本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種轉(zhuǎn)換裝置、方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

服務(wù)器主板是服務(wù)器中最重要的部件之一，其內(nèi)部包括各種元件。

目前，在整個服務(wù)器主板中，有部分相連的元件具有一定的供電時序，也就是上游元件的供電電壓會作為與其相鄰的下游元件的驅(qū)動電壓。

但是，在這個供電時序中，有部分元件的供電電壓較低，不能作為與其相鄰的下游元件的驅(qū)動電壓。比如，元件1的供電電壓為1.26V，而與其相鄰的下游的元件2的驅(qū)動電壓為3.3V，可見元件1的供電電壓為1.26V是不能作為元件2的驅(qū)動電壓的。因此，元件不能正常工作的可能性較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種轉(zhuǎn)換裝置、方法及系統(tǒng)，能夠降低元件不能正常工作的可能性。

第一方面，本發(fā)明提供了一種轉(zhuǎn)換裝置，該裝置包括：第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊；

所述第一開關(guān)模塊，分別與外部的第一電源和外部的上游元件相連，用于當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊；

所述第二開關(guān)模塊，分別與外部的第二電源以及外部的下游元件相連，用于在未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，利用所述第二電源提供的第三電壓為所述下游元件供電，以對所述下游元件進行驅(qū)動，其中所述第三電壓大于所述第一電壓。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)模塊，包括：第一三極管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一種；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一三極管時，

所述第一三極管的基極與所述上游元件相連，所述第一三極管的集電極分別與所述第一電源和所述第二開關(guān)模塊相連，所述第一三極管的發(fā)射極分別與地線和所述第二開關(guān)模塊相連；當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一三極管的基極與發(fā)射極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一NMOS管時，

所述第一NMOS管的柵極與所述上游元件相連，所述第一NMOS管的源極分別與地線和所述第二開關(guān)模塊相連，所述第一NMOS管的漏極分別與所述第一電源和所述第二開關(guān)模塊相連；當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一NMOS管的源極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一PMOS管時，

所述第一PMOS管的源極與所述上游元件相連，所述第一PMOS管的柵極分別與地線和所述第二開關(guān)模塊相連，所述第一PMOS管的漏極分別與所述第一電源和所述第二開關(guān)模塊相連；當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一PMOS管的柵極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)模塊，進一步包括：電阻；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一三極管時，

所述電阻的第一端與所述上游元件相連，所述電阻的第二端與所述第一三極管的基極相連；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一NMOS管時，

所述電阻的第一端與所述上游元件相連，所述電阻的第二端與所述第一NMOS管的柵極相連；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一PMOS管時，

所述電阻的第一端與所述上游元件相連，所述電阻的第二端與所述第一PMOS管的源極相連。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)模塊，進一步包括：第一電容；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一三極管時，

所述第一電容的一端分別與所述上游元件以及所述電阻的第一端相連，所述第一電容的另一端分別與所述第一三極管的發(fā)射極、所述地線以及所述第二開關(guān)模塊相連；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一NMOS管時，

所述第一電容的一端分別與所述上游元件以及所述電阻的第一端相連，所述第一電容的另一端分別與所述第一NMOS管的源極、所述地線以及所述第二開關(guān)模塊相連；

當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一PMOS管時，

所述第一電容的一端分別與所述上游元件以及所述電阻的第一端相連，所述第一電容的另一端分別與所述第一PMOS管的柵極、所述地線以及所述第二開關(guān)模塊相連。

優(yōu)選地，所述第二開關(guān)模塊，包括：第二三極管、第二NMOS管和第二PMOS管中的任意一種；

當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二三極管時，

所述第二三極管的基極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述第一電源相連，所述第二三極管的集電極分別與所述第二電源和所述下游元件相連，所述第二三極管的發(fā)射極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述地線相連；當未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，所述第二三極管的基極與發(fā)射極斷開，將所述第二電源提供的第三電壓傳輸給所述下游元件；

當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二NMOS管時，

所述第二NMOS管的柵極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述第一電源相連，所述第二NMOS管的源極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述地線相連，所述第二NMOS管的漏極分別與所述第二電源和所述下游元件相連；當未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，所述第二NMOS管的源極與漏極斷開，將所述第二電源提供的第三電壓傳輸給所述下游元件；

當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二PMOS管時，

所述第二PMOS管的源極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述第一電源相連，所述第二PMOS管的柵極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述地線相連，所述第二PMOS管的漏極分別與所述第二電源和所述下游元件相連，當未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，所述第二PMOS管的柵極與漏極斷開，將所述第二電源提供的第三電壓傳輸給所述下游元件。

優(yōu)選地，所述第二開關(guān)模塊，進一步包括：第二電容；

當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二三極管時，

所述第二電容的一端分別與所述地線、所述第二三極管的發(fā)射極以及所述第一開關(guān)模塊相連，所述第二電容的另一端分別與所述第二三極管的集電極、所述第二電源以及所述下游元件相連；

當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二NMOS管時，

所述第二電容的一端分別與所述地線、所述第二NMOS管的源極以及所述第一開關(guān)模塊相連，所述第二電容的另一端分別與所述第二NMOS管的漏極、所述第二電源以及所述下游元件相連；

當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二PMOS管時，

所述第二電容的一端分別與所述地線、所述第二PMOS管的柵極以及第一開關(guān)模塊相連，所述第二電容的另一端分別與所述第二PMOS管的漏極、所述第二電源以及所述下游元件相連。

