本發(fā)明涉及抗干擾性改善的低電容驅(qū)動(dòng)，尤其涉及用低電容的電容器組對(duì)電源進(jìn)行平滑。具體地，適用于但決不限于，用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制的包括諸如逆變器驅(qū)動(dòng)器的DC鏈路的可變級(jí)驅(qū)動(dòng)的使用。
背景技術(shù)：
：在變速驅(qū)動(dòng)中，通常，電力電子器件對(duì)AC電源進(jìn)行整流以形成高電壓DC鏈路。使用具有PWM(脈寬調(diào)制)控制的逆變器輸出級(jí)來(lái)產(chǎn)生電壓和頻率的受控輸出。輸入電源頻率是固定的，比如說(shuō)50Hz/60Hz，但輸出可以被控制為從0Hz(DC)到幾百Hz+。通常，使用該輸出以與逆變器輸出處的頻率相關(guān)的速度來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)從而得到所謂變速。在變速驅(qū)動(dòng)中，對(duì)驅(qū)動(dòng)的DC鏈路進(jìn)行平滑的電解電容器組可以被替換為低電容薄膜電容器。這樣的系統(tǒng)將通常使用電容值為電解電容器組要求的電容值的3％-5％的薄膜電容值。薄膜電容器提供相對(duì)較高的紋波電流承載能力和工作電壓。并聯(lián)的電容器串可以被替換為小數(shù)量的并聯(lián)的薄膜電容器。從而實(shí)現(xiàn)更緊湊和成本有效的解決方案。相比電解設(shè)計(jì)而言，其很重要的優(yōu)勢(shì)在于交流線路中的傳導(dǎo)的諧波電流大幅度減少。限制線路諧波的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)在AC線路或DC鏈路中很少可以見(jiàn)到或者根本沒(méi)有額外的扼流圈?？傮w而言，這使得能夠低成本制造、減少系統(tǒng)占用以及減少必須進(jìn)行故障測(cè)試以滿(mǎn)足用于批準(zhǔn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的組件的數(shù)量。然而，由于包括對(duì)導(dǎo)致頻繁的欠電壓跳閘的市電電源的電涌和/或電源的下降或損失作出無(wú)法接受的響應(yīng)的原因，許多驅(qū)動(dòng)制造商已經(jīng)拋棄了這種方法。上述原因已經(jīng)導(dǎo)致了對(duì)較低的可靠性以及對(duì)使用低電容薄膜電容器的驅(qū)動(dòng)的性能的看法。圖1示出了以AC-DC-AC驅(qū)動(dòng)1的形式下的這樣的系統(tǒng)。在這個(gè)示例中，通過(guò)整流器11對(duì)可以包括三相AC電源的電源10進(jìn)行整流以產(chǎn)生DC鏈路12。如將要理解的，DC鏈路12包括為逆變器15提供電力的DC+線路13和DC-線路14。電力薄膜電容器16可以包括在DC+13和DC-14之間耦接的多個(gè)薄膜電容器。通常，對(duì)于低功率驅(qū)動(dòng)，電力薄膜電容器16針對(duì)幾千瓦的功率可以總體是低至幾微法拉(μF)的電容值，例如，針對(duì)高達(dá)約2.2kW的功率為約10μF。較大功率(10kW的功率)的驅(qū)動(dòng)可以包括總體值小于100μF的電力薄膜電容器。具有無(wú)扼流圈的電解電容器的類(lèi)似驅(qū)動(dòng)的電容值為毫法拉(mF)量級(jí)。二極管17的陽(yáng)極耦接至DC+13，并且二極管17的陰極耦接至電解電容器組18的正極側(cè)，電解電容器組18可以包括串聯(lián)和/或并聯(lián)布置的一個(gè)或更多個(gè)電解電容器。電容器組18的負(fù)極側(cè)耦接至DC-14。輔助電源19耦接至二極管17的陰極側(cè)，輔助電源19可以是開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)或者例如高壓線性穩(wěn)壓器。