管G25的G極電壓下降，場效應管G25關(guān)斷，從而關(guān)斷PMIC的SW_2引腳和SW_1引腳，所以其具有在過電流的情況下保護PMIC的SW_2引腳和SW_1引腳不受過電流沖擊的優(yōu)點，保護了 PWIC，具有安全性高的優(yōu)點。
[0066]相反，當PMIC出現(xiàn)電流正常時，則流過光電耦合器1號引腳到2號引腳的電流也必定減小，根據(jù)光電耦合器的工作原理，1號引腳到2號引腳的電流減小必將減小3號引腳到4號引腳的電流，從而流過電阻R167的電流減小，光電耦合器的3號引腳的電壓減小，當光電親合器的3號引腳的電壓小于第一參考電壓Vrefl時，第一比較器0P1的輸出端outputl輸出低電平，與門電路30211的輸出端output輸出低電平給場效應管G26的G極，場效應管G26關(guān)閉，使得場效應管G25的G極電壓上升，場效應管G25導通，從而連接PMIC的SW_2引腳和SW_1引腳，所以其具有在電流正常的情況下能使得保護PMIC的SW_2引腳和SW_1引腳返回正常工作狀態(tài)，所以其具有不影響PMIC正常工作的優(yōu)點。
[0067]參閱圖4，圖4為本發(fā)明第三較佳實施方式提供的PMIC保護電路，該保護電路如圖4所示，包括:PMIC 301和保護電路302 ；
[0068]其中保護電路302包括:1號接口、2號接口、3號接口和4號接口 ；其中，PMIC的⑶引腳(30號引腳，當然在不同的型號的芯片，該引腳的編號可能不同，本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案以HX5562R11U型號的PMIC為例，在本發(fā)明第一較佳實施方式也可以采用其他型號的PMIC，本發(fā)明第一較佳實施方式并PMIC的型號并不限定)連接電阻R137的一端，電阻R137的另一端連接電容C71的一端，電容C71的一端連接保護電路的1號引腳，保護電路的2號引腳連接電阻R138的一端，電阻R138的另一端連接VAA端口 ；
[0069]PMCI的SW_1和SW_2引腳均連接保護電路的3號引腳，保護電路的4號引腳連接二極管D23的陽極、二極管D23的陰極連接PMIC的GDI引腳(即29號引腳，當然在不同的型號的芯片，該引腳的編號可能不同，本發(fā)明第一較佳實施方式提供的技術(shù)方案以HX5562R11U型號的PMIC為例，在本發(fā)明第一較佳實施方式也可以采用其他型號的PMIC，本發(fā)明第一較佳實施方式并PMIC的型號并不限定)；
[0070]該保護電路302，用于如VAA電壓或電流過高時，斷開3