優(yōu)選地，進一步包括：獨立開關(guān)模塊；

所述獨立開關(guān)模塊，與所述第一開關(guān)模塊相連，用于根據(jù)外部的觸發(fā)控制所述第一開關(guān)模塊停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊。

第二方面，本發(fā)明提供了一種上述任一所述轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換方法，該方法包括：

利用所述第一開關(guān)模塊，當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；

當所述第二開關(guān)模塊未接收到所述第一電源傳輸?shù)牡诙妷簳r，利用所述第二電源提供的第三電壓為所述下游元件供電，以對所述下游元件進行驅(qū)動，其中所述第三電壓大于所述第一電壓。

優(yōu)選地，

所述停止將外部的第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊，包括：

利用所述第一三極管，當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一三極管的基極與發(fā)射極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊。

優(yōu)選地，

利用所述第一NMOS管，當接收到所述上游元件傳輸?shù)墓╇婋妷簳r，所述第一NMOS管的源極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊。

優(yōu)選地，

利用所述第一PMOS管，當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一PMOS管的柵極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊。

第三方面，本發(fā)明提供了一種轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：上游元件、下游元件、第一電源、第二電源以及如上述任一所述的轉(zhuǎn)換裝置；其中，

所述上游元件，用于為所述轉(zhuǎn)換裝置傳輸?shù)谝浑妷海?/p>

所述轉(zhuǎn)換裝置當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止傳輸所述第一電源提供的第二電壓，利用所述第二電源提供的第三電壓為所述下游元件供電，以對所述下游元件進行驅(qū)動，其中所述第三電壓大于所述第一電壓；

所述下游元件，用于接收所述轉(zhuǎn)換裝置傳輸?shù)乃龅诙娫刺峁┑牡谌妷骸?/p>

本發(fā)明提供了一種轉(zhuǎn)換裝置、方法及系統(tǒng)，該轉(zhuǎn)換裝置包括：第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊；第一開關(guān)模塊，分別與外部的第一電源和外部的上游元件相連，用于當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；第二開關(guān)模塊，分別與外部的第二電源以及外部的下游元件相連，用于在未接收到第一電源提供的第二電壓時，利用第二電源提供的大于第一電壓的第三電壓為下游元件供電，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明能夠降低元件不能正常工作的可能性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明一個實施例提供的一種轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明一個實施例提供的一種第一開關(guān)模塊包括三極管的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一個實施例提供的一種第一開關(guān)模塊包括NMOS管的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明一個實施例提供的一種第一開關(guān)模塊包括PMOS管的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一個實施例提供的一種第二開關(guān)模塊包括三極管的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明一個實施例提供的一種第二開關(guān)模塊包括NMOS管的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明一個實施例提供的一種第二開關(guān)模塊包括PMOS管的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明一個實施例提供的一種包括獨立開關(guān)模塊的轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明一個實施例提供的一種轉(zhuǎn)換方法的流程圖；

圖10是本發(fā)明一個實施例提供的一種轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明另一個實施例提供的一種轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種裝置，該裝置包括：第一開關(guān)模塊101和第二開關(guān)模塊102；

所述第一開關(guān)模塊101，分別與外部的第一電源和外部的上游元件相連，用于當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊102；

所述第二開關(guān)模塊102，分別與外部的第二電源以及外部的下游元件相連，用于在未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，利用所述第二電源提供的第三電壓為所述下游元件供電，以對所述下游元件進行驅(qū)動，其中所述第三電壓大于所述第一電壓。

根據(jù)如圖1所示的實施例，該轉(zhuǎn)換裝置包括：第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊；第一開關(guān)模塊，分別與外部的第一電源和外部的上游元件相連，用于當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；第二開關(guān)模塊，分別與外部的第二電源以及外部的下游元件相連，用于在未接收到第一電源提供的第二電壓時，利用第二電源提供的大于第一電壓的第三電壓為下游元件供電，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明實施例能夠降低元件不能正常工作的可能性。

在本發(fā)明一個實施例中，上述的第一電源提供的第二電壓以及第二電源提供的第三電壓的大小可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求來確定。其中，選用的第一電源提供的第二電壓可以大于上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷?，等于或小于的第二電源提供的第三電壓，比如，第二電壓?.26V，第三電壓為3.3V，那么可以選用的第一電源提供的第二電壓為3.3V。選用的第二電源提供的第三電壓的大小要可以對下游元件進行驅(qū)動。比如，上游元件傳輸?shù)碾妷簽?.26V，而下游元件的驅(qū)動電壓為3.3V，那么就要選取可以提供3.3V電壓的第二電源。

在本發(fā)明一個實施例中，如圖2、圖3和圖4所示，為了滿足多種業(yè)務(wù)需求，可以靈活選用第一開關(guān)模塊中包括的元件，所述第一開關(guān)模塊101可以包括：第一三極管201、第一NMOS管202和第一PMOS管203中的任意一種；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一三極管201時，

所述第一三極管201的基極與所述上游元件相連，所述第一三極管201的集電極分別與所述第一電源和所述第二開關(guān)模塊102相連，所述第一三極管201的發(fā)射極分別與地線和所述第二開關(guān)模塊102相連；當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一三極管201的基極與發(fā)射極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊102；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一NMOS管202時，

所述第一NMOS管202的柵極與所述上游元件相連，所述第一NMOS管202的源極分別與地線和所述第二開關(guān)模塊102相連，所述第一NMOS管202的漏極分別與所述第一電源和所述第二開關(guān)模塊102相連；當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一NMOS管202的源極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊102；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一PMOS管203時，

