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一種低發(fā)熱量的損耗抑制型高頻變換檢波系統(tǒng)的制作方法_2

文檔序號:9276336閱讀:來源:國知局
實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明,但本發(fā)明的實施方式并不限于此。
[0023]實施例
[0024]如圖1所示,本發(fā)明由變壓器Tl,變壓器T2,采樣電路,與采樣電路相連接的線性驅(qū)動電路,與線性驅(qū)動電路相連接的電壓比較電路,與變壓器Tl副邊相連接的混頻電路,與混頻電路相連接的第一轉(zhuǎn)換電路,同時與混頻電路和第一轉(zhuǎn)換電路相連接的處理電路,設(shè)置在電路輸出端的第二轉(zhuǎn)換電路,以及設(shè)置在電壓比較電路與混頻電路之間的損耗抑制電路組成。所述變壓器T2的原邊與第二轉(zhuǎn)換電路相連接,變壓器Tl的原邊與電壓比較電路相連接。
[0025]所述的損耗抑制電路如圖3所示,由抑制芯片U2,三極管Q8,三極管Q9,三極管Q10,電阻R21,電阻R22,電阻R23,電阻R24,電阻R25,電阻R26,電阻R27電阻R28,電阻R29,電阻R30,電阻R31,電阻R32,電阻R33,二極管D3,二極管D4,二極管D5,二極管D6,二極管D7,二極管D8,極性電容C12,極性電容C13,極性電容C14,極性電容C15,極性電容C16,以及極性電容C17組成。
[0026]實施時,極性電容C12的正極順次經(jīng)電阻R30、電阻R33后與三極管Q9的發(fā)射極相連接、負極經(jīng)電阻R29后與電壓比較電路相連接。二極管D3的N極經(jīng)電阻R22后與抑制芯片U2的SW管腳相連接、P極順次經(jīng)電阻R32、二極管D4、電阻R23、極性電容C14后與抑制芯片U2的SENSEl管腳相連接。極性電容C13的正極經(jīng)可熔電阻R31后與三極管Q8的基極相連接、負極經(jīng)電阻R21后與三極管Q9的基極相連接。極性電容C15的正極與二極管D3的N極相連接、負極與抑制芯片U2的IN管腳相連接。
[0027]二極管D5的P極與抑制芯片U2的COMP管腳相連接、N極經(jīng)可變電阻R26后與三極管QlO的基極相連接。極性電容C16的負極經(jīng)電阻R24后與抑制芯片U2的PWM管腳相連接、正極經(jīng)電阻R25后與三極管QlO的發(fā)射極相連接。二極管D8的P極經(jīng)極性電容C17后與三極管QlO的集電極相連接、N極順次經(jīng)電阻R28、二極管D6后與抑制芯片U2的VDD管腳相連接。二極管D7的P極經(jīng)電阻R27后與三極管Q9的集電極相連接、N極與混頻電路相連接。
[0028]為更好的實施本發(fā)明,所述的抑制芯片U2為SD42560集成芯片,該集成芯片具有超溫保護、過電流保護、恒定電流、電壓自動調(diào)節(jié)等功能。其輸入電壓范圍為5?36V,工作電流為1.5?2mA,在輸入/輸出電壓變化時,全電壓范圍輸出電流變化控制在±0.5 %之內(nèi)。該集成芯片能有效的抑制尚頻變換檢波系統(tǒng)的無用做功損耗,從而提尚了該系統(tǒng)的檢波精準(zhǔn)度。
[0029]實施時,三極管Q8的發(fā)射極與極性電容C14的正極相連接、其集電極則與二極管D5的P極相連接,三極管Q9的集電極接地;所述抑制芯片U2的SENSE2管腳與二極管D4與電阻R23的連接點相連接、其GND管腳接地、其PWM管腳還同時與二極管D8的N極和二極管D7的P極相連接。
[0030]如圖2所示,所述的線性驅(qū)動電路由驅(qū)動芯片U,三極管Q4,三極管Q5,三極管Q6,三極管Q7,電阻R14,電阻R15,電阻R16,電阻R17,電阻R18,電阻R19,電阻R20,極性電容C9,極性電容ClO,極性電容Cl I,二極管Dl,二極管D2,以及非門Y組成。
[0031]連接時,極性電容C9的正極與采樣電路相連接、負極經(jīng)電阻R14后與驅(qū)動芯片U的INl管腳相連接。電阻R15的一端與三極管Q4的集電極相連接、另一端經(jīng)電阻R16后與三極管Q6的基極相連接。極性電容Cll的正極與三極管Q4的基極相連接、負極與驅(qū)動芯片U的INl管腳相連接。
[0032]其中,極性電容ClO的正極與驅(qū)動芯片U的IN2管腳相連接、負極接地。電阻R18的一端與三極管Q4的發(fā)射極相連接、另一端與三極管Q5的基極相連接。電阻R17的一端與三極管Q5的基極相連接、另一端與三極管Q6的基極相連接。二極管Dl的N極與三極管Q4的集電極相連接、P極與三極管Q5的集電極相連接。
