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一種自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間調(diào)控電路的制作方法

文檔序號(hào):11326494閱讀:1470來源:國知局
一種自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間調(diào)控電路的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及電源管理領(lǐng)域,特別是涉及一種自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間調(diào)控電路。



背景技術(shù):

隨著便攜式電子產(chǎn)品的普及,電源管理系統(tǒng)越來越重要,對(duì)于電源性能的要求也越來越高。為了保證開關(guān)電源在安全的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)最大效率,死區(qū)時(shí)間的調(diào)控至關(guān)重要。死區(qū)時(shí)間是pwm輸出時(shí),為了使h橋或半h橋的上下管不會(huì)因?yàn)殚_關(guān)速度問題發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通而設(shè)置的一個(gè)保護(hù)時(shí)段。通常也指pwm響應(yīng)時(shí)間。由于igbt(絕緣柵極型功率管)等功率器件都存在一定的結(jié)電容,所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。一般在設(shè)計(jì)電路時(shí)已盡量降低該影響,比如盡量提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流,設(shè)置結(jié)電容釋放回路等。為了使igbt工作可靠,避免由于關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,有必要設(shè)置死區(qū)時(shí)間,也就是上下橋臂同時(shí)關(guān)斷時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可有效地避免延遲效應(yīng)所造成的一個(gè)橋臂未完全關(guān)斷,而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài),避免直通炸模塊。死區(qū)時(shí)間大,模塊工作更加可靠,但會(huì)帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。死區(qū)時(shí)間小,輸出波形要好一些,只是會(huì)降低可靠性,一般為us級(jí)。一般來說死區(qū)時(shí)間是不可以改變的,只取決于功率元件制作工藝。死區(qū)時(shí)間是指控制不到的時(shí)間域。在變頻器里一般是指功率器件輸出電壓、電流的“0”區(qū),在傳動(dòng)控制里一般是指電機(jī)正反向轉(zhuǎn)換電壓、電流的過零時(shí)間。死區(qū)時(shí)間當(dāng)然越小越好,但是所以設(shè)置死區(qū)時(shí)間,是為了安全。因此又不可沒有。最佳的設(shè)置方案是:在保證安全的前提下,越小越好。以不炸功率管、輸出不短路為前提。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間調(diào)控電路,能夠滿足保證電路安全的基礎(chǔ)上最大限度提高效率。

一種自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間調(diào)控電路包括以下模塊:延遲產(chǎn)生單元,邏輯電路,d觸發(fā)器鏈。對(duì)于自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間調(diào)控電路,pwm的占空比決定開關(guān)電源輸出的平均電壓。pwm不是調(diào)節(jié)電流的,pwm的意思是脈寬調(diào)節(jié),也就是調(diào)節(jié)方波高電平和低電平的時(shí)間比,一個(gè)20%占空比波形,會(huì)有20%的高電平時(shí)間和80%的低電平時(shí)間,而一個(gè)60%占空比的波形則具有60%的高電平時(shí)間和40%的低電平時(shí)間,占空比越大,高電平時(shí)間越長,則輸出的脈沖幅度越高,即電壓越高。如果占空比為0%,那么高電平時(shí)間為0,則沒有電壓輸出。如果占空比為100%,那么輸出全部電壓。所以通過調(diào)節(jié)占空比,可以實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)輸出電壓的目的,而且輸出電壓可以無級(jí)連續(xù)調(diào)節(jié)。通過檢測(cè)輸出電流,電壓大小反饋回來調(diào)整d觸發(fā)器的時(shí)序,在d觸發(fā)器時(shí)序和pwm的共同作用下,可以將死區(qū)時(shí)間控制到最小,即自適應(yīng)死區(qū)控制。

因此本發(fā)明具有如下特點(diǎn):(1)本電路采用延遲單元來實(shí)現(xiàn)延遲,從而使得開關(guān)管和同步整流管能正常導(dǎo)通關(guān)閉,保證了電路的正常工作(2)本電路采用了自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制,可以在保證電路正常工作的基礎(chǔ)上盡量減小死區(qū)時(shí)間,保證了開關(guān)電源比較高的效率。

附圖說明

圖1為死區(qū)時(shí)間控制邏輯電路

圖2為延遲單元產(chǎn)生電路

圖3為小的延遲產(chǎn)生模塊

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)更加清晰,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。