在圖1的布置中，在正常操作下，僅通過(guò)電力薄膜電容器16對(duì)流向逆變器15的電力進(jìn)行平滑。如所理解的，與電解電容器組相比，薄膜電容器具有非常高的紋波電流額定值，因此可以基于紋波電壓/動(dòng)態(tài)控制需求選擇更小的電容。如所理解的，對(duì)DC鏈路進(jìn)行平滑所需要的電容值直接與位于直流電源上的電壓紋波(通常為100Hz至300Hz)相關(guān)。在高載或過(guò)載的情況下，低電容驅(qū)動(dòng)(例如通過(guò)電力薄膜電容器16)將具有較高的紋波從而損失DC鏈路上的電壓。伏特的損失通常與較差的性能有關(guān)(并且相關(guān)聯(lián))。如果在三相電源中存在引起DC鏈路12上的尖峰信號(hào)或電涌的電涌，則該尖峰信號(hào)通過(guò)二極管傳導(dǎo)。電解電容器組18用于鉗位尖峰信號(hào)并向輔助電源19提供任意過(guò)剩的電力。關(guān)于圖1的布置，如果在電源10中存在下降、故障或損失事件，則即使該事件很短驅(qū)動(dòng)1也會(huì)跳閘并中斷操作。這樣的跳閘通常被認(rèn)為是被視為在驅(qū)動(dòng)1中缺乏可靠性的令人討厭的跳閘。因此，期望提供對(duì)這樣的令人討厭的跳閘具有降低的敏感度并且對(duì)電源波動(dòng)具有增強(qiáng)的抗干擾性的驅(qū)動(dòng)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)第一方面，提供了一種用于設(shè)備的電源電壓補(bǔ)償電路。從而提供了包括處理器的電源電壓補(bǔ)償電路，該處理器被布置成對(duì)指示輸入端上的電源電壓的信號(hào)進(jìn)行感測(cè)，其中，如果該信號(hào)指示電源電壓在預(yù)定閾值之下，則該處理器被布置成提供以下輸出信號(hào)，所述輸出信號(hào)被布置成耦合輔助能量源以提供對(duì)電源欠電壓的電壓補(bǔ)償。可選地，該電路中的處理器還被布置成：如果該信號(hào)指示電源電壓在預(yù)定閾值以上，則該處理器還被布置成提供輸出信號(hào)用于耦合路徑以吸收電涌。可選地，輔助能量源包括電容器組，并且可選地，該電容器組是電解電容器組。可選地，該電路還包括用于提供電源平滑的薄膜電容器組。可選地，該處理器與電源相隔離?？蛇x地，該電路還包括二極管，該二極管被布置成為電源電壓中的電涌提供放電路徑。可選地，該電路還包括MOSFET、IGBT、晶閘管和雙向開(kāi)關(guān)，用于耦接輔助能量源。可選地，該雙向開(kāi)關(guān)為電源欠電壓和/或過(guò)電壓提供補(bǔ)償?？蛇x地，該處理器被布置成在達(dá)到較低的欠電壓電源閾值之前檢測(cè)指示電源電壓在預(yù)定閾值以下的信號(hào)?？蛇x地，該處理器被布置成使得如果信號(hào)指示恢復(fù)至正常電源電壓，則該處理器就被布置成提供下述輸出信號(hào)：所述輸出信號(hào)被布置成將輔助能量源解耦以去除該電壓補(bǔ)償?？蛇x地，該電壓是DC鏈路電壓。根據(jù)第二方面，提供了一種用于設(shè)備的電源電壓補(bǔ)償方法。從而提供了包括以下步驟的電源電壓補(bǔ)償方法：對(duì)指示電源電壓的信號(hào)進(jìn)行感測(cè)的，其中，如果該信號(hào)指示電源電壓在預(yù)定閾值以下，則提供信號(hào)以耦合輔助能量源來(lái)提供對(duì)電源欠電壓的電壓補(bǔ)償。可選地，該方法還包括以下步驟：如果該信號(hào)指示電源電壓在預(yù)定閾值以上，則耦合路徑以吸收電涌?？蛇x地，在達(dá)到較低的欠電壓電源閾值之前進(jìn)行對(duì)指示電源電壓在預(yù)定閾值以下的信號(hào)檢測(cè)的步驟?？蛇x地，該方法還包括以下步驟：檢測(cè)所述信號(hào)指示恢復(fù)至正常電源電壓，并且提供被布置成將輔助能量源解耦以去除電壓補(bǔ)償?shù)妮敵鲂盘?hào)。根據(jù)第三方面，提供了一種包括指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，當(dāng)所述指令由處理器執(zhí)行時(shí)使該處理器實(shí)施根據(jù)上面的任何一種的方法。