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基于檢測(cè)電壓和導(dǎo)通時(shí)間乘積的恒流控制方法與流程

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基于檢測(cè)電壓和導(dǎo)通時(shí)間乘積的恒流控制方法與流程

本發(fā)明屬于一種開(kāi)關(guān)電源控制方法,具體地說(shuō)是一種利用電感兩端電壓和開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間乘積為定值的一種開(kāi)關(guān)電源恒流控制技術(shù),另外的一個(gè)特征是可以省去芯片外部的一個(gè)峰值電流采樣電阻。



背景技術(shù):

開(kāi)關(guān)電源因?yàn)槠淠芰哭D(zhuǎn)換效率高,易于控制,在LED恒流控制系統(tǒng)中,占據(jù)著主流的地位。如圖1是通常的非隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(BUCK),L是電感,芯片的CS腳用于檢測(cè)開(kāi)關(guān)管M0導(dǎo)通時(shí)電感中的峰值電流。VIN是供電腳,用于提供整個(gè)芯片的工作電壓。D1是續(xù)流二極管,在開(kāi)關(guān)管M0關(guān)斷以后,給電感L提供電流通路。I1、I2、I3是LED燈珠,該燈珠的數(shù)目原則上只受輸入電壓的限制(因?yàn)槭墙祲航Y(jié)構(gòu),燈珠的總電壓不能高于輸入電壓)。C1是輸出電容,用于減小輸出的電流紋波。

如圖2所示,是其內(nèi)部的控制電路。VIN腳連接到內(nèi)部穩(wěn)壓源模塊I4的輸入端,I4輸出給其它模塊提供穩(wěn)定的工作電壓。CS腳連接到比較器模塊I7的正輸入端。I7負(fù)輸入端連接的是基準(zhǔn)電壓Vref。I7的輸出端連接到RS觸發(fā)器I8的復(fù)位端。Current sense模塊I6的輸出端連接RS觸發(fā)器I8的置1端,RS觸發(fā)器I8的輸出端連接驅(qū)動(dòng)電路模塊I9,驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端即為芯片的GATE引腳,控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷。

它的工作原理是這樣的:檢測(cè)到電感中電流為零時(shí),I6模塊輸出一個(gè)脈沖使得開(kāi)關(guān)管M0導(dǎo)通,當(dāng)開(kāi)關(guān)管M0導(dǎo)通后,由于該電路是BUCK型,輸入電壓高于輸出電壓,開(kāi)關(guān)管中開(kāi)始有電流,由于通路中存在電感,所以開(kāi)關(guān)管M0中的電流逐漸增加,從而CS端的電位逐漸升高,當(dāng)CS的電位升高到超過(guò)比較器I7的負(fù)輸入端的基準(zhǔn)電位時(shí),此時(shí)對(duì)應(yīng)著電感中的一個(gè)電流Ip,比較器I7輸出由低電平翻轉(zhuǎn)成高電平,I7輸出高電平信號(hào)作用在RS觸發(fā)器I8的復(fù)位端,I8輸出低電平信號(hào),該低電平信號(hào)經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)模塊I9后輸出同樣為低電平的GATE信號(hào),開(kāi)關(guān)管M0關(guān)斷,此時(shí)電感、電容、LED和續(xù)流二極管構(gòu)成一回路S進(jìn)行放電,由于電感的存在,在開(kāi)關(guān)管M0關(guān)斷后,回路S的放電電流不會(huì)立刻減小至0,而是逐漸減小,CS端的電位同時(shí)在逐漸減小,當(dāng)該電位減至0時(shí),I6模塊輸出一個(gè)脈沖,打開(kāi)開(kāi)關(guān)管M0,一個(gè)周期結(jié)束。這種控制方法主要檢測(cè)電感中電流達(dá)到峰值和電感中電流減小至0兩個(gè)時(shí)刻來(lái)對(duì)開(kāi)關(guān)管M0進(jìn)行動(dòng)作,利用每個(gè)周期內(nèi)電感中峰值電流(Ip)相等來(lái)實(shí)現(xiàn)LED恒流的,因?yàn)殡姼兄械碾娏鳠o(wú)論是從零增大到峰值電流還是從峰值電流減小至0,其變化對(duì)于時(shí)間都是線性的,故其恒流值大小為0.5Ip。這種控制方法實(shí)現(xiàn)恒流的關(guān)鍵在于兩點(diǎn):一是檢測(cè)到電感中的電流減小至0時(shí)立刻打開(kāi)開(kāi)關(guān)管M0,二是檢測(cè)到電感中電流達(dá)到設(shè)定的峰值電流時(shí)立刻關(guān)斷開(kāi)關(guān)管M0。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于設(shè)計(jì)一種利于高集成度、對(duì)噪聲不敏感的開(kāi)關(guān)電源恒流控制技術(shù)。具體來(lái)說(shuō),該控制技術(shù)不需要直接檢測(cè)電感中的峰值電流,同時(shí)還能可靠的檢測(cè)和控制流過(guò)LED燈珠的電流,實(shí)現(xiàn)高集成度、高精度、高可靠性的LED恒流控制。其主要特征是,通過(guò)檢測(cè)電感兩端壓差和開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間的乘積為定值來(lái)間接檢測(cè)電感中的峰值電流。以達(dá)到檢測(cè)和控制LED電流的目的。

