1.一種過(guò)壓保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包括：
電源；
電池，所述電池的負(fù)極與所述電源的負(fù)極連接；
正溫度系數(shù)PTC熱敏電阻，所述PTC熱敏電阻的第一端連接電源的正極，所述PTC熱敏電阻的第二端連接電池的正極，所述PTC熱敏電阻的第三端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第一保護(hù)芯片、第一金屬-氧化物-半導(dǎo)體MOS管；
所述第一保護(hù)芯片包括：第一數(shù)字正電源端Vdd管腳、第一進(jìn)位輸出端Cout管腳和第一電壓檢測(cè)V-管腳；
所述第一MOS管包括柵極、源極和漏極；
所述第一Vdd管腳與所述電池的正極，所述第一Cout管腳與所述第一MOS管的柵極連接，所述第一V-管腳與所述電源的負(fù)極連接；
所述第一MOS管的源極接地，所述第一MOS管的漏極與所述PTC熱敏電阻的第三端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第一電阻；
所述第一電阻的第一端與所述第一Cout管腳連接，第二端與所述第一MOS管的柵極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第二電阻和第一電容；
所述第二電阻的一端與所述電池的正極連接，另一端分別與所述第一Vdd管腳和第一電容的一端連接；
所述第一電容的另一端連接所述電池的負(fù)極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第三電阻；
所述第三電阻的一端與所述第一V-管腳連接，另一端與所述電源的負(fù)極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第二電容；
所述第二電容一端與所述第一電阻的第二端連接，還與所述第一MOS管的柵極連接；所述第二電容的另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第四電阻；
所述第四電阻一端與所述第一電阻的第二端連接，還與所述第一MOS管的柵極連接；所述第四電阻的另一端接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：二極管；
所述二極管的陽(yáng)極與所述第一MOS管的漏極連接，所述二極管的陰極與所述PTC熱敏電阻的第三端連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：第二保護(hù)芯片、第二MOS管、第三MOS管、第三電容、第五電阻和第六電阻；
所述第二保護(hù)芯片包括：第二Vdd管腳、第二Cout管腳、數(shù)據(jù)輸出Dout管腳和第二V-管腳；
所述第五電阻的一端和所述電池的正極連接，另一端分別連接所述第二Vdd管腳與第三電容的一端；
所述第三電容的另一端與所述第二MOS管的源極連接；
所述第三電容的另一端接地；
所述Dout管腳與所述第二MOS管的柵極連接；
所述第二MOS管的漏極與所述第三MOS管的漏極連接；
所述第二Cout管腳與所述第三MOS管的柵極連接；
所述第六電阻的一端連接所述第二V-管腳；
所述第三MOS管的源極與所述第六電阻的另一端均接地。
10.一種過(guò)壓保護(hù)方法，應(yīng)用于權(quán)利要求2～9中任一項(xiàng)所述的過(guò)壓保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包括：
第一保護(hù)芯片檢測(cè)到電池處于充電狀態(tài)時(shí)，所述第一保護(hù)芯片檢測(cè)所述電池的電壓；
若所述第一保護(hù)芯片檢測(cè)到電池的電壓大于電池電壓閾值時(shí)，所述第一保護(hù)芯片向MOS管發(fā)送電壓信號(hào)；
所述MOS管根據(jù)所述電壓信號(hào)導(dǎo)通，使得PTC熱敏電阻根據(jù)所述電池的電壓以及所述MOS管導(dǎo)通后的接地電壓而使得內(nèi)阻升高，降低過(guò)壓保護(hù)系統(tǒng)內(nèi)電路中的電流。