本實(shí)用新型涉及智能功率模塊的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別是涉及智能功率模塊的保護(hù)電路和靜電抑制電路的設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)：

智能功率模塊，即IPM（Intelligent Power Module），是一種將電力電子和集成電路技術(shù)結(jié)合的功率驅(qū)動類產(chǎn)品。智能功率模塊把功率開關(guān)器件和高壓驅(qū)動電路集成在一起，并內(nèi)藏有過電壓、過電流和過熱等故障檢測電路。智能功率模塊一方面接收MCU的控制信號，驅(qū)動后續(xù)電路工作，另一方面將系統(tǒng)的狀態(tài)檢測信號送回MCU。與傳統(tǒng)分立方案相比，智能功率模塊以其高集成度、高可靠性等優(yōu)勢贏得越來越大的市場，尤其適合于驅(qū)動電機(jī)的變頻器及各種逆變電源，是變頻調(diào)速，冶金機(jī)械，電力牽引，伺服驅(qū)動，變頻家電的一種理想電力電子器件。

現(xiàn)行用于變頻空調(diào)等領(lǐng)域的智能功率模塊100的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示：

HVIC管101的VCC端作為所述智能功率模塊100的低壓區(qū)供電電源正端VDD，VDD一般為15V；

在所述HVIC管101內(nèi)部有自舉電路，自舉電路結(jié)構(gòu)如下：

VCC端與自舉二極管102、自舉二極管103、自舉二極管104的陽極相連；

所述自舉二極管102的陰極與所述HVIC管101的VB1相連；

所述自舉二極管103的陰極與所述HVIC管101的VB2相連；

所述自舉二極管104的陰極與所述HVIC管101的VB3相連；

所述HVIC管101的HIN1端作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)U相上橋臂輸入端UHIN；

所述HVIC管101的HIN2端作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)V相上橋臂輸入端VHIN；

所述HVIC管101的HIN3端作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)W相上橋臂輸入端WHIN；

所述HVIC管101的LIN1端作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)U相下橋臂輸入端ULIN；

所述HVIC管101的LIN2端作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)V相下橋臂輸入端VLIN；

所述HVIC管101的LIN3端作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)W相下橋臂輸入端WLIN；

所述HVIC管101的PFCINP端作為所述智能功率模塊100的PFC控制輸入端PFCIN；

在此，所述智能功率模塊100的UHIN、VHIN、WHIN、ULIN、VLIN、WLIN六路輸入和PFCIN端接收0V或5V的輸入信號；

所述HVIC管101的GND端作為所述智能功率模塊100的低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM；

所述HVIC管101的ITRIP端作為所述智能功率模塊100的電流檢測vb端MTRIP；

所述HVIC管101的VB1端連接電容131的一端，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)U相高壓區(qū)供電電源正端UVB；

所述HVIC管101的HO1端與壓機(jī)U相上橋臂IGBT管121的柵極相連；

所述HVIC管101的VS1端與所述IGBT管121的射極、FRD管111的陽極、壓機(jī)U相下橋臂IGBT管124的集電極、FRD管114的陰極、所述電容131的另一端相連，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端UVS；

所述HVIC管101的VB2端連接電容132的一端，作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)U相高壓區(qū)供電電源正端VVB；

所述HVIC管101的HO2端與壓機(jī)V相上橋臂IGBT管122的柵極相連；

所述HVIC管101的VS2端與所述IGBT管122的射極、FRD管112的陽極、壓機(jī)V相下橋臂IGBT管125的集電極、FRD管115的陰極、所述電容132的另一端相連，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端VVS；

所述HVIC管101的VB3端連接電容133的一端，作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)W相高壓區(qū)供電電源正端WVB；

所述HVIC管101的HO3端與壓機(jī)W相上橋臂IGBT管123的柵極相連；

所述HVIC管101的VS3端與所述IGBT管123的射極、FRD管113的陽極、壓機(jī)W相下橋臂IGBT管126的集電極、FRD管116的陰極、所述電容133的另一端相連，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端WVS；

所述HVIC管101的LO1端與所述IGBT管124的柵極相連；

所述HVIC管101的LO2端與所述IGBT管125的柵極相連；

所述HVIC管101的LO3端與所述IGBT管126的柵極相連；

所述IGBT管124的射極與所述FRD管114的陽極相連，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)U相低電壓參考端UN；

所述IGBT管125的射極與所述FRD管115的陽極相連，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)V相低電壓參考端VN；

