1.一種用于IGBT控制的有源嵌位保護(hù)電路，其特征在于，包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；
所述輸入端與被控IGBT的集電極連接，第一輸出端與被控IGBT的門極連接，第二輸出端與被控IGBT關(guān)斷控制電路的輸入端連接；
還包括，由至少2個(gè)同向串接的穩(wěn)壓二極管組成的第一穩(wěn)壓二極管組，所述第一穩(wěn)壓二極管組與被控IGBT的集電極連接，其中的穩(wěn)壓二極管的負(fù)極為輸入端，正極為輸出端；
所述第一穩(wěn)壓二極管的輸出端通過串接的第一二極管D1、第一電阻R1與被控IGBT的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路輸出端連接；
所述第一穩(wěn)壓二極管的輸出端還通過第二二極管D2、第二電阻R2與第二NMOS管Q2的柵極連接；第二NMOS管Q2的源極接負(fù)壓電源，漏極通過第三電阻R3與開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，還包括至少2個(gè)串接的穩(wěn)壓二極管組成的第二穩(wěn)壓二極管組以及第一NMOS管Q1，所述第二穩(wěn)壓二極管組中的穩(wěn)壓二極管負(fù)極為輸入端，正極為輸出端；所述第二穩(wěn)壓二極管組與所述第一NMOS管Q1并接；其輸入端與第一穩(wěn)壓二極管組的輸出端連接，其輸出端與第一NMOS管Q1的源極連接；
所述第一NMOS管Q1的柵極與一延時(shí)電路的輸出端連接，所述延時(shí)電路的輸入端與被控IGBT的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路輸出端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述延時(shí)電路包括第一電容C1、第四電阻R4、第五電阻R5、第三二極管D3以及第一穩(wěn)壓二極管ZD1；
所述第三二極管D3和第一穩(wěn)壓二極管ZD1反向串接后與第四電阻R4并接；所述第一電容C1和第五電阻R5并接；
第一電容C1的一端同時(shí)與所述第三二極管D3的負(fù)極、第四電阻R4的一端以及第一NMOS管的柵極連接；
所述第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極及所述第四電阻R4的另一端與被控IGBT開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。
4.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述第二NMOS管Q2的柵極與所述負(fù)壓電源之間還設(shè)置有門極保護(hù)電路，所述門極保護(hù)電路包括設(shè)置在第二NMOS管柵極和源極之間的第五電阻R5和第二穩(wěn)壓二極管ZD12、第三穩(wěn)壓二極管ZD13，其中，第二穩(wěn)壓二極管ZD12與第三穩(wěn)壓二極管ZD13反向串接后與第五電阻R5并接，第二第二穩(wěn)壓二極管ZD12的負(fù)極與第二NMOS管的柵極連接。