所述第一PMOS管203的源極與所述上游元件相連，所述第一PMOS管203的柵極分別與地線和所述第二開關(guān)模塊102相連，所述第一PMOS管203的漏極分別與所述第一電源和所述第二開關(guān)模塊102相連；當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一PMOS管203的柵極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊102。

根據(jù)上述可知，第一開關(guān)模塊中包括的具體元件可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求來選取，比如可以選取三極管、NMOS管和PMOS管中的任意一種。其中由于三極管和NMOS管使用方便，且價格低廉，作為優(yōu)選方案。而PMOS管由于價格相對于三極管和NMOS管來說，價格較高，因此作為次選方案。下面將針對于第一開關(guān)模塊包括的具體元件進行詳細說明：

針對于上述的當?shù)谝婚_關(guān)模塊包括第一三極管時，如圖2所示，第一三極管的基極b與上游元件A相連，第一三極管的集電極c分別與第一電源B和第二開關(guān)模塊相連，第一三極管的發(fā)射極e分別與地線GND和第二開關(guān)模塊相連；當?shù)谝蝗龢O管的基極b接收到上游元件A傳輸?shù)牡谝浑妷罕热?.26V時，第一三極管的基極b與第一三極管的發(fā)射極e導通，當基極b與發(fā)射極e導通后，第一三極管相當于導線的作用，直接將第一電源B提供的第二電壓比如3.3V傳輸給地線GND，以使第二電壓3.3V無法傳輸給第二開關(guān)模塊。另外，上述的第一三極管的具體類型可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求來確定，比如選用硅管三極管。

針對于上述的當?shù)谝婚_關(guān)模塊包括第一NMOS管時，如圖3所示(NMOS管內(nèi)部元件的連接方式只是一種示意，可以根據(jù)具體業(yè)務(wù)要求變動)，第一NMOS管的柵極G與上游元件A相連，第一NMOS管的源極S分別與地線GND和第二開關(guān)模塊相連，第一NMOS管的漏極D分別與第一電源B和第二開關(guān)模塊相連；當?shù)谝籒MOS管的柵極G接收到上游元件A傳輸?shù)牡谝浑妷罕热?.26V時，第一NMOS管的源極S與漏極D導通，當?shù)谝籒MOS管的源極S與漏極D導通后，將第一電源B提供的第二電壓比如3.3V傳輸給了地線GND，以使第二電壓3.3V無法傳輸給第二開關(guān)模塊。另外，上述的第一NMOS管的具體類型可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求來確定。

針對于上述的當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一PMOS管時，如圖4所示(PMOS管內(nèi)部元件的連接方式只是一種示意，可以根據(jù)具體業(yè)務(wù)要求變動)，第一PMOS管的源極S與上游元件A相連，第一PMOS管的柵極G分別與地線GND和第二開關(guān)模塊相連，第一PMOS管的漏極D分別與第一電源B和第二開關(guān)模塊相連；當?shù)谝籔MOS管的源極S接收到上游元件A傳輸?shù)牡谝浑妷罕热?.26V時，第一PMOS管的柵極G與漏極D導通，當?shù)谝籔MOS管的柵極G與漏極D導通后，將第一電源B提供的第二電壓比如3.3V傳輸給地線，以使第二電壓3.3V無法傳輸給第二開關(guān)模塊。另外，上述的第一PMOS管的具體類型可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求來確定。

根據(jù)上述實施例，第一開關(guān)模塊中可以包括第一三極管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一種，無論選用上述哪種第一開關(guān)模塊都可以當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊。因此，可以靈活選用第一開關(guān)模塊中包括的元件類型，從而滿足多種業(yè)務(wù)需求。

在本發(fā)明一個實施例中，如圖2、圖3和圖4所示，為了保護第一開關(guān)模塊中的元件，限制進入第一開關(guān)模塊中的電流大小，所述第一開關(guān)模塊101，進一步包括：電阻204；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一三極管201時，

所述電阻204的第一端與所述上游元件相連，所述電阻204的第二端與所述第一三極管201的基極相連；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一NMOS管202時，

所述電阻204的第一端與所述上游元件相連，所述電阻204的第二端與所述第一NMOS管202的柵極相連；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一PMOS管203時，

所述電阻204的第一端與所述上游元件相連，所述電阻204的第二端與所述第一PMOS管203的源極相連。

上述電阻的類型可以根據(jù)具體的業(yè)務(wù)要求來確定，比如選用精密電阻。當?shù)谝婚_關(guān)模塊中包括的元件不同時，電阻與不同的元件間具有下述不同的連接關(guān)系。

針對于上述的當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一三極管時，如圖2所示，電阻的第一端R1與上游元件A相連，電阻的第二端R2與第一三極管的基極b相連，當上游元件A開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，電阻起到分壓的作用，在其自身消耗部分第一電壓，從而限制輸入第一三極管中的電流的大小，避免出現(xiàn)由于電流過大損傷第一三極管的現(xiàn)象，比如電流過大擊穿第一三極管。

針對于上述的當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一NMOS管時，如圖3所示電阻的第一端R1與上游元件A相連，電阻的第二端R2與第一NMOS管的柵極G相連，當上游元件A開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，電阻起到分壓的作用，在其自身消耗部分第一電壓，從而限制輸入第一NMOS管中的電流的大小，避免出現(xiàn)由于電流過大損傷第一NMOS管的現(xiàn)象，比如電流過大擊穿第一NMOS管。