所述IGBT管126的射極與所述FRD管116的陽極相連，并作為所述智能功率模塊100的壓機(jī)W相低電壓參考端WN；

所述HVIC管101的PFCO端與IGBT管127的柵極相連；

所述IGBT管127的射極與FRD管117的陽極相連，并作為所述智能功率模塊100的PFC低電壓參考端-VP；

所述IGBT管127的集電極與所述FRD管117的陰極、FRD管131的陽極相連，并作為所述智能功率模塊100的PFC端；

所述FRD管131的陰極、所述IGBT管121的集電極、所述FRD管111的陰極、所述IGBT管122的集電極、所述FRD管112的陰極、所述IGBT管123的集電極、所述FRD管113的陰極相連，并作為所述智能功率模塊100的高電壓輸入端P，P一般接300V。

所述HVIC管101的作用是：

VDD為所述HVIC管101的供電電源正端，GND為所述HVIC管101的供電電源負(fù)端；VDD-GND電壓一般為15V；

VB1和VS1分別為U相高壓區(qū)的電源的正極和負(fù)極，HO1為U相高壓區(qū)的輸出端；

VB2和VS2分別為V相高壓區(qū)的電源的正極和負(fù)極，HO2為V相高壓區(qū)的輸出端；

VB3和VS3分別為U相高壓區(qū)的電源的正極和負(fù)極，HO3為W相高壓區(qū)的輸出端；

LO1、LO2、LO3分別為U相、V相、W相低壓區(qū)的輸出端；

PFCO為PFC驅(qū)動電路的輸出端；

將輸入端HIN1、HIN2、HIN3的0或5V的邏輯輸入信號分別傳到輸出端HO1、HO2、HO3，LIN1、LIN2、LIN3的信號分別傳到輸出端LO1、LO2、LO3，PFCINP的信號傳到輸出端PFCO，其中HO1是VS1或VS1+15V的邏輯輸出信號、HO2是VS2或VS2+15V的邏輯輸出信號、HO3是VS3或VS3+15V的邏輯輸出信號，LO1、LO2、LO3、PFCO是0或15V的邏輯輸出信號。

同一相的輸入信號不能同時為高電平，即HIN1和LIN1、HIN2和LIN2、HIN3和LIN3不能同時為高電平。

所述UVS、VVS、WVS和PFC都接感性負(fù)載。

PFCINP則按一定的頻率在高低電平間頻繁切換，使所述IGBT管127持續(xù)處于開關(guān)狀態(tài)而所述FRD管131持續(xù)處于續(xù)流狀態(tài)，該頻率一般為LIN1~LIN3、HIN1~HIN3開關(guān)頻率的2~4倍，并且與LIN1~LIN3、HIN1~HIN3的開關(guān)頻率沒有直接聯(lián)系。

可見，現(xiàn)行智能功率模塊100的所述IGBT管124、所述IGBT管125、所述IGBT管126、所述IGBT管127的射極直接作為所述智能功率模塊100的引腳，在所述智能功率模塊100裝配過程中，由于觸碰到操作臺、觸碰到工人身體部位等原因，所述智能功率模塊100很容易受到靜電威脅，這些靜電如果出現(xiàn)在UN、VN、WN、-VP引腳與COM引腳之間，相當(dāng)于靜電直接對所述IGBT管124、所述IGBT管125、所述IGBT管126、所述IGBT管127的柵極構(gòu)成沖擊，IGBT管的刪氧是最容易被靜電擊穿的部位，所以現(xiàn)行智能功率模塊100的設(shè)計(jì)上存在被安裝過程中被靜電損壞的缺陷。