按照本發(fā)明的技術(shù)方案,所述開(kāi)關(guān)恒流控制技術(shù),包括了檢測(cè)電感兩端壓差和對(duì)導(dǎo)通時(shí)間的乘積為定值的恒流控制單元(以下簡(jiǎn)稱“恒流控制單元”)。當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通后,電感兩端會(huì)存在壓差,恒流控制單元開(kāi)始對(duì)該信號(hào)進(jìn)行采樣,并與開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間進(jìn)行求乘積,當(dāng)該乘積大于內(nèi)部設(shè)定的基準(zhǔn)電壓時(shí),恒流控制單元將產(chǎn)生復(fù)位信號(hào),關(guān)斷開(kāi)關(guān)管。以此來(lái)保證系統(tǒng)的恒流。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于設(shè)計(jì)一種開(kāi)關(guān)電源電感電流控制技術(shù),將保持電感電流在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通期間和關(guān)斷期間的控制,提高系統(tǒng)易用性,同時(shí)改善系統(tǒng)效率,保持在不同輸入電壓下的恒流控制。

按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,所述開(kāi)關(guān)電源電感恒流控制技術(shù),包括將電感兩端壓差轉(zhuǎn)成成比例的電流模塊和對(duì)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間積分的模塊。轉(zhuǎn)換電阻將檢測(cè)到的電感兩端壓差轉(zhuǎn)化與之成比例的電流;對(duì)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間積分模塊利用電流模塊產(chǎn)生的電流對(duì)電容進(jìn)行充電,當(dāng)電容兩端壓差達(dá)到設(shè)定值時(shí)輸出控制信號(hào),控制信號(hào)經(jīng)過(guò)RS觸發(fā)器和驅(qū)動(dòng)單元來(lái)關(guān)斷開(kāi)關(guān)管。其特征是將電感兩端壓差對(duì)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間的積分轉(zhuǎn)換成電容上的電壓。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:不需要通過(guò)芯片外圍電阻來(lái)檢測(cè)電感中的峰值電流,而是通過(guò)內(nèi)部的單元來(lái)間接檢測(cè)電感中的峰值電流,確定開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷時(shí)刻。這樣可以省去一個(gè)外圍電阻,降低成本;由于無(wú)需采樣電阻,故減少了系統(tǒng)的發(fā)熱,提高了系統(tǒng)效率。同時(shí)提高了抗干擾能力并且很好的保證了LED的恒流。

附圖說(shuō)明

圖1是LED驅(qū)動(dòng)的原理圖。

圖2是內(nèi)部模塊圖

圖3是本發(fā)明提出的LED驅(qū)動(dòng)原理圖

圖4是本發(fā)明控制方法的模塊圖

圖5是控制關(guān)斷時(shí)刻的一種具體實(shí)現(xiàn)電路

具體實(shí)施方式

本發(fā)明利用獨(dú)特的方法來(lái)控制電感中的峰值電流,從而控制了電感中的平均電流,具體實(shí)現(xiàn)原理是:基于電感固有特性,在電感兩端電壓恒定的情況下,電感中電流的變化量等于兩端壓差和時(shí)間的乘積。因此可以通過(guò)檢測(cè)電感兩端壓差對(duì)持續(xù)時(shí)間的積分來(lái)間接檢測(cè)電感中的峰值電流,確定開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷時(shí)刻。

