本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及過電壓保護(hù)相關(guān)技術(shù)。
技術(shù)背景:
電子產(chǎn)品離不開浪涌電壓防護(hù),作為當(dāng)今浪涌電壓防護(hù)的主要元件,ZnO壓敏電阻器在上世紀(jì)60年代末問世后,用量就隨著電子信息產(chǎn)品同步增長。在220(240)V工頻電源電路中,人們一開始用的是壓敏電壓(Un)為470V的壓敏電阻器,它在標(biāo)稱放電電流下的殘壓(限制電壓)大體為1100V。但它們在使用現(xiàn)場起火,造成嚴(yán)重后果的事故時有發(fā)生。于是220(240)V電路中的壓敏電阻器的規(guī)格逐步提高到Un為620V、680V。這個措施是有效的,極大地減低了起火事故的概率,但殘壓相應(yīng)地提高到1400V、1500V。殘壓的增大意味著其他方面成本加大和整個產(chǎn)品體積增加。近年來,在電子產(chǎn)品小型化和降成本的壓力下,“降殘壓”成為壓敏電阻制造和應(yīng)用領(lǐng)域的共同熱門課題。
降低殘壓的意義至少有以下方面:
第一、被保護(hù)器件的耐電壓等級降低,成本下降,幾何尺寸減小,例如圖1的例子,
第二、壓敏電阻安裝部位的空氣間隙,爬電距離和耐電壓試驗電壓相應(yīng)減小,表1的數(shù)據(jù)說明了這一點,這將使整個設(shè)備的成本下降,幾何尺寸減小。
第三,有利于整個產(chǎn)品小型化。
降低壓敏電阻在一定脈沖電流下的殘壓,目前主要有三個技術(shù)途徑:
1、減小流過壓敏電阻器的脈沖電流密度;也就是說,在脈沖電流給定的條件下,增大壓敏電阻器的電極面積。這可以有兩種做法:第一,采用單只大尺寸壓敏電阻器;第二,采用多個小尺寸壓敏電阻器的并聯(lián)組合。
2、選用壓敏電壓(Un)低的壓敏電阻器,這包含兩層含義;低標(biāo)稱電壓的規(guī)格,或同一規(guī)格中的負(fù)公差Un產(chǎn)品。
3、改變制造技術(shù);通過調(diào)整瓷料配方和生產(chǎn)工藝來改變規(guī)定電流下的殘壓比?,F(xiàn)行的工業(yè)生產(chǎn)壓敏電阻器,在標(biāo)稱放電電流下的殘壓比大體為2.2~2.7,也就是說,料配方和生產(chǎn)工藝對殘壓的調(diào)整范圍,只有23%左右。
壓敏電阻的三種工作狀態(tài)和選擇Un的一個基本矛盾:
在考慮壓敏電阻器的低殘壓應(yīng)用時,必須了解其工作狀態(tài),以及殘壓與壓敏電壓Un的關(guān)系。并聯(lián)在電源電壓上的壓敏電阻器,在其整個使用壽命期中,按照作用在它上面的電應(yīng)力的不同,可以區(qū)分為三種工作狀態(tài):
1、等待狀態(tài):只有電源系統(tǒng)電壓應(yīng)力,按最大連續(xù)工作電壓(MCOV)計算,應(yīng)力強(qiáng)度取決于“加壓比Rap=MCOV/Un”。Rap越大應(yīng)力越嚴(yán)酷,表現(xiàn)為老化加快,壽命縮短。從這一點出發(fā),總希望減小Rap值,即提高Un值。
2、浪涌抑制狀態(tài):“MCOV+脈沖電流”兩種電應(yīng)力同時作用。對于這個工作狀態(tài),人們最關(guān)心的是一定脈沖電流下的殘壓Ucla=Rcla×Un。從盡可能降低殘壓Ucla這一點出發(fā),總希望降低Un值。
3、暫時過電壓耐受狀態(tài):電應(yīng)力是暫時過電壓UTOV;應(yīng)力強(qiáng)度取決于“電壓比RTOV=UTOV/Un”,RTOV越大應(yīng)力越嚴(yán)酷,壓敏電阻越容易熱失控而損壞。從這一點出發(fā),總希望減小RTOV值,即提高Un值。
上面的分析表明,壓敏電阻的三種工作狀態(tài)對于壓敏電壓Un的期望值是不同的,等待狀態(tài)和暫時過電壓耐受狀態(tài)期望Un取大值,而浪涌抑制狀態(tài)期望Un取小值。這是壓敏電阻應(yīng)用設(shè)計中面臨的一個基本矛盾。在降殘壓的設(shè)計中,必須折中處理好這個矛盾,達(dá)到既能降殘壓,又能保證要求的MTTF(平均無故障時間)和預(yù)定TOV應(yīng)力下的安全性。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