根據(jù)第四方面，提供了一種包括指令的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，當(dāng)所述指令由處理器執(zhí)行時(shí)使該處理器實(shí)施根據(jù)上面的任何一種的方法。在所有的方面中，優(yōu)選的和可選的特征在從屬權(quán)利要求中被限定。附圖說(shuō)明現(xiàn)在將參照附圖僅通過(guò)示例的方式來(lái)描述實(shí)施方式，在附圖中：圖1示出了包括薄膜電容器組和經(jīng)由二極管供電的輔助電解電容器組的公知的驅(qū)動(dòng)布置；圖2示出了根據(jù)實(shí)施方式的包括薄膜電容器組以及具有電力MOSFET開(kāi)關(guān)和連接兩個(gè)電容器組的二極管的輔助電解電容器組的驅(qū)動(dòng)布置；圖3示出了根據(jù)實(shí)施方式的包括薄膜電容器組以及具有晶閘管開(kāi)關(guān)和連接兩個(gè)電容器組的二極管的輔助電解電容器組的驅(qū)動(dòng)布置；圖4示出了如在圖1的現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)中將呈現(xiàn)的各種波形；以及圖5示出了根據(jù)實(shí)施方式的將呈現(xiàn)的各種波形；在附圖中，自始至終通過(guò)相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。具體實(shí)施方式通過(guò)控制在一個(gè)或多個(gè)電力薄膜電容器16與包括電解電容器組18和/或輔助電源19的輔助能量源之間的連接來(lái)對(duì)DC鏈路12進(jìn)行平滑，防止了不期望的令人討厭的跳閘以及其他的電源相關(guān)影響。因此，在電源10損失的情況下可以提供能量，從而避免了被視為令人討厭的跳閘或差的可靠性。通過(guò)將電力開(kāi)關(guān)與二極管17并聯(lián)來(lái)提供功能性。這使得電荷能夠從輔助電容器組18轉(zhuǎn)移以根據(jù)需要與較低電容值的薄膜電容器16共享，來(lái)支持DC鏈路12并且避免在電源損失的情況下的跳閘。因此實(shí)現(xiàn)DC鏈路12的電壓補(bǔ)償。轉(zhuǎn)向圖2，電力開(kāi)關(guān)器件23(例如N溝道功率MOSFET)與電涌二極管(surgediode)17并聯(lián)耦接并且也位于DC+連接13與電解電容器組18的正極側(cè)之間?？蛇x地，開(kāi)關(guān)器件23和電涌二極管17可以被放置在DC-連接14與電解電容器組18的負(fù)極側(cè)之間。相對(duì)于電力薄膜電容器16(相對(duì)于圖1描述)具有極大增加的電容或能量存儲(chǔ)能力的其他電容器技術(shù)可以被用于電容器組18，例如，聚合物電容器技術(shù)、鋰離子電容器技術(shù)、雙電層電容器技術(shù)、混合電容器技術(shù)、超級(jí)電容器技術(shù)可以被用在適當(dāng)?shù)牡胤健艠O驅(qū)動(dòng)器22被耦接至電力開(kāi)關(guān)器件23的柵極并且由控制器21控制，控制器21可以包括微控制器、微處理器或任意其他可編程裝置(例如FPGA或PLD)。在圖2的實(shí)施方式中，控制器21被引至DC母線并監(jiān)測(cè)用于指示DC+13和DC-14之間的DC鏈路電壓的信號(hào)Vsense24以檢測(cè)電源10的狀態(tài)?？刂破?1利用輸入端口來(lái)監(jiān)測(cè)Vsense24。輸入端口可以包括模擬輸入端口或ADC輸入端口。在圖2的實(shí)施方式中，在串聯(lián)耦接于DC+和DC-之間的兩個(gè)感測(cè)電阻器20之間的點(diǎn)處監(jiān)測(cè)DC鏈路電壓。由于控制器21被引至DC母線，因此在感測(cè)電阻器和控制器之間不需要隔離。通常，由于DC鏈路電壓降至欠電壓閾值以下而發(fā)生跳閘。