本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及直流電動(dòng)絞磨機(jī)。

背景技術(shù)：

機(jī)動(dòng)絞磨機(jī)是電力野外施工重要的工器具之一，在實(shí)際使用過(guò)程中，機(jī)動(dòng)絞磨機(jī)都存在體積偏大、質(zhì)量重、野外搬運(yùn)困難的問(wèn)題，因而未在輸電線路野外檢修中得到廣泛的使用。相對(duì)而言，直流電動(dòng)絞磨機(jī)是一種體積小、重量輕的起重裝置，但其難點(diǎn)在于大功率直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)及電機(jī)保護(hù)。直流電動(dòng)絞磨機(jī)作為起重設(shè)備，如果起吊重量超過(guò)其額定重量會(huì)出現(xiàn)電機(jī)堵轉(zhuǎn)的情況，電機(jī)在堵轉(zhuǎn)時(shí)會(huì)出現(xiàn)較大的電流。如果不采取電機(jī)驅(qū)動(dòng)保護(hù)措施，可能燒斷電源系統(tǒng)保險(xiǎn)，這樣整套設(shè)備就無(wú)法操作控制。因此需要對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行保護(hù)設(shè)計(jì)，在出現(xiàn)誤操作時(shí)控制驅(qū)動(dòng)電路自動(dòng)保護(hù)電機(jī)。

常見(jiàn)的繼電器控制直流電機(jī)正、反轉(zhuǎn)的方案，因繼電器觸點(diǎn)機(jī)械動(dòng)作速度慢，無(wú)法滿足快速控制的需求，在使用過(guò)程中通常會(huì)出現(xiàn)觸點(diǎn)因瞬間大電流而燒壞，導(dǎo)致無(wú)法動(dòng)作的情況。而專用集成電路構(gòu)成的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器因輸出功率有限，也不適合大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路無(wú)法在電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)保護(hù)因而不適于直流電動(dòng)絞磨機(jī)的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及直流電動(dòng)絞磨機(jī)。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括H橋驅(qū)動(dòng)單元和主控單元，H橋驅(qū)動(dòng)單元包括左上臂和右下臂 的開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的左上右下驅(qū)動(dòng)支路，以及右上臂和左下臂的開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的左下右上驅(qū)動(dòng)支路，所述主控單元發(fā)送開(kāi)關(guān)信號(hào)控制所述H橋驅(qū)動(dòng)單元的開(kāi)關(guān)元件通斷；其中左上臂和右上臂的開(kāi)關(guān)元件均采用多個(gè)PMOS管并聯(lián)而成，左下臂和右下臂的開(kāi)關(guān)元件均采用多個(gè)NMOS管并聯(lián)而成。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述H橋驅(qū)動(dòng)單元的左上臂與右上臂結(jié)構(gòu)相同，其中左上臂中每個(gè)PMOS管的源極連接至電源輸入端，每個(gè)PMOS管的漏極連接第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端，每個(gè)PMOS管的柵極連接至左上臂信號(hào)控制端。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述H橋驅(qū)動(dòng)單元的左下臂與右下臂結(jié)構(gòu)相同，其中左下臂中每個(gè)NMOS管的漏極連接至第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端，每個(gè)NMOS管的柵極通過(guò)各自的第一電阻元件連接各自的源極并接公共端，每個(gè)NMOS管的柵極還通過(guò)各自的第二電阻元件連接至左下臂信號(hào)控制端。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述第二電阻元件為二極管，該二極管的陽(yáng)極與各自NMOS管的柵極連接，陰極連接至左下臂信號(hào)控制端。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述第二電阻元件的阻值為能夠防止各自NMOS管的寄生振蕩且滿足開(kāi)關(guān)速度的取值。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，其中左上臂和右上臂的開(kāi)關(guān)元件均采用三個(gè)PMOS管并聯(lián)而成，左下臂和右下臂的開(kāi)關(guān)元件均采用三個(gè)NMOS管并聯(lián)而成。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路還包括與所述H橋驅(qū)動(dòng)單元連接的檢測(cè)單元，用于采樣電機(jī)電流并發(fā)送給所述主控單元，所述主控單元在檢測(cè)電機(jī)電流異常時(shí)產(chǎn)生報(bào)警信號(hào)并控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述主控單元在采樣的電機(jī)電流異常時(shí)，產(chǎn)生預(yù)警信號(hào)，并提高采樣速率，進(jìn)一步判斷電機(jī)電流異常時(shí)產(chǎn)生報(bào)警信號(hào)。

