此公開涉及開關(guān)電源裝置。

背景技術(shù)：

作為生成低于輸入電壓的穩(wěn)定電壓的方法，廣泛使用非絕緣型降壓斬波電路。在降壓斬波電路中，由于甚至在諸如等待時間的輕負(fù)荷狀態(tài)下也連續(xù)執(zhí)行開關(guān)操作，所以隨著負(fù)荷變輕，電源轉(zhuǎn)換效率降低。

美國專利No.5481178公開了一種開關(guān)電源裝置，其從通過比較輸出電壓與基準(zhǔn)電壓而生成的誤差信號檢測輕負(fù)荷狀態(tài)，并且轉(zhuǎn)變到間歇振蕩控制，在間歇振蕩控制中，在輕負(fù)荷狀態(tài)下允許開關(guān)元件的驅(qū)動的時段和禁止開關(guān)元件的驅(qū)動的時段交替重復(fù)。

在此開關(guān)電源裝置中，通過在間歇振蕩控制中隨著輸出電流減小而降低開關(guān)元件的開關(guān)頻率，減少了開關(guān)元件中的開關(guān)損失和驅(qū)動電流，因此提高了輕負(fù)荷狀態(tài)下的效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在此開關(guān)電源裝置中，由于隨著輸出電流減小而無限制地降低間歇振蕩控制中的開關(guān)頻率，所以開關(guān)電源裝置在人類可聽頻帶中(通常等于或低于16kHz)操作。

相應(yīng)地，當(dāng)陶瓷電容器用作輸出電容器時，由于可聽頻帶中的間歇振蕩操作，從陶瓷電容器生成鳴音。作為應(yīng)對措施，發(fā)布了通過設(shè)計形狀而抑制鳴音的陶瓷電容器，但是缺點是其成本高。

本公開是考慮上述情形而作出的，要提供一種開關(guān)電源裝置，甚至當(dāng)在間歇振蕩控制中輸出電流減小時，也能以低成本防止從電容器生成鳴音。

此公開的開關(guān)電源裝置將從輸入電源供應(yīng)的第一DC電壓轉(zhuǎn)換為第二DC電壓，并且通過導(dǎo)通和截止連接在所述輸入電源與電感器之間的開關(guān)元件而輸出所述第二DC電壓。所述開關(guān)電源裝置包括：驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元基于驅(qū)動信號驅(qū)動所述開關(guān)元件；控制單元，所述控制單元執(zhí)行交替重復(fù)禁止通過所述驅(qū)動單元導(dǎo)通所述開關(guān)元件的時段和允許通過所述驅(qū)動單元導(dǎo)通所述開關(guān)元件的時段的間歇振蕩控制；以及誤差信號生成器，所述誤差信號生成器基于對應(yīng)于所述第二DC電壓的電壓與基準(zhǔn)電壓之間的誤差生成誤差信號，其中，所述控制單元基于表示所述誤差信號與閾值之間的比較結(jié)果的信號和基于所述驅(qū)動信號的所述開關(guān)元件的截止時間，控制所述間歇振蕩控制中允許所述開關(guān)元件的導(dǎo)通的時刻。

根據(jù)此公開，能提供一種開關(guān)電源裝置，甚至當(dāng)在間歇振蕩控制中輸出電流減小時，也能以低成本防止從電容器生成鳴音。

附圖說明

根據(jù)參考附圖考慮的下面詳細(xì)描述，此公開的之前和附加的特征和特性將變得更明顯，其中：

圖1是示意性例示根據(jù)此公開的實施方式的開關(guān)電源裝置的構(gòu)造的電路圖；

圖2是例示過零檢測電路的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖；

圖3是例示定時器電路的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖；

圖4是例示下頻率限制器的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖；

圖5是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的操作的時序圖；

圖6是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的操作的時序圖；

圖7是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的效果的圖；

圖8是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的第一變形例的圖；

圖9是例示圖8中例示的開關(guān)電源裝置的操作的時序圖；

圖10是例示圖8中例示的開關(guān)電源裝置的效果的圖；

圖11是例示圖8中例示的開關(guān)電源裝置的效果的圖；

圖12是圖1中例示的開關(guān)電源裝置的第二變形例的圖；

圖13是圖12中例示的開關(guān)電源裝置的操作的時序圖。

具體實施方式

下文中，將參考附圖描述此公開的實施方式。

圖1是示意性例示根據(jù)此公開的實施方式的開關(guān)電源裝置的構(gòu)造的電路圖。

圖1中例示的開關(guān)電源裝置包括連接到供應(yīng)第一DC電壓的輸入電源Vin的作為開關(guān)元件的高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21、連接到高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的電感器9、以及輸出電容器10，通過交替導(dǎo)通和截止高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21來將第一DC電壓轉(zhuǎn)換為作為第二DC電壓的輸出電壓Vout并且將輸出電壓輸出到負(fù)荷電路11。

高側(cè)MOSFET 8的漏極連接到輸入電源Vin，高側(cè)MOSFET 8的源極連接到低側(cè)MOSFET 21的漏極。低側(cè)MOSFET 21的源極連接到地端子。高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的連接點定義為SW端子。

電感器9連接在SW端子與負(fù)荷電路11之間。

輸出電容器10連接在電感器9和負(fù)荷電路11的連接點與地端子之間。例如，低成本陶瓷電容器用作輸出電容器10。

圖1中例示的開關(guān)電源裝置附加地包括：電流檢測電路30，檢測在高側(cè)MOSFET 8中流動的漏電流IDH并且輸出電流信號Vtrip，電流信號Vtrip是對應(yīng)于檢測的電流的電壓信號；過零檢測電路(ZERO)22；高側(cè)驅(qū)動器4，作為驅(qū)動高側(cè)MOSFET 8的驅(qū)動單元；低側(cè)驅(qū)動器20，作為驅(qū)動低側(cè)MOSFET 21的驅(qū)動單元；逆流防止二極管6和自舉電容器7，向高側(cè)驅(qū)動器4供應(yīng)源電壓；調(diào)節(jié)器電路5，生成用于驅(qū)動高側(cè)驅(qū)動器4和低側(cè)驅(qū)動器20的源電壓；開關(guān)26，連接到調(diào)節(jié)器電路5；驅(qū)動信號生成器(振蕩器1、SR觸發(fā)器2、第一AND電路3、PWM比較器17、反相器18、NOR電路19)，生成供應(yīng)到高側(cè)驅(qū)動器4和低側(cè)驅(qū)動器20的驅(qū)動信號；開關(guān)25，連接到振蕩器1；NAND電路24，控制開關(guān)25和開關(guān)26的開關(guān)；反饋寄存器12和反饋寄存器13，檢測輸出電壓Vout并且輸出對應(yīng)于檢測的電壓的反饋電壓FB；誤差信號生成器270，基于反饋電壓FB與基準(zhǔn)電壓Vref1之間的誤差生成誤差信號COMP2。

