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一種分離元器件驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

文檔序號(hào):11861838閱讀:583來源:國(guó)知局
一種分離元器件驅(qū)動(dòng)電路的制作方法與工藝

本實(shí)用新型屬于電子電路領(lǐng)域,尤其是涉及一種分離元器件驅(qū)動(dòng)電路。



背景技術(shù):

H橋(H-Bridge), ,即全橋(因外形與H相似故得名),常用于逆變器(DC-AC轉(zhuǎn)換,即直流變交流)。通過開關(guān)的開合,將直流電(來自電池等)逆變?yōu)槟硞€(gè)頻率或可變頻率的交流電,用于驅(qū)動(dòng)交流電機(jī)(異步電機(jī)等)。在傳統(tǒng)的H橋驅(qū)動(dòng)方式中,大多數(shù)H橋采用驅(qū)動(dòng)芯片來驅(qū)動(dòng),這樣大大的增加成本。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于提供一種分離元器件驅(qū)動(dòng)電路,解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:

一種分離元器件驅(qū)動(dòng)電路,所述的分離元器件驅(qū)動(dòng)電路為H橋電路,包括上橋電路和下橋電路。

所述的上橋電路為IC16和IC17的2腳分別串聯(lián)限流電阻R10且并聯(lián)加速電容C42、接下拉電阻R9、對(duì)GND接反向二極管D17和串聯(lián)限流電阻R22且并聯(lián)加速電容C43、接下拉電阻R21、對(duì)GND接反向二極管D16;IC16和IC17的1腳都接GND;

IC16和IC17的6腳和5腳之間分別接來自VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對(duì)U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3過來的上拉電阻R7、接限流電阻R8且并聯(lián)加速電容C22和接來自VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對(duì)V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13過來的上拉電阻R19、接限流電阻R20且并聯(lián)加速電容C26;

IC16和IC17的4腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對(duì)U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對(duì)V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源;

IC16和IC17的3腳分別連接 IC1和IC2的2腳、5腳并且對(duì)U_phase和V_phase連接電阻R69和電阻R70;

IC1和IC2的6腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對(duì)U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對(duì)V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源;IC1和IC2的3腳連接U_phase和V_phase;IC1和IC2的1腳和4腳連接U_H和V_H。

所述的下橋電路為IC14和IC15的2腳串聯(lián)限流電阻R30且并聯(lián)加速電容C44、接下拉電阻R29、對(duì)GND接反向二極管D15和串聯(lián)限流電阻R42且并聯(lián)加速電容C45、接下拉電阻R40、對(duì)GND接反向二極管D14;

IC14和IC15的1腳都接GND;

IC14和IC15的6腳和5腳分別連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R27、接限流電阻R28且并聯(lián)加速電容C28和連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R36、接限流電阻R39且并聯(lián)加速電容C33;

IC14和IC15的4腳都連接VCC1;

IC14和IC15的3腳分別連接IC4和IC6的2腳、5腳并且都對(duì)GND連接電阻R71和電阻R72;

IC4和IC6的6腳都連接VCC1;

IC4和IC6的3腳都連接GND;

IC4和IC6的1腳和4腳連接U_L和V_L。

本實(shí)用新型所述的分離元器件驅(qū)動(dòng)電路,整個(gè)電路所選的元器件成本低廉,全部采用普通的常規(guī)器件,但實(shí)現(xiàn)了專有芯片的功能,經(jīng)濟(jì)效益十分可觀。其次,此電路的通用性比較好,可靠性高。本實(shí)用新型所述的分離元器件驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)過一系列測(cè)試驗(yàn)證,電路一致性很好,具有很好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1A-B為本實(shí)用新型實(shí)施例上橋電路示意圖;

圖2A-B為本實(shí)用新型實(shí)施例上下電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖1A-B,圖2A-B所示,所述的分離元器件驅(qū)動(dòng)電路為H橋電路,包括上橋電路和下橋電路。

所述的上橋電路為IC16和IC17的2腳分別串聯(lián)限流電阻R10且并聯(lián)加速電容C42、接下拉電阻R9、對(duì)GND接反向二極管D17和串聯(lián)限流電阻R22且并聯(lián)加速電容C43、接下拉電阻R21、對(duì)GND接反向二極管D16;IC16和IC17的1腳都接GND;

IC16和IC17的6腳和5腳之間分別接來自VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對(duì)U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3過來的上拉電阻R7、接限流電阻R8且并聯(lián)加速電容C22和接來自VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對(duì)V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13過來的上拉電阻R19、接限流電阻R20且并聯(lián)加速電容C26;

IC16和IC17的4腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對(duì)U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對(duì)V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源;

IC16和IC17的3腳分別連接 IC1和IC2的2腳、5腳并且對(duì)U_phase和V_phase連接電阻R69和電阻R70;

