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一種供電管理裝置的制作方法

文檔序號:12716830閱讀:286來源:國知局
一種供電管理裝置的制作方法

本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種供電管理裝置。



背景技術(shù):

在電路板上,一般都設(shè)置有供電管理裝置,通過供電管理裝置為電路板上的各個(gè)用電單元供電。

現(xiàn)有技術(shù)中,供電管理裝置主要接收外部輸入的電信號,將外部輸入的電信號轉(zhuǎn)換成用電單元所需要的電壓,進(jìn)而為用電單元提供相應(yīng)的電壓。其中,現(xiàn)有技術(shù)中的供電管理裝置的外部輸入的電信號一般只有一種來源,如果該來源發(fā)生故障,供電管理裝置就無法輸出用電單元所需要的電壓。舉例來說,供電管理裝置接收外部市電輸入的電信號,將市電轉(zhuǎn)換成5v電壓,當(dāng)市電斷電時(shí),供電管理裝置就無法工作,無法輸出5v電壓。

通過上述描述可見,現(xiàn)有技術(shù)中的供電管理裝置的可靠性較低。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種供電管理裝置,能夠提高供電的可靠性。

本實(shí)用新型提供了一種供電管理裝置,包括:

切換單元、電池、電池供電單元和至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元;

所述切換單元分別與外部供電設(shè)備、所述電池供電單元以及所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元相連,所述電池與所述電池供電單元相連;

所述切換單元,用于當(dāng)接收到所述外部供電設(shè)備輸入的第一供電信號時(shí),向所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出所述第一供電信號,當(dāng)沒有接收到所述外部供電設(shè)備輸入的所述第一供電信號且接收到所述電池供電單元輸入的第二供電信號時(shí),向所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出所述第二供電信號;

所述電池,用于向所述電池供電單元輸出電池電信號;

所述電池供電單元,用于根據(jù)所述電池輸入的所述電池電信號,向所述切換單元輸出所述第二供電信號;

所述轉(zhuǎn)換單元,用于根據(jù)所述切換單元輸入的所述第一供電信號或所述第二供電信號,輸出電壓值為所述轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:

處理器,與所述電池供電單元相連,用于向所述電池供電單元發(fā)送轉(zhuǎn)換信號;

所述電池供電單元,用于在接收到所述處理器發(fā)來的轉(zhuǎn)換信號時(shí),將所述電池輸入的所述電池電信號轉(zhuǎn)換為所述第二供電信號。

進(jìn)一步地,所述切換單元,包括:

第一MOS管,所述第一MOS管的漏極與所述電池供電單元相連,所述第一MOS管的源極與所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元相連,通過所述第一MOS管的漏極接收所述第二供電信號;

第一二極管,所述第一二極管的正極與所述外部供電設(shè)備相連,所述第一二極管的負(fù)極與所述第一MOS管的源極相連,通過所述第一二極管的正極接收所述第一供電信號;

第一電阻,所述第一電阻的第一端與所述第一MOS管的柵極相連,所述第一電阻的第二端與所述第一二極管的正極相連;

第一電容,所述第一電容的第一端與所述第一電阻的第一端相連,所述第一電容的第二端與所述第一電阻的第二端相連。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:電池充電管理單元;

所述處理器和所述電池充電管理單元均與所述電池相連;

所述處理器,進(jìn)一步用于檢測所述電池的電量,當(dāng)檢測到所述電池的電量小于等于預(yù)設(shè)電量閾值時(shí),向所述電池充電管理單元發(fā)送充電信號;

所述電池充電管理單元,用于在接收到所述處理器發(fā)來的所述充電信號時(shí),對所述電池進(jìn)行充電。

進(jìn)一步地,所述轉(zhuǎn)換單元包括:

降壓轉(zhuǎn)換芯片,所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸入引腳與所述切換單元相連,用于接收所述切換單元輸入的所述第一供電信號或所述第二供電信號;

電感,所述電感的第一端與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳相連,所述電感的第二端輸出所述轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號;

第二電容,所述第二電容的正極與所述輸入引腳相連,所述第二電容的負(fù)極接地;

第三電容,所述第三電容的第一端與所述輸入引腳相連,所述第三電容的第二端接地;

