1.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括充電接口、充電電路、電池和負(fù)載器件，所述充電電路包括第一電壓調(diào)節(jié)模塊、控制模塊和晶體管；
所述控制模塊與所述晶體管的控制端連接，用于控制所述晶體管的開關(guān)狀態(tài)；
所述第一電壓調(diào)節(jié)模塊的輸入端與所述充電接口連接，所述第一電壓調(diào)節(jié)模塊的輸出端與所述電池連接，并與所述晶體管的第一端連接；
所述晶體管的第二端與所述電子設(shè)備的負(fù)載器件連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，
所述充電接口用于提供輸入電壓；
所述第一電壓調(diào)節(jié)模塊用于對(duì)所述輸入電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)后，為所述電池的輸入端提供充電電流，為所述電池充電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，
所述控制模塊用于檢測(cè)所述電池的電壓，當(dāng)所述電池的電壓大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，控制所述晶體管導(dǎo)通；
所述第一電壓調(diào)節(jié)模塊用于在所述充電接口提供輸入電壓時(shí)，為所述晶體管的第一端提供電流，所述晶體管的第二端用于為所述負(fù)載器件提供工作電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，
所述控制模塊用于檢測(cè)所述電池的電壓，當(dāng)所述電池的電壓大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，控制所述晶體管導(dǎo)通；
所述電池用于在所述充電接口未提供輸入電壓時(shí)，為所述晶體管的第一端提供電流，所述晶體管的第二端用于為所述負(fù)載器件提供工作電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備還包括第二電壓調(diào)節(jié)模塊，所述第二電壓調(diào)節(jié)模塊的輸入端與所述充電接口連接，所述第二電壓調(diào)節(jié)模塊的輸出端與所述負(fù)載器件連接；
所述充電接口用于為所述第二電壓調(diào)節(jié)模塊提供輸入電壓；
所述控制模塊用于檢測(cè)所述電池的電壓，當(dāng)確定所述電池的電壓不大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，控制所述晶體管斷開；
所述第二電壓調(diào)節(jié)模塊用于對(duì)所述輸入電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)后，為所述負(fù)載器件提供工作電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS或者互補(bǔ)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管CMOS。
7.一種充電方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備中，所述方法包括：
充電接口提供輸入電壓；
第一電壓調(diào)節(jié)模塊對(duì)所述輸入電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)后，為電池的輸入端提供充電電流，為所述電池充電。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
控制模塊檢測(cè)所述電池的電壓，當(dāng)所述電池的電壓大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，控制晶體管導(dǎo)通；
所述第一電壓調(diào)節(jié)模塊在所述充電接口提供所述輸入電壓時(shí)，為所述晶體管的第一端提供電流；
所述晶體管的第二端為負(fù)載器件提供工作電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
控制模塊檢測(cè)所述電池的電壓，當(dāng)所述電池的電壓大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，控制所述晶體管導(dǎo)通；
所述電池在所述充電接口未提供所述輸入電壓時(shí)，為所述晶體管的第一端提供電流；
所述晶體管的第二端為所述負(fù)載器件提供工作電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
所述充電接口為第二電壓調(diào)節(jié)模塊提供輸入電壓；
所述控制模塊檢測(cè)所述電池的電壓，當(dāng)確定所述電池的電壓不大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，控制所述晶體管斷開；
所述第二電壓調(diào)節(jié)模塊對(duì)所述輸入電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)后，為所述負(fù)載器件提供工作電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS或者互補(bǔ)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管CMOS。