:
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種由壓敏器件的串并聯(lián)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)對沖擊電流的分流分壓勻流作用,又通過壓敏器件的相對空間幾何位置,實現(xiàn)保護(hù)網(wǎng)絡(luò)電路上阻抗與的電磁場的平衡,同時使用壓敏剖分交叉技術(shù),實現(xiàn)參數(shù)波動壓敏間的平衡。提高了壓敏器件的耐受性和抗沖擊電流的能力,并降低了殘壓,大幅度地減少被保護(hù)電路的成本,延長保護(hù)電路壽命的中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路。
本發(fā)明目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn),一種中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路,其所述電路包括兩個以上壓敏電阻器通過并聯(lián)、串聯(lián)或串并聯(lián)組成,其分別達(dá)到:
1)、壓敏電阻器滿足以下要求:
(1)、同一組合中的各壓敏電阻器在經(jīng)受脈沖電流時,每只元件中的電流不均勻系數(shù)δI<0.1;
(2)、同一組合中的各壓敏電阻器的寬波脈沖電流篩選,使用2ms方波,每平方厘米承受20A,作為篩選條件,正反各一次,芯片不擊穿或破裂作為合格判據(jù);
(3)、同一組合中的各壓敏電阻器的電壓~溫度應(yīng)力篩選,以125℃為篩選溫度,壓敏電壓中心值作為外加交流試驗電壓峰值,進(jìn)行8小時老化篩選,芯片不穿孔或測試后壓敏電壓不低于初始值作為合格判據(jù);
2)、浪涌過電壓保護(hù)電路滿足以下要求:
(1)、浪涌過電壓保護(hù)電路中各壓敏電阻器的空間位置對稱;
(2)、浪涌過電壓保護(hù)電路中各對應(yīng)位置壓敏電阻器的阻抗平衡;
(3)、浪涌過電壓保護(hù)電路中各對應(yīng)位置壓敏電阻器的沖擊電流產(chǎn)生的感生電動勢在各壓敏電阻器上平衡;
(4)、浪涌過電壓保護(hù)電路中各對應(yīng)位置的壓敏電阻器連接引線長度相等,直徑相同,阻抗相同。
所述的中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路,其浪涌過電壓保護(hù)電路包括兩組串聯(lián)的壓敏電阻器,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組再并聯(lián),兩并聯(lián)端為該浪涌過電壓保護(hù)電路的輸入、輸出端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一聯(lián)組底部的個壓敏電阻器的連接端電連接;形成交叉連接組合。
所述的中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路,其浪涌過電壓保護(hù)電路包括兩組串聯(lián)的壓敏電阻器,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組一端連接,做為輸入端,另一端分別作為該浪涌過電壓保護(hù)電路的輸入端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一串聯(lián)組底部的兩個壓敏電阻器的連接端電連接;形成交叉連接組合。
所述的中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路,其浪涌過電壓保護(hù)電路包括兩組串聯(lián)的壓敏電阻器,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組一端連接,做為輸入端,另一端分別作為該浪涌過電壓保護(hù)電路的輸入端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一串聯(lián)組頂部的兩個壓敏電阻器的連接端電連接;形成平行連接組合。