該閾值被設(shè)置為遠(yuǎn)低于在正常操作期間所預(yù)期的點(diǎn)。在該閾值以下，驅(qū)動(dòng)輸出被禁用并且實(shí)施浪涌保護(hù)以限制由恢復(fù)電源(returningsupply)產(chǎn)生的電涌。在下面的表1中示出了參考的典型值：AC電源電壓典型DC鏈路電壓欠電壓閾值230320175400555330表1示出的感測(cè)電路是低成本的，如公知的，電壓反饋已被用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)從而可以用于提供指示DC鏈路電壓的信號(hào)，而不需要任何另外的諸如PCB不動(dòng)產(chǎn)的資源或附加的部件數(shù)?？商娲兀梢酝ㄟ^(guò)與DC母線隔離的微控制器(但是在隔離設(shè)置在傳感器、例如變壓器或線性隔離器中的情況下)來(lái)獲得指示DC鏈路電壓的信號(hào)。還可以通過(guò)監(jiān)測(cè)AC電源線路10的電壓和/或整流器11的電流(但是如將被理解的，隔離的復(fù)雜性和/或隔離的附加成本可能增加)來(lái)檢測(cè)電源10的缺乏。如將被理解的，為安全起見(jiàn)，可以通過(guò)在柵極驅(qū)動(dòng)器和電力開(kāi)關(guān)器件23(圖3的晶閘管)之間的光耦合器或其他隔離裝置，將控制器21和柵極驅(qū)動(dòng)器22與DC鏈路電壓相隔離?？商娲?，在控制器21、柵極驅(qū)動(dòng)器22和電力開(kāi)關(guān)器件23在DC鏈路電位處工作的情況下，控制器21可以被引至諸如DC-母線14的DC鏈路。控制器21可以直接驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O而不需要柵極驅(qū)動(dòng)器22。Vsense信號(hào)24應(yīng)該能夠通過(guò)足夠快的響應(yīng)時(shí)間來(lái)追蹤在DC鏈路電壓12中的故障，使得正在監(jiān)測(cè)的存在于DC鏈路上的故障是明顯的。通常，通過(guò)足以保護(hù)DC鏈路電壓并為其提供補(bǔ)償?shù)倪m當(dāng)?shù)捻憫?yīng)時(shí)間以至少幾kHz數(shù)量級(jí)的速率來(lái)監(jiān)測(cè)Vsense信號(hào)。例如，感測(cè)電阻器網(wǎng)絡(luò)20可以包括一個(gè)或多個(gè)分流電阻器以劃分DC鏈路的高壓從而產(chǎn)生DC鏈路電壓的比例表示。耦接至DC+13的電阻器通常會(huì)在幾百kΩ至MΩ的量級(jí)，耦接至DC-14的電阻器在幾kΩ的量級(jí)，以在所使用的控制器21輸入端口的限制內(nèi)按比例縮放Vsense信號(hào)以檢測(cè)所預(yù)期的最大DC鏈路電壓。如果控制器21檢測(cè)到指示導(dǎo)致DC鏈路12的電壓減小的下降、損失或其他故障的Vsense信號(hào)，則控制器21能夠向柵極驅(qū)動(dòng)器22提供信號(hào)以使得在DC鏈路減小的時(shí)間內(nèi)電力開(kāi)關(guān)器件23被接通(關(guān)閉)，從而可以通過(guò)將輔助能量源耦接至主電容器組16的方式由電解電容器組18和/或輔助電源19(輔助能量源)來(lái)提供輔助能量(電荷)?？刂破?1繼續(xù)監(jiān)測(cè)Vsense信號(hào)24，并且當(dāng)控制器檢測(cè)到Vsense信號(hào)指示恢復(fù)至正常DC鏈路電壓時(shí)，控制器能夠向柵極驅(qū)動(dòng)器22提供信號(hào)以使得電力開(kāi)關(guān)器件23被斷開(kāi)(打開(kāi))，從而將輔助能量源與主電容器組16解耦。因此，DC鏈路電壓被補(bǔ)償并在公差范圍內(nèi)。從而DC鏈路電壓被保持為足夠高且足夠長(zhǎng)以保持生產(chǎn)運(yùn)行并且避免令人討厭的跳閘。通常，存在以下閾值：如果電壓降至該電壓閾值以下，則驅(qū)動(dòng)將停止和/或跳閘(見(jiàn)圖4和表1)。