針對于上述的當?shù)谝婚_關(guān)模塊包括所述第一PMOS管時，如圖4所示，電阻的第一端R1與上游元件A相連，電阻的第二端R2與第一PMOS管的源極S相連，當上游元件A開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，電阻起到分壓的作用，在其自身消耗部分第一電壓，從而限制輸入第一PMOS管中的電流的大小，避免出現(xiàn)由于電流過大損傷第一PMOS管的現(xiàn)象，比如電流過大擊穿第一PMOS管。

根據(jù)上述實施例，第一開關(guān)模塊中可以進一步包括電阻，當上游元件開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，該電阻起到分壓的作用，在其自身消耗部分第一電壓，從而限制輸入第一開關(guān)模塊中的電流的大小，從而減小第一開關(guān)模塊中的元件出現(xiàn)損傷的可能性。

在本發(fā)明一個實施例中，如圖2、圖3和圖4所示，為了減小當上游元件開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，第一開關(guān)模塊中的元件被擊穿的可能性，所述第一開關(guān)模塊101，進一步包括：第一電容205；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一三極管201時，

所述第一電容205的一端分別與所述上游元件以及所述電阻204的第一端相連，所述第一電容205的另一端分別與所述第一三極管201的發(fā)射極、所述地線以及所述第二開關(guān)模塊202相連；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一NMOS管202時，

所述第一電容205的一端分別與所述上游元件以及所述電阻204的第一端相連，所述第一電容205的另一端分別與所述第一NMOS管201的源極、所述地線以及所述第二開關(guān)模塊202相連；

當所述第一開關(guān)模塊101包括所述第一PMOS管202時，

所述第一電容205的一端分別與所述上游元件以及所述電阻204的第一端相連，所述第一電容205的另一端分別與所述第一PMOS管201的柵極、所述地線以及所述第二開關(guān)模塊202相連。

上述第一電容的類型可以根據(jù)具體的業(yè)務(wù)要求來確定，比如選用固定電容器。當?shù)谝婚_關(guān)模塊中包括的元件不同時，電容與不同的元件間具有下述不同的連接關(guān)系。

針對于上述的當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一三極管時，如圖2所示，第一電容的一端C1分別與上游元件A以及電阻的第一端R1相連，第一電容的另一端C2分別與第一三極管的發(fā)射極e、地線GND以及第二開關(guān)模塊相連。當上游元件A未開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，第一電容利用第二開關(guān)模塊傳輸?shù)牡诙娫吹牡谌妷?，比?.3V儲能，并利用儲能穩(wěn)定第一三極管中發(fā)射極與基極兩端的電壓。當上游元件A開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，會產(chǎn)生的瞬間電壓可能會擊穿第一三極管，但是第一電容利用之前的儲能提供電壓，來穩(wěn)定第一三極管中發(fā)射極與基極兩端的電壓，從而減少擊穿第一三極管的可能性。

針對于上述的當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一NMOS管時，如圖3所示，第一電容的一端C1分別與上游元件A以及電阻的第一端R1相連，第一電容的另一端C2分別與第一NMOS管的源極S、地線GND以及第二開關(guān)模塊相連。當上游元件A未開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，第一電容利用第二開關(guān)模塊傳輸?shù)牡诙娫吹牡谌妷罕热?.3V儲能，并利用儲能穩(wěn)定第一NMOS管中源極與柵極兩端的電壓。當上游元件A開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，產(chǎn)生的瞬間電壓可能會擊穿第一三極管，但是第一電容利用之前的儲能穩(wěn)定了第一NMOS管中源極與柵極兩端的電壓，從而減少擊穿第一NMOS管的可能性。

針對于上述的當所述第一開關(guān)模塊包括所述第一PMOS管時，如圖4所示，第一電容的一端C1分別與上游元件A以及電阻的第一端R1相連，第一電容的另一端C2分別與第一PMOS管的柵極G、地線GND以及第二開關(guān)模塊相連。當上游元件A未開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，第一電容利用第二開關(guān)模塊傳輸?shù)牡诙娫吹牡谌妷罕热?.3V儲能，并利用儲能穩(wěn)定第一PMOS管中源極與柵極兩端的電壓。當上游元件A開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，產(chǎn)生的瞬間電壓可能會擊穿第一三極管，但是第一電容利用之前的儲能穩(wěn)定了第一PMOS管中源極與柵極兩端的電壓，從而減少擊穿第一PMOS管的可能性。

根據(jù)上述實施例，第一開關(guān)模塊中可以進一步包括第一電容，第一電容利用儲能穩(wěn)定第一開關(guān)模塊中的元件兩端的電壓，當上游元件開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，由于第一電容提供電壓穩(wěn)定第一開關(guān)模塊中的元件兩端的電壓，因此減少上游元件產(chǎn)生的瞬間電壓擊穿第一開關(guān)模塊中元件的可能性。

在本發(fā)明一個實施例中，如圖5、圖6和圖7所示，為了滿足多種業(yè)務(wù)需求，可以靈活選用第二開關(guān)模塊中包括的元件，所述第二開關(guān)模塊101，包括：第二三極管501、第二NMOS管502和第二PMOS管503中的任意一種；

當所述第二開關(guān)模塊201包括所述第二三極管501時，

所述第二三極管501的基極分別與所述第一開關(guān)模塊101和所述第一電源相連，所述第二三極管501的集電極分別與所述第二電源和所述下游元件相連，所述第二三極管501的發(fā)射極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述地線相連；當未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，所述第二三極管的基極與發(fā)射極斷開，將所述第二電源提供的第三電壓傳輸給所述下游元件；