事實(shí)上，如果這種損壞使IGBT管完全失效，在智能功率模塊裝配后的檢測可以被檢出避免流入市場，但如果這種損壞只使IGBT管發(fā)生微損傷，則智能功率模塊裝配后的檢測將很難被發(fā)現(xiàn)，流入市場會引起制品的早期失效，IGBT管屬于功率器件，有高壓大電流流過，IGBT管失效瞬間極易發(fā)生過熱燒毀，導(dǎo)致整個智能功率模塊發(fā)生炸裂，智能功率模塊的熱積聚甚至?xí)鹬悄芄β誓K發(fā)生爆炸，嚴(yán)重時會發(fā)生火災(zāi)等安全事故。能否提升智能功率模塊的抗靜電能力，成為了影響智能功率模塊普及應(yīng)用的重要課題。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一種高可靠性、高適應(yīng)性的智能功率模塊，可在保證智能功率模塊在抗靜電能力大幅提高的前提下，提高智能功率模塊的性能。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：一種采樣抗靜電增強(qiáng)保護(hù)的智能功率模塊，包括：HVIC管1101；分別與HVIC管1101連接的第一IGBT管1121、第二IGBT管1122、第三IGBT管1123、第四IGBT管1124、第五IGBT管1125、第六IGBT管1126和第七IGBT管1127；與各IGBT管一一對應(yīng)的第一FRD管1111、第二FRD管1112、第三FRD管1113、第四FRD管1114、第五FRD管1115、第六FRD管1116和第七FRD管1117；以及采樣電路1105和第八FRD管1131；其中，第四IGBT管1124的射極與第四FRD管1114的陽極相連，并連接采樣電路1105的第一輸入輸出端；第五IGBT管1125的射極與第五FRD管1115的陽極相連，并連接采樣電路1105的第二輸入輸出端；第六IGBT管1126的射極與第六FRD管1116的陽極相連，并連接采樣電路1105的第三輸入輸出端；第七IGBT管1127的射極與第七FRD管1117的陽極相連，并連接采樣電路1105的第四輸入輸出端；第七IGBT管1127的集電極與第七FRD管1117的陰極、第八FRD管1131的陽極相連，并作為智能功率模塊1100的PFC端；采樣電路1105的第五輸入輸出端作為智能功率模塊1100的N1端；采樣電路1105的第六輸入輸出端作為智能功率模塊1100的N2端；并且，采樣電路內(nèi)部電路設(shè)置第二模擬開關(guān)2007、第三模擬開關(guān)2008、第四模擬開關(guān)2009和第一模擬開關(guān)2006；采樣電路1105的第一輸入輸出端與第二模擬開關(guān)2007的固定端相連；采樣電路1105的第二輸入輸出端與第三模擬開關(guān)2008的固定端相連；采樣電路1105的第三輸入輸出端與第四模擬開關(guān)2009的固定端相連；采樣電路1105的第四輸入輸出端與第一模擬開關(guān)2006的固定端相連。

應(yīng)用于上述技術(shù)方案，所述的智能功率模塊中，采樣電路1105內(nèi)部電路還設(shè)置有第五電阻2005、第四電阻2004、第一電阻2001、第二電阻2002和第三電阻2003；第一模擬開關(guān)2006的0選擇端、第二模擬開關(guān)2007的0選擇端、第三模擬開關(guān)2008的0選擇端、第四模擬開關(guān)2009的0選擇端與第五電阻2005的一端相連；第五電阻2005的另一端與N1端和N2端相連；第一模擬開關(guān)2006的1選擇端與第四電阻2004的一端、第一電阻2001的一端、第二電阻2002的一端、第三電阻2003的一端相連并接N2端；第二模擬開關(guān)2007的1選擇端與第一電阻2001的另一端相連；第三模擬開關(guān)2008的1選擇端與第二電阻2002的另一端相連；第四模擬開關(guān)2009的1選擇端與第三電阻2003的另一端相連；第四電阻2004的另一端接N1端。

應(yīng)用于各個上述技術(shù)方案，所述的智能功率模塊中，采樣電路1105內(nèi)部電路還設(shè)置有第六電阻2016、第七電阻2012、電壓比較器2015、電壓源2014、第一非門2010和第二非門2017，其中，VCC接第六電阻2016的一端；第六電阻2016的另一端接第七電阻2012的一端和電壓比較器2015的正輸入端；第七電阻2012的另一端接COM；電壓比較器2015的負(fù)輸入端接電壓源2014的正端；電壓源2014的負(fù)端接COM；電壓比較器2015的輸出端接第一非門2010的輸入端；第一非門2010的輸出端接第二非門2017的輸入端；第二非門2017的輸出端接第一模擬開關(guān)2006的控制端、第二模擬開關(guān)2007的的控制端、第三模擬開關(guān)2008的控制端、第四模擬開關(guān)2009的控制端。

應(yīng)用于各個上述技術(shù)方案，所述的智能功率模塊中，其電流為15A，功率大于5W，第一電阻2001、第二電阻2002、第三電阻2003設(shè)計(jì)為阻值10mΩ的毫歐電阻，各電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。

應(yīng)用于各個上述技術(shù)方案，所述的智能功率模塊中，其電流為15A，功率為15W，第四電阻2004設(shè)計(jì)為阻值8mΩ的毫歐電阻，其電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。