此實施方式中描述的開關(guān)在控制其開關(guān)的信號處于高電平(High)時接通并且在控制開關(guān)的信號處于低電平(Low)時斷開。

高側(cè)驅(qū)動器4基于從驅(qū)動信號生成器的第一AND電路3供應(yīng)的驅(qū)動信號Hson控制高側(cè)MOSFET 8的柵電壓。高側(cè)驅(qū)動器4在驅(qū)動信號Hson處于High的時段中導(dǎo)通高側(cè)MOSFET 8并且在驅(qū)動信號Hson處于Low的時段中截止高側(cè)MOSFET 8。

高側(cè)驅(qū)動器4的電源端子連接到自舉電容器7，并且源電壓從自舉電容器7供應(yīng)到高側(cè)驅(qū)動器4。

自舉電容器7經(jīng)由逆流防止二極管6連接到調(diào)節(jié)器電路5。

低側(cè)驅(qū)動器20基于從驅(qū)動信號生成器的NOR電路19供應(yīng)的驅(qū)動信號LSon控制低側(cè)MOSFET 21的柵電壓。低側(cè)驅(qū)動器20在驅(qū)動信號LSon處于High的時段中導(dǎo)通低側(cè)MOSFET 21并且在驅(qū)動信號LSon處于Low的時段中截止低側(cè)MOSFET 21。

調(diào)節(jié)器電路5利用經(jīng)由開關(guān)26從連接到它的偏置電流源供應(yīng)的偏置電流Ibias1操作。

調(diào)節(jié)器電路5通過當(dāng)高側(cè)MOSFET 8截止并且低側(cè)MOSFET 21導(dǎo)通時經(jīng)由逆流防止二極管6對自舉電容器7充電來生成高側(cè)驅(qū)動器4的源電壓。調(diào)節(jié)器電路5還連接到低側(cè)驅(qū)動器20的電源端子并且將源電壓供應(yīng)到低側(cè)驅(qū)動器20。

過零檢測電路22基于驅(qū)動信號HSon和SW端子的電壓信號檢測電感器9的再生時段是否終止并且輸出過零信號ZERO。過零檢測電路22在檢測到電感器9的再生時段終止時將過零信號ZERO改變成High。

電感器9的再生終止意味著在高側(cè)MOSFET 8處于導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下在電感器9中積累的能量在高側(cè)MOSFET 8截止并且低側(cè)MOSFET 21導(dǎo)通之后從電感器9放出，并且此放出完成。

圖2是例示過零檢測電路22的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖。過零檢測電路22包括比較地電平與SW端子的電壓信號的比較器221、以及SR觸發(fā)器222，其中驅(qū)動信號Hson輸入到SR觸發(fā)器222的重置端子R，比較器221的輸出信號輸入到SR觸發(fā)器222的設(shè)置端子S。

根據(jù)圖2中例示的電路構(gòu)造，當(dāng)在驅(qū)動信號HSon處于Low的狀態(tài)下SW端子的電壓信號達(dá)到地電平時，過零信號ZERO改變成High。

振蕩器1利用經(jīng)由開關(guān)25從連接到振蕩器1的偏置電流源供應(yīng)的偏置電流Ibias2操作。振蕩器1生成預(yù)定頻率的脈沖信號。

從振蕩器1生成的脈沖信號輸入到SR觸發(fā)器2的設(shè)置端子S。從PWM比較器17輸出的信號RESET輸入到SR觸發(fā)器2的重置端子R。

從電流檢測電路30輸出的電流信號Vtrip輸入到PWM比較器17的正輸入端子。誤差信號COMP2輸入到PWM比較器17的負(fù)輸入端子。

PWM比較器17在電流信號Vtrip達(dá)到誤差信號COMP2時將信號RESET改變成High，并且在電流信號Vtrip小于誤差信號COMP2的狀態(tài)下將信號RESET改變成Low。由PWM比較器17控制高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的導(dǎo)通寬度。

第一AND電路3輸入有從SR觸發(fā)器2的輸出端子Q輸出的信號和從反相器18輸出的信號并輸出驅(qū)動信號HSon。

從稍后描述的第二AND電路273輸出的第二信號SKIP2輸入到反相器18。

NOR電路19輸入有從第一AND電路3輸出的驅(qū)動信號Hson、從過零檢測電路22輸出的過零信號ZERO、以及從稍后描述的第二AND電路273輸出的信號SKIP2，并輸出驅(qū)動信號LSon。

NAND電路24輸入有從過零檢測電路22輸出的過零信號ZERO和從稍后描述的第二AND電路273輸出的信號SKIP2，輸出BIAS_ON信號，利用BIAS_ON信號控制開關(guān)25和開關(guān)26的開關(guān)。

NAND電路24、開關(guān)25和開關(guān)26構(gòu)造驅(qū)動停止電路，驅(qū)動停止電路在間歇振蕩控制中禁止導(dǎo)通高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的時段(信號SKIP2處于High的時段)以及過零檢測電路22檢測到電感器9的再生時段已終止的時段(過零信號ZERO處于High的時段)中停止振蕩器1和調(diào)節(jié)器電路5。可使用開關(guān)25和開關(guān)26中的僅任一個并且可省略另一個。

反饋寄存器12和反饋寄存器13串聯(lián)連接在電感器9和負(fù)荷電路11的連接點與地端子之間。

誤差信號生成單元270包括：誤差放大器14，作為放大反饋電壓FB(對應(yīng)于輸出電壓Vout的電壓)與基準(zhǔn)電壓Vref1之間的誤差、然后輸出誤差放大信號COMP1的誤差放大器；相位補償寄存器15；相位補償電容器16；濾波電路271，利用可變時間常數(shù)衰減從誤差放大器14輸出的誤差放大信號COMP1，然后輸出衰減的誤差放大信號作為誤差信號COMP2。