第四電容,所述第四電容的第一端與所述輸入引腳相連,所述第四電容的第二端接地;

第二電阻,所述第二電阻的第一端與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的使能引腳相連,所述第二電阻的第二端與所述輸入引腳相連;

第三二極管,所述第三二極管的負(fù)極與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳相連,所述第三二極管的正極接地;

第五電容,所述第五電容的第一端與所述電感的第二端相連,所述第五電容的第二端接地;

第六電容,所述第六電容的第一端與所述電感的第二端相連,所述第六電容的第二端接地;

第三電阻,所述第三電阻的第一端與所述電感的第二端相連,所述第三電阻的第二端與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的反饋引腳相連;

第四電阻,所述第四電阻的第一端與所述第三電阻的第二端相連,所述第四電阻的第二端接地。

進(jìn)一步地,所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元,包括:第一轉(zhuǎn)換單元,用于根據(jù)所述切換單元輸出的所述第一供電信號或所述第二供電信號,輸出電壓值為3.3v的第三供電信號。

進(jìn)一步地,所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元,包括:第二轉(zhuǎn)換單元,用于根據(jù)所述切換單元輸出的所述第一供電信號或所述第二供電信號,輸出電壓值為5v的第四供電信號。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:供電輸出單元,用于輸出電壓為12v的第五供電信號;

所述供電輸出單元,包括:

第二二極管,所述第二二極管的正極與所述外部供電設(shè)備相連,所述第二二極管的負(fù)極與所述供電輸出單元的供電輸出端相連;

第二MOS管,所述第二MOS管的柵極接地,所述第二MOS管的源極與所述供電輸出端相連,所述第二MOS管的漏極與所述電池供電單元相連;

其中,通過所述第二二極管的正極接收所述第一供電信號,通過所述第二MOS管的漏極接收所述第二供電信號,所述第一供電信號和所述第二供電信號均為電壓值為12v的電信號。

進(jìn)一步地,所述電池供電單元,包括:

控制三極管,所述控制三極管的基極與所述處理器相連,所述控制三極管的發(fā)射極接地,通過所述控制三極管的基極接收所述轉(zhuǎn)換信號;

第三MOS管,所述第三MOS管的柵極與所述控制三極管的集電極相連,所述第三MOS管的源極與所述電池相連;

轉(zhuǎn)換芯片,所述轉(zhuǎn)換芯片的輸入端與所述第三MOS管的漏極相連,用于在接收到所述第三MOS管的漏極發(fā)來的電池電信號時(shí),輸出所述第二供電信號。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)串口,每個(gè)所述串口與所述處理器相連。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)GPIO(General Purpose Input Output,通用輸入輸出)接口,每個(gè)所述GPIO接口均與所述處理器相連。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)ISP(In-System Programming,在線系統(tǒng)可編程)接口,每個(gè)所述ISP接口與所述處理器相連。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)LVDS(Low-Voltage Differential Signaling,低電壓差分信號)接口,每個(gè)所述LVDS接口與所述處理器相連。

進(jìn)一步地,該裝置進(jìn)一步包括:四個(gè)串口、一個(gè)GPIO接口、一個(gè)LVDS接口和主板接口;

所述四個(gè)串口、一個(gè)GPIO接口和一個(gè)LVDS接口均與所述處理器相連;

每個(gè)所述串口的輸入引腳和輸出引腳均與所述主板接口相連;

所述GPIO接口的每個(gè)輸入輸出引腳均與所述主板接口相連;

所述LVDS接口的輸出輸出引腳和使能引腳均與所述主板接口相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,切換單元分別接收外部供電設(shè)備發(fā)來的第一供電信號和電池供電單元發(fā)來的第二供電信號,切換單元向每個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出第一供電信號或第二供電信號,轉(zhuǎn)換單元根據(jù)第一供電信號或所述第二供電信號輸出電壓值為該轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號,只要外部供電設(shè)備和電池供電單元中任意一個(gè)能夠正常向切換單元輸入供電信號,各個(gè)轉(zhuǎn)換單元即可輸入對應(yīng)的電信號為其他設(shè)備供電,提高了供電的可靠性。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的一種供電管理裝置的示意圖;

圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的另一種供電管理裝置的示意圖;