在根據(jù)本發(fā)明所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，所述檢測(cè)單元包括：采樣電阻、信號(hào)放大器、濾波電阻和濾波電容，所述采樣電阻連接在所述H橋驅(qū)動(dòng)單元的公共端與地之間，所述信號(hào)放大器的輸入端并聯(lián)在所述采樣電阻兩端，所述信號(hào)放大器的輸出端通過(guò)濾波電阻和濾波電容進(jìn)行RC濾波后將采樣信號(hào)發(fā)送給所述主控單元。

本發(fā)明還提供了一種直流電動(dòng)絞磨機(jī)，包括如前所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。

實(shí)施本發(fā)明的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及直流電動(dòng)絞磨機(jī)，具有以下有益效果：本發(fā)明通過(guò)上下橋臂分別采用PMOS管和NMOS管構(gòu)成H橋驅(qū)動(dòng)單元，其效率高且電路簡(jiǎn)單，并且通過(guò)多個(gè)MOS管并聯(lián)分流，使其可應(yīng)用在大功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，尤其適用于直流電動(dòng)絞磨機(jī)，能夠在起吊重量超過(guò)其額定重量時(shí)避免大電流對(duì)器件的損壞。

附圖說(shuō)明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中：

圖1a為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路采用的H橋驅(qū)動(dòng)單元的電路連接圖；圖1b和1c為現(xiàn)有技術(shù)中另外兩種H橋驅(qū)動(dòng)單元的電路連接圖；

圖2所示為規(guī)格化的MOS管阻抗的溫度曲線圖；

圖3為本發(fā)明中使用三顆N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)的電路圖；

圖4a和4b分別為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的左側(cè)橋臂和右側(cè)橋臂的電路圖；

圖5為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中檢測(cè)單元的電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

本發(fā)明提供的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，至少包括H橋驅(qū)動(dòng)單元和主控單元。本發(fā)明主要采用H橋驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)，尤其在大功率直流電機(jī)應(yīng)用場(chǎng)合。目前直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)方式主要有兩種形式：線性驅(qū)動(dòng)方式和開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)方式。其中線性驅(qū)動(dòng)方式可以看成一個(gè)數(shù)控電壓源。該線性驅(qū)動(dòng)方式的優(yōu)點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的力矩紋波很小，可應(yīng)用于對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速要求非常高的場(chǎng)合。該線性驅(qū)動(dòng)方式的缺點(diǎn)電路通常比較復(fù)雜，成本較高，尤其在需要提高驅(qū)動(dòng)功率時(shí)，相應(yīng)的電路成本將大幅度提升。而本發(fā)明中使用的是H橋驅(qū)動(dòng)電路是一種開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)方式，其與線性驅(qū)動(dòng)方式不同，其電路中的晶體管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。當(dāng)器件導(dǎo)通時(shí)，器件工作的電流很大但壓降很小，因此這種驅(qū)動(dòng)方式功耗小、效率高且電路相對(duì)簡(jiǎn)單。

如圖1a為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路采用的H橋驅(qū)動(dòng)單元的電路連接圖。圖1b和1c為現(xiàn)有技術(shù)中另外兩種H橋驅(qū)動(dòng)單元的電路連接圖。本發(fā)明中H橋驅(qū)動(dòng)單元包括左上臂和右下臂的開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的左上右下驅(qū)動(dòng)支路，以及右上臂和左下臂的開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的左下右上驅(qū)動(dòng)支路，主控單元發(fā)送開(kāi)關(guān)信號(hào)控制H橋驅(qū)動(dòng)單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通和截止。如圖所示，H橋驅(qū)動(dòng)單元為左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu)，就左側(cè)橋臂而言，左上臂的開(kāi)關(guān)元件Q1和左下臂的開(kāi)關(guān)元件Q3串聯(lián)在電源輸入端VCC和公共端之間，其對(duì)應(yīng)的源極和漏極互連并設(shè)置該節(jié)點(diǎn)為第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端M1，左上臂的開(kāi)關(guān)元件Q1和左下臂的開(kāi)關(guān)元件Q3的柵極分別由主控單元發(fā)出的第一開(kāi)關(guān)信號(hào)K1和第二開(kāi)關(guān)信號(hào)K2控制。同樣，右側(cè)橋臂的結(jié)構(gòu)與之相同，其右上臂的開(kāi)關(guān)元件Q2和右下臂的開(kāi)關(guān)元件Q4的柵極分別由主控單元發(fā)出的第三開(kāi)關(guān)信號(hào)K3和第四開(kāi)關(guān)信號(hào)K4控制，且兩者的源極和漏極互連并設(shè)置該節(jié)點(diǎn)為第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端M2。電機(jī)M通過(guò)第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端M1和第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端M2控制其正轉(zhuǎn)或者反轉(zhuǎn)。

