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一種平面雙時針干涉型無線充電線圈的制作方法

文檔序號:11388548閱讀:722來源:國知局
一種平面雙時針干涉型無線充電線圈的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及感應線圈技術領域,尤其涉及一種平面雙時針干涉型無線充電線圈。



背景技術:

感應充電線圈是無線電力輸送領域里的一種新型充電技術。即通過發(fā)射線圈與接受線圈之間諧振傳輸電能的技術。其中平面結(jié)構的感應線圈由于結(jié)構簡單,適合很多充電裝置備受青睞。

對于現(xiàn)有的平面結(jié)構的感應線圈,其采用的單時針繞行方式的結(jié)構非常簡單,但是單時針繞行的平面結(jié)構線圈存在的問題在于內(nèi)外兩相鄰通電線圈之間由于電流方向一致導致部分磁場相互抵消,從而降低了發(fā)射線圈與接收線圈之間的磁力線密度,帶來充電損耗的問題。

因此平面結(jié)構感應線圈需要更加合理的設計。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術中存在的缺點,而提出的一種平面雙時針干涉型無線充電線圈。

為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術方案:

一種平面雙時針干涉型無線充電線圈。其特征在于,包括以下步驟:

(1)整個充電線圈由n組線圈按照同心圓在平面上并聯(lián)繞成。

(2)每組線圈由m匝線圈在平面上按同心圓繞成。

(3)n組線圈按照順時針逆時針順時針逆時針……的方式繞行。

其中,線圈由n組線圈并聯(lián)繞成。每組線圈由m匝線圈按照同心圓繞成。每兩組線圈之間的繞行方式保持不同,按照第一組線圈順時針,第二組線圈逆時針,第三組線圈順時針……以此類推,使相鄰的線圈繞行方式不同。利用兩個方向相反的通電線圈之間的磁場方向相同產(chǎn)生的干涉加強效應,達到擠壓磁力線增大傳輸磁力線密集度增大傳輸效率的作用。

與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的有益效果是:

1、感應線圈采用平面設計方式,適用于多種場合。

2、每組線圈兩兩之間繞行方式不同帶來磁場干涉加強效應,提高了電能傳輸效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種平面雙時針干涉型無線充電線圈結(jié)構示意圖。

圖2為雙時針繞行線圈平面磁場示意圖。

圖3為單時針繞行線圈平面磁場示意圖。

具體實施方式

下面將對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。

參照圖1,一種平面雙時針干涉型無線充電線圈由上下兩個平面感應線圈構成。上下感應線圈構成相同,由n組線圈并聯(lián)成同心圓繞成。其中,每組線圈由m匝線圈按照同心圓繞成。每兩組線圈之間的繞行方式保持不同,按照第一組線圈順時針,第二組線圈逆時針,第三組線圈順時針……以此類推,使相鄰的線圈繞行方式不同。其實現(xiàn)步驟如下:

(1)整個充電線圈由n組線圈按照同心圓在平面上并聯(lián)繞成。

(2)每組線圈由m匝線圈在平面上按同心圓繞成。

(3)n組線圈按照順時針逆時針順時針逆時針……的方式繞行。

參照圖2,一種平面雙時針干涉型無線充電線圈的平面磁場示意圖。雙時針繞行的線圈兩兩之間的磁場方向相同,相互干涉加強。對比圖三,單時針繞行線圈平面磁場示意圖。單時針繞行的線圈兩兩之間的磁場方向相反,相互削弱,部分磁力線抵消。上線線圈之間的傳輸磁力線密度因此減弱,導致傳輸效率下降。上下感性線圈之間通過高頻電磁轉(zhuǎn)換傳輸電能,因此穿過線圈磁力線的密度越高傳輸?shù)碾娔茉酱笮试礁摺@脙蓚€方向相反的通電線圈之間的磁場方向相同產(chǎn)生的干涉加強效應,可以達到擠壓磁力線增大傳輸磁力線密集度增大傳輸效率的作用。

以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi),根據(jù)本發(fā)明的技術方案及其發(fā)明構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。



技術特征:

技術總結(jié)
本發(fā)明公開了一種平面雙時針干涉型無線充電線圈。此線圈由N組線圈并聯(lián)繞成。每組線圈由M匝線圈按照同心圓繞成。每兩組線圈之間的繞行方式保持不同,按照第一組線圈順時針,第二組線圈逆時針,第三組線圈順時針……以此類推,使相鄰的線圈繞行方式不同。利用兩個方向相反的通電線圈之間的磁場方向相同產(chǎn)生的干涉加強效應,達到擠壓磁力線增大傳輸磁力線密集度的作用。本發(fā)明通過雙時針繞法加強了線圈間磁場傳輸強度,減少了漏磁,有效增大了無線傳輸效率。

技術研發(fā)人員:徐進;俞普德;盧勝利
受保護的技術使用者:南京農(nóng)業(yè)大學
技術研發(fā)日:2017.05.25
技術公布日:2017.09.05
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