圖3是本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的又一種供電管理裝置的示意圖;

圖4是本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的再一種供電管理裝置的示意圖;

圖5是本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的一種轉(zhuǎn)換單元的示意圖;

圖6是本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的還一種供電管理裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種供電管理裝置,包括:

切換單元、電池、電池供電單元和至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元;

所述切換單元分別與外部供電設(shè)備、所述電池供電單元以及所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元相連,所述電池與所述電池供電單元相連;

所述切換單元,用于當(dāng)接收到所述外部供電設(shè)備輸入的第一供電信號時(shí),向所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出所述第一供電信號,當(dāng)沒有接收到所述外部供電設(shè)備輸入的所述第一供電信號且接收到所述電池供電單元輸入的第二供電信號時(shí),向所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出所述第二供電信號;

所述電池,用于向所述電池供電單元輸出電池電信號;

所述電池供電單元,用于根據(jù)所述電池輸入的所述電池電信號,向所述切換單元輸出所述第二供電信號;

所述轉(zhuǎn)換單元,用于根據(jù)所述切換單元輸入的所述第一供電信號或所述第二供電信號,輸出電壓值為所述轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,切換單元分別接收外部供電設(shè)備發(fā)來的第一供電信號和電池供電單元發(fā)來的第二供電信號,切換單元向每個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出第一供電信號或第二供電信號,轉(zhuǎn)換單元根據(jù)第一供電信號或所述第二供電信號輸出電壓值為該轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號,只要外部供電設(shè)備和電池供電單元中任意一個(gè)能夠正常向切換單元輸入供電信號,各個(gè)轉(zhuǎn)換單元即可輸入對應(yīng)的電信號為其他設(shè)備供電,提高了供電的可靠性。

如圖1所示,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種供電管理裝置,包括:

切換單元101、電池102、電池供電單元103、轉(zhuǎn)換單元104和轉(zhuǎn)換單元105;

切換單元101分別與外部供電設(shè)備、電池供電單元103、轉(zhuǎn)換單元104和轉(zhuǎn)換單元105相連,電池102與電池供電單元103相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,電池可以是7.4v的鋰電池。第一供電信號和第二供電信號可以都是12v的直流電,外部供電設(shè)備可以是12v的電源適配器。切換單元可以通過插座與外部供電設(shè)備相連。插座的第一端接外部供電設(shè)備,第二端接地,在插座的第一端和第二端之間可以串聯(lián)100KΩ和15KΩ的電阻。在這兩個(gè)電阻之間連接處理器,為處理器供電。

另外,這里的轉(zhuǎn)換單元104可以是本實(shí)用新型實(shí)施例中的第一轉(zhuǎn)換單元,這里的轉(zhuǎn)換單元105可以是本實(shí)用新型實(shí)施例中的第二轉(zhuǎn)換單元。

基于圖1所示的一種供電管理裝置,如圖2所示,在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:

處理器201,與所述電池供電單元103相連,用于向所述電池供電單元103發(fā)送轉(zhuǎn)換信號;

所述電池供電單元103,用于在接收到所述處理器201發(fā)來的轉(zhuǎn)換信號時(shí),將所述電池102輸入的所述電池電信號轉(zhuǎn)換為所述第二供電信號。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,通過處理器來控制電池供電單元是否輸出第二供電信號。這里的處理器可以是ATmega328P。

該裝置還可以包括:晶振單元,用于為處理器提供時(shí)鐘信號;

晶振單元包括:

晶振,晶振的兩端分別與處理器的兩個(gè)引腳相連;

晶振的第一端與地之間連接22pF的電容,晶振的第二端與地之間連接22pF的電容。

該裝置還可以包括:

在處理器的20引腳與地之間并聯(lián)四個(gè)0.1μF的電容。

基于圖2所示的一種供電管理裝置,如圖3所示,在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:電池充電管理單元301;

所述處理器201和所述電池充電管理單元301均與所述電池102相連;

所述處理器201,進(jìn)一步用于檢測所述電池的電量,當(dāng)檢測到所述電池的電量小于等于預(yù)設(shè)電量閾值時(shí),向所述電池充電管理單元301發(fā)送充電信號;