誤差放大器14的負(fù)輸入端子連接到反饋寄存器12和反饋寄存器13的連接點，誤差放大器14的正輸入端子連接到供應(yīng)基準(zhǔn)電壓Vref1的電源。相位補償寄存器15和相位補償電容器16的串聯(lián)電路連接在誤差放大器14的輸出端子與地端子之間。

濾波電路271包括連接到誤差放大器14的輸出端子的濾波電阻器2711、連接在濾波電阻器2711與地端子之間的濾波電容器2712、連接到濾波電阻器2711的兩端的時間常數(shù)調(diào)整開關(guān)2713、控制時間常數(shù)調(diào)整開關(guān)2713的開關(guān)的OR電路2715。

濾波電路271利用借助濾波電阻器2711的電阻值和濾波電容器2712的電容值而確定的時間常數(shù)來衰減誤差放大信號COMP1。

在時間常數(shù)調(diào)整開關(guān)2713處于斷開狀態(tài)的狀態(tài)下，時間常數(shù)增大。相應(yīng)地，衰減特性增強，濾波電路271輸出通過極大衰減誤差放大信號COMP1而得到的誤差信號COMP2。在時間常數(shù)調(diào)整開關(guān)2713處于接通狀態(tài)的狀態(tài)下，時間常數(shù)減小。相應(yīng)地，衰減特性減弱，濾波電路271輸出大致等于誤差放大信號COMP1的誤差信號COMP2。

圖1中例示的開關(guān)電源裝置還包括：輕負(fù)荷檢測比較器23，作為比較誤差信號COMP2與可變閾值并且輸出表示比較結(jié)果的信號SKIP1的比較器；下頻率限制器(FLIM)28、定時器電路272、第二AND電路273、第三AND電路274、單觸發(fā)電路(one-shot circuit)275、電壓疊加用開關(guān)276、電流源Iripple。

在輕負(fù)荷檢測比較器23中，誤差信號COMP2輸入到其負(fù)輸入端子，可變閾值從電源輸入到其正輸入端子。在此實施方式中，可變閾值可能設(shè)置為3個階段的Vsk_Lo、Vsk_Md、Vsk_Hi，關(guān)系Vsk_Lo<Vsk_Md<Vsk_Hi成立。

當(dāng)從過零檢測電路22輸出表示電感器9的再生時段已終止的信號(High的過零信號ZERO)并且從輕負(fù)荷檢測比較器23輸出表示誤差信號COMP2小于閾值Vsk_Lo的信號(High的信號SKIP1)時，定時器電路272通過在第一預(yù)定時間經(jīng)過之后將信號SKIP-OK改變成High來允許間歇振蕩控制。之后，定時器電路272通過當(dāng)未從過零檢測電路22輸出表示電感器9的再生時段已終止的信號的時間達(dá)到第二預(yù)定時間時將信號SKIP-OK改變成Low來禁止間歇振蕩控制。

圖3是例示定時器電路272的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖。

定時器電路272包括：AND電路2721，被輸入過零信號ZERO和信號SKIP1；反相器2728，被輸入信號SKIP1；SR觸發(fā)器2722，AND電路2721的輸出信號輸入到其設(shè)置端子S，反相器2728的輸出信號輸入到其重置端子R；反相器2724，被輸入SR觸發(fā)器2722的輸出信號Discharge；電容器2726，接地；電流源Ichg，連接到調(diào)節(jié)器電路5；開關(guān)2725，布置在電容器2726與電流源Ichg之間，通過反相器2724的輸出信號控制其開關(guān)；電流源Idis；開關(guān)2723，布置在開關(guān)2725和電容器2726的連接點之間，通過輸出信號Discharge控制其開關(guān)；比較器2727，電容器2726的電壓輸入到其負(fù)輸入端子，2階段可變閾值電壓輸入到其正輸入端子。

2階段可變閾值電壓是Vtm_Lo和Vtm_Hi，關(guān)系Vtm_Lo<Vtm_Hi成立。

信號SKIP-OK輸入到第二AND電路273、第三AND電路274、構(gòu)造濾波電路271的OR電路2715的反相輸入端子、以及連接到輕負(fù)荷檢測比較器23的正輸入端子的電源。

下頻率限制器28用作執(zhí)行交替重復(fù)禁止通過高側(cè)驅(qū)動器4和低側(cè)驅(qū)動器20導(dǎo)通高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的時段和允許通過高側(cè)驅(qū)動器4和低側(cè)驅(qū)動器20導(dǎo)通高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的時段的間歇振蕩控制的控制單元。

具體地，下頻率限制器28基于從輕負(fù)荷檢測比較器23輸出的信號SKIP1和基于驅(qū)動信號Hson的高側(cè)MOSFET 8的截止時間，輸出用于控制允許間歇振蕩控制中高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通的時刻的信號SKIP1b。下頻率限制器28響應(yīng)于信號SKIP1b執(zhí)行間歇振蕩控制。

圖4是例示下頻率限制器28的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖。

下頻率限制器28包括：電容器282，接地；開關(guān)281，布置在電容器282與調(diào)節(jié)器電路5之間，通過驅(qū)動信號Hson控制其開關(guān)；電流源Iflim；開關(guān)283，布置在開關(guān)281和電容器282的連接點與電流源Iflim之間，通過從輕負(fù)荷檢測比較器23輸出的信號SKIP1控制其開關(guān)；比較器284，電容器282的電壓輸入到其正輸入端子，基準(zhǔn)電壓Vflim輸入到其負(fù)輸入端子；AND電路285，輸入有比較器284的輸出信號Flim和信號SKIP1，并且輸出信號SKIP1b。

在開關(guān)281處于接通狀態(tài)的狀態(tài)下，電容器282通過調(diào)節(jié)器電路5充電。在電容器282通過調(diào)節(jié)器電路5充電的狀態(tài)下，基準(zhǔn)電壓Vflim設(shè)置為低于電容器282的電壓的值。在開關(guān)283處于接通狀態(tài)的狀態(tài)下，電容器282通過電流源Iflim放電。