應(yīng)用于各個上述技術(shù)方案，所述的智能功率模塊中，第五電阻2005設(shè)計(jì)為0805封裝的阻值1kΩ以上的薄膜電阻；第六電阻2016和第七電阻2012選擇阻值為30kΩ的POLY電阻；電壓源2014的電壓值設(shè)計(jì)為7.5V。

采用上述方案，本實(shí)用新型的智能功率模塊與現(xiàn)行智能功率模塊相比，在電源上電后，與現(xiàn)行智能功率模塊功能完全兼容，不影響智能功率模塊的一般性使用，而在電源上電前，因?yàn)閷ο聵騃GBT管和PFC用IGBT管靜電保護(hù)機(jī)能的引入，大幅提高了智能功率模塊非工作狀態(tài)時的抗靜電能力。一般地，在智能功率模塊工作時，因?yàn)殡娐分须妷汉碗娏魍返拇嬖?，不會使電子元件特別是功率器件引起靜電破壞，而非工作狀態(tài)時才會因?yàn)殪o電的積聚和瞬間放電造成電路被靜電破壞。因此，本實(shí)用新型的智能功率模塊在電源非上電狀態(tài)時對智能功率模塊構(gòu)成靜電保護(hù)，可以有效地預(yù)防智能功率模塊被靜電擊穿的風(fēng)險，特別是在智能功率模塊在生產(chǎn)線上被裝配的過程中被靜電破壞的風(fēng)險，保證了智能功率模塊出廠的品質(zhì)，這對于維持應(yīng)用系統(tǒng)穩(wěn)定性，提供產(chǎn)品的用戶滿意度，降低產(chǎn)品投訴，維護(hù)品牌形象有極大促進(jìn)作用。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)電路圖；

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)電路圖；

圖3為本實(shí)用新型中采樣電路的結(jié)構(gòu)電路圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。

本實(shí)施例提供了一種采樣抗靜電增強(qiáng)保護(hù)的智能功率模塊，智能功率模塊1100結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

HVIC管1101的VCC端作為所述智能功率模塊1100的低壓區(qū)供電電源正端VDD，VDD一般為15V；

所述HVIC管1101內(nèi)部還有自舉電路結(jié)構(gòu)如下：

VCC端與自舉二極管1102、自舉二極管1103、自舉二極管1104的陽極相連；

所述自舉二極管1102的陰極與所述HVIC管1101的VB1相連；

所述自舉二極管1103的陰極與所述HVIC管1101的VB2相連；

所述自舉二極管1104的陰極與所述HVIC管1101的VB3相連。

所述HVIC管1101的HIN1端為所述智能功率模塊1100的U相上橋臂輸入端UHIN；

所述HVIC管1101的HIN2端為所述智能功率模塊1100的V相上橋臂輸入端VHIN；

所述HVIC管1101的HIN3端為所述智能功率模塊1100的W相上橋臂輸入端WHIN；

所述HVIC管1101的LIN1端為所述智能功率模塊1100的U相下橋臂輸入端ULIN；

所述HVIC管1101的LIN2端為所述智能功率模塊1100的V相下橋臂輸入端VLIN；

所述HVIC管1101的LIN3端為所述智能功率模塊1100的W相下橋臂輸入端WLIN；

所述HVIC管1101的PFCINP端作為所述智能功率模塊100的PFC控制輸入端PFCIN；

在此，所述智能功率模塊1100的UHIN、VHIN、WHIN、ULIN、VLIN、WLIN六路輸入和PFCIN端接收0V或5V的輸入信號；

所述HVIC管1101的ITRIP端為所述智能功率模塊1100的MTRIP端；

在此，所述智能功率模塊1100的UHIN、VHIN、WHIN、ULIN、VLIN、WLIN六路輸入接收0V或5V的輸入信號；

所述HVIC管1101的GND端作為所述智能功率模塊1100的低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM；

所述HVIC管1101的VB1端連接電容1131的一端，并作為所述智能功率模塊1100的壓機(jī)U相高壓區(qū)供電電源正端UVB；

所述HVIC管1101的HO1端與壓機(jī)U相上橋臂IGBT管1121的柵極相連；

所述HVIC管1101的VS1端與所述第一IGBT管1121的射極、第一FRD管1111的陽極、壓機(jī)U相下橋臂第四IGBT管1124的集電極、第四FRD管1114的陰極、所述電容1131的另一端相連，并作為所述智能功率模塊1100的壓機(jī)U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端UVS；

