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一種采樣抗靜電增強(qiáng)保護(hù)的智能功率模塊的制作方法

文檔序號(hào):11993510閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種采樣抗靜電增強(qiáng)保護(hù)的智能功率模塊,其特征在于,包括:

HVIC管(1101);

分別與HVIC管(1101)連接的第一IGBT管(1121)、第二IGBT管(1122)、第三IGBT管(1123)、第四IGBT管(1124)、第五IGBT管(1125)、第六IGBT管(1126)和第七IGBT管(1127);

與各IGBT管一一對(duì)應(yīng)的第一FRD管(1111)、第二IFRD管(1112)、第三FRD管(1113)、第四FRD管(1114)、第五FRD管(1115)、第六FRD管(1116)和第七FRD管(1117);

以及采樣電路(1105)和第八FRD管(1131);

其中,第四IGBT管(1124)的射極與第四FRD管(1114)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第一輸入輸出端;第五IGBT管(1125)的射極與第五FRD管(1115)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第二輸入輸出端;第六IGBT管(1126)的射極與第六FRD管(1116)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第三輸入輸出端;第七IGBT管(1127)的射極與第七FRD管(1117)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第四輸入輸出端;

第七IGBT管(1127)的集電極與第七FRD管(1117)的陰極、第八FRD管(1131)的陽極相連,并作為智能功率模塊(1100)的PFC端;

采樣電路(1105)的第五輸入輸出端作為智能功率模塊(1100)的N1端;采樣電路(1105)的第六輸入輸出端作為智能功率模塊(1100)的N2端;

并且,采樣電路內(nèi)部電路設(shè)置第二模擬開關(guān)(2007)、第三模擬開關(guān)(2008)、第四模擬開關(guān)(2009)和第一模擬開關(guān)(2006);采樣電路(1105)的第一輸入輸出端與第二模擬開關(guān)(2007)的固定端相連;采樣電路(1105)的第二輸入輸出端與第三模擬開關(guān)(2008)的固定端相連;采樣電路(1105)的第三輸入輸出端與第四模擬開關(guān)(2009)的固定端相連;采樣電路(1105)的第四輸入輸出端與第一模擬開關(guān)(2006)的固定端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,采樣電路(1105)內(nèi)部電路還設(shè)置有第五電阻(2005)、第四電阻(2004)、第一電阻(2001)、第二電阻(2002)和第三電阻(2003);第一模擬開關(guān)(2006)的0選擇端、第二模擬開關(guān)(2007)的0選擇端、第三模擬開關(guān)(2008)的0選擇端、第四模擬開關(guān)(2009)的0選擇端與第五電阻(2005)的一端相連;第五電阻(2005)的另一端與N1端和N2端相連;第一模擬開關(guān)(2006)的1選擇端與第四電阻(2004)的一端、第一電阻(2001)的一端、第二電阻(2002)的一端、第三電阻(2003)的一端相連并接N2端;第二模擬開關(guān)(2007)的1選擇端與第一電阻(2001)的另一端相連;第三模擬開關(guān)(2008)的1選擇端與第二電阻(2002)的另一端相連;第四模擬開關(guān)(2009)的1選擇端與第三電阻(2003)的另一端相連;第四電阻(2004)的另一端接N1端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的智能功率模塊,其特征在于,采樣電路(1105)內(nèi)部電路還設(shè)置有第六電阻(2016)、第七電阻(2012)、電壓比較器(2015)、電壓源(2014)、第一非門(2010)和第二非門(2017),其中,VCC接第六電阻(2016)的一端;第六電阻(2016)的另一端接第七電阻(2012)的一端和電壓比較器(2015)的正輸入端;第七電阻(2012)的另一端接COM;電壓比較器(2015)的負(fù)輸入端接電壓源(2014)的正端;電壓源(2014)的負(fù)端接COM;電壓比較器(2015)的輸出端接第一非門(2010)的輸入端;第一非門(2010)的輸出端接第二非門(2017)的輸入端;第二非門(2017)的輸出端接第一模擬開關(guān)(2006)的控制端、第二模擬開關(guān)(2007)的控制端、第三模擬開關(guān)(2008)的控制端、第四模擬開關(guān)(2009)的控制端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,其電流為15A,功率大于5W,第一電阻(2001)、第二電阻(2002)、第三電阻(2003)設(shè)計(jì)為阻值10mΩ的毫歐電阻,各電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,其電流為15A,功率為15W,第四電阻(2004)設(shè)計(jì)為阻值8mΩ的毫歐電阻,其電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。

6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,第五電阻(2005)設(shè)計(jì)為0805封裝的阻值1kΩ以上的薄膜電阻;第六電阻(2016)和第七電阻(2012)選擇阻值為30kΩ的POLY電阻;電壓源(2014)的電壓值設(shè)計(jì)為7.5V。

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