比較器284僅在電容器282的電壓達(dá)到基準(zhǔn)電壓Vflim時將信號Flim改變成Low并且在條件不滿足時保持信號Flim為High。

第二AND電路273輸入有從下頻率限制器28輸出的信號SKIP1b和從定時器電路272輸出的信號SKIP-OK，并且輸出信號SKIP2。信號SKIP2輸入到NAND電路24、反相器18、NOR電路19以及輕負(fù)荷檢測比較器23的正輸入端子。

連接到輕負(fù)荷檢測比較器23以供應(yīng)可變閾值的電源基于從定時器電路272輸出的信號SKIP-OK和從第二AND電路273輸出的信號SKIP2控制供應(yīng)到輕負(fù)荷檢測比較器23的閾值電壓。

具體地，電源與信號SKIP-OK的上升同步地將閾值設(shè)置為Vsk_Hi并且與信號SKIP-OK的下降同步地將閾值設(shè)置為Vsk_Lo。在信號SKIP-OK處于High的時段中，電源與信號SKIP2的下降同步地將閾值設(shè)置為Vsk_Md并且與信號SKIP2的上升同步地將閾值設(shè)置為Vsk_Hi。

輕負(fù)荷檢測比較器23在誤差信號COMP2達(dá)到Vsk_Lo時將信號SKIP1設(shè)置為High，然后在誤差信號COMP2達(dá)到Vsk_Hi時將信號SKIP1設(shè)置為Low，并且在信號SKIP1處于Low的時段中誤差信號COMP2達(dá)到Vsk_Md時將信號SKIP1設(shè)置為High。

在執(zhí)行間歇振蕩控制的狀態(tài)下，高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的開關(guān)頻率隨著輸出電流Iout的減小而降低。間歇振蕩控制中開關(guān)頻率的降低意味著延長了圖4中例示的開關(guān)281接通之后下次接通開關(guān)281之前的時間。

在圖4中例示的電路中，基準(zhǔn)電壓Vflim以及電容器282的電容和放電特性設(shè)計為使得，當(dāng)開關(guān)281接通之后下次接通開關(guān)281之前的時間(即，高側(cè)MOSFET 8的截止時段)變?yōu)樘囟〞r間閾值時，電容器282的電壓變得等于或小于基準(zhǔn)電壓Vflim并且信號Flim變?yōu)榈碗娖健?/p>

換言之，基準(zhǔn)電壓Vflim以及電容器282的電容和放電特性設(shè)計為使得，在驅(qū)動信號Hson處于High的時段中充電的電容器282的電壓通過電流源Iflim而放電至成為基準(zhǔn)電壓Vflim所需的時間達(dá)到時間閾值。

當(dāng)信號Film改變成Low時，信號SKIP1b改變成Low，然后第二AND電路273的輸出改變成Low并且反相器18的輸出改變成High。即，允許高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的開關(guān)控制。

通過時間閾值的倒數(shù)得到的頻率轉(zhuǎn)換值設(shè)置為高于人類可聽頻帶的上限(大約16kHz或更少)的任意頻率。相應(yīng)地，控制頻率限制，使得間歇振蕩控制中高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的最低開關(guān)頻率(下限頻率)達(dá)到該任意頻率。

第三AND電路274輸入有從PWM比較器17輸出的信號RESET和從定時器電路272輸出的信號SKIP-OK并且向單觸發(fā)電路275輸出信號RESET2。

當(dāng)從第三AND電路274輸出的信號RESET2改變成High時，單觸發(fā)電路275輸出在預(yù)定時間內(nèi)處于High的信號Ripple_ON。信號Ripple_ON輸入到電壓疊加用開關(guān)276以及濾波電路271的OR電路2715的非反相輸入端子。

電壓疊加用開關(guān)276布置在電流源Iripple與誤差放大器14的負(fù)輸入端子之間，并且通過信號Ripple_ON控制其開關(guān)。

當(dāng)在信號SKIP-OK處于High(信號RESET改變成High)的間歇振蕩控制允許時段中驅(qū)動信號將高側(cè)MOSFET 8從導(dǎo)通狀態(tài)切換為截止?fàn)顟B(tài)時，第三AND電路274、單觸發(fā)電路275、電壓疊加用開關(guān)276用作將電壓信號疊加在誤差放大器14的輸入端子上達(dá)預(yù)定時間的電壓疊加電路。

下面將描述圖1中例示的開關(guān)電源裝置的操作。

圖5和6是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的操作的時序圖。在圖5和6中，“SW”表示SW端子的電壓信號。圖5中的“TM”表示圖3中例示的電容器2726的電壓。圖5中的“BIAS_OFF”表示開關(guān)25和開關(guān)26斷開的時段。圖6中的“SET”表示從振蕩器1向RS觸發(fā)器2的設(shè)置端子S輸入的信號。

首先，將描述穩(wěn)定負(fù)荷狀態(tài)下(Iout>Iskip＿in)的區(qū)域中的操作。

在穩(wěn)定負(fù)荷狀態(tài)下，開關(guān)273斷開，濾波電路271的衰減特性減弱，基本上等于誤差放大信號COMP1的誤差信號COMP2從濾波電路271輸出。誤差信號COMP2輸入到PWM比較器17的反相輸入端子和輕負(fù)荷檢測比較器23的反相輸入端子。

當(dāng)閾值Vsk_Lo輸入到輕負(fù)荷檢測比較器23的非反相輸入端子并且輸出電流Iout足夠高時，COMP2>Vsk_Lo成立，因此從輕負(fù)荷檢測比較器23輸出的信號SKIP1改變成Low。相應(yīng)地，Low的信號SKIP2經(jīng)由第二AND電路273輸出到反相器18、NOR電路19、NAND電路24的輸入端子。相應(yīng)地，禁止間歇振蕩操作。

振蕩器1基于恒定電流Ibias2生成設(shè)置脈沖SET并且向SR觸發(fā)器2的設(shè)置端子S輸出設(shè)置脈沖SET。調(diào)節(jié)器電路5向低側(cè)驅(qū)動器20和高側(cè)驅(qū)動器4供應(yīng)驅(qū)動電壓。