元器件電感有如下特性:電感兩端的壓差與其流過(guò)電流的變化率成正比,具體表達(dá)式為:

<mrow> <mi>L</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <mi>di</mi> <mi>dt</mi> </mfrac> <mo>=</mo> <mi>U</mi> </mrow>

其中i為電感中的電流,L為電感量,U為電感兩端的壓差,;

上述公式換一種表示可以寫(xiě)成:

<mrow> <mi>I</mi> <mo>=</mo> <msub> <mi>I</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>+</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>L</mi> </mfrac> <mo>&Integral;</mo> <mi>Udt</mi> </mrow>

其中I0為電感中的初始電流,L為電感量,U為電感兩端的電壓差;

若初始時(shí)刻電感中電流為0,電感兩端的壓差恒定,則有:

<mrow> <mi>I</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>L</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>U</mi> <mo>*</mo> <mi>t</mi> </mrow>

其中I為電感中的電流,L為電感量,U為電感兩端的電壓差,t為電感兩端電壓持續(xù)的時(shí)間;

對(duì)于圖3所示電路有:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>peak</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>L</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>U</mi> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow>

其中Ipeak為電感中的峰值電流,L為電感量,U為電感兩端電壓差,ton為開(kāi)關(guān)管(MOS)導(dǎo)通時(shí)間;

由上述公式可知在電感兩端壓差恒定并且初始電流為0的情況下,流過(guò)的電流與時(shí)間成正比,這樣可以得到其平均電流與峰值電流的關(guān)系為:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>av</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>peak</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>*</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>L</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>U</mi> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow>

在圖3中,輸出平均電流和流過(guò)電感的電流是相同的,因此只要保證每個(gè)周期內(nèi)的電感峰值電流相同就可以使得在該周期內(nèi)的平均電流相等,從而保證輸出平均電流恒定,如何確保每個(gè)周期內(nèi)的電感峰值電流相同,圖1是目前大家的一般做法,在電感前串接一個(gè)小電阻,檢測(cè)該電阻的壓降來(lái)確保每個(gè)周期內(nèi)電感峰值電流相等,但這種接法外部需要一個(gè)采樣電阻。這里提出一種新的控制方法來(lái)確保每個(gè)周期內(nèi)電感中的峰值電流相同,具體為:我們已經(jīng)在上面得到了電感中峰值電流的表達(dá)式,我們還可以通過(guò)檢測(cè)電感兩端壓差與開(kāi)關(guān)管(MOS)導(dǎo)通時(shí)間的乘積,確保在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)該乘積為定值,這樣就同樣可以確保每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感中的峰值電流相等,優(yōu)勢(shì)在于外圍減少一個(gè)用于檢測(cè)電感中峰值電流的采樣電阻。這種做法如論是在成本方面還是系統(tǒng)功耗散熱方面都有一定優(yōu)勢(shì)。圖3系統(tǒng)中,由于開(kāi)關(guān)頻率很高,達(dá)到幾十KHZ到幾百KHZ甚至更高,所以可以認(rèn)為在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)輸入和輸出電壓保持恒定,從而在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通器件電感兩端的壓差保持不變,有:

<mrow> <msub> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>*</mo> <mfrac> <mi>di</mi> <mi>dt</mi> </mfrac> <mo>=</mo> <mn>0</mn> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>B</mi> </msub> </mrow>

等式兩邊對(duì)時(shí)間t積分(剛導(dǎo)通時(shí)電感中電流為0),有:

L2*Ipeak=-VB*ton

從而得到電感中峰值電流的表達(dá)式:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>peak</mi> </msub> <mo>=</mo> <mo>-</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>B</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msub> </mfrac> <mo>=</mo> <mo>-</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </mfrac> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msub> </mfrac> </mrow>