所述的中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路,其浪涌過電壓保護(hù)電路包括兩組串聯(lián)的壓敏電阻器,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組一端連接,做為輸入端,另一端分別作為該浪涌過電壓保護(hù)電路的輸入端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一串聯(lián)組底部的兩個壓敏電阻器的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端,與另一串聯(lián)組的輸入端電連接,一串聯(lián)組的輸入端,與另一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器的連接端電連接。
本發(fā)明優(yōu)點在于,提高了壓敏器件的耐受性和抗沖擊電流的能力,并降低了殘壓,大幅度地減少被保護(hù)電路的成本,延長了保護(hù)電路壽命。
附圖說明:
圖1為本發(fā)明的一種電路原理示意圖;
圖2為本發(fā)明的另一種電路原理示意圖;
圖3為本發(fā)明的又一種電路原理示意圖;
圖4為本發(fā)明的再一種電路原理示意圖;
圖5為本發(fā)明一種浪涌過電壓保護(hù)電路網(wǎng)絡(luò)的具體應(yīng)用電路原理示意圖。
具體實施例:
本發(fā)明是為了提高了壓敏器件的耐受性和抗沖擊電流的能力,并降低了殘壓,大幅度地減少被保護(hù)電路的成本,延長保護(hù)電路壽命。
所以應(yīng)該了解壓敏電阻器在浪涌過電壓保護(hù)電路中涉及的原理,即電流的集中效應(yīng)及負(fù)熱阻效應(yīng)。所謂電流的集中效應(yīng),是指在L型引線壓敏阻中,電流通過中心線向四周擴(kuò)散電流,中心點電流比較集中。所謂的負(fù)熱阻效應(yīng),是指壓敏電阻通流量越大,局部溫度越高,電阻越小。當(dāng)散熱能力小于生熱能力時,正反饋將導(dǎo)致壓敏電阻融化貫穿。熱擊穿的燒融過程開始于通流密度較大的晶粒或缺陷,然后以之為原點逐步擴(kuò)張,電流方向擴(kuò)張更快。當(dāng)其直徑達(dá)到或接近壓敏厚度時,就發(fā)生貫穿式熱擊穿,形成略小于或近似等于厚度的通孔,嚴(yán)重的會引起拉弧或燃燒,這就是熱貫穿效應(yīng)。由于散熱的需要,壓敏晶體會形成由內(nèi)向外的溫度梯度,導(dǎo)致中心部位溫度最高。而來自引線的運(yùn)動電荷在引線終端由結(jié)構(gòu)變化導(dǎo)致的動量分布的離散性最高,即速度最高和最低的運(yùn)動電荷都多些,個別沖擊動量最強(qiáng)的運(yùn)動電荷,對晶界的破壞能力最強(qiáng);引線末端的電場由于尖端效應(yīng)又最強(qiáng),所以熱擊穿點絕大部分都發(fā)生在晶片靠近中心的引線端點。
通常,人們?yōu)榱颂岣弑Wo(hù)壓敏電阻器的工作壽命并降低殘壓,也采用多壓敏并聯(lián)來進(jìn)行分流的電路。但是由于各壓敏參數(shù)不完全相同,電流在集中效應(yīng)的作用下,還是會逐漸向過流較大的壓敏集中,最后使其燒毀。接著也會使第二個壓敏燒毀,燃燒的過程對電路及安全產(chǎn)生嚴(yán)重的危害。
本發(fā)明的技術(shù),由于總體壓敏參數(shù)的平衡,電流集中于一個壓敏的電流集中效應(yīng)得到遏制,中性電極還起到了阻擋熱貫穿效應(yīng)發(fā)生和加強(qiáng)散熱的作用。恰當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)安排,還能使部分壓敏由承受單向沖擊改為承受雙向沖擊,大幅度地提高防護(hù)電路的耐受性。
本技術(shù)的中性電極互聯(lián)壓敏浪涌過電壓保護(hù)電路,由兩個以上壓敏電阻器通過并聯(lián)、串聯(lián)或串并聯(lián)組成,鑒于上述分析,其壓敏電阻器及所組成的浪涌過電壓保護(hù)電路應(yīng)達(dá)到以下兩方面的滿足:
第一,壓敏電阻器的篩選,應(yīng)滿足:
1、同一組合中的各壓敏電阻器在經(jīng)受脈沖電流時,每只元件中的電流不均勻系數(shù)δI<0.1;
同一組合中的各并聯(lián)元件必須經(jīng)過特性配對,保證在經(jīng)受脈沖電流時,每只元件中的電流差別不大于規(guī)定值。否則在使用過程中,承受電流大的元件會提前失效。為此這里定義一個參數(shù)“不均勻系數(shù)δI=(nΔI)/It”,它等于各并聯(lián)元件電流的極差ΔI,對于平均電流It/n的比值(It是總電流,n是并聯(lián)元件數(shù))。在沒有特別規(guī)定的情況下,要求δI<0.1。
2、同一組合中的各壓敏電阻器的寬波脈沖電流篩選,使用2ms方波,每平方厘米承受20A,作為篩選條件,正反各一次,芯片不擊穿或破裂作為合格判據(jù);
3、同一組合中的各壓敏電阻器的電壓~溫度應(yīng)力篩選,以125℃為篩選溫度,壓敏電壓中心值作為外加交流試驗電壓峰值,進(jìn)行8小時老化篩選,芯片不穿孔或測試后壓敏電壓不低于初始值作為合格判據(jù);
第二、浪涌過電壓保護(hù)電路應(yīng)滿足以下要求:
1、浪涌過電壓保護(hù)電路中各壓敏電阻器的空間位置對稱;
在浪涌過電壓保護(hù)電路網(wǎng)絡(luò)中的耐受性方面,我們要充分使所有的壓敏參與工作,共同分擔(dān)電流;另一方面,我們還要使每個壓敏所承受的電流密度相同,為使相互的感應(yīng)平衡,要使涌過電壓保護(hù)電路中各壓敏電阻器的空間位置對稱。
2、浪涌過電壓保護(hù)電路中各對應(yīng)位置壓敏電阻器的阻抗平衡;
3、浪涌過電壓保護(hù)電路中各對應(yīng)位置壓敏電阻器的沖擊電流產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢在各壓敏電阻器上平衡;
浪涌過電壓保護(hù)電路中沖擊電流通過時網(wǎng)絡(luò)各環(huán)路的綜合磁場產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢為零,或者各子壓敏電阻器上產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢相等。表現(xiàn)在結(jié)構(gòu)上,該網(wǎng)絡(luò)具有類似晶體的對稱性和周期性,并保證空間位置上的相對等同。從而防止網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下的類趨膚效應(yīng),取得最小的阻抗。使沖擊電流流過時,各分支電流遇到的阻抗相等。
4、浪涌過電壓保護(hù)電路中各對應(yīng)位置的壓敏電阻器連接引線長度相等,直徑相同,阻抗相同。
浪涌過電壓保護(hù)電路中,在浪涌電壓沖擊時,由壓敏電阻器組成的電路網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)同樣對壓敏電壓和電流的分配起著很大的作用。假設(shè)某一段引線的阻抗為0.1歐姆,在沖擊電流為1000A的情況下,阻抗上的壓降就有100V。其二,壓敏電阻網(wǎng)絡(luò)如果受到與電流方向一致的磁場的作用,則同樣會產(chǎn)生趨膚效應(yīng);也就是,在串并結(jié)構(gòu)相同的情況下,一個隨意的過電流壓敏保護(hù)網(wǎng)產(chǎn)生的殘壓要比考慮上述因素精心設(shè)計的壓敏保護(hù)網(wǎng)高出100~300V。
如圖1所示,是一種浪涌過電壓保護(hù)電路,所述浪涌過電壓保護(hù)電路包括由壓敏電阻器R1、R2、R3及R4、R5、R6串聯(lián)組成的兩組串聯(lián)的壓敏電阻器件,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組再并聯(lián),兩并聯(lián)端分別為該浪涌過電壓保護(hù)電路的L端與N端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器R2與R3的連接端,與另一聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R4與R5的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R1與R2的連接端,與另一聯(lián)組底部的個壓敏電阻器R5與R6的連接端電連接;形成交叉連接組合。本電路通過將一分三壓敏交叉組合,實現(xiàn)左右浪涌通道的電阻一致,保證了通過電流的一致性。同時,即使某一子壓敏被熱擊穿,分隔電極也可以防止其熱貫穿效應(yīng)的發(fā)生,延長了整體防護(hù)電路的壽命。