圖1為死區(qū)時(shí)間控制邏輯電路,通過pwm的高電電平控制來調(diào)節(jié)上下功率管的導(dǎo)通關(guān)閉,先只分析pwm的電平高低,不考慮pwm的占空比。由圖可知當(dāng)pwm為高電平時(shí),四輸入或非門輸出為低電平,這時(shí)會(huì)控制下面的同步整流管關(guān)斷,此時(shí)引腳1為高電平,進(jìn)入延遲單元1,延遲單元1和2結(jié)構(gòu)相同如圖2所示。延遲單元的具體結(jié)構(gòu)如圖3所示。兩個(gè)反相器中間接一個(gè)電容,這樣當(dāng)輸入為高電平時(shí),第一個(gè)反相器輸出為低電平,電容通過前面的反相器下面的mos管放電,當(dāng)電容上的電平低到第二個(gè)反相器的上面mos管導(dǎo)通時(shí),這時(shí)第二個(gè)反相器輸出為高電平,所以從輸入為高電平到輸出為高電平存在一定的延遲時(shí)間。當(dāng)輸入低電平時(shí),第一個(gè)反相器輸出為高電平,此時(shí)會(huì)對(duì)中間的電容進(jìn)行充電,當(dāng)電容的電平高到第二個(gè)反相器下面mos管的開啟電壓,第二個(gè)反相器輸出為低電平,所以從輸入為低電平到輸出為低電平存在一定的延遲時(shí)間。然后由圖2可知,當(dāng)輸入為高電平時(shí),經(jīng)過四個(gè)延遲模塊的延遲,四個(gè)輸出都為高電平,前面a,b經(jīng)過一串邏輯作用,然后跟后面的四個(gè)延遲單元的輸出共同作用,下面分析a,b不同電平時(shí)前面邏輯的輸出,輸出為從上到下的輸出

從表格中可以看出,無論a,b為高低電平,前面的邏輯輸出都會(huì)有一個(gè)引腳為高電平,這時(shí)和延遲單元的輸出共同作用下,后面的而四個(gè)二輸入與非門必定有一個(gè)輸出為低電平,然后作為四輸入與非門的輸入,會(huì)使得與非門的輸出為高電平,這樣延遲單元1的輸出為高電平,輸出經(jīng)過兩個(gè)反相器,作為mux的輸入,其中cp=0,會(huì)選擇該輸入作為輸出,該輸出會(huì)控制開關(guān)管導(dǎo)通。這樣就實(shí)現(xiàn)了當(dāng)上面的開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)下面的同步整流管關(guān)斷。這樣就保證了下面同步整流管先關(guān)斷然后上面的開關(guān)管才導(dǎo)通,保證pwm為高電平時(shí)的死區(qū)時(shí)間.當(dāng)pwm為低電平時(shí)首先延遲單元1的輸入為低電平。

圖2為延遲單元產(chǎn)生電路,當(dāng)輸入為低電平,這時(shí)經(jīng)過四個(gè)延遲單元的作用會(huì)使得四個(gè)輸出都為低電平,然后后面四個(gè)與非門輸出都為高電平,經(jīng)過四輸入與非門作用,最后的輸出為低電平,即延遲單元的輸出為低電平。然后延時(shí)單元會(huì)關(guān)斷上面的開關(guān)管,同時(shí)延遲單元1也會(huì)作為延遲單元2的輸入,這樣延遲單元2的輸出同樣也會(huì)為低電平,作為三輸入或非門的輸入,該或非門的三個(gè)輸入都為0,這樣輸出為高電平,同步整流管開啟,這樣就保證了上面的開關(guān)管先關(guān)斷,下面的同步整流管再開啟,保證了死區(qū)時(shí)間。其中pwm信號(hào)的占空比由后面的反饋電流電壓經(jīng)過adcd的作用來產(chǎn)生,再去控制后面的功率管。其中延遲單元1,2中的a,b是d觸發(fā)器加上邏輯單元的作用,這樣死區(qū)時(shí)間的控制會(huì)根據(jù)后面電壓電流的情況來采取不同的延遲時(shí)間,即自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制,這樣在保證電路正常工作的情況下,是實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源的最大效率。

圖3為小的延遲產(chǎn)生模塊,當(dāng)輸入為高電平時(shí),經(jīng)過第一個(gè)反相器作用后為低電平,中間的電容放電,當(dāng)電容上的電平低到一定程度時(shí),第二個(gè)反相器輸出為高電平,從而產(chǎn)生了延遲;當(dāng)輸入為低電平時(shí),經(jīng)過第一個(gè)反相器作用后為高電平,中間的電容充電,當(dāng)電容上的電平高到一定程度時(shí),第二個(gè)反相器輸出為低電平,從而產(chǎn)生延遲。

整體電路工作原理如下,pwm為高低電平信號(hào),高電平時(shí)下面的同步整流管直接關(guān)閉,然后經(jīng)過一個(gè)延遲單元后上面的開關(guān)管導(dǎo)通。當(dāng)pwm為低電平時(shí)經(jīng)過一個(gè)延遲單元后上面的開關(guān)管先關(guān)斷,然后再經(jīng)過一個(gè)延遲單元下面的同步整流管再導(dǎo)通。其中延遲時(shí)間有d觸發(fā)器鏈和一系列邏輯作用,實(shí)現(xiàn)了自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的控制。

以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

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