VFB*ton達(dá)到設(shè)定值后,開(kāi)關(guān)管(MOS)關(guān)斷,此時(shí)電感L2、續(xù)流二極管D2、輸出電容C2及LED模塊I10、I11、I12構(gòu)成一回路,由于該回路中有電感的存在,所以在開(kāi)關(guān)管(MOS)關(guān)斷后,該回路中的電流不會(huì)立刻變?yōu)榱悖侵饾u減小,由于近似認(rèn)為電感兩端電壓保持不變,所以電感中的電流也是線性下降的,當(dāng)電感中電流下降到零時(shí),開(kāi)關(guān)管(MOS)重新打開(kāi),電感中電流從0開(kāi)始線性增加,一個(gè)周期結(jié)束,換言之,每個(gè)周期開(kāi)始時(shí),電感中電流從0開(kāi)始線性增加,到達(dá)設(shè)定的峰值后,開(kāi)關(guān)管(MOS)關(guān)斷,電感中電流從峰值電流開(kāi)始線性減小,直至電流減小為0時(shí),開(kāi)關(guān)管(MOS)管重新打開(kāi),一個(gè)周期結(jié)束。由于在一個(gè)周期內(nèi)電感電流都是線性變化的,故這個(gè)周期內(nèi)的平均電流為峰值電流一半,有:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>av</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>peak</mi> </msub> <mo>=</mo> <mo>-</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </mfrac> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msub> </mfrac> </mrow>

由上述表達(dá)式可以得出只要保證每個(gè)周期導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)芯片內(nèi)部VFB*ton為定值就可以確保電感中的平均電流是恒定的了。在系統(tǒng)中可以根據(jù)設(shè)定R2和R1的比值來(lái)獲得所需要的恒定電流值。關(guān)于如何在芯片內(nèi)部保證VFB*ton為定值,可以采用圖5示例方法來(lái)實(shí)現(xiàn),在開(kāi)關(guān)管(MOS)導(dǎo)通后,該部分電路工作,有與VFB電壓成正比的電流對(duì)電容C進(jìn)行充電,電容C上的電壓從0開(kāi)始增大,增大到參考電壓Vref時(shí),比較器翻轉(zhuǎn),發(fā)出信號(hào),關(guān)斷開(kāi)關(guān)管(MOS),對(duì)此過(guò)程進(jìn)行定量分析如下:當(dāng)開(kāi)關(guān)管(MOS)打開(kāi)時(shí),該部分電路開(kāi)始工作,由于運(yùn)放工作在負(fù)反饋下,符合虛短的概念,有:

|VFB|=VR

則電阻R中的電流為:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>R</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>R</mi> </msub> <mi>R</mi> </mfrac> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mo>|</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>|</mo> </mrow> <mi>R</mi> </mfrac> </mrow>

由電流鏡的相關(guān)知識(shí)可得電容C充電電流為:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>=</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>R</mi> </msub> <mo>=</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>R</mi> </msub> <mi>R</mi> </mfrac> <mo>=</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <mo>|</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>|</mo> </mrow> <mi>R</mi> </mfrac> </mrow>

電容兩端的電壓為:

<mrow> <msub> <mi>U</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>C</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>C</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>R</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>C</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>R</mi> </msub> <mi>R</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <mo>|</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>|</mo> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow> <mi>RC</mi> </mfrac> </mrow>

當(dāng)電容兩端電壓增大到Vref時(shí),比較器翻轉(zhuǎn),關(guān)斷開(kāi)關(guān)管(MOS),關(guān)斷時(shí)刻定量有:

<mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>ref</mi> </msub> <mo>=</mo> <msub> <mi>U</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>C</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>C</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>R</mi> </msub> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>C</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>R</mi> </msub> <mi>R</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mi>n</mi> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <mo>|</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>|</mo> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow> <mi>RC</mi> </mfrac> </mrow>

對(duì)上式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖儞Q有;

<mrow> <mo>|</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>|</mo> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>n</mi> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ref</mi> </msub> <mo>*</mo> <mi>R</mi> <mo>*</mo> <mi>C</mi> </mrow>

而電感內(nèi)平均電流為:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>av</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>*</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>peak</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> <msub> <mrow> <mo>+</mo> <mi>R</mi> </mrow> <mn>1</mn> </msub> </mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </mfrac> <mo>*</mo> <mfrac> <mrow> <mo>|</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>FB</mi> </msub> <mo>|</mo> <mo>*</mo> <msub> <mi>t</mi> <mi>on</mi> </msub> </mrow> <mi>L</mi> </mfrac> </mrow>

可以看出,芯片內(nèi)部Vref、n、R、C均為定值,這樣可以保證開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)刻有VFB*ton為定值,當(dāng)VFB*ton為定值就保證了每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