本發(fā)明涉及電子技術領域，尤其涉及一種功率管偏置電路。

背景技術：

功率管一般可以在電源電路中擔任末級輸出，用于實現(xiàn)功率輸出。在高頻情況下，直流-直流變換(英文：Direct Current Direct Current Conversion，簡稱：DCDC)轉(zhuǎn)換器可以采用疊層功率管以實現(xiàn)高效率輸出。

請參考圖1，其示出了一種基于疊層功率管的功率管偏置電路的示意圖。如圖1所示，該疊層功率管電路可以包括P型MOS(英文：Metal Oxide Semiconductor，簡稱：MOS)管MP1、P型MOS管MP2、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、1/2電源軌雙向電壓調(diào)節(jié)器、P型場效應管驅(qū)動模塊、N型場效應管驅(qū)動模塊、電容1和電容2。其中，MP1的源極連接功率電源(英文：Power Votage Device簡稱：PVDD)，MP1的漏極連接MP2的源極(如VPCAS節(jié)點)，MP2的漏極連接MN2的漏極(如LX節(jié)點)，MN2的源極連接MN1的漏極(如VNCAS節(jié)點)，MN1的源極接地電電源(英文：Power Ground，簡稱：PGND)。P型場效應管驅(qū)動模塊連接MP1的柵極，N型場效應管驅(qū)動模塊連接MN1的柵極。脈沖調(diào)制(英文：Pulse Width Modulation，簡稱：PWM)控制器用于控制P型場效應管驅(qū)動模塊為MP1的柵極輸入驅(qū)動信號PG，控制N型場效應管驅(qū)動模塊為MN1的柵極輸入驅(qū)動信號NG。1/2電源軌雙向電壓調(diào)節(jié)器用于根據(jù)PVDD功率電壓和PGND功率地電壓，為MP2的柵極和MN2的柵極輸入偏置電壓VMID＝1/2(PVDD+PGND)，并將該偏置電壓作為P型場效應管驅(qū)動模塊和N型場效應管驅(qū)動模塊的電源域電壓。其中，在高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器中，該偏置電壓可以用于提高控制環(huán)路的穩(wěn)定性、改善功率管的可靠性等參數(shù)。

但是，存在的問題是：由于如圖1所示的電路中，1/2電源軌雙向電壓調(diào)節(jié)器同時為MP2的柵極和MN2的柵極提供相同的偏置電壓，因此，上邊管開關管(MP1)的開關動作不僅會影響MP2的柵極輸入的偏置電壓的大小，還會對MN2的柵極輸入的偏置電壓造成影響。同樣的，下邊管開關管(MN1)的開關動作不僅會影響MN2的柵極輸入的偏置電壓的大小，還會對MP2的柵極輸入的偏置電壓造成影響。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種功率管偏置電路，可以減少功率管的開關動作對其偏置電壓的影響，并提高控制環(huán)路的穩(wěn)定性和功率管的可靠性。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

本發(fā)明實施例的第一方面，提供一種功率管偏置電路，包括：第一P型場效應管、第二P型場效應管、P型場效應管驅(qū)動模塊、第一穩(wěn)壓電容、第一偏置模塊、第一N型場效應管、第二N型場效應管、N型場效應管驅(qū)動模塊、第二穩(wěn)壓電容、第二偏置模塊和PWM控制器。

上述PWM控制器的第一輸出端連接P型場效應管驅(qū)動模塊的第一輸入端，P型場效應管驅(qū)動模塊的第二輸入端連接PVDD，P型場效應管驅(qū)動模塊的輸出端連接第一P型場效應管的柵極，第一P型場效應管的源極連接PVDD，第一P型場效應管的漏極連接第二P型場效應管的源極，第二P型場效應管的漏極連接第二N型場效應管的漏極。PWM控制器的第二輸出端連接N型場效應管驅(qū)動模塊的第一輸入端，N型場效應管驅(qū)動模塊的第二輸入端連接PGND，N型場效應管驅(qū)動模塊的輸出端連接第一N型場效應管的柵極，第一N型場效應管的源極連接PGND，第一N型場效應管的漏極連接第二N型場效應管的源極。

第一偏置模塊的第一輸入端連接第一基準電源，第一偏置模塊的第二輸入端連接PVDD，第一偏置模塊的輸出端連接P型場效應管驅(qū)動模塊的第三輸入端和第二P型場效應管的柵極，第一偏置模塊的第二輸入端(即功率電源PVDD)與第一偏置模塊的輸出端通過第一穩(wěn)壓電容連接。