所述電池充電管理單元301,用于在接收到所述處理器201發(fā)來的所述充電信號時(shí),對所述電池進(jìn)行充電。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,在處理器的控制下,電池充電管理單元可以根據(jù)電池的電量來靈活地為電池充電。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述切換單元,包括:

第一MOS管,所述第一MOS管的漏極與所述電池供電單元相連,所述第一MOS管的源極與所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元相連,通過所述第一MOS管的漏極接收所述第二供電信號;

第一二極管,所述第一二極管的正極與所述外部供電設(shè)備相連,所述第一二極管的負(fù)極與所述第一MOS管的源極相連,通過所述第一二極管的正極接收所述第一供電信號;

第一電阻,所述第一電阻的第一端與所述第一MOS管的柵極相連,所述第一電阻的第二端與所述第一二極管的正極相連;

第一電容,所述第一電容的第一端與所述第一電阻的第一端相連,所述第一電容的第二端與所述第一電阻的第二端相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,當(dāng)?shù)谝籑OS管的柵極接收到第一供電信號且第一MOS管的第一MOS管的漏極接收到第二供電信號時(shí),第一MOS管不導(dǎo)通,第二供電信號無法進(jìn)入第一MOS管的源極,進(jìn)而無法為該至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元供電,第一供電信號可以直接通過第一二極管為該至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元供電。另外,當(dāng)?shù)谝籑OS管的柵極沒有接收到第一供電信號且第一MOS管的第一MOS管的漏極接收到第二供電信號時(shí),第一MOS管導(dǎo)通,第二供電信號進(jìn)入第一MOS管的源極,第二供電信號由第一MOS管的源極輸出為該至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元供電。并且,第一二極管能夠避免第二供電信號輸出到外部供電設(shè)備,實(shí)現(xiàn)對外部供電設(shè)備的保護(hù)。

基于圖1所示的一種供電管理裝置,如圖4所示,在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述切換單元,包括:

第一MOS管Q1,第一MOS管Q1的漏極與電池供電單元103相連,第一MOS管Q1的源極分別與轉(zhuǎn)換單元104和轉(zhuǎn)換單元105相連,通過第一MOS管Q1的漏極接收第二供電信號;

第一二極管D1,第一二極管D1的正極與外部供電設(shè)備相連,第一二極管D1的負(fù)極與第一MOS管Q1的源極相連,通過第一二極管D1的正極接收第一供電信號;

第一電阻R1,第一電阻R1的第一端與第一MOS管Q1的柵極相連,第一電阻R1的第二端與第一二極管D1的正極相連;

第一電容C1,第一電容C1的第一端與第一電阻R1的第一端相連,第一電容C1的第二端與第一電阻R1的第二端相連。

具體地,第一MOS管的型號可以為MI3407。第一二極管的型號可以為SS34。第一電容可以為0.1μF。第一電阻可以為100KΩ。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:供電輸出單元,用于輸出電壓為12v的第五供電信號;

所述供電輸出單元,包括:

第二二極管,所述第二二極管的正極與所述外部供電設(shè)備相連,所述第二二極管的負(fù)極與所述供電輸出單元的供電輸出端相連;

第二MOS管,所述第二MOS管的柵極接地,所述第二MOS管的源極與所述供電輸出端相連,所述第二MOS管的漏極與所述電池供電單元相連;

其中,通過所述第二二極管的正極接收所述第一供電信號,通過所述第二MOS管的漏極接收所述第二供電信號,所述第一供電信號和所述第二供電信號均為電壓值為12v的電信號。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,當(dāng)?shù)诙﨧OS管接收到第一供電信號時(shí),供電輸出端輸出第一供電信號,當(dāng)?shù)诙﨧OS管沒有接收到第一供電信號時(shí),供電輸出端輸出第二供電信號。具體地,當(dāng)?shù)诙O管的正極接收到第一供電信號時(shí),第二MOS管不導(dǎo)通,供電輸出單元的供電輸出端輸出第一供電信號;當(dāng)?shù)诙O管的正極沒有接收到第一供電信號時(shí),第二MOS管導(dǎo)通,供電輸出單元的供電輸出端輸出由第二MOS管漏極輸入的第二供電信號。供電輸出單元可以為需要12v電壓的用電設(shè)備供電。