當(dāng)SR觸發(fā)器2處于設(shè)置狀態(tài)時，通過經(jīng)由第一AND電路3驅(qū)動高側(cè)驅(qū)動器4而導(dǎo)通高側(cè)MOSFET 8。此時，SW端子電壓增大至接近輸入電壓Vin的電壓并且對應(yīng)于SW端子與Vout端子之間的電壓差的漏電流IDH在電感器9中流動，從而能量供應(yīng)至輸出電容器10和負(fù)荷電路11。

另一方面，當(dāng)在高側(cè)MOSFET 8導(dǎo)通的時段中電流信號Vtrip大于誤差信號COMP2時，High的信號RESET輸入到SR觸發(fā)器2的重置端子R。相應(yīng)地，當(dāng)SR觸發(fā)器2變?yōu)橹刂脿顟B(tài)時，經(jīng)由第一AND電路3關(guān)閉高側(cè)驅(qū)動器4，經(jīng)由NOR電路19開啟低側(cè)驅(qū)動器20。

通過將高側(cè)MOSFET 8從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)并且將低側(cè)MOSFET 21從截止?fàn)顟B(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)，再生電流IDL從低側(cè)MOSFET 21的源極經(jīng)由其漏極供應(yīng)到電感器9。

在其中在振蕩器1中確定的振蕩時段中電感器9的再生不終止的電流連續(xù)操作中，再次設(shè)置SR觸發(fā)器2，低側(cè)MOSFET 21截止，高側(cè)MOSFET 8導(dǎo)通。

通過重復(fù)上述操作序列，執(zhí)行降壓斬波操作。

下面將描述從穩(wěn)定負(fù)荷狀態(tài)到輕負(fù)荷狀態(tài)(Iout＝Iskip_in)的轉(zhuǎn)變的操作。

當(dāng)輸出電流Iout減小時，誤差放大信號COMP1和誤差信號COMP2減小，因此高側(cè)MOSFET 8的漏電流IDH的峰值被控制以減小。

在輕負(fù)荷檢測比較器23中，相互比較誤差信號COMP2和閾值Vsk_Lo，并且當(dāng)誤差信號COMP2等于或小于閾值Vsk_Lo時，信號SKIP1從Low切換成High。

之后，當(dāng)輸出電流Iout進(jìn)一步減小并且電感器電流IL的谷值電流達(dá)到0時，執(zhí)行電流不連續(xù)操作。此時，SW端子電壓的極性從負(fù)切換為正。過零檢測電路22利用比較器221檢測SW端子電壓的極性切換并且將SR觸發(fā)器222設(shè)置為設(shè)置狀態(tài)。相應(yīng)地，低側(cè)MOSFET 21通過NOR電路19和低側(cè)驅(qū)動器20截止并且表示過零檢測狀態(tài)的高電平的過零信號ZERO輸入到定時器電路272。

在定時器電路272中，當(dāng)信號SKIP1和過零信號ZERO變?yōu)镠igh時，SR觸發(fā)器2722經(jīng)由AND電路2721變?yōu)樵O(shè)置狀態(tài)并且開關(guān)2723接通。然后，開關(guān)2725經(jīng)由反相器2724斷開，因此電容器2726通過恒定電流Idis放電。

比較器2727將電容器2726的電壓與閾值Vtm_Lo進(jìn)行比較，當(dāng)電容器2726的電壓達(dá)到閾值Vtm_Lo時，將信號SKIP-OK從Low切換成High并且將閾值Vtm_Lo切換成Vtm_Hi。相應(yīng)地，操作模式切換到允許間歇振蕩操作的模式。

隨著從比較器2727輸出的信號SKIP-OK的上升，輕負(fù)荷檢測比較器23的閾值從閾值Vsk_Lo切換到閾值Vsk_Hi。

下面將描述輕負(fù)荷下間歇振蕩的第一控制時段(No_Load<<Iout<Iskip_in)中的操作。

在信號SKIP-OK處于High并且允許間歇振蕩控制的狀態(tài)下，當(dāng)信號SKIP1處于High時，第二AND電路273通過將信號SKIP2切換成High，經(jīng)由反相器18、第一AND電路3和高側(cè)驅(qū)動器4強制截止高側(cè)MOSFET 8。

之后，當(dāng)過零檢測電路22檢測到電感器9的再生時段終止并且過零信號ZERO從Low切換成High時，低側(cè)MOSFET 21經(jīng)由NOR電路19和低側(cè)驅(qū)動器20截止，開關(guān)25和開關(guān)26經(jīng)由NAND電路24斷開。相應(yīng)地，由于停止向振蕩器1和調(diào)節(jié)器電路5供應(yīng)偏置，電路電流減小，因此能實現(xiàn)效率提高。

之后，當(dāng)在間歇振蕩的開關(guān)操作停止時段(禁止高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的導(dǎo)通的時段)中輸出電容器10的電荷通過輸出電流Iout而放電時，輸出電壓Vout略微減小。當(dāng)反饋電壓FB與基準(zhǔn)電壓Vref之間的電勢差增大時，誤差放大信號COMP1增大，因此誤差信號COMP2也增大。

當(dāng)誤差信號COMP2達(dá)到閾值Vsk_Hi時，信號SKIP1通過輕負(fù)荷檢測比較器23從High切換成Low，信號SKIP2也從High切換成Low，并且閾值Vsk_Hi切換成閾值Vsk_Md。

此時，信號BIAS_ON從Low切換成High，使得偏置供應(yīng)到振蕩器1和調(diào)節(jié)器電路5，開始電路操作。此外，反相器18的輸出從Low切換成High，使得重啟開關(guān)操作。

之后，當(dāng)高側(cè)MOSFET 8的漏電流IDH和電流信號Vtrip達(dá)到誤差信號COMP2時，High的信號RESET從PWM比較器17輸入到SR觸發(fā)器2，因此高側(cè)MOSFET 8截止。此時，經(jīng)由第三AND電路274將信號RESET2供應(yīng)到單觸發(fā)電路275。

在單觸發(fā)電路275中，如圖6的時序圖中例示的，響應(yīng)于信號RESET2，在預(yù)定時段內(nèi)，信號Ripple_ON從Low切換成High。相應(yīng)地，由于開關(guān)276接通，恒定電流Irippe供應(yīng)到誤差放大器14的反相輸入端子，并且反饋電壓FB瞬間增大。此時，開關(guān)2713接通，濾波電路271的時間常數(shù)減小，衰減效應(yīng)減弱。