其中，第一偏置模塊用于根據(jù)第一基準電源輸入的基準電壓、預設系數(shù)、PVDD功率電壓得到第一偏置電壓，并輸出第一偏置電壓。

第二偏置模塊的第一輸入端連接第二基準電源，第二偏置模塊的第二輸入端連接PGND，第二偏置模塊的輸出端連接N型場效應管驅(qū)動模塊的第三輸入端和第二N型場效應管的柵極，第二偏置模塊的第二輸入端與第二偏置模塊的輸出端通過第二穩(wěn)壓電容連接。

其中，第二偏置模塊用于根據(jù)第二基準電源輸入的基準電壓、所述預設系數(shù)、所述PGND功率地電壓得到第二偏置電壓，并輸出所述第二偏置電壓。

本發(fā)明實施例提供的功率管偏置電路，第一偏置模塊可以根據(jù)PVDD功率電壓和第一基準電源為第二P型場效應管的柵極、P型場效應管驅(qū)動模塊的電源域(即P型場效應管驅(qū)動模塊的第三輸入端)提供第一偏置電壓，第二偏置模塊可以根據(jù)PGND功率地電壓和第二基準電源為第二N型場效應管的柵極、N型場效應管驅(qū)動模塊的電源域(即N型場效應管驅(qū)動模塊的第三輸入端)提供第二偏置電壓。即第一偏置模塊和第二偏置模塊分別為上邊管和下邊管提供偏置電壓，這樣上邊管開關管(即第一P型場效應管)的開關動作則不會影響下邊管(第二N型場效應管)的柵極輸入的偏置電壓的大小，同時，下邊管開關管(即第一N型場效應管)的開關動作則不會影響上邊管(第二P型場效應管)的柵極輸入的偏置電壓。即通過本方案，可以減少功率管的開關動作對其偏置電壓的影響。

并且，由于第一穩(wěn)壓電容接PVDD和第一偏置模塊的輸出端，因此，可以降低PVDD的噪聲對第一偏置電壓與PVDD功率電壓的電壓差的影響，保證第一偏置電壓與PVDD功率電壓的電壓差的穩(wěn)定性。由于第二穩(wěn)壓電容連接PGND和第二偏置模塊的輸出端，因此，可以降低PGND的噪聲對第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差的影響，保證第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差的穩(wěn)定性。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，上述第一偏置模塊可以包括：第一偏置控制電路和電流沉模塊。其中，第一偏置控制電路的第一輸入端連接第一基準電源，第一偏置控制電路的第二輸入端連接PVDD，第一偏置控制電路的輸出端連接電流沉模塊的第一輸入端，電流沉模塊的第二輸入端連接PVDD，電流沉模塊的輸出端連接第一P型場效應管的柵極。其中，第一偏置控制電路，用于根據(jù)第一基準電源輸入的基準電壓、PVDD功率電壓以及預設系數(shù)得到電流沉模塊的參考電壓，并向電流沉模塊輸出所述電流沉模塊的參考電壓。電流沉模塊，用于接收電流沉模塊的參考電壓和P型場效應管驅(qū)動模塊泄放的電荷，以輸出第一偏置電壓。

由于電流沉模塊可以接收P型場效應管驅(qū)動模塊泄放的電荷，因此可以根據(jù)該P型場效應管驅(qū)動模塊泄放的電荷消除上邊管(第一P型場效應管和第二P型場效應管)開關動作對偏置電壓的影響，對接收到的電流沉模塊的參考電壓進行處理，得到第一偏置電壓。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，第二偏置模塊包括：第二偏置控制電路和電流源模塊。其中，第二偏置控制電路的第一輸入端連接第二基準電源，第二偏置控制電路的第二輸入端連接PGND，偏置控制電路的輸出端連接電流源模塊的第一輸入端，電流源模塊的第二輸入端連接PGND，電流源模塊的輸出端連接第二N型場效應管的柵極。其中，第二偏置控制電路，用于根據(jù)第二基準電源輸入的基準電壓、PGND功率地電壓以及預設系數(shù)得到電流源模塊的參考電壓，并向電流源模塊輸出電流源模塊的參考電壓。電流源模塊，用于接收電流源模塊的參考電壓，向N型場效應管驅(qū)動模塊輸出電荷，以輸出第二偏置電壓。