如圖1a所示，本發(fā)明采用的H橋驅(qū)動(dòng)單元中，H橋的上下橋臂分別使用P溝道增強(qiáng)型MOS管(即PMOS管)和N溝道增強(qiáng)型MOS管(即NMOS管)。圖1b中H橋的4個(gè)橋臂均使用N溝道增強(qiáng)型MOS管；圖1c中H橋的4個(gè)橋臂均使用P溝道增強(qiáng)型MOS管。圖1b中如果使電機(jī)M正轉(zhuǎn)，MOS管Q1 和MOS管Q4應(yīng)該導(dǎo)通，因此第四開(kāi)關(guān)信號(hào)K4的電壓應(yīng)該高于MOS管Q4的源極電壓，第一開(kāi)關(guān)信號(hào)K1電壓應(yīng)該高于MOS管Q1的源極電壓，由于MOS管Q1的源極電壓近似等于VCC，因此就要求第一開(kāi)關(guān)信號(hào)K1的電壓必須大于VCC+V_GS。其中V_GS為MOS管的柵極和源極電壓差。由于大多電機(jī)的源直接來(lái)至VCC，想得到比VCC更高的電位就必須升壓，而升壓電路比降壓電路轉(zhuǎn)換效率通常會(huì)低，因些圖1b電路的H橋連接方式效率低不適用于本發(fā)明。圖1c中為了使MOS管Q3和MOS管Q4良好的導(dǎo)通，則必須得使用柵極電壓低于-V_GS，這樣電路控制電壓得使用負(fù)壓，負(fù)壓往往也需要升壓DC/DC得到，這樣電源轉(zhuǎn)換效率也相對(duì)較低，電源電路也相對(duì)較復(fù)雜。與前述兩種方式相比，本發(fā)明使用的圖1a所示的H橋連接方式，該電路結(jié)合了上述兩種電路的各自的優(yōu)點(diǎn)，使用方便。

因此，本發(fā)明在圖1a的基礎(chǔ)上進(jìn)行直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，為了應(yīng)用在大功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，將H橋的各個(gè)橋臂上的開(kāi)關(guān)元件均通過(guò)多顆MOS管并聯(lián)起來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明中左上臂的開(kāi)關(guān)元件Q1和右上臂的開(kāi)關(guān)元件Q2均采用多個(gè)PMOS管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)，左下臂的開(kāi)關(guān)元件Q3和右下臂的開(kāi)關(guān)元件Q4均采用多個(gè)NMOS管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)。這是因?yàn)樵诖蠊β黍?qū)動(dòng)實(shí)際應(yīng)用中，單顆MOS管提供不了需要的大電流，當(dāng)將多顆MOS管并聯(lián)起來(lái)應(yīng)用時(shí)，大電流可以由多顆MOS管來(lái)分擔(dān)，單顆MOS管承擔(dān)的電流相對(duì)較小，確保了器件安全穩(wěn)定地工作。但是如果應(yīng)用不當(dāng)，也會(huì)使多顆并聯(lián)的MOS管電流不均衡，甚至損壞某顆MOS管使系統(tǒng)崩潰。

本發(fā)明預(yù)先對(duì)MOS管并聯(lián)的可行性進(jìn)行了分析，如圖2所示，為規(guī)格化的MOS管阻抗的溫度曲線圖。其中根據(jù)MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性為內(nèi)阻隨溫度的升高而增大，如果在并聯(lián)過(guò)程中由于某種原因，比如RDSON比較低或者電流路徑比較短等，導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高較多，電流就會(huì)降下來(lái)，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性因而易于并聯(lián)。

MOS管理論上可以由N顆并聯(lián)，但是實(shí)際上MOS管并聯(lián)過(guò)多容易引起走線過(guò)長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。因此，本 發(fā)明每個(gè)橋臂上優(yōu)選采用三顆MOS管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)。