IC1和IC2的6腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對(duì)U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對(duì)V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源;IC1和IC2的3腳連接U_phase和V_phase;IC1和IC2的1腳和4腳連接U_H和V_H。

所述的下橋電路為IC14和IC15的2腳串聯(lián)限流電阻R30且并聯(lián)加速電容C44、接下拉電阻R29、對(duì)GND接反向二極管D15和串聯(lián)限流電阻R42且并聯(lián)加速電容C45、接下拉電阻R40、對(duì)GND接反向二極管D14;

IC14和IC15的1腳都接GND;

IC14和IC15的6腳和5腳分別連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R27、接限流電阻R28且并聯(lián)加速電容C28和連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R36、接限流電阻R39且并聯(lián)加速電容C33;

IC14和IC15的4腳都連接VCC1;

IC14和IC15的3腳分別連接IC4和IC6的2腳、5腳并且都對(duì)GND連接電阻R71和電阻R72;

IC4和IC6的6腳都連接VCC1;

IC4和IC6的3腳都連接GND;

IC4和IC6的1腳和4腳連接U_L和V_L。

上橋電路和下橋電路中晶體管多采用由普通二極管、穩(wěn)壓二極管、坦電容、片狀瓷介電容、精密貼片電阻和復(fù)合三極管(NPN和PNP)。

在電路中,電路的信號(hào)連接為:

UH和VH:MCU給高低電平信號(hào)端口,信號(hào)可以沿著路徑到達(dá)U_H和V_H,也可以自檢是否器件的損壞。

UL和VL:MCU給高低電平信號(hào)端口,信號(hào)沿著路徑到達(dá)U_L和V_L,也可以自檢是否器件的損壞。

下橋工作原理:

此電路通過MCU給出高低電平信號(hào)來達(dá)到驅(qū)動(dòng)的效果。

當(dāng)MCU給出高電平信號(hào)“1”到VL和UL時(shí), IC14和IC15的NPN管的基極導(dǎo)通,IC14和IC15的NPN管的集電極為信號(hào)“0”, IC14和IC15的PNP管的基極導(dǎo)通,IC14和IC15的PNP管的集電極為高電平“1”,IC6和IC4的NPN管基極導(dǎo)通,此時(shí)VL為高電平“1”來驅(qū)動(dòng)N-MOS管。IC6和IC4的PNP管為N-MOS管關(guān)斷時(shí),提供柵極寄生電容儲(chǔ)存電荷的泄放回路。

當(dāng)MCU給出低電平信號(hào)“0”到VL和UL時(shí), IC14和IC15的NPN管的基極截止,IC14和IC15的NPN管的集電極為信號(hào)“1”, IC14和IC15的PNP管的基極截止,IC14和IC15的PNP管的集電極為低電平“0”,IC6和IC4的NPN管基極截止,此時(shí)VL為低電平“0”,N- MOS管關(guān)斷。IC6和IC4的PNP管為N-MOS管關(guān)斷時(shí),提供柵極寄生電容儲(chǔ)存電荷的泄放回路。

上橋工作原理:

此電路通過MCU給出高低電平信號(hào)來達(dá)到驅(qū)動(dòng)N-MOS管的效果。

當(dāng)MCU給出高電平信號(hào)“1”到VH和UH時(shí),IC17和 IC16的NPN管的基極導(dǎo)通,IC17和 IC16的NPN管的集電極為低電平為“0”, IC17和 IC16的PNP管的基極導(dǎo)通,此時(shí),IC17和 IC16的NPN管的參考地是V_phase和U_phase,IC17和 IC16的PNP管的集電極為高電平“1”,IC1和IC2的NPN管的基極導(dǎo)通,那么U_H和V_H為高電平“1”來驅(qū)動(dòng)N-MOS管。 IC1和IC2的PNP管為N-MOS管關(guān)斷時(shí),提供柵極寄生電容儲(chǔ)存電荷的泄放回路。

當(dāng)MCU給出低電平信號(hào)“0”到VH和UH時(shí),IC17和 IC16的NPN管的基極截止,IC17和 IC16的NPN管的集電極為高電平為“1”, IC17和 IC16的PNP管的基極截止,此時(shí),IC17和 IC16的NPN管的參考地是V_phase和U_phase,IC17和 IC16的PNP管的集電極為低電平“0”, IC1和IC2的NPN管的基極截止,N-MOS管此時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài)。

在此電路中D2、D5二極管,R1、R15電阻,Z1、Z2穩(wěn)壓二極管,C39、C13坦電容,C3、C40瓷介電容起自舉升壓作用。

本實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路穩(wěn)定高。從UH、VH、UL、VL到U_H、V_H、U_L、V_L延遲時(shí)間比較短。同時(shí)也大大的降低了成本。

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