1.一種功率偵測(cè)電路，其特征在于，包括：
一輸入端，用來(lái)接收一交流之輸入訊號(hào)；
一整流電路，用來(lái)轉(zhuǎn)換該交流之輸入訊號(hào)為一整流訊號(hào)；
一輸出端，電性耦接于該整流電路，用來(lái)輸出該整流訊號(hào)；以及
至少二電壓鉗位電路，每一個(gè)電壓鉗位電路電性耦接于該輸出端與一參考電位之間，系于該整流訊號(hào)大于該電壓鉗位電路之一導(dǎo)通電壓時(shí)，于該輸出端與該參考電位之間提供一導(dǎo)通路徑；
其中至少一個(gè)電壓鉗位電路的導(dǎo)通電壓與另一個(gè)電壓鉗位電路的導(dǎo)通電壓不同。
2.如權(quán)利要求1所述的功率偵測(cè)電路，其特征在于，該每一個(gè)電壓鉗位電路于該導(dǎo)通路徑提供一等效電阻，且該至少一個(gè)電壓鉗位電路的等效電阻與該另一個(gè)電壓鉗位電路的等效電阻不同。
3.如權(quán)利要求1所述的功率偵測(cè)電路，其特征在于，該整流電路系一二極管接法之第一晶體管，該第一晶體管包含有：
一射極，電性耦接于該輸出端，用來(lái)輸出該整流訊號(hào)；
一基極，用來(lái)接收該輸入訊號(hào)；以及
一集極，電性耦接于該基極。
4.如權(quán)利要求3所述的功率偵測(cè)電路，其特征在于，該整流電路另包含有：
一輸出電容，電性耦接于該輸出端及該參考電位之間；以及
一輸出電阻，電性耦接于該輸出端及該參考電位之間。
5.如權(quán)利要求1所述的功率偵測(cè)電路，其特征在于，每一電壓鉗位電路包含有：
一電阻模塊，包含有：
一第一端，電性耦接于該輸出端；
一第二端；以及
至少一電阻，電性耦接于該第一端及該第二端之間；以及
一二極管模塊，包含有至少一二極管，其中該至少一二極管之陽(yáng)極電性耦接于該電阻模塊之該第二端，該至少一二極管之陰極電性耦接于該參考電位。
6.如權(quán)利要求1所述的功率偵測(cè)電路，其特征在于，每一電壓鉗位電路包含有：
一電阻模塊，包含有：
一第一端；
一第二端，電性耦接于該參考電位；以及
至少一電阻，電性耦接于該第一端及該第二端之間；以及
一二極管模塊，包含有至少一二極管，其中該至少一二極管之陽(yáng)極電性耦接于該輸出端，該至少一二極管之陰極電性耦接于該電阻模塊之該第一端。
7.如權(quán)利要求2所述的功率偵測(cè)電路，其特征在于，該另一個(gè)電壓鉗位電壓鉗位電路的等效電阻是該至少一個(gè)電壓鉗位電路的等效電阻的2～10倍。
8.一種射頻電路，包含有：
一基頻電路，用來(lái)根據(jù)一整流訊號(hào)，產(chǎn)生一基頻訊號(hào)；
一收發(fā)器，電性耦接于該基頻電路，用來(lái)轉(zhuǎn)換該基頻訊號(hào)為一射頻輸出訊號(hào)；
一放大器，電性耦接于該收發(fā)器，用來(lái)放大該射頻輸出訊號(hào)，以產(chǎn)生一交流之放大射頻訊號(hào)；以及
一功率偵測(cè)電路，包含有：
一輸入端，用來(lái)接收該交流之放大射頻訊號(hào)；
一整流電路，用來(lái)轉(zhuǎn)換該交流之放大射頻訊號(hào)為該整流訊號(hào)；
一輸出端，電性耦接于該整流電路，用來(lái)輸出該整流訊號(hào)；以及