請(qǐng)參閱圖3，為本發(fā)明中使用三顆N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)的電路圖。如圖所示，左下臂開(kāi)關(guān)元件MOS管Q3可以采用3顆NMOS管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)，如NMOS管Q31、NMOS管Q32和NMOS管Q33。其中，每個(gè)NMOS管的漏極連接在一起作為左下臂開(kāi)關(guān)元件Q3的漏極D。每個(gè)NMOS管的柵極通過(guò)各自的第一電阻元件連接各自的源極并接公共端，作為左下臂開(kāi)關(guān)元件Q3的源極S，如通過(guò)電阻R12、電阻R14和電阻R16接公共端。每個(gè)NMOS管的柵極還通過(guò)各自的第二電阻元件連接在一起作為左下臂開(kāi)關(guān)元件Q3的柵極G，如通過(guò)電阻R11、電阻R13和電阻R15。H橋驅(qū)動(dòng)單元的右下臂與右下臂結(jié)構(gòu)相同。

圖3中第二電阻元件，如電阻R11、電阻R13和電阻R15為柵極極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)NMOS管都由獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)電阻隔離驅(qū)動(dòng)，主要是可以防止各個(gè)NMOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。柵極極驅(qū)動(dòng)電阻的取值十分關(guān)鍵，最值過(guò)小就起不到防止各個(gè)NMOS管的寄生振蕩的作用。如果取值過(guò)大，開(kāi)關(guān)速度會(huì)變慢；并且由于每個(gè)NMOS管的結(jié)電容會(huì)有細(xì)微的不同，結(jié)果取值過(guò)大還會(huì)導(dǎo)致各個(gè)NMOS管的導(dǎo)通速度相差比較大。所以第二電阻元件即柵極極驅(qū)動(dòng)電阻的阻值為能夠防止各自NMOS管的寄生振蕩且滿足開(kāi)關(guān)速度的取值。同時(shí)，在滿足上述兩個(gè)條件的情況下第二電阻元件盡可能取小的阻值，以避免各個(gè)NMOS管的導(dǎo)通速度差異。

請(qǐng)參閱圖4a和4b，分別為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的左側(cè)橋臂和右側(cè)橋臂的電路圖。如圖4a和4b所示，H橋驅(qū)動(dòng)單元的左下臂與右下臂結(jié)構(gòu)相同，左下臂與右下臂結(jié)構(gòu)相同。其中，左上臂開(kāi)關(guān)元件可以采用3顆PMOS管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)，如PMOS管Q11、PMOS管Q12和PMOS管Q13。其中，每個(gè)PMOS管的源極連接至電源輸入端VCC，每個(gè)PMOS管的漏極連接至第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出端M1，每個(gè)PMOS管的柵極連接至左上臂信號(hào)控制端MOT_C1接收第一開(kāi)關(guān)信號(hào)K1。右上臂開(kāi)關(guān)元件如PMOS管Q21、PMOS管Q22和PMOS管Q23的柵極連接至左上臂信號(hào)控制端MOT_C2接收第三開(kāi)關(guān)信號(hào)K3。

H橋驅(qū)動(dòng)單元的左下臂與右下臂的結(jié)構(gòu)則與圖3中NMOS管的并聯(lián)電路相似，區(qū)別在于第二電阻元件采用二極管實(shí)現(xiàn)，如左下臂中二極管D1、二極管D2和二極管D3，右下臂中二極管D4、二極管D5和二極管D6，這些二極管的陽(yáng)極與各自NMOS管的柵極連接，陰極連接至各橋臂信號(hào)控制端。并且，左下臂開(kāi)關(guān)元件NMOS管Q31、NMOS管Q32和NMOS管Q33的柵極通過(guò)各自的第二電阻元件連接至左下臂信號(hào)控制端PWM1接收第二開(kāi)關(guān)信號(hào)K2。右下臂開(kāi)關(guān)元件NMOS管Q41、NMOS管Q42和NMOS管Q43的柵極通過(guò)各自的第二電阻元件連接至右下臂信號(hào)控制端PWM2接收第四開(kāi)關(guān)信號(hào)K4。

本發(fā)明采用多個(gè)MOS管并聯(lián)構(gòu)成的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路能夠應(yīng)用在大功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，尤其是直流電動(dòng)絞磨機(jī)。如果直流電動(dòng)絞磨機(jī)起吊重量超過(guò)其額定重量時(shí)，會(huì)發(fā)生電機(jī)堵轉(zhuǎn)，此時(shí)會(huì)出現(xiàn)瞬間大電流，而采用多個(gè)MOS管并聯(lián)的方案可以有效地進(jìn)行分流，避免器件損壞。