另外,該供電輸出單元還可以包括:在第二二極管的正極與地之間連接100KΩ的電阻,在第二二極管的正極與地之間連接0.1μF的電容,該電阻和該電容并聯(lián)。

具體地,第二MOS管的型號可以為MI3407。第二二極管的型號可以為SS34。

如圖5所示,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種轉(zhuǎn)換單元,包括:

降壓轉(zhuǎn)換芯片501,所述降壓轉(zhuǎn)換芯片501的輸入引腳與所述切換單元相連,用于接收所述切換單元輸入的所述第一供電信號或所述第二供電信號;

電感L,所述電感L的第一端與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片501的輸出引腳相連,所述電感L的第二端輸出該轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號;

第二電容C2,所述第二電容C2的正極與所述輸入引腳相連,所述第二電容C2的負(fù)極接地;

第三電容C3,所述第三電容C3的第一端與所述輸入引腳相連,所述第三電容C3的第二端接地;

第四電容C4,所述第四電容C4的第一端與所述輸入引腳相連,所述第四電容C4的第二端接地;

第二電阻R2,所述第二電阻R2的第一端與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的使能引腳相連,所述第二電阻R2的第二端與所述輸入引腳相連;

第三二極管D3,所述第三二極管D3的負(fù)極與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳相連,所述第三二極管D3的正極接地;

第五電容C5,所述第五電容C5的第一端與所述電感L的第二端相連,所述第五電容C5的第二端接地;

第六電容C6,所述第六電容C6的第一端與所述電感L的第二端相連,所述第六電容C6的第二端接地;

第三電阻R3,所述第三電阻R3的第一端與所述電感L的第二端相連,所述第三電阻R3的第二端與所述降壓轉(zhuǎn)換芯片501的反饋引腳相連;

第四電阻R4,所述第四電阻R4的第一端與所述第三電阻R3的第二端相連,所述第四電阻R4的第二端接地。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,該降壓轉(zhuǎn)換芯片可以是MPS1430。

另外,該轉(zhuǎn)換單元還可以包括:降壓轉(zhuǎn)換芯片的OCS引腳與第五電阻的第一端相連,第五電阻的第二端與第七電容的第一端相連,第七電容的第二端接地。第八電容的第一端與降壓轉(zhuǎn)換芯片的OCSET引腳相連,第八電容的第二端與降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳相連;第九電容的第一端與降壓轉(zhuǎn)換芯片的BS引腳相連,第九電容的第二端接地。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,該裝置還可以包括:

轉(zhuǎn)換控制單元連接在切換單元與轉(zhuǎn)換單元之間;

轉(zhuǎn)換控制單元,用于接收處理器發(fā)來的轉(zhuǎn)換控制信號,根據(jù)轉(zhuǎn)換控制信號控制是否向轉(zhuǎn)換單元輸入第一供電信號或第二供電信號;

轉(zhuǎn)換控制單元,包括:

第四MOS管,第四MOS管的源極與切換單元中的第一MOS管的源極相連,第四MOS管的漏極與降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸入引腳相連;

第一三極管,第一三極管的發(fā)射極接地,第一三極管的集電極與第四MOS管的柵極相連,通過第一三極管的基極接收處理器發(fā)來的轉(zhuǎn)換控制信號;

第六電阻,第六電阻的第一端與第一三極管的集電極相連,第六電阻的第二端與第四MOS管的源極相連;

第七電阻,第七電阻的第一端與第一三極管的基極相連,第七電阻的第二端接地。

其中,第四MOS管可以為MI3407,第一三極管可以是2N3904,第六電阻可以為100KΩ,第七電阻可以為5.1KΩ。另外,還可以在第一三極管的基極與處理器之間串聯(lián)一個(gè)10KΩ的電阻。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元,包括:第一轉(zhuǎn)換單元,用于根據(jù)所述切換單元輸出的所述第一供電信號或所述第二供電信號,輸出電壓值為3.3v的第三供電信號。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,第一轉(zhuǎn)換單元可以根據(jù)第一供電信號或第二供電信號,輸出電壓值為3.3v的第三供電信號,為需要3.3v電壓的用電設(shè)備供電。對于第一轉(zhuǎn)換單元來說,第一轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值為3.3v。