當所述第二開關(guān)模塊201包括所述第二NMOS管502時，

所述第二NMOS管502的柵極分別與所述第一開關(guān)模塊101和所述第一電源相連，所述第二NMOS管502的源極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述地線相連，所述第二NMOS管502的漏極分別與所述第二電源和所述下游元件相連；當未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，所述第二NMOS管502的源極與漏極斷開，將所述第二電源提供的第三電壓傳輸給所述下游元件；

當所述第二開關(guān)模塊102包括所述第二PMOS管503時，

所述第二PMOS管503的源極分別與所述第一開關(guān)模塊101和所述第一電源相連，所述第二PMOS管503的柵極分別與所述第一開關(guān)模塊和所述地線相連，所述第二PMOS管503的漏極分別與所述第二電源和所述下游元件相連，當未接收到所述第一電源提供的第二電壓時，所述第二PMOS管503的柵極與漏極斷開，將所述第二電源提供的第三電壓傳輸給所述下游元件。

根據(jù)上述可知，第二開關(guān)模塊中包括的具體元件也可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求來選取，比如可以選取三極管、NMOS管和PMOS管中的任意一種。其中由于三極管和NMOS管使用方便，且價格低廉，作為優(yōu)選方案。而PMOS管由于價格相對于三極管和NMOS管來說，價格較高，因此作為次選方案。下面將針對于第二開關(guān)模塊包括的具體元件進行詳細說明：

針對于上述的當所述第二開關(guān)模塊包括所述第二三極管時，如圖5所示，第二三極管的基極b分別與第一開關(guān)模塊和第一電源B相連，第二三極管的集電極c分別與第二電源C和下游元件E相連，第二三極管的發(fā)射極e分別與地線GND以及第一開關(guān)模塊相連。當?shù)诙龢O管的基極b未接收到第一電源B提供的第二電壓比如3.3V時，第二三極管的基極b與發(fā)射極e斷開，第二電源提供的第三電壓比如3.3V將不能傳輸至地線GND，而是將第三電壓3.3V傳輸給下游元件E，以對下游元件E利用第三電壓3.3V進行驅(qū)動。

針對于上述的當?shù)诙_關(guān)模塊包括第二NMOS管時，如圖6所示(NMOS管內(nèi)部元件的連接方式只是一種示意，可以根據(jù)具體業(yè)務(wù)要求變動)，第二NMOS管的柵極G分別與第一開關(guān)模塊和第一電源A相連，第二NMOS管的源極S分別與地線GND以及第一開關(guān)模塊相連，第二NMOS管的漏極D分別與第二電源C和下游元件E相連；當?shù)诙﨨MOS管的柵極G未接收到第一電源A提供的第二電壓比如3.3V時，第二NMOS管的源極S與漏極D斷開，第二電源提供的第三電壓比如3.3V將不能傳輸至地線GND，而是將第三電壓3.3V傳輸給下游元件E，以對下游元件E利用第三電壓3.3V進行驅(qū)動。

針對于上述的當?shù)诙_關(guān)模塊包括第二PMOS管時，如圖7所示(PMOS管內(nèi)部元件的連接方式只是一種示意，可以根據(jù)具體業(yè)務(wù)要求變動)，第二PMOS管的源極S分別與第一開關(guān)模塊和第一電源A相連，第二PMOS管的柵極G分別與地線GND以及第一開關(guān)模塊相連，第二PMOS管的漏極D分別與第二電源C和下游元件E相連，當?shù)诙MOS管的源極S未接收到第一電源A提供的第二電壓比如3.3V時，第二PMOS管的柵極G與漏極S斷開，第二電源提供的第三電壓比如3.3V將不能傳輸至地線，而是將第三電壓3.3V傳輸給下游元件E，以對下游元件E利用第三電壓3.3V進行驅(qū)動。

根據(jù)上述實施例，第二開關(guān)模塊中可以包括三極管、NMOS管和PMOS管中的任意一種，無論選用上述哪種第二開關(guān)模塊都可以當未接收到第一電源提供的第二電壓時，第二開關(guān)模塊都可以將第二電源提供的第三電壓傳輸給下游元件。因此，可以靈活選用第二開關(guān)模塊中包括的元件類型，從而滿足多種業(yè)務(wù)需求。

在本發(fā)明一個實施例中，如圖5、圖6和圖7所示，當?shù)谝浑娫唇o第二開關(guān)模塊傳輸?shù)诙妷簳r，減小第二開關(guān)模塊中的元件發(fā)生損傷的可能性，所述第二開關(guān)模塊201，進一步包括：第二電容504；

當所述第二開關(guān)模塊201包括所述第二三極管501時，

所述第二電容504的一端分別與所述地線、所述第二三極管501的發(fā)射極以及所述第一開關(guān)模塊101相連，所述第二電容504的另一端分別與所述第二三極管501的集電極、所述第二電源以及所述下游元件相連；

當所述第二開關(guān)模塊201包括所述第二NMOS管502時，

所述第二電容504的一端分別與所述地線、所述第二NMOS管502的源極以及第一開關(guān)模塊101相連，所述第二電容504的另一端分別與所述第二NMOS管502的所述漏極、所述第二電源以及所述下游元件相連；