當(dāng)反饋電壓FB迅速增大時，與基準(zhǔn)電壓Vref的電壓差增大，誤差放大信號COMP1瞬間減小，誤差信號COMP2相應(yīng)地減小。

當(dāng)誤差信號COMP2減小并且達(dá)到閾值Vsk_Md時，輕負(fù)荷檢測比較器23再次將信號SKIP1從Low切換成High，以停止高側(cè)MOSFET 8的開關(guān)操作，并且將閾值從Vsk_Md切換成Vsk_Hi。

當(dāng)預(yù)定時段經(jīng)過之后信號Ripple_ON從High切換成Low時，開關(guān)276和開關(guān)2713斷開。此時，存在誤差放大信號COMP1中出現(xiàn)過沖(overshoot)并且輕負(fù)荷檢測比較器23將造成錯誤的檢測的可能性，但是開關(guān)2713斷開，因此增強了濾波電路271的衰減特性。相應(yīng)地，能防止誤差信號COMP2中出現(xiàn)過沖。

當(dāng)輸出電容器10的電荷通過輸出電流Iout放電時，輸出電壓Vout略微減小，誤差信號COMP2達(dá)到閾值Vsk_Hi，信號SKIP1從High切換成Low，信號BIAS_ON從Low切換成High。相應(yīng)地，開關(guān)25和開關(guān)26接通，重啟振蕩器1和調(diào)節(jié)器電路5的操作，從而重啟高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的開關(guān)操作。

通過重復(fù)上述操作序列執(zhí)行間歇振蕩操作，輸出電流Iout變得越低，間歇振蕩時段被控制變得越長。在間歇振蕩控制中允許高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21的導(dǎo)通的時段中，通過在高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通時間末尾將紋波暫時疊加在反饋電壓FB上，誤差信號COMP2迅速減小。相應(yīng)地，通過防止高側(cè)MOSFET 8連續(xù)執(zhí)行開關(guān)操作，能將每間歇振蕩時段的開關(guān)操作次數(shù)抑制到一次。

相應(yīng)地，因為可能減小電感器9中累積的能量的量，所以能夠防止間歇振蕩頻率過度降低并且防止當(dāng)陶瓷電容器用作輸出電容器10時生成的鳴音以及輸出電壓紋波的過度增大。

下面將描述輕負(fù)荷下間歇振蕩的第二控制時段(No_Load<Iout<<Iskip_in)中的操作。

通過在誤差信號COMP2達(dá)到閾值Vsk_Hi并且重啟開關(guān)操作的時刻將電流信號Vtrip與誤差信號COMP2進(jìn)行比較，確定間歇振蕩操作中高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH。也就是說，高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH基于閾值Vsk_Hi具有固定值。

這里，通過下式表示間歇振蕩操作中的開關(guān)頻率Fskip，其中L是電感器9的電感。

Fskip＝{2×Iout×Vout×(Vin-Vout)}/(L×IDH²×Vin)

在圖1中例示的開關(guān)電源裝置中，通過下頻率限制器28的功能控制開關(guān)頻率Fskip不等于或小于人類可聽頻帶的上限(16kHz)。

下頻率限制器28通過在驅(qū)動信號HSon處于High的時段中接通開關(guān)281而對電容器282迅速充電，并且通過當(dāng)驅(qū)動信號HSon切換成Low并且信號SKIP1切換成High時接通開關(guān)283而利用恒定電流Iflim使電容器282放電。當(dāng)電容器282的電勢達(dá)到基準(zhǔn)電壓Vflim時，比較器284的輸出信號Flim切換成Low，從AND電路285輸出的信號SKIP1b切換成Low。相應(yīng)地，信號SKIP2切換成Low，強制重啟開關(guān)操作。

通過重啟開關(guān)操作，向電感器9供應(yīng)過多能量，并且輸出電壓Vout略微增大，但是通過反饋控制而控制使誤差信號COMp2減小。通過比較誤差信號COMP2與電流信號Vtrip，高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH被控制為低于第一控制時段中的峰值電流IDH。通過此操作序列，甚至當(dāng)如圖7中例示的輸出電流Iout減小時，也能以高于可聽頻帶的上限的開關(guān)頻率執(zhí)行間歇振蕩控制。

最后，下面將描述從輕負(fù)荷狀態(tài)返回穩(wěn)定負(fù)荷狀態(tài)(Iout≥Iskip_out)的操作。

自從隨著輸出電流Iout的增加在間歇振蕩控制中開關(guān)元件的截止時段中輸出電壓Vout減小的時段，間歇振蕩控制中的開關(guān)時段縮短。然后，當(dāng)操作模式轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼衅麟娏鱅L的谷值電流等于或大于0A的連續(xù)模式時，過零信號ZERO固定為Low，因此SR觸發(fā)器2722處于重置狀態(tài)。

相應(yīng)地，開關(guān)2725接通，開關(guān)2723斷開，電容器2726的充電開始。當(dāng)電容器2726的電勢達(dá)到閾值Vtm_Hi時，比較器2727反轉(zhuǎn)，將信號SKIP-OK從High切換成Low，將閾值從Vtm_Hi切換成Vsk_Lo，并且輕負(fù)荷操作返回正常操作。

圖8是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的第一變形例的圖。除了向電流信號Vtrip添加偏移Voffset的偏移電路31布置在電流檢測電路30的輸出端子與PWM比較器17的正輸入端子之間以外，圖8中例示的開關(guān)電源裝置的電路構(gòu)造與圖1中例示的開關(guān)電源裝置相同。圖8中例示的開關(guān)電源裝置的操作與圖1中例示的開關(guān)電源裝置的操作的不同在于增加了間歇振蕩的第三控制。

在圖1中例示的開關(guān)電源裝置中，PWM比較器17通過將誤差信號COMP2與被添加偏移Voffset的電流信號Vtrip比較而控制高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度。

在第二控制中，高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度達(dá)到通過電路等的傳播延遲確定的最小導(dǎo)通寬度，高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度不可能再被進(jìn)一步減小，因此輸出電壓Vout略微增大。