基于圖5所示的轉(zhuǎn)換單元,可以通過以下方式實(shí)現(xiàn)該第一轉(zhuǎn)換單元,具體地,第二電容為100μF,第三電容10μF,第四電容0.1μF,第五電容47μF,第六電容0.1μF;第二電阻為100KΩ,第三電阻為17KΩ,第四電阻為10KΩ,L為100μH。第五電阻為6.8KΩ,第七電容為10nF,第八電容為10nF,第九電容為10nF。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)換單元,包括:第二轉(zhuǎn)換單元,用于根據(jù)所述切換單元輸出的所述第一供電信號或所述第二供電信號,輸出電壓值為5v的第四供電信號。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,第二轉(zhuǎn)換單元可以根據(jù)第一供電信號或第二供電信號,輸出電壓值為5v的第四供電信號,為需要5v電壓的用電設(shè)備供電。對于第二轉(zhuǎn)換單元來說,第二轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值為5v。

基于圖5所示的轉(zhuǎn)換單元,可以通過以下方式實(shí)現(xiàn)該第二轉(zhuǎn)換單元,具體地,第二電容為100μF,第三電容10μF,第四電容0.1μF,第五電容47 μF,第六電容0.1μF;第二電阻為100KΩ,第三電阻為31KΩ,第四電阻為10KΩ,L為100μH。第五電阻為10KΩ,第七電容為10nF,第八電容為10nF,第九電容為10nF。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述電池供電單元,包括:

控制三極管,所述控制三極管的基極與所述處理器相連,所述控制三極管的發(fā)射極接地,通過所述控制三極管的基極接收所述轉(zhuǎn)換信號;

第三MOS管,所述第三MOS管的柵極與所述控制三極管的集電極相連,所述第三MOS管的源極與所述電池相連;

轉(zhuǎn)換芯片,所述轉(zhuǎn)換芯片的輸入端與所述第三MOS管的漏極相連,用于在接收到所述第三MOS管的漏極發(fā)來的電池電信號時(shí),輸出所述第二供電信號。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,處理器向控制三極管輸出轉(zhuǎn)換信號,使得控制三極管控制第三MOS管導(dǎo)通,進(jìn)而使得電池輸出的電池電信號輸入到轉(zhuǎn)換芯片中,使得轉(zhuǎn)換芯片將電池電信號轉(zhuǎn)換為第二供電信號。

基于圖2所示的一種供電管理裝置,如圖6所示,在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,電池供電單元,包括:

控制三極管Q2,控制三極管Q2的基極與處理器201相連,控制三極管Q2的發(fā)射極接地,通過控制三極管Q2的基極接收轉(zhuǎn)換信號;

第三MOS管Q3,第三MOS管Q3的柵極與控制三極管Q2的集電極相連,第三MOS管Q3的源極與電池102相連;

轉(zhuǎn)換芯片601,轉(zhuǎn)換芯片601的輸入端與第三MOS管Q3的漏極相連,用于在接收到第三MOS管Q3的漏極發(fā)來的電池電信號時(shí),輸出第二供電信號。

具體地,電池供電單元還可以包括:

第八電阻,第八電阻的第一端與第三MOS管的源極相連,第八電阻的第二端與第三MOS管的柵極相連;

第九電阻,第九電阻的第一端接地,第九電阻的第二端與控制三極管的基極相連;

第十電阻,第十電阻的第一端與控制三極管的基極相連,第十電阻的第二端與處理器相連,通過第十電阻的第二端接收轉(zhuǎn)換信號;

第十電容,第十電容的正極與轉(zhuǎn)換芯片的輸入端相連,第十電容的負(fù)極接地;

第十一電容,第十一電容的第一端與轉(zhuǎn)換芯片的輸入端相連,第十一電容的第二端接地;

第十一電阻,第十一電阻的第一端與轉(zhuǎn)換芯片的輸入端相連,第十一電阻的第二端與轉(zhuǎn)換芯片的使能引腳相連;

第十二電阻,第十二電阻的第一端接地,第十二電阻的第二端與轉(zhuǎn)換芯片的使能引腳相連;

