1.低成本帶隔離自鎖的直流母線欠壓保護(hù)電路，其特征在于：包括依次連接的采樣電路、穩(wěn)壓電路、光耦隔離電路、信號(hào)鎖存電路和聲光報(bào)警保護(hù)電路，所述采樣電路與直流母線連接，用于直流母線的電壓采集。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本帶隔離自鎖的直流母線欠壓保護(hù)電路，其特征在于：采樣電路包括電容C1、電阻R2、R3，所述電容C1的正、負(fù)極端分別與直流母線正、負(fù)極對(duì)應(yīng)連接，電阻R2的一端連接電容C1的正極端，電阻R3的一端連接電容C1的負(fù)極端，電阻R2和電阻R3之間串接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低成本帶隔離自鎖的直流母線欠壓保護(hù)電路，其特征在于：穩(wěn)壓電路由電阻R1、R4、R5、三端穩(wěn)壓管Q1、穩(wěn)壓管WD1、WD2、電容器C2，所述電阻R4的一端連接在電阻R2、R3之間，電阻R4的另一端與三端穩(wěn)壓管Q1的控制端連接，三端穩(wěn)壓管Q1的正極端與電容C1的負(fù)極端連接，三端穩(wěn)壓管Q1的負(fù)極端通過(guò)電阻R1與電容C1的正極端連接；
穩(wěn)壓管WD1的負(fù)極端與電容C2的正極端并接后與三端穩(wěn)壓管Q1的負(fù)極端連接，穩(wěn)壓管WD1的正極端與電容C2的負(fù)極端并接后與三端穩(wěn)壓管Q1的正極端連接；
穩(wěn)壓管WD2的正極端與電阻R5的一端連接，電阻R5的另一端與電容C2的負(fù)極連接，穩(wěn)壓管WD2的負(fù)極端與電容C2的正極端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低成本帶隔離自鎖的直流母線欠壓保護(hù)電路，其特征在于：光耦隔離電路包括直流電源、光電耦合器U1和電容C4，光電耦合器U1輸入端1腳與穩(wěn)壓管WD2的正極端連接，光電耦合器U1輸入端2腳與電容C2的負(fù)極端連接，光電耦合器U1輸出端4腳連接直流電源的正極，光電耦合器U1輸出端3腳連接電容C4的正極，C4的負(fù)極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低成本帶隔離自鎖的直流母線欠壓保護(hù)電路，其特征在于：信號(hào)鎖存電路包括電阻R6 、R7、電容C3、可控硅Q2，所述電阻R6的一端與電容C4的正極連接，電阻R6的另一大與電容C3的正極端串接，電容C3的負(fù)極端接地；
可控硅Q2的控制端與電容C3的正極端連接，所述可控硅Q2的陰極端與光耦隔離電路中的直流電源的正極連接，所述可控硅Q2的陽(yáng)極端連接電阻R7的一端，電阻R7的另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低成本帶隔離自鎖的直流母線欠壓保護(hù)電路，其特征在于：聲光報(bào)警保護(hù)電路包括二極管D1、發(fā)光二極管D2、電阻器R8、R9、R10、R11、電容C5、C6、三極管Q3、蜂鳴器FMQ，二極管D1的正極端與可控硅Q2的陽(yáng)極端連接，二極管D1的負(fù)極端分別連接電阻R8、R9的一端，電阻R8的另一端連接發(fā)光二極管D2的正極端，發(fā)光二極管D2的負(fù)極端接地，電阻R9的另一端連接電容C5的正極端，電容C5的負(fù)極端接地，所述電阻R10并聯(lián)在電容C5的兩端；
三極管Q3基極連接電容C5的正極端，三極管Q3的發(fā)射極連接電容C5的負(fù)極端并接地，三極管Q3的集電極連接電容C6的負(fù)極端，電容C6的正極端通過(guò)電阻R11連接可控硅Q2的陰極端，所述蜂鳴器FMQ的正極與電容C6的正極端連接，蜂鳴器FWQ的負(fù)極連接電容C6的負(fù)極端。