為了繼續(xù)運(yùn)行，不必對(duì)DC鏈路進(jìn)行特別的平滑但DC鏈路應(yīng)保持在電壓閾值(“欠電壓”鎖定閾值)以上。一旦已經(jīng)發(fā)生補(bǔ)償，則電容器組18將被放電到某種程度。如將被理解的，經(jīng)由整流器11由源自電源10的DC鏈路電壓12(DC+13，DC-14)對(duì)電容器組進(jìn)行充電。不依賴(lài)于電涌二極管17(其可以是N溝道MOSFET的寄生二極管)，在用與晶閘管30相反布置(極性)的第二晶閘管替換圖3的電涌二極管17的替代實(shí)施方式中，如果Vsense信號(hào)指示DC鏈路12中存在尖峰，則控制器21可以向柵極驅(qū)動(dòng)器22提供信號(hào)以使得在尖峰期間第二晶閘管被接通(關(guān)閉)，從而可以通過(guò)電解電容器組18和/或輔助電源19來(lái)吸收過(guò)剩的能量(電荷)。因此，DC鏈路電壓保持在公差范圍內(nèi)。在替代實(shí)施方式中，可以使用雙向開(kāi)關(guān)而不是使用上述實(shí)施方式的兩個(gè)晶閘管。在這樣的實(shí)施方式中，為輔助電源19提供附加電流源。這可以由例如與開(kāi)關(guān)并聯(lián)的電阻器來(lái)提供。在存在二極管17(其可以是寄生的)的實(shí)施方式中，可選擇地為輔助電源19提供附加電流源。轉(zhuǎn)至圖4，示出了如在圖1的現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)中將呈現(xiàn)的各種波形。供電電源10的三相中的一個(gè)相被示為具有通常可以有多達(dá)5至10個(gè)市電周期的下沉或低電壓供電階段40。因此，通常在500V至600V附近的DC鏈路電壓(DC+13相對(duì)于DC-14)經(jīng)受相應(yīng)的低的時(shí)期(波形41)?？梢栽趶漠?dāng)DC鏈路電壓最初開(kāi)始下降時(shí)開(kāi)始小于1ms的點(diǎn)42處，在約330V處會(huì)跳閘發(fā)生。在這一點(diǎn)處，驅(qū)動(dòng)不再起作用，并且逆變器15不產(chǎn)生輸出(波形43的低電平時(shí)期44表示逆變器15無(wú)輸出)。這樣的逆變器輸出的損失將被認(rèn)為是令人討厭的跳閘以及被視為存在問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)缺乏可靠性并且質(zhì)量差。圖5示出了本公開(kāi)的實(shí)施方式的情形。為了比較，圖5的波形與圖4的波形在時(shí)間上一致。在圖5中，在點(diǎn)51處通過(guò)控制器21在Vsense信號(hào)24上檢測(cè)到DC鏈路電壓的下降足以避免如前所討論的令人討厭的跳閘之后的時(shí)刻，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)22被設(shè)置為如波形52中所示，以允許電解電容器組18和/或輔助電源19向主電容器組16提供電荷，進(jìn)而向DC鏈路電壓提供電壓平滑(補(bǔ)償)(波形50)并且避免令人討厭的跳閘。逆變器15保持運(yùn)行，并且故障或電源10的低電平對(duì)逆變器是不明顯的，如波形53所示，高電平表示逆變器15始終保持運(yùn)行。另外，通過(guò)這樣的電壓補(bǔ)償，驅(qū)動(dòng)作為整體可以對(duì)DC鏈路事件作出響應(yīng)并回退負(fù)載，以避免DC鏈路電壓的進(jìn)一步下降，或者如將被理解的除本文所描述的電壓補(bǔ)償方案之外從發(fā)動(dòng)機(jī)負(fù)載中得到能量?？刂破?1可以是不參與逆變器驅(qū)動(dòng)器的其他活動(dòng)的單獨(dú)的控制器，或者也可以參與為逆變器提供使逆變器15工作的控制信號(hào)?；谥T如所需要的最小DC鏈路電壓和/或針對(duì)維持操作所能夠容忍的電壓下降、損失或其他故障的持續(xù)時(shí)間的應(yīng)用要求，可以控制與任何故障相關(guān)的在Vsense信號(hào)上檢測(cè)到的電力開(kāi)關(guān)器件23的切換的點(diǎn)。