轉(zhuǎn)換電感,轉(zhuǎn)換電感的第一端與轉(zhuǎn)換芯片的輸入端相連,轉(zhuǎn)換電感的第二端與轉(zhuǎn)換芯片的SW引腳相連;

第四二極管,第四二極管的正極與轉(zhuǎn)換電感的第二端相連,第四二極管的負(fù)極輸出第二供電信號;

第十二電容,第十二電容的正極與第四二極管的負(fù)極相連,第十二電容的負(fù)極接地;

第十三電容,第十三電容的第一端與第四二極管的負(fù)極相連,第十三電容的第二端接地;

第十三電阻,第十三電阻的第一端與第四二極管的負(fù)極相連,第十三電阻的第二端與轉(zhuǎn)換芯片的反饋引腳相連;

第十四電阻,第十四電阻的第一端接地,第十二電阻的第二端與轉(zhuǎn)換芯片的反饋引腳相連。

具體地,轉(zhuǎn)換芯片的型號可以是XL6009。第八電阻可以為100KΩ,第九電阻可以為5.1KΩ,第十電阻可以為10KΩ,第十一電阻可以為10KΩ,第十二電阻可以為47KΩ,第十三電阻可以為8.6KΩ或12KΩ,第十四電阻可以為1KΩ。第十電容可以為100μF,第十一電容可以為0.1μF,第十二電容可以為100μF,第十三電容可以為0.1μF??刂迫龢O管的型號可以為2N3904。第三MOS管的型號可以為MI3407。轉(zhuǎn)換電感可以為47μH。第四二極管的型號可以為SS54。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該電池充電管理單元可以包括:

充電管理芯片,充電管理芯片的COMP引腳與第十四電容的第一端相連;

第十四電容的第二端與第十五電阻的第一端相連;

第十五電阻的第二端接地;

充電管理芯片的VCC引腳接12v電壓,該12v電壓可以是外部供電設(shè)備輸出的第一供電信號;

第十五電容的第一端與VCC引腳相連,第十五電容的第二端接地;

第十六電容的第一端與VCC引腳相連,第十六電容的第二端接地;

第五MOS管的柵極與充電管理芯片的GATE引腳相連,源極與VCC引腳相連;

第五二極管的正極接地,負(fù)極與第五MOS管的漏極相連;

充電電感的第一端與第五二極管的負(fù)極相連,第二端與充電管理芯片的SENSE引腳相連;

第十六電阻的第一端與充電管理芯片的NTC引腳相連,第十六電阻的第二端接地;

第十七電阻的第一端與充電管理芯片的SENSE引腳相連,第十六電阻的第二端與充電管理芯片的BAT引腳相連;

第十八電阻的第一端與充電管理芯片的BAT引腳相連,第十八電阻的第二端與充電管理芯片的CHRG引腳相連;

充電管理芯片的CHRG引腳與第六二極管的負(fù)極相連,通過CHRG引腳接收處理器發(fā)來的充電信號;

第六二極管的正極分別與第十九電阻的第一端和處理器相連,第十九電阻的第二端接3.3v電壓;

發(fā)光二極管的正極與第二十電阻的第一端相連,負(fù)極與充電管理芯片的CHRG引腳相連;

第二十電阻的第二端與電池相連;

第十七電容的第一端與電池相連,第二端接地;

第十八電容的第一端與電池相連,第二端接地;

第十九電容的第一端分別與處理器和第二十一電阻的第一端相連,第十九電容的第二端接地,處理器通過檢測第十九電容的第一端來檢測電池的電量;

第二十一電阻的第二端與電池相連;

第二十二電阻的第一端與第二十一電阻的第一端相連,第二十二電阻的第二端接地;

第七二極管的正極接地,負(fù)極與第二十一電阻的第一端相連;

充電管理芯片的BAT引腳與電池相連。

具體地,充電管理芯片的型號可以是LP28200A。第六二極管的型號可以是IN4148,第七二極管的型號可以是ZM4728。充電電感可以為6.8uH。第十四電容可以為2.2μF,第十五電容可以為10μF,第十六電容可以為0.1μF,第十七電容可以為47μF,第十八電容可以為0.1μF,第十九電容可以為100pF。第十五電阻可以為499Ω,第十六電阻可以為10KΩ,第十七電阻可以為0.07Ω,第十八電阻可以為10KΩ,第十九電阻可以為10KΩ,第二十電阻可以為2KΩ,第二十一電阻可以為100KΩ,第二十二電阻可以為27KΩ。