本發(fā)明還可以對(duì)電機(jī)運(yùn)行異常進(jìn)行保護(hù)。電機(jī)運(yùn)行時(shí)通常出現(xiàn)超出額定負(fù)載的情況，如果電機(jī)長(zhǎng)時(shí)間工作在超負(fù)荷的情況下，可能會(huì)出現(xiàn)各種故障，因此為保護(hù)電機(jī)和驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明需要對(duì)電機(jī)運(yùn)行異常進(jìn)行保護(hù)。本發(fā)明的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路還包括與前述H橋驅(qū)動(dòng)單元連接的檢測(cè)單元，用于采樣電機(jī)電流并發(fā)送給主控單元，主控單元在檢測(cè)到電機(jī)電流異常時(shí)產(chǎn)生報(bào)警信號(hào)并控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。

請(qǐng)參閱圖5，為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中檢測(cè)單元的電路圖。圖5中示出了H橋驅(qū)動(dòng)單元10和檢測(cè)單元20，為簡(jiǎn)化目的H橋驅(qū)動(dòng)單元10中僅用一個(gè)MOS管符號(hào)表示多個(gè)并聯(lián)的MOS管。檢測(cè)單元20至少包括：采樣電阻R5、信號(hào)放大器U1、濾波電容C2和濾波電阻R6，其中采樣電阻R5連接在H橋驅(qū)動(dòng)單元10的公共端與地之間。信號(hào)放大器可以采用型號(hào)為MAX4372-T的芯片實(shí)現(xiàn)，信號(hào)放大器U1的輸入端RS+和RS-并聯(lián)在采樣電阻R5兩端。信號(hào)放大器U1的輸出端OUT通過(guò)濾波電容C2和濾波電阻R6進(jìn)行RC濾波后將采樣信號(hào)發(fā)送給主控單元。其中，濾波電阻R6連接在信號(hào)放大器U1的輸出端OUT與采樣信號(hào)輸出端ADSI之間，濾波電容C2連接在采樣信號(hào)輸出端ADSI與地之間。檢測(cè)單元20還包括穩(wěn)壓二極管 D4和電容C1。

在實(shí)際應(yīng)用中，為降低采樣電阻R5上的發(fā)熱，一般提高信號(hào)放大器U1放大倍數(shù)，選擇阻值較小的采樣電阻R5。為使測(cè)量準(zhǔn)確，首先電源的紋波要盡量的小，線路板電源電路部分布線一定要注意。同時(shí)在測(cè)量算法上也很重要。在實(shí)際應(yīng)用中，一旦主控單元在采樣的電機(jī)電流異常時(shí)，可以產(chǎn)生預(yù)警信號(hào)，并提高采樣速率，進(jìn)一步判斷電機(jī)電流是否異常，如果異常時(shí)產(chǎn)生報(bào)警信號(hào)。主控單元在產(chǎn)生報(bào)警信號(hào)后通過(guò)發(fā)送開(kāi)關(guān)信號(hào)給H橋驅(qū)動(dòng)單元10，控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)來(lái)對(duì)電機(jī)進(jìn)行保護(hù)。

本發(fā)明還提供了一種直流電動(dòng)絞磨機(jī)，其包括如前所述的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。使用本發(fā)明的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路制成的直流電動(dòng)絞磨機(jī)，能夠適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)合，在起吊重量超過(guò)其額定重量時(shí)，可以通過(guò)多個(gè)MOS管并聯(lián)來(lái)增大電路的可承受電流，并通過(guò)檢測(cè)單元進(jìn)行異常保護(hù)。

綜上所述，本發(fā)明提供的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及直流電動(dòng)絞磨機(jī)，能夠提高驅(qū)動(dòng)輸出功率并對(duì)電路穩(wěn)定運(yùn)行進(jìn)行保護(hù)。在實(shí)際運(yùn)用中，本發(fā)明的自保護(hù)直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)300A，電機(jī)速度調(diào)節(jié)響應(yīng)快，PWM點(diǎn)空比調(diào)可在0至1之間任意調(diào)節(jié)，電機(jī)保護(hù)電流及保護(hù)時(shí)間可進(jìn)行設(shè)置，能夠解決大功率直流電機(jī)起重設(shè)備在使用過(guò)程中的正、反轉(zhuǎn)、剎車及連續(xù)調(diào)速，以及自保護(hù)控制的問(wèn)題。

本發(fā)明是根據(jù)特定實(shí)施例進(jìn)行描述的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)明白在不脫離本發(fā)明范圍時(shí)，可進(jìn)行各種變化和等同替換。此外，為適應(yīng)本發(fā)明技術(shù)的特定場(chǎng)合或材料，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行諸多修改而不脫離其保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明并不限于在此公開(kāi)的特定實(shí)施例，而包括所有落入到權(quán)利要求保護(hù)范圍的實(shí)施例。