本發(fā)明涉及醫(yī)療保健設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及的是一種醫(yī)療芯片的體內(nèi)電源模塊及芯片系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

近年來，伴隨著微電子技術(shù)的高速發(fā)展，微芯片逐漸在醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域開始應(yīng)用。系統(tǒng)芯片(SOC)的出現(xiàn)，使微芯片上的器件密度達(dá)到了人腦神經(jīng)元的密度水平，醫(yī)療芯片成為一個(gè)重要的發(fā)展方向。采用金屬導(dǎo)線與芯片直接相連的傳輸方式容易導(dǎo)致二次感染，現(xiàn)有的醫(yī)療芯片的供電多采用埋設(shè)電池裝置的方式，導(dǎo)致整個(gè)裝置的體積重量較大，這樣可能帶來一些對(duì)人體不利的后果。而采用無線射頻傳輸?shù)姆绞綍?huì)因?yàn)榫€圈較大而限制其使用位置，且容易受其他射頻信號(hào)的干擾?，F(xiàn)有的體外無線供電所產(chǎn)生的電壓不夠穩(wěn)定，造成植入設(shè)備的壽命縮短?；诖?，本發(fā)明提供了一種具有更高精度和穩(wěn)定性的醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊及芯片系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊體積重量大、精度低、穩(wěn)定性差的問題，提供了一種具有更高精度和穩(wěn)定性的醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊及芯片系統(tǒng)。

本發(fā)明提供了一種醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊及芯片系統(tǒng)，所述體內(nèi)電源模塊包括整流模塊和穩(wěn)壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負(fù)極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負(fù)極、第二端接地電壓，所述穩(wěn)壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負(fù)極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運(yùn)算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發(fā)射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發(fā)射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，另一端接地電壓；所述第一三極管Q1和所述第二三極管Q2均為PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負(fù)極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第四NMOS管N4的源極接地電壓；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第六PMOS管P7的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第六PMOS管P7的漏極連接第七PMOS管P8的漏極，第七PMOS管P8的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第七PMOS管P8的柵極連接第一NMOS管N1的漏極，第七PMOS管P8的漏極連接輸出端VOUT，第六電阻R6的第一端連接第七PMOS管P8的漏極，第六電阻R6的第二端接地電壓。

所述芯片系統(tǒng)包括壓電陶瓷、體內(nèi)電源模塊、傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置；所述壓電陶瓷通過接受人體外發(fā)送的超聲波產(chǎn)生電壓VIN作為體內(nèi)電源模塊的輸入；所述體內(nèi)電源模塊為傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置提供電源，所述傳感器用于檢測(cè)數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中，數(shù)據(jù)讀取裝置用于讀取數(shù)據(jù)。

本發(fā)明所提供的一種醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊，有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊體積重量大、精度低、穩(wěn)定性差的問題，提高了抑制電壓波動(dòng)的性能，具有更高精度和穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的一種醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊電路示意圖。

圖2為本發(fā)明提供的芯片系統(tǒng)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供了一種醫(yī)療芯片的體內(nèi)電源模塊及芯片系統(tǒng)，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如1圖所示，一種醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊，所述體內(nèi)電源模塊包括整流模塊和穩(wěn)壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負(fù)極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負(fù)極、第二端接地電壓，所述穩(wěn)壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負(fù)極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運(yùn)算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發(fā)射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發(fā)射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，另一端接地電壓；所述第一三極管Q1和所述第二三極管Q2均為PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負(fù)極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第四NMOS管N4的源極接地電壓；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第六PMOS管P7的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第六PMOS管P7的漏極連接第七PMOS管P8的漏極，第七PMOS管P8的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第七PMOS管P8的柵極連接第一NMOS管N1的漏極，第七PMOS管P8的漏極連接輸出端VOUT，第六電阻R6的第一端連接第七PMOS管P8的漏極，第六電阻R6的第二端接地電壓。

如圖2所示，所述芯片系統(tǒng)還包括壓電陶瓷、體內(nèi)電源模塊、傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置；所述壓電陶瓷連接體內(nèi)電源模塊，所述壓電陶瓷通過接受人體外發(fā)送的超聲波產(chǎn)生電壓VIN作為體內(nèi)電源模塊的輸入；所述體內(nèi)電源模塊分別連接傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置，所述體內(nèi)電源模塊為傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置提供電源，所述傳感器連接所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置連接所述數(shù)據(jù)讀取裝置，所述傳感器用于檢測(cè)數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中，數(shù)據(jù)讀取裝置用于讀取數(shù)據(jù)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。