在其他實(shí)施方式中，電力MOSFET23可以由晶閘管(圖3)或者諸如IGBT的其他電力開(kāi)關(guān)器件或者其他雙向開(kāi)關(guān)裝置來(lái)替換。電力開(kāi)關(guān)裝置的選擇可以受尺寸、成本以及魯棒性的影響。例如，由于成本和尺寸的原因可以選擇MOSFET23，MOSFET通常適用于其中輔助電容器組小的小型低功率的產(chǎn)品。相反地，晶閘管是非常耐用的裝置，并且能夠控制在開(kāi)關(guān)器件發(fā)生破壞之前對(duì)較大的輔助電容器組放電時(shí)所看到的相關(guān)聯(lián)的電涌或I2t。以上所公開(kāi)的系統(tǒng)的益處包括基于差的電源的驅(qū)動(dòng)來(lái)降低對(duì)薄膜電容器的尖峰或下降的敏感度。與包括公知的基于電解的解決方案相比還實(shí)現(xiàn)了以下的附加益處：由于較小的或沒(méi)有內(nèi)部扼流圈而減小了尺寸和成本。取消或降低了對(duì)降低機(jī)柜空間和系統(tǒng)成本的外部線路扼流圈的要求。針對(duì)需要低諧波的應(yīng)用的更緊湊且較低成本的系統(tǒng)解決方案。通常，由于與電涌和/或令人討厭的跳閘相關(guān)的低性能，在嘈雜環(huán)境中不推薦低電容驅(qū)動(dòng)。所公開(kāi)的技術(shù)解決了這些問(wèn)題。避免了被視為是缺乏可靠性的令人討厭的跳閘。降低了電源狀態(tài)的脆弱性。上述的各種實(shí)施方式可以通過(guò)計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)。該計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以包括計(jì)算機(jī)代碼，其被布置為指示計(jì)算機(jī)(處理器)執(zhí)行上述各種方法中一種或更多種方法的功能。用于執(zhí)行這樣的實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)程序和/或代碼可以被提供至在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品上的設(shè)備，例如計(jì)算機(jī)(處理器)。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是暫態(tài)的或非暫態(tài)的。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是例如電子的、磁性的、光學(xué)的、電磁的、紅外線的或半導(dǎo)體的系統(tǒng)，或者是用于數(shù)據(jù)傳輸(例如用于經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)下載代碼)的傳播介質(zhì)?？商娲兀?jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以采用物理的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的形式，例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器或固態(tài)存儲(chǔ)器、磁帶、可移動(dòng)的計(jì)算機(jī)軟盤(pán)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、剛性磁盤(pán)以及諸如CD-ROM、CD-R/W或DVD的光盤(pán)。例如計(jì)算機(jī)的一種設(shè)備可以被配置成根據(jù)這樣的代碼來(lái)執(zhí)行根據(jù)本文所討論的各種實(shí)施方式的一個(gè)或更多個(gè)處理。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3