由于電流源模塊可以向N型場效應管驅(qū)動模塊輸出電荷，因此可以根據(jù)該N型場效應管驅(qū)動模塊泄放的電荷消除下邊管(第一N型場效應管和第二N型場效應管)開關動作對偏置電壓的影響，對接收到的電流源模塊的參考電壓進行處理，得到第二偏置電壓。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一偏置電壓等于PVDD功率電壓減去基準電壓和預設系數(shù)的乘積；第二偏置電壓等于PGND功率地電壓加基準電壓和預設系數(shù)的乘積。例如，假設上述基準電壓為VREF，預設系數(shù)為CONST，第一偏置模塊輸出的第一偏置電壓則可以為VPMID＝PVDD-VREF×CONST，第二偏置模塊輸出的第二偏置電壓可以為VNMID＝PGND+VREF×CONST。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一P型場效應管、第二P型場效應管、第一N型場效應管和第二N型場效應管為MOS管。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，P型場效應管驅(qū)動模塊包括至少兩個級聯(lián)的反相器，N型場效應管驅(qū)動模塊包括至少兩個級聯(lián)的反相器。

附圖說明

圖1為本發(fā)明背景技術提供的一種基于疊層功率管的功率管偏置電路的示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種功率管偏置電路的示意圖一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種功率管偏置電路的示意圖二。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供一種功率管偏置電路，可以應用于DCDC轉(zhuǎn)換器的高頻工作場景中，具體應用于DCDC轉(zhuǎn)換器的高頻工作場景中的疊層功率管的偏置電壓的控制過程中。

請參考圖2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種功率管偏置電路的示意圖。如圖2所示，該功率管偏置電路可以包括：第一P型場效應管21、第二P型場效應管22、P型場效應管驅(qū)動模塊23、第一穩(wěn)壓電容24、第一偏置模塊25、第一N型場效應管31、第二N型場效應管32、N型場效應管驅(qū)動模塊33、第二穩(wěn)壓電容34、第二偏置模塊35和PWM控制器41。

其中，如圖2所示，PWM控制器41的第一輸出端411連接P型場效應管驅(qū)動模塊23的第一輸入端231，P型場效應管驅(qū)動模塊23的第二輸入端232連接PVDD，P型場效應管驅(qū)動模塊23的輸出端234連接第一P型場效應管21的柵極212。

第一P型場效應管21的源極211連接PVDD，第一P型場效應管21的漏極213連接第二P型場效應管22的源極221，第二P型場效應管22的漏極223連接第二N型場效應管32的漏極323。

如圖2所示，PWM控制器41的第二輸出端412連接N型場效應管驅(qū)動模塊33的第一輸入端331，N型場效應管驅(qū)動模塊33的第二輸入端332連接PGND，N型場效應管驅(qū)動模塊33的輸出端334連接第一N型場效應管31的柵極312，第一N型場效應管31的源極311連接PGND，第一N型場效應管31的漏極313連接第二N型場效應管32的源極321。

第一偏置模塊25的第一輸入端25a連接第一基準電源，第一偏置模塊25的第二輸入端25b連接PVDD，第一偏置模塊25的輸出端25c連接P型場效應管驅(qū)動模塊23的第三輸入端233和第二P型場效應管22的柵極222，第一偏置模塊25的第二輸入端25b與第一偏置模塊25的輸出端25c通過第一穩(wěn)壓電容24連接。

第二偏置模塊35的第一輸入端35a連接第二基準電源，第二偏置模塊35的第二輸入端35b連接PGND，第二偏置模塊35的輸出端345c連接N型場效應管驅(qū)動模塊33的第三輸入端333和第二N型場效應管32的柵極322，第二偏置模塊35的第二輸入端35b與第二偏置模塊35的輸出端35c通過第二穩(wěn)壓電容34連接。

其中，第一偏置模塊25用于根據(jù)第一基準電源輸入的基準電壓(英文：Voltage Reference，簡稱：VREF)、預設系數(shù)、PVDD功率電壓得到第一偏置電壓，并輸出第一偏置電壓。

第二偏置模塊35用于根據(jù)第二基準電源輸入的基準電壓VREF、預設系數(shù)、PGND功率地電壓得到第二偏置電壓，并輸出第二偏置電壓。其中，第一基準電源輸入的基準電壓等于第二基準電源輸入的基準電壓。