至少二電壓鉗位電路，每一個(gè)電壓鉗位電路電性耦接于該輸出端與一參考電位之間，系于該整流訊號(hào)大于該電壓鉗位電路之一導(dǎo)通電壓時(shí)，于該輸出端與該參考電位之間提供一導(dǎo)通路徑；
其中至少一個(gè)電壓鉗位電路的導(dǎo)通電壓與另一個(gè)電壓鉗位電路的導(dǎo)通電壓不同。
9.如權(quán)利要求8所述的射頻電路，其特征在于，該每一個(gè)電壓鉗位電路于該導(dǎo)通路徑提供一等效電阻，且該至少一個(gè)電壓鉗位電路的等效電阻與該另一個(gè)電壓鉗位電路的等效電阻不同。
10.如權(quán)利要求8所述的射頻電路，其特征在于，該整流電路系一二極管接法之第一晶體管，該第一晶體管包含有：
一射極，電性耦接于該輸出端，用來(lái)輸出該整流訊號(hào)；
一基極，用來(lái)接收該放大射頻訊號(hào)；以及
一集極，電性耦接于該基極。
11.如權(quán)利要求8所述的射頻電路，其特征在于，該整流電路另包含有：
一輸出電容，電性耦接于該輸出端及該參考電位之間；以及
一輸出電阻，電性耦接于該輸出端及該參考電位之間。
12.如權(quán)利要求10所述的射頻電路，其特征在于，另包含有一開(kāi)關(guān)模塊，該開(kāi)
關(guān)模塊包含有：
一第二晶體管，包含有：
一基極，電性耦接于一電源開(kāi)關(guān)端，用來(lái)接收一開(kāi)關(guān)電壓；
一集極，電性耦接于該第一晶體管之該集極，用來(lái)接收一電源電壓；以 及
一射極，電性耦接于該第一晶體管之該基極；以及
一第三晶體管，包含有：
一集極，電性耦接于該第二晶體管之該射極；
一基極，電性耦接該集極；以及
一射極，電性耦接于該參考電位。
13.如權(quán)利要求12所述的射頻電路，其特征在于，該開(kāi)關(guān)模塊另包含有：
一第一偏壓電阻，電性耦接于該電源開(kāi)關(guān)端及該第二晶體管之該基極之間；
一第二偏壓電阻，電性耦接于該第二晶體管之該射極及該第三晶體管之該集極之間；
一第三偏壓電阻，電性耦接于該第三晶體管之該射極及該參考電位之間；
一第四偏壓電阻，電性耦接于該第三晶體管之該集極及該第一晶體管之該基極之間；以及
一第五偏壓電阻，電性耦接于該第一晶體管之該集極及該第二晶體管之該集極之間。
14.如權(quán)利要求8所述的射頻電路，其特征在于，每一電壓鉗位電路包含有：
一電阻模塊，包含有：
一第一端，電性耦接于該輸出端；
一第二端；以及
至少一電阻，電性耦接于該第一端及該第二端之間；以及
一二極管模塊，包含有至少一二極管，其中該至少一二極管之陽(yáng)極電性耦接于該電阻模塊之該第二端，該至少一二極管之陰極電性耦接于該參考電位。
15.如權(quán)利要求8所述的射頻電路，其特征在于，每一電壓鉗位電路包含有：
一電阻模塊，包含有：
一第一端；
一第二端，電性耦接于該參考電位；以及
至少一電阻，電性耦接于該第一端及該第二端之間；以及
一二極管模塊，包含有至少一二極管，其中該至少一二極管之陽(yáng)極電性耦接于該輸出端，該至少一二極管之陰極電性耦接于該電阻模塊之該第一端。
16.如權(quán)利要求9所述的射頻電路，其特征在于，該另一個(gè)電壓鉗位電壓鉗位電路的等效電阻是該至少一個(gè)電壓鉗位電路的等效電阻的2～10倍。
17.如權(quán)利要求8所述的射頻電路，其特征在于，另包含有一電容，該電容電性耦接于該輸入端及該整流電路之間。