在圖8中例示的開關(guān)電源裝置中，抑制輸出電流Iout非常小的超輕負(fù)荷狀態(tài)下的輸出電壓Vout的變化，以改進(jìn)負(fù)荷調(diào)節(jié)。

圖8中例示的開關(guān)電源裝置的第一控制操作和第二控制操作與圖1中例示的開關(guān)電源裝置相同，其描述將不重復(fù)。現(xiàn)在，將參照圖9-11描述輕負(fù)荷下間歇振蕩的第三控制狀態(tài)(Iout≈No_Load)中的操作。

在間歇振蕩的第二控制狀態(tài)中，通過根據(jù)輸出電流Iout控制高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度使得間歇振蕩頻率變得高于可聽頻帶的上限，控制高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH。在第二控制狀態(tài)中，當(dāng)高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度達(dá)到通過電路等的傳播延遲確定的最小導(dǎo)通寬度時，輸出電壓Vout略微增大，控制狀態(tài)切換成間歇振蕩的第三控制。

在第三控制中，執(zhí)行反饋控制以將輸出電壓Vout保持在恒定值并且誤差放大器14進(jìn)一步減小誤差放大信號COMP1。當(dāng)隨著誤差放大信號COMP1減小誤差信號COMP2變得等于或小于偏移Voffset時，PWM比較器17將輸入到SR觸發(fā)器2的信號RESET切換成High。相應(yīng)地，SR觸發(fā)器2不處于設(shè)置狀態(tài)，妨礙高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通。

之后，當(dāng)誤差信號COMP2大于偏移Voffset時，允許SR觸發(fā)器2的設(shè)置因此高側(cè)MOSFET 8導(dǎo)通。通過利用此重復(fù)控制禁止高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通的OFF時段，即使在接近無負(fù)荷的超輕負(fù)荷區(qū)域中也能保持輸出電壓Vout恒定(見圖11)。

在第三控制中，如圖10中例示的，開關(guān)頻率屬于可聽頻帶。然而，由于高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH被抑制得低，所以輸出紋波電壓低。相應(yīng)地，陶瓷電容器的反壓電效應(yīng)緩和，并且鳴音被抑制到非煩擾級別。

圖12是例示圖1中例示的開關(guān)電源裝置的第二變形例的圖。除了增加超輕負(fù)荷檢測電路29以外，圖12中例示的開關(guān)電源裝置具有與圖1中例示的開關(guān)電源裝置相同的構(gòu)造。圖12中例示的開關(guān)電源裝置的操作與圖1中例示的開關(guān)電源裝置的操作的不同在于增加了間歇振蕩的第三控制狀態(tài)。

超輕負(fù)荷檢測電路29包括：超輕負(fù)荷檢測比較器291，其中誤差信號COMP2輸入到其正輸入端子，閾值電壓Vextremly_Lo輸入到負(fù)輸入端子；以及AND電路292，被輸入從超輕負(fù)荷檢測比較器291輸出的SET禁止信號和從振蕩器1生成的脈沖信號SET。AND電路292的輸出信號輸入到SR觸發(fā)器2的設(shè)置端子S。

下面將參考圖13描述圖12中例示的開關(guān)電源裝置中的輕負(fù)荷下間歇振蕩的第三控制狀態(tài)(Iout≈No_Load)中的操作。

在間歇振蕩的第二控制中，通過根據(jù)輸出電流Iout控制高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度，使得間歇振蕩頻率變得高于可聽頻帶的上限，并且控制高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH。

在第二控制狀態(tài)中，當(dāng)高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通寬度達(dá)到通過電路等的傳播延遲確定的最小導(dǎo)通寬度時，輸出電壓Vout略微增大并且控制狀態(tài)切換到間歇振蕩的第三控制。

此時，執(zhí)行反饋控制以將輸出電壓Vout保持在恒定值，并且誤差放大器14進(jìn)一步減小誤差放大信號COMP1。當(dāng)隨著誤差放大信號COMP1的減小誤差信號COMP2變得等于或小于閾值電壓Vextremly_Lo時，超輕負(fù)荷檢測比較器291的輸出切換成Low，因此通過AND電路292防止SR觸發(fā)器2切換到設(shè)置狀態(tài)。相應(yīng)地，禁止高側(cè)MOSFET 8的導(dǎo)通操作。

之后，當(dāng)誤差信號COMP2大于閾值電壓Vextremly_Lo時，允許SR觸發(fā)器2的設(shè)置，因此高側(cè)MOSFET 8導(dǎo)通。通過利用此重復(fù)控制OFF時段，甚至在接近無負(fù)荷的超輕負(fù)荷中，也能保持輸出電壓Vout恒定。

在第三控制中，開關(guān)頻率屬于可聽頻帶。然而，由于高側(cè)MOSFET 8的峰值電流IDH被抑制得低，輸出紋波電壓低。相應(yīng)地，陶瓷電容器的反壓電效應(yīng)緩和并且鳴音被抑制到非煩擾級別。

應(yīng)該理解，上述實施方式在所有觀點方面是示例性的，而非限制性的。本發(fā)明的范圍不由以上描述限定，而由所附權(quán)利要求限定，并且在不脫離權(quán)利要求的等同概念和范圍的情況下包括所有變形。

例如，圖1中例示的開關(guān)電源裝置利用高側(cè)MOSFET 8和低側(cè)MOSFET 21轉(zhuǎn)換電壓，但是本發(fā)明可能以相同方式應(yīng)用于通過控制一個MOSFET的開關(guān)轉(zhuǎn)換電壓的開關(guān)電源裝置。

如上所述，在此說明書中公開了以下構(gòu)造。

公開的開關(guān)電源裝置是一種開關(guān)電源裝置，所述開關(guān)電源裝置將從輸入電源供應(yīng)的第一DC電壓轉(zhuǎn)換為第二DC電壓，并且通過導(dǎo)通和截止連接在所述輸入電源與電感器之間的開關(guān)元件而輸出所述第二DC電壓，所述開關(guān)電源裝置包括：驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元基于驅(qū)動信號驅(qū)動所述開關(guān)元件；控制單元，所述控制單元執(zhí)行交替重復(fù)禁止通過所述驅(qū)動單元導(dǎo)通所述開關(guān)元件的時段和允許通過所述驅(qū)動單元導(dǎo)通所述開關(guān)元件的時段的間歇振蕩控制；以及誤差信號生成器，所述誤差信號生成器基于對應(yīng)于所述第二DC電壓的電壓與基準(zhǔn)電壓之間的誤差生成誤差信號，其中，所述控制單元基于表示所述誤差信號與閾值之間的比較結(jié)果的信號和基于所述驅(qū)動信號的所述開關(guān)元件的截止時間，控制所述間歇振蕩控制中允許所述開關(guān)元件的導(dǎo)通的時刻。