本發(fā)明實施例提供的功率管偏置電路，第一偏置模塊25可以根據(jù)PVDD功率電壓和第一基準電源為上邊管(第二P型場效應管22)的柵極P型場效應管驅(qū)動模塊23的電源域(即P型場效應管驅(qū)動模塊23的第三輸入端233)提供第一偏置電壓，第二偏置模塊35可以根據(jù)PGND功率地電壓和第二基準電源為下邊管(第二N型場效應管32)的柵極N型場效應管驅(qū)動模塊33的電源域(即N型場效應管驅(qū)動模塊33的第三輸入端333)提供第二偏置電壓。即第一偏置模塊25和第二偏置模塊35分別為上邊管和下邊管提供偏置電壓，這樣上邊管的開關管(第一P型場效應管21)的開關動作則不會影響下邊管(第二N型場效應管32)的柵極輸入的偏置電壓的大小，同時，下邊管的開關管(第一N型場效應管31)的開關動作則不會影響上邊管(第二P型場效應管22)的柵極輸入的偏置電壓的大小。即通過本方案，可以減少功率管的開關動作對其偏置電壓的影響。

并且，由于第一穩(wěn)壓電容24連接PVDD和第一偏置模塊的輸出端(即如圖2所示的第一偏置模塊25的輸出端25c)，因此，可以降低PVDD的噪聲對第一偏置電壓與PVDD功率電壓的電壓差的影響，保證第一偏置電壓與PVDD功率電壓的電壓差的穩(wěn)定性。由于第二穩(wěn)壓電容35連接PGND和第二偏置模塊的輸出端(即如圖2所示的第二偏置模塊35的輸出端35c)，因此，可以降低PGND的噪聲對第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差的影響，保證第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差的穩(wěn)定性。

其中，PVDD功率電壓與第一偏置電壓的電壓差等于第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差。

示例性的，上述第一偏置電壓等于PVDD功率電壓減去基準電壓和預設系數(shù)的乘積。第二偏置電壓等于PGND功率地電壓加基準電壓和預設系數(shù)的乘積。

例如，假設上述基準電壓為VREF，預設系數(shù)為CONST，第一偏置模塊25輸出的第一偏置電壓則可以為VPMID＝PVDD-VREF×CONST，第二偏置模塊35輸出的第二偏置電壓可以為VNMID＝PGND+VREF×CONST。

進一步的，如圖3所示，如圖2所示的第一偏置模塊25可以包括：第一偏置控制電路251和電流沉模塊252。

其中，如圖3所示，第一偏置控制電路251的第一輸入端可以為上述第一偏置模塊的第一輸入端25a，第一偏置控制電路251的第一輸入端連接第一基準電源，第一偏置控制電路251的第二輸入端2511連接PVDD，第一偏置控制電路251的輸出端連接電流沉模塊252的第一輸入端，電流沉模塊的第二輸入端2521連接PVDD，電流沉模塊252的輸出端連接第一P型場效應管21的柵極212。其中，電流沉模塊252的輸出端即為第一偏置模塊25的輸出端25c。

其中，第一偏置控制電路251，用于根據(jù)第一基準電源輸入的基準電壓、PVDD功率電壓以及預設系數(shù)得到電流沉模塊的參考電壓，并向電流沉模塊輸出電流沉模塊的參考電壓。

需要說明的是，第一偏置控制電路251根據(jù)第一基準電源輸入的基準電壓、PVDD功率電壓以及預設系數(shù)得到電流沉模塊的參考電壓，并向電流沉模塊輸出電流沉模塊的參考電壓的方法具體可以為：第一偏置控制電路251根據(jù)基準電壓VREF、PVDD功率電壓和預設系數(shù)(CONST)，采用VPMID＝PVDD-VREF×CONST計算得到第一偏置電壓VPMID；電流沉模塊252可以用于接收電流沉模塊的參考電壓和P型場效應管驅(qū)動模塊23泄放的電荷，以輸出第一偏置電壓。

電流沉模塊252，用于接收電流沉模塊的參考電壓和P型場效應管驅(qū)動模塊23泄放的電荷，以輸出第一偏置電壓。由于電流沉模塊252可以接收P型場效應管驅(qū)動模塊23泄放的電荷，因此可以消除上邊管開關管(第一P型場效應管21)開關動作通過P型場效應管驅(qū)動模塊23泄放的電荷對偏置電壓的影響，對接收到的電流沉模塊的參考電壓進行處理，得到第一偏置電壓VPMID＝PVDD-VREF×CONST。