所述HVIC管1101的VB2端連接電容1132的一端，作為所述智能功率模塊1100的壓機(jī)U相高壓區(qū)供電電源正端VVB；

所述HVIC管1101的HO2端與壓機(jī)V相上橋臂第二IGBT管1122的柵極相連；

所述HVIC管1101的VS2端與所述第二IGBT管1122的射極、第二FRD管1112的陽極、壓機(jī)V相下橋臂第五IGBT管1125的集電極、第五FRD管1115的陰極、所述電容1132的另一端相連，并作為所述智能功率模塊1100的壓機(jī)V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端VVS；

所述HVIC管1101的VB3端連接電容1133的一端，作為所述智能功率模塊1100的壓機(jī)W相高壓區(qū)供電電源正端WVB；

所述HVIC管1101的HO3端與壓機(jī)W相上橋臂第三IGBT管1123的柵極相連；

所述HVIC管1101的VS3端與所述第三IGBT管1123的射極、第三FRD管1113的陽極、壓機(jī)W相下橋臂第六IGBT管1126的集電極、第六FRD管1116的陰極、所述電容1133的另一端相連，并作為所述智能功率模塊1100的壓機(jī)W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端WVS；

所述HVIC管1101的LO1端與所述第四IGBT管1124的柵極相連；

所述HVIC管1101的LO2端與所述第五IGBT管1125的柵極相連；

所述HVIC管1101的LO3端與所述第六IGBT管1126的柵極相連；

所述IGBT管1124的射極與所述第四FRD管1114的陽極相連，并連接采樣電路1105的第一輸入輸出端；

所述IGBT管1125的射極與所述第五FRD管1115的陽極相連，并連接所述采樣電路1105的第二輸入輸出端；

所述IGBT管1126的射極與所述第六FRD管1116的陽極相連，并連接所述采樣電路1105的第三輸入輸出端；

所述HVIC管1101的PFCO端與第七IGBT管1127的柵極相連；

所述IGBT管1127的射極與第七FRD管1117的陽極相連，并連接所述采樣電路1105的第四輸入輸出端；

所述第七IGBT管1127的集電極與所述第七FRD管1117的陰極、第八FRD管1131的陽極相連，并作為所述智能功率模塊1100的PFC端；

所述采樣電路1105的第五輸入輸出端作為所述智能功率模塊1100的N1端；

所述采樣電路1105的第六輸入輸出端作為所述智能功率模塊1100的N2端；

VDD作為所述采樣電路1105的供電電源正端；

COM作為所述采樣電路1105的供電電源負(fù)端；

所述第八FRD管1131的陰極、所述第一IGBT管1121的集電極、所述第一FRD管1111的陰極、所第二述IGBT管1122的集電極、所述第二FRD管1112的陰極、所述第三IGBT管1123的集電極、所述第三FRD管1113的陰極相連，并作為所述智能功率模塊1100的高電壓輸入端P，P一般接300V。

所述HVIC管1101的作用是：

VDD為所述HVIC管1101供電電源正端，GND為所述HVIC管1101的供電電源負(fù)端；VDD-GND電壓一般為15V；

VB1和VS1分別為U相高壓區(qū)的電源的正極和負(fù)極，HO1為U相高壓區(qū)的輸出端；

VB2和VS2分別為V相高壓區(qū)的電源的正極和負(fù)極，HO2為V相高壓區(qū)的輸出端；

VB3和VS3分別為U相高壓區(qū)的電源的正極和負(fù)極，HO3為W相高壓區(qū)的輸出端；

LO1、LO2、LO3分別為U相、V相、W相低壓區(qū)的輸出端；

PFCO為PFC驅(qū)動電路的輸出端；

將輸入端HIN1、HIN2、HIN3的0或5V的邏輯輸入信號分別傳到輸出端HO1、HO2、HO3，LIN1、LIN2、LIN3的信號分別傳到輸出端LO1、LO2、LO3，PFCINP的信號傳到輸出端PFCO，其中HO1是VS1或VS1+15V的邏輯輸出信號、HO2是VS2或VS2+15V的邏輯輸出信號、HO3是VS3或VS3+15V的邏輯輸出信號，LO1、LO2、LO3、PFCO是0或15V的邏輯輸出信號。

而所述采樣電路1105的作用是：

在所述智能功率模塊1100的電源尚未上電時，使所述第四IGBT管1124、所述第五IGBT管1125、所述第六IGBT管1126、所述第七IGBT管1127具備靜電保護(hù)機(jī)能；