另外,電池可以安裝在電池排座上,電池排座的型號可以為2P_2P56。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)串口,每個(gè)所述串口與所述處理器相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,通過該至少一個(gè)串口可以為處理器和PC機(jī)提供調(diào)試接口,通過該至少一個(gè)串口可以連接其他串口設(shè)備。用戶可以通過該至少一個(gè)串口對該裝置進(jìn)行調(diào)試和配置。每個(gè)串口可以通過間距為2.54mm 的排座來實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)GPIO接口,每個(gè)所述GPIO接口均與所述處理器相連。

每個(gè)GPIO接口可以通過間距為2.54mm的排座來實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)ISP接口,每個(gè)所述ISP接口與所述處理器相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,通過該至少一個(gè)ISP接口可以與處理器進(jìn)行通訊,可以進(jìn)行操作和下載數(shù)據(jù)。ISP接口可以通過型號為6P_2P54的排座來實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:至少一個(gè)LVDS接口,每個(gè)所述LVDS接口與所述處理器相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,通過該至少一個(gè)LVDS接口可以對LVDS液晶顯示屏進(jìn)行供電。LVDS接口可以通過間距為2.00mm的排座來實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,該裝置進(jìn)一步包括:四個(gè)串口、一個(gè)GPIO接口、一個(gè)LVDS接口和主板接口;

所述四個(gè)串口、一個(gè)GPIO接口和一個(gè)LVDS接口均與所述處理器相連;

每個(gè)所述串口的輸入引腳和輸出引腳均與所述主板接口相連;

所述GPIO接口的每個(gè)輸入輸出引腳均與所述主板接口相連;

所述LVDS接口的輸出輸出引腳和使能引腳均與所述主板接口相連。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中,主板接口可以通過引腳的排座來實(shí)現(xiàn),每個(gè)串口的輸入引腳和輸出引腳分別對應(yīng)該排座上的一個(gè)引腳,并與對應(yīng)的引腳相連;GPIO接口的每個(gè)輸入輸出引腳分別對應(yīng)該排座上的一個(gè)引腳,并與對應(yīng)的引腳相連;LVDS接口的輸出輸出引腳和使能引腳分別對應(yīng)該排座上的一個(gè)引腳,并與對應(yīng)的引腳相連。另外,該排座上還可以設(shè)置接地引腳和供電引腳。通過該主板接口可以與外部的主板相連,通過該主板接口可以實(shí)現(xiàn)與外部的主板通訊,并可以為外部的供電。

本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施例至少具有如下有益效果:

1、在本實(shí)用新型實(shí)施例中,切換單元分別接收外部供電設(shè)備發(fā)來的第一供電信號和電池供電單元發(fā)來的第二供電信號,切換單元向每個(gè)轉(zhuǎn)換單元輸出第一供電信號或第二供電信號,轉(zhuǎn)換單元根據(jù)第一供電信號或所述第二供電信號輸出電壓值為該轉(zhuǎn)換單元對應(yīng)的預(yù)設(shè)電壓值的電信號,只要外部供電設(shè)備和電池供電單元中任意一個(gè)能夠正常向切換單元輸入供電信號,各個(gè)轉(zhuǎn)換單元即可輸入對應(yīng)的電信號為其他設(shè)備供電,提高了供電的可靠性。

2、在本實(shí)用新型實(shí)施例中,可以通過至少一個(gè)串口、至少一個(gè)GPIO接口和至少一個(gè)LVDS接口構(gòu)成主板接口,實(shí)現(xiàn)與外部主板的對接,通過該主板接口可以實(shí)現(xiàn)與外部的主板通訊,并可以為外部的供電。

3、在本實(shí)用新型實(shí)施例中,通過處理器來進(jìn)行供電管理,能夠自由的切換通過外部設(shè)備供電與通過電池供電兩種模式,更加合理地進(jìn)行電源管理。

需要說明的是,在本文中,諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個(gè)……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成,前述的程序可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中,該程序在執(zhí)行時(shí),執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟;而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)中。

最后需要說明的是:以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

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