1.一種采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護(hù)電路，其特征在于：包括P-MOSFET驅(qū)動管Q10，直流電源Vin通過電阻R53連接驅(qū)動管Q10的s極為高端驅(qū)動輸出提供直流電源，Q10的d極為負(fù)載輸出端，s極與g極之間連接有電阻R62，電阻R53兩端分別連接了三極管Q11的b、e極，三極管Q11的c極連接Q10的g極；
所述Q10的負(fù)載輸出端還通過依次串聯(lián)的電阻R32、電容C20接地，R32與C20之間的連接點(diǎn)連接到單片機(jī)，單片機(jī)通過開關(guān)三極管Q8連接Q10的g極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護(hù)電路，其特征在于：所述電阻R53兩端的三極管Q11的b、e極分別連接Q10的s極和直流電源Vin。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護(hù)電路，其特征在于：所述三極管Q8基極連接單片機(jī)，發(fā)射極接地，集電極通過電阻R49連接Q10的g極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護(hù)電路，其特征在于：所述驅(qū)動管Q10的s極與g極間還連接有穩(wěn)壓管。