在所述智能功率模塊1100的電源已經(jīng)上電時，撤銷所述第四IGBT管1124、所述第五IGBT管1125、所述I第六GBT管1126、所述第七IGBT管1127的靜電保護(hù)機(jī)能撤銷。

所述采樣電路1105可以是如圖3的結(jié)構(gòu)，如下：

所述采樣電路1105的第一輸入輸出端與第二模擬開關(guān)2007的固定端相連；

所述采樣電路1105的第二輸入輸出端與第三模擬開關(guān)2008的固定端相連；

所述采樣電路1105的第三輸入輸出端與第四模擬開關(guān)2009的固定端相連；

所述采樣電路1105的第四輸入輸出端與第一模擬開關(guān)2006的固定端相連；

所述第一模擬開關(guān)2006的0選擇端、所述第二模擬開關(guān)2007的0選擇端、所述第三模擬開關(guān)2008的0選擇端、所述第四模擬開關(guān)2009的0選擇端與第五電阻2005的一端相連；

所述第五電阻2005的另一端與N1端和N2端相連；

所述第一模擬開關(guān)2006的1選擇端與第四電阻2004的一端、第一電阻2001的一端、第二電阻2002的一端、第三電阻2003的一端相連并接N2端；

所述第二模擬開關(guān)2007的1選擇端與所述第一電阻2001的另一端相連；

所述第三模擬開關(guān)2008的1選擇端與所述第二電阻2002的另一端相連；

所述第四模擬開關(guān)2009的1選擇端與所述第三電阻2003的另一端相連；

所述第四電阻2004的另一端接N1端；

VCC接第六電阻2016的一端；

所述第六電阻2016的另一端接第七電阻2012的一端和電壓比較器2015的正輸入端；

所述第七電阻2012的另一端接COM；

所述電壓比較器2015的負(fù)輸入端接電壓源2014的正端；

所述電壓源2014的負(fù)端接COM；

所述電壓比較器2015的輸出端接第一非門2010的輸入端；

所述第一非門2010的輸出端接第二非門2017的輸入端；

所述第二非門2017的輸出端接所述第一模擬開關(guān)2006的控制端、所述第二模擬開關(guān)2007的的控制端、所述第三模擬開關(guān)2008的控制端、所述第四模擬開關(guān)2009的控制端。

所述第一電阻2001、所述第二電阻2002、所述第三電阻2003可以考慮設(shè)計(jì)為阻值10mΩ左右的毫歐電阻，對于15A的智能功率模塊，功率為5W以上，電阻類型可以選擇金屬電阻或薄膜電阻；

所述第四電阻2004可以考慮設(shè)計(jì)為阻值8mΩ左右的毫歐電阻，對于15A的智能功率模塊，功率為15W，電阻類型可以選擇金屬電阻或薄膜電阻；

所述第五電阻2005可以考慮設(shè)計(jì)為0805封裝的阻值1kΩ以上的薄膜電阻；

所述第六電阻2016和所述第七電阻2012可選擇阻值為30kΩ的POLY電阻；所述電壓源2014的電壓值可設(shè)計(jì)為7.5V，則

當(dāng)VCC上電后，所述電壓比較器2015輸出高電平，使所述第一模擬開關(guān)2006的固定端接1選擇端、所述第二模擬開關(guān)2007的固定端接1選擇端、所述第三模擬開關(guān)2008的固定端接1選擇端、所述第四模擬開關(guān)2009的固定端接1選擇端，

當(dāng)VCC斷電時，所述電壓比較器2015輸出低電平，使所述第一模擬開關(guān)2006的固定端接0選擇端、所述第二模擬開關(guān)2007的固定端接0選擇端、所述第三模擬開關(guān)2008的固定端接0選擇端、所述第四模擬開關(guān)2009的固定端接0選擇端。

則當(dāng)VCC上電后，N1端為功率矯正部分的單電阻采樣信號端，N2端為逆變部分的三電阻采樣信號端；

第四模擬開關(guān)2009的固定端接0選擇端。

則當(dāng)VCC上電時，所述第四IGBT管1124的射極、所述第五IGBT管1125的射極、所述第六IGBT管1126的射極、所述第七IGBT管1127的射極相連并接所述第五電阻2005，大幅提高了所述第四IGBT管1124、所述第五IGBT管1125、所述第六IGBT管1126、所述第七IGBT管1127對N1端和N2端的靜電防止能力。

以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。