[0033]非門Y的正相端與三極管Q4的集電極相連接、反相端與三極管Q7的集電極相連接。電阻R20的一端與三極管Q7發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)電阻R19后與三極管Q6的發(fā)射極相連接。二極管D2的P極與非門Y的反相端相連接、N極與電阻R19和電阻R20的連接點相連接。
[0034]所述驅(qū)動芯片U的VCC管腳與三極管Q4的基極相連接、END管腳接地、OUT管腳與三極管Q5的集電極相連接,三極管Q5的集電極還與三極管Q7的基極相連接、其發(fā)射極與三極管Q6的基極相連接,三極管Q6的集電極接地,二極管D2的N極與電壓比較電路相連接。
[0035]本發(fā)明中的線性驅(qū)動電路,可以降低檢波器的工作溫度。
[0036]為了保證實施效果,所述的驅(qū)動芯片U優(yōu)選為LM387集成芯片,其靈敏度高、并且價格便宜。
[0037]所述的米樣電路由放大器P,一端與放大器P的正相輸入端相連接、另一端作為信號輸入端的電阻Rl,正極與放大器P的正相輸入端相連、負極接地的極性電容CI,與極性電容Cl相并聯(lián)的電阻R2,串接在放大器P的反相輸入端和輸出端之間的電阻R4,以及一端與放大器P的反相輸入端相連、另一端接地的電阻R3組成。
[0038]所述放大器P的輸出端還與電容C9的正極相連接,所述的電壓比較電路由比較芯片U1,電阻R5,電阻R6,電阻R7,以及極性電容C2組成。
[0039]連接時,電阻R6的一端與比較芯片Ul的IN2管腳相連接、另一端與比較芯片Ul的V+管腳相連接。電阻R7的一端與比較芯片Ul的IN2管腳相連接、另一端經(jīng)電阻R29后與電容C12的負極相連接。電阻R5的一端與二極管D2的N極相連、另一端則與比較芯片Ul的INl管腳相連接。極性電容C2的正極與比較芯片Ul的V-管腳相連、負極與比較芯片Ul的GND管腳相連接。
[0040]為更好的實施本發(fā)明,所述的比較芯片Ul為LM311集成芯片,該芯片性價比高。
[0041]所述比較芯片Ul的V+管腳與外部電壓相連接,其OUT管腳同時與變壓器Tl原邊的同名端和非同名端相連接,GND管腳接地。
[0042]所述的混頻電路由雙柵極場效應(yīng)管K,電阻R8,電阻R13,以及電感LI組成。
[0043]連接時,電阻R8的一端與雙柵極場效應(yīng)管K的a柵極相連接、另一端與二極管D7的N極相連接,電感LI的一端與場效應(yīng)管K的漏極相連接、另一端經(jīng)電阻R13后回到場效應(yīng)管K的漏極;電阻R13和電感LI的連接點同時與處理電路和第一轉(zhuǎn)換電路相連接,場效應(yīng)管K的b柵極與變壓器Tl副邊非同名端相連接、漏極與處理電路相連接、源極與第一轉(zhuǎn)換電路相連接。
[0044]所述的第一轉(zhuǎn)換電路由三極管Q1,一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端與雙柵極場效應(yīng)管K的源極相連接的電阻R9,與電阻R9相并聯(lián)的極性電容C3,負極與電阻R13和電感LI的連接點相連接、正極與三極管Ql的集電極相連接的極性電容C4組成。
[0045]所述三極管Ql的基極與變壓器Tl原邊的非同名端相連接,其發(fā)射極與處理電路相連接。
[0046]所述處理電路由三極管Q2,三極管Q3,一端與三極管Q3的基極相連接、另一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接的電阻R10,一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接、另一端同時與三極管Ql的發(fā)射極以及第二轉(zhuǎn)換電路相連接的電阻RU組成。
[0047]所述三極管Q3的基極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、其集電極與變壓器T2原邊的同名端相連接、發(fā)射極與第二轉(zhuǎn)換電路相連接,三極管Q2的基極與電阻R13和電感LI的連接點相連接、其集電極同時與場效應(yīng)管K的漏極以及第二轉(zhuǎn)換電路相連接。
[0048]所述的第二轉(zhuǎn)換電路由極性電容C8,極性電容C7,極性電容C6,極性電容C5,以及電阻R12組成。實施時,極性電容C8的正極與變壓器T2原邊同名端相連接、其負極與三極管Q2的集電極相連接。極性電容C7的正極和負極分別與變壓器T2原邊的同名端和非同名端相連接。
[0049]極性電容C6的正極與三極管Q3的發(fā)射極相連接、負極與變壓器T2原邊的非同名端相連接。極性電容C5的正極與三極管Ql的發(fā)射極相連接、其負極則經(jīng)電阻R12后與極性電容C6的
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