當所述第二開關(guān)模塊201包括所述第二PMOS管503時，

所述第二電容504的一端分別與所述地線、所述第二PMOS管503的柵極以及第一開關(guān)模塊101相連，所述第二電容504的另一端分別與所述第二PMOS管503的所述漏極、所述第二電源以及所述下游元件相連。

上述第二電容的類型可以根據(jù)具體的業(yè)務(wù)要求來確定，比如選用固定電容器。當?shù)诙_關(guān)模塊中包括的元件不同時，第二電容與不同的元件間具有下述不同的連接關(guān)系。

針對于上述的當?shù)诙_關(guān)模塊包括第二三極管時，如圖5所示，第二電容的一端D1分別與地線、第二三極管的發(fā)射極e以及第一開關(guān)模塊相連，第二電容的另一端D2分別與第二三極管的集電極c、第二電源C以及下游元件E相連。當?shù)谝婚_關(guān)模塊未接收第一電源B提供的第二電壓時，利用第二電源C提供的第三電壓進行儲能，并為第二三極管的兩端提供穩(wěn)定電壓，當?shù)诙_關(guān)模塊未接收第一電源B提供的第二電壓時，利用第二電源C提供的第三電壓進行儲能，并為第二三極管的兩端提供穩(wěn)定電壓。從而減少第二三極管被擊穿的可能性。

針對于上述的當?shù)诙_關(guān)模塊包括第二NMOS管時，如圖6所示，第二電容的一端D1分別與地線、第二NMOS管的源極S以及第一開關(guān)模塊相連，第二電容的另一端D2分別與第二NMOS管的漏極D、第二電源C以及下游元件E相連。當?shù)谝婚_關(guān)模塊未接收第一電源B提供的第二電壓時，利用第二電源C提供的第三電壓進行儲能，并為第二三極管的兩端提供穩(wěn)定電壓，當?shù)诙_關(guān)模塊未接收第一電源B提供的第二電壓時，利用第二電源C提供的第三電壓進行儲能，并為第二NMOS管的兩端提供穩(wěn)定電壓。從而減少第二NMOS管被擊穿的可能性。

針對于上述的當?shù)诙_關(guān)模塊包括第二PMOS管時，如圖7所示，第二電容的一端D1分別與地線GND、第二PMOS管的柵極G以及第一開關(guān)模塊相連，第二電容的另一端D2分別與第二PMOS管的漏極D、第二電源C以及下游元件E相連。當?shù)谝婚_關(guān)模塊未接收第一電源B提供的第二電壓時，利用第二電源C提供的第三電壓進行儲能，并為第二三極管的兩端提供穩(wěn)定電壓，當?shù)诙_關(guān)模塊未接收第一電源B提供的第二電壓時，利用第二電源C提供的第三電壓進行儲能，并為第二PMOS管的兩端提供穩(wěn)定電壓。從而減少第二PMOS管被擊穿的可能性。

根據(jù)上述實施例，第二開關(guān)模塊中可以進一步包括第二電容，用于穩(wěn)定第二開關(guān)模塊中的元件，比如三極管、NMOS管、PMOS管兩端的電壓，從而減少第二開關(guān)模塊中的元件出現(xiàn)損傷的可能性。

在本發(fā)明一個實施例中，如圖8所示，所述轉(zhuǎn)換裝置中可以進一步包括：獨立開關(guān)模塊801；

所述獨立開關(guān)模塊801，與所述第一開關(guān)模塊101相連，用于根據(jù)外部的觸發(fā)控制所述第一開關(guān)模塊101停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊102。

上述獨立開關(guān)模塊的具體形式可以根據(jù)具體的業(yè)務(wù)要求來確定。另外獨立開關(guān)模塊接收的觸發(fā)可以是通過業(yè)務(wù)人員手動操作來完成，也可以是軟件來控制的。當?shù)谝婚_關(guān)模塊中包括三極管時，獨立開關(guān)模塊可以與三極管的基極相連，用于觸發(fā)三極管的基極與發(fā)射極導通，從而使第一電源提供的第二電壓不能傳輸給第二開關(guān)模塊。以使第二開關(guān)模塊利用第二電源提供的第三電壓為下游元件供電；當?shù)谝婚_關(guān)模塊中包括NMOS管時，獨立開關(guān)模塊可以與NMOS管的柵極相連，用于當柵極接收到觸發(fā)時，NMOS管的漏極與源極導通，從而使第一電源提供的第二電壓不能傳輸給第二開關(guān)模塊，以使第二開關(guān)模塊利用第二電源提供的第三電壓為下游元件供電；當?shù)谝婚_關(guān)模塊中包括PMOS管時，獨立開關(guān)模塊可以與PMOS管的源極相連，用于當源極接收到觸發(fā)時，PMOS管的漏極與柵極導通，從而使第一電源提供的第二電壓不能傳輸給第二開關(guān)模塊，以使第二開關(guān)模塊利用第二電源提供的第三電壓為下游元件供電。

根據(jù)上述實施例，轉(zhuǎn)換裝置中可以進一步包括獨立開關(guān)模塊，獨立開關(guān)模塊可以根據(jù)外部的觸發(fā)控制第一開關(guān)模塊停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊。從而可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求靈活對下游元件進行驅(qū)動。

如圖9所示，本發(fā)明實施例提供了一種基于上述任一所述轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換方法，該方法包括：

步驟901：利用所述第一開關(guān)模塊，當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；

步驟902：當所述第二開關(guān)模塊未接收到所述第一電源傳輸?shù)牡诙妷簳r，利用所述第二電源提供的第三電壓為所述下游元件供電，以對所述下游元件進行驅(qū)動，其中所述第三電壓大于所述第一電壓。