進一步的，如圖3所示，如圖2所示的第一偏置模塊25可以包括：第二偏置控制電路351和電流源模塊352。

其中，如圖3所示，第二偏置控制電路351的第一輸入端可以為上述第二偏置模塊的第一輸入端35a，第二偏置控制電路351的第一輸入端連接第二基準電源，第二偏置控制電路351的第二輸入端3511連接PGND，第二偏置控制電路351的輸出端連接電流源模塊352的第一輸入端，電流源模塊352的第二輸入端3521連接PGND，電流源模塊352的輸出端連接第一N型場效應管31的柵極。

其中，第二偏置控制電路351，用于根據(jù)第二基準電源輸入的基準電壓、PGND功率地電壓以及預設系數(shù)得到電流源模塊的參考電壓，并向電流源模塊352輸出電流源模塊的參考電壓。

需要說明的是，第二偏置控制電路351根據(jù)第二基準電源輸入的基準電壓、PGND功率地電壓以及預設系數(shù)得到電流源模塊的參考電壓，并向電流源模塊352輸出電流源模塊的參考電壓的方法具體可以為：第二偏置控制電路351根據(jù)基準電壓VREF、PGND功率地電壓和預設系數(shù)(CONST)，采用VNMID＝PGND+VREF×CONST計算得到第一偏置電壓VNMID；電流源模塊352可以用于接收電流源模塊的參考電壓，并向N型場效應管驅(qū)動模塊33輸出電荷，以輸出第二偏置電壓。

電流源模塊352，用于接收電流源模塊的參考電壓，并向N型場效應管驅(qū)動模塊33輸出電荷，以輸出第二偏置電壓。由于電流源模塊352可以向N型場效應管驅(qū)動模塊33輸出電荷，因此可以消除下邊管開關管(第一N型場效應管31)開關動作通過N型場效應管驅(qū)動模塊23吸收電荷對偏置電壓的影響，對接收到的電流源模塊的參考電壓進行處理，得到第二偏置電壓VNMID＝PGND+VREF×CONST。

示例性的，上述第一P型場效應管21、第二P型場效應管22、第一N型場效應管31和第二N型場效應管32均可以為MOS管。

示例性的，如圖2或者圖3所示，上述P型場效應管驅(qū)動模塊23可以包括至少兩個級聯(lián)的反相器，上述N型場效應管驅(qū)動模塊33可以包括至少兩個級聯(lián)的反相器。

進一步的，本發(fā)明實施例中的基準電壓(VREF)和預設系數(shù)(CONST)可以預先配置，即VREF和CONST的值可以是預先配置的。其中，本發(fā)明實施例中可以根據(jù)DCDC轉(zhuǎn)換器電路中各個器件的耐壓性能以及工作效率確定VREF和CONST，并且可以根據(jù)上述各個器件的耐壓性能以及工作效率的變化，實時調(diào)節(jié)VREF和CONST。

本發(fā)明實施例提供的功率管偏置電路，第一偏置模塊25和第二偏置模塊35分別為上邊管和下邊管提供偏置電壓，這樣上邊管開關管(第一P型場效應管21)的開關動作則不會影響下邊管(第二N型場效應管32)的柵極輸入的偏置電壓，同時，下邊管開關管(第一N型場效應管31)的開關動作則不會影響上邊管(第二P型場效應管22)的柵極輸入的偏置電壓。即通過本方案，可以減少功率管的開關動作對其偏置電壓的影響。

并且，由于第一穩(wěn)壓電容24連接PVDD和第一偏置模塊的輸出端(即如圖2所示的第一偏置模塊25的輸出端25c)，因此，可以降低PVDD的噪聲對第一偏置電壓與PVDD功率電壓的電壓差的影響，保證第一偏置電壓與PVDD功率電壓的電壓差的穩(wěn)定性。由于第二穩(wěn)壓電容35連接PGND和第二偏置模塊的輸出端(即如圖2所示的第二偏置模塊35的輸出端35c)，因此，可以降低PGND的噪聲對第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差的影響，保證第二偏置電壓與PGND功率地電壓的電壓差的穩(wěn)定性。

通過以上的實施方式的描述，所屬領域的技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，僅以上述各功能模塊的劃分進行舉例說明，實際應用中，可以根據(jù)需要而將上述功能分配由不同的功能模塊完成，即將裝置的內(nèi)部結構劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。

在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述模塊或單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡單元上。可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術做出貢獻的部分或者該技術方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網(wǎng)絡設備等)或處理器(processor)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。