如圖2所示,是另一種浪涌過電壓保護(hù)電路,所述浪涌過電壓保護(hù)電路包括由壓敏電阻器R1、R2、R3及R4、R5、R6串聯(lián)組成的兩組串聯(lián)的壓敏電阻器件,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組的一端連接,為PE端,另一端分別作為該浪涌過電壓保護(hù)電路的為L端及N端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器R2與R3的連接端,與另一聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R4與R5的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R1與R2的連接端,與另一串聯(lián)組底部的兩個壓敏電阻器R5與R6的連接端電連接;形成交叉連接組合。
如圖3所示,是又一種浪涌過電壓保護(hù)電路,所述浪涌過電壓保護(hù)電路包括由壓敏電阻器R1、R2、R3及R4、R5、R6串聯(lián)組成的兩組串聯(lián)的壓敏電阻器件,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組的一端連接,做為PE端,另一端分別作為該浪涌過電壓保護(hù)電路的L端及N端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器R2與R3的連接端,與另一聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器R5與R6的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R1與R2的連接端,與另一串聯(lián)組頂部的兩個壓敏電阻器R4與R5的連接端電連接;形成平行連接組合。
如圖4所示,是再一種浪涌過電壓保護(hù)電路,所述浪涌過電壓保護(hù)電路包括由壓敏電阻器R1、R2、R3及R4、R5、R6串聯(lián)組成的兩組串聯(lián)的壓敏電阻器件,各串聯(lián)組的壓敏電阻器為三個以上,兩串聯(lián)組一端連接,做為PE端,另一端分別作為該浪涌過電壓保護(hù)電路的L端及N端;一串聯(lián)組底部兩個壓敏電阻器R2與R3的連接端,與另一聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R4與R5的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R1與R2的連接端,與另一串聯(lián)組底部的兩個壓敏電阻器R5與R6的連接端電連接;一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R1與R2的連接端,與另一串聯(lián)組的N端電連接,一串聯(lián)組的L端,與另一串聯(lián)組頂部兩個壓敏電阻器R4與R5的連接端電連接。
如圖5所示,是一種浪涌過電壓保護(hù)電路網(wǎng)絡(luò)的具體應(yīng)用,這里采用12個14D681壓敏電阻器R構(gòu)成防護(hù)網(wǎng)絡(luò)。沖擊電流5000A時,L~N差模殘壓達(dá)到1230V。14D681的殘壓為1680V。與傳統(tǒng)的三角形接法相比,殘壓比由以前的2.2降到了1.8。耐沖擊次數(shù),從10次提高到70次以上,表面溫度降低近30℃(見附表實驗數(shù)據(jù))。在本實施例中,各節(jié)點與壓敏之間的連接線長度、線徑相同,相互間的幾何位置對稱。
該電路與常規(guī)三角接法的對比試驗見表一:
表一