根據(jù)如圖9所示的實施例，該轉(zhuǎn)換方法包括：利用第一開關(guān)模塊，當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；當?shù)诙_關(guān)模塊未接收到第一電源傳輸?shù)牡诙妷簳r，利用第二電源提供的大于第一電壓的第三電壓為下游元件供電，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明實施例能夠降低元件不能正常工作的可能性。

在本發(fā)明一個實施例中，所述停止將外部的第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊，包括：

利用所述第一三極管，當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一三極管的基極與發(fā)射極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊；

或，

利用所述第一NMOS管，當接收到所述上游元件傳輸?shù)墓╇婋妷簳r，所述第一NMOS管的源極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊；

或，

利用所述第一PMOS管，當接收到所述上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，所述第一PMOS管的柵極與漏極導通，將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線，停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關(guān)模塊。

如圖10所示，本發(fā)明實施例提供了一種轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：上游元件1001、下游元件1002、第一電源1003、第二電源1004以及如上述任一所述的轉(zhuǎn)換裝置1005；其中，

所述上游元件1001，用于為所述轉(zhuǎn)換裝置1005傳輸?shù)谝浑妷海?/p>

所述轉(zhuǎn)換裝置1005當接收到所述上游元件1001傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止傳輸所述第一電源1003提供的第二電壓，利用所述第二電源1004提供的第三電壓為所述下游元件1002供電，以對所述下游元件1002進行驅(qū)動，其中所述第三電壓大于所述第一電壓。

所述下游元件1002，用于接收所述轉(zhuǎn)換裝置1005傳輸?shù)乃龅诙娫?004提供的第三電壓。

根據(jù)如圖10所示的實施例，該轉(zhuǎn)換系統(tǒng)包括：上游元件、下游元件、第一電源、第二電源以及轉(zhuǎn)換裝置；其中，轉(zhuǎn)換裝置當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止傳輸?shù)谝浑娫刺峁┑牡诙妷海玫诙娫刺峁┑拇笥诘谝浑妷旱牡谌妷簽橄掠卧╇?，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明實施例能夠降低元件不能正常工作的可能性。

下面以可以提供1.26V電壓的上游芯片、驅(qū)動電壓為3.3V的下游芯片、第一開關(guān)模塊中包括三極管、第二開關(guān)模塊中包括NMOS管、提供3.3V電壓的第二電源和提供3.3V電壓的第三電源為例，展開說明轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。如圖11所示，該轉(zhuǎn)換系統(tǒng)包括：

上游芯片1101、下游芯片1102、3.3V第一電源1103、3.3V第二電源1104、第一電阻1105、第二電阻1106、第一電容1107、三極管1108、第三電阻1109、NMOS管1110、第四電阻1111和第二電容1112。上述的元件間具有如下的連接關(guān)系：

第一電阻的第一端R1與上游芯片的第一引腳Y1相連，第一電阻的第二端R2分別與第二電阻的第一端R3以及第一電容的第一端C1相連；

第二電阻的第一端R3分別與上游芯片的第二引腳Y2、第一電阻的第二端R2以及第一電容的第一端C1相連，第二電阻的第二端R4與三極管的基極b相連；

第一電容的第一端C1分別與第一電阻的第二端R2、第二電阻的第一端R3以及上游芯片的第二引腳Y2相連，第一電容的第二端C2分別與三極管的發(fā)射極e、NMOS管的源極S、地線GND以及第二電容的第一端C3相連；

三極管的基極b與第二電阻的第二端R4相連，三極管的發(fā)射極e分別與第一電容的第二端C2、地線GND、NMOS管的源極S以及第二電容的第一端C3相連，三極管的集電極c分別與第三電阻的第一端R5和NMOS管的柵極G相連；

第三電阻的第一端R5分別與三極管的集電極c和NMOS管的柵極G相連，第三電阻的第二端R6與3.3V第一電源相連；

NMOS管的柵極G分別與第三電阻的第一端R5和三極管的集電極c相連，NMOS管的源極S分別與三極管的發(fā)射極e、地線GND、第一電容的第二端C2以及第二電容的第一端C3相連，NMOS管的漏極D分別與第四電阻的第一端R7、上游芯片以及第二電容的第二端C4相連；

第二電容的第一端C3分別與三極管的發(fā)射極e、第一電容的第二端C2、地線GND、NMOS管的源極S相連，第二電容的第二端C4分別與第四電阻的第一端R7、NMOS管的漏極D以及下游芯片相連；

第四電阻的第一端R7分別與下游芯片、第二電容的第二端C4以及NMOS管的漏極D相連，第四電阻的第二端R8與3.3V第二電源相連；

當上游芯片未開始傳輸1.26V電壓時，三極管的基極b與發(fā)射極e之間斷開。NMOS管接收第一電源傳輸?shù)?.3V電壓，NMOS管的漏極與源極導通，3.3V第二電源提供的3.3V電壓傳輸至地線GND，同時與其相連的第一電容和第二電容利用第二電源提供的3.3V電壓進行儲能。