在公開的開關(guān)電源裝置中，在基于所述驅(qū)動信號的所述開關(guān)元件的截止時間變?yōu)轭A(yù)定時間閾值并且所述間歇振蕩控制中所述誤差信號小于所述閾值的情況下，所述控制單元可允許所述開關(guān)元件的導(dǎo)通。

在公開的開關(guān)電源裝置中，所述控制單元可包括：電容器，所述電容器在所述驅(qū)動信號中包括的用于導(dǎo)通所述開關(guān)元件的ON信號的供應(yīng)時段中充電，并且在所述誤差信號小于所述閾值的狀態(tài)下通過電流源放電；以及比較器，所述比較器將所述電容器的電壓與放電基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，其中，在所述電容器的電壓通過所述電流源放電并且等于或低于所述放電基準(zhǔn)電壓的時段中，所述控制單元允許所述開關(guān)元件的導(dǎo)通，并且其中，通過所述電流源使在所述ON信號的供應(yīng)時段中充入的所述電容器的電壓放電至變?yōu)樗龇烹娀鶞?zhǔn)電壓所需的時間被設(shè)置為所述時間閾值。

在公開的開關(guān)電源裝置中，所述時間閾值可設(shè)置為使所述間歇振蕩控制中所述開關(guān)元件的最低開關(guān)頻率高于16kHz的值。

公開的開關(guān)電源裝置還可包括：振蕩器，所述振蕩器生成所述驅(qū)動信號；調(diào)節(jié)器電路，所述調(diào)節(jié)器電路驅(qū)動所述驅(qū)動單元；過零檢測電路，所述過零檢測電路檢測所述電感器的再生時段是否已經(jīng)終止；以及驅(qū)動停止單元，所述驅(qū)動停止單元在所述間歇振蕩控制中禁止所述開關(guān)元件的導(dǎo)通并且檢測到所述過零檢測電路已經(jīng)檢測到所述電感器的再生時段的時段中停止所述振蕩器和所述調(diào)節(jié)器電路中的至少一個。

公開的開關(guān)電源裝置還可包括：電流檢測電路，所述電流檢測電路檢測在所述開關(guān)元件中流動的電流并輸出檢測到的電流信號；偏移電路，所述偏移電路將偏移添加到從所述電流檢測電路輸出的所述電流信號；以及驅(qū)動信號生成器，所述驅(qū)動信號生成器基于從所述振蕩器供應(yīng)的脈沖信號和所述偏移電路的輸出信號與所述誤差信號之間的比較輸出來生成所述開關(guān)元件的所述驅(qū)動信號，其中，當(dāng)所述誤差信號等于或小于所述偏移時，驅(qū)動信號生成單元停止生成用于導(dǎo)通所述開關(guān)元件的所述驅(qū)動信號。

公開的開關(guān)電源裝置還可包括：電流檢測電路，所述電流檢測電路檢測在所述開關(guān)元件中流動的電流并輸出檢測到的電流信號；以及驅(qū)動信號生成器，所述驅(qū)動信號生成器基于從所述振蕩器供應(yīng)的脈沖信號和所述電流信號與所述誤差信號之間的比較輸出來生成所述開關(guān)元件的所述驅(qū)動信號，其中，當(dāng)所述誤差信號等于或小于第二閾值時，驅(qū)動信號生成單元停止生成用于導(dǎo)通所述開關(guān)元件的所述驅(qū)動信號。

在公開的開關(guān)電源裝置中，所述誤差信號生成單元可包括：誤差放大器，所述誤差放大器放大對應(yīng)于所述第二DC電壓的電壓與基準(zhǔn)電壓之間的誤差并輸出誤差放大信號；以及濾波電路，所述濾波電路用可變時間常數(shù)衰減所述誤差放大信號并輸出所述誤差信號，并且其中，所述開關(guān)電源裝置還包括：電流檢測電路，所述電流檢測電路檢測在所述開關(guān)元件中流動的電流并輸出檢測到的電流信號；驅(qū)動信號生成器，所述驅(qū)動信號生成器基于從所述振蕩器供應(yīng)的脈沖信號和所述電流信號與所述誤差信號之間的比較輸出來生成所述開關(guān)元件的所述驅(qū)動信號；以及電壓疊加電路，當(dāng)在所述控制單元執(zhí)行所述間歇振蕩控制的狀態(tài)下驅(qū)動信號生成單元生成用于將所述開關(guān)元件的導(dǎo)通狀態(tài)切換成截止?fàn)顟B(tài)的信號時，所述電壓疊加電路在所述誤差放大器的輸入端子上疊加電壓信號達(dá)預(yù)定時間。

在公開的開關(guān)電源裝置中，所述濾波電路可將在所述誤差放大器的所述輸入端子上疊加所述電壓信號的時段中所述濾波電路的時間常數(shù)設(shè)置為小于除了所述時段以外的時段中所述濾波電路的時間常數(shù)。

公開的開關(guān)電源裝置還可包括：比較器，所述比較器將所述誤差信號與閾值進(jìn)行比較，并輸出表示比較結(jié)果的信號；過零檢測電路，所述過零檢測電路檢測所述電感器的再生時段是否已經(jīng)終止；以及定時器電路，其中，當(dāng)從所述過零檢測電路輸出表示所述電感器的再生時段已經(jīng)終止的信號并且從所述比較器輸出表示所述誤差信號小于所述閾值的信號時，所述定時器電路在第一預(yù)定時間經(jīng)過之后允許由所述控制單元進(jìn)行所述間歇振蕩控制，并且其中，當(dāng)未從所述過零檢測電路輸出表示所述電感器的所述再生時段已經(jīng)終止的信號的時間達(dá)到第二預(yù)定時間時，所述定時器電路禁止由所述控制單元進(jìn)行所述間歇振蕩控制。