當上游芯片通過第二引腳開始傳輸開始供電的信號時，通過第一引腳開始傳輸1.26V電壓。第一電容開始輸出其內(nèi)部的儲能，穩(wěn)定三極管的基極b與發(fā)射極c兩端的電壓，從而減少在上游芯片在傳輸1.26V電壓時，三極管被擊穿的可能性。在第一電容在輸出其內(nèi)部儲能時，1.26V電壓通過具有限流作用的第一電阻和第二電阻傳輸給三極管的基極b。當三極管的基極b接收到1.26V電壓時，三極管的基極b與發(fā)射極c導通，第一電源提供的3.3V電壓通過具有限流作用的第三電阻通過基極b與發(fā)射極c導通的三極管傳輸至地線，同時與其相連的第一電容和第二電容利用第一電源提供的3.3V電壓進行儲能。

當?shù)谝浑娫刺峁┑?.3V電壓通過基極b與發(fā)射極c導通的三極管傳輸至地線之后，NMOS管的柵極G將不能接收到第二電源傳輸?shù)?.3V電壓，則NMOS管的漏極D與源極S斷開。當NMOS管的漏極D與源極S斷開后，3.3V第二電源提供的3.3V電壓傳輸至下游芯片，以對下游芯片利用3.3V電壓進行驅(qū)動。

通過上述過程可知，可將上游芯片傳輸?shù)?.26V電壓轉(zhuǎn)換為驅(qū)動下游芯片的3.3V電壓，保證了在上游芯片傳輸電壓時，根據(jù)芯片間的操作時序性來驅(qū)動下游芯片，從而降低下游芯片不能正常工作的可能性。

綜上所述，本發(fā)明各個實施例至少可以實現(xiàn)如下有益效果：

1、在本發(fā)明實施例中，該轉(zhuǎn)換裝置包括：第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊；第一開關(guān)模塊，分別與外部的第一電源和外部的上游元件相連，用于當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；第二開關(guān)模塊，分別與外部的第二電源以及外部的下游元件相連，用于在未接收到第一電源提供的第二電壓時，利用第二電源提供的大于第一電壓的第三電壓為下游元件供電，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明實施例能夠降低元件不能正常工作的可能性。

2、在本發(fā)明實施例中，第一開關(guān)模塊中可以包括第一三極管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一種，無論選用上述哪種第一開關(guān)模塊都可以當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊。因此，可以靈活選用第一開關(guān)模塊中包括的元件類型，從而滿足多種業(yè)務(wù)需求。

3、在本發(fā)明實施例中，第一開關(guān)模塊中可以進一步包括電阻，當上游元件開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，該電阻起到分壓的作用，在其自身消耗部分第一電壓，從而限制輸入第一開關(guān)模塊中的電流的大小，從而減小第一開關(guān)模塊中的元件出現(xiàn)損傷的可能性。

4、在本發(fā)明實施例中，第一開關(guān)模塊中可以進一步包括第一電容，第一電容利用儲能穩(wěn)定第一開關(guān)模塊中的元件兩端的電壓，當上游元件開始傳輸?shù)谝浑妷簳r，由于第一電容提供電壓穩(wěn)定第一開關(guān)模塊中的元件兩端的電壓，因此減少上游元件產(chǎn)生的瞬間電壓擊穿第一開關(guān)模塊中元件的可能性。

5、在本發(fā)明實施例中，第二開關(guān)模塊中可以包括三極管、NMOS管和PMOS管中的任意一種，無論選用上述哪種第二開關(guān)模塊都可以當未接收到第一電源提供的第二電壓時，第二開關(guān)模塊都可以將第二電源提供的第三電壓傳輸給下游元件。因此，可以靈活選用第二開關(guān)模塊中包括的元件類型，從而滿足多種業(yè)務(wù)需求。

6、在本發(fā)明實施例中，第二開關(guān)模塊中可以進一步包括第二電容，用于穩(wěn)定第二開關(guān)模塊中的元件，比如三極管、NMOS管、PMOS管兩端的電壓，從而減少第二開關(guān)模塊中的元件出現(xiàn)損傷的可能性。

7、在本發(fā)明實施例中，轉(zhuǎn)換裝置中可以進一步包括獨立開關(guān)模塊，獨立開關(guān)模塊可以根據(jù)外部的觸發(fā)控制第一開關(guān)模塊停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊。從而可以根據(jù)業(yè)務(wù)要求靈活對下游元件進行驅(qū)動。

8、在本發(fā)明實施例中，該轉(zhuǎn)換方法包括：利用第一開關(guān)模塊，當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止將第一電源提供的第二電壓傳輸給第二開關(guān)模塊；當?shù)诙_關(guān)模塊未接收到第一電源傳輸?shù)牡诙妷簳r，利用第二電源提供的大于第一電壓的第三電壓為下游元件供電，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明實施例能夠降低元件不能正常工作的可能性。

9、在本發(fā)明實施例中，該轉(zhuǎn)換系統(tǒng)包括：上游元件、下游元件、第一電源、第二電源以及轉(zhuǎn)換裝置；其中，轉(zhuǎn)換裝置當接收到上游元件傳輸?shù)牡谝浑妷簳r，停止傳輸?shù)谝浑娫刺峁┑牡诙妷海玫诙娫刺峁┑拇笥诘谝浑妷旱牡谌妷簽橄掠卧╇?，以對下游元件進行驅(qū)動。通過上述過程可知，本方案在上游元件開始傳輸電壓之后，通過第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊進行電壓轉(zhuǎn)換，以得到能夠?qū)ο掠卧M行驅(qū)動的電壓，因此本發(fā)明實施例能夠降低元件不能正常工作的可能性。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個······”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲在計算機可讀取的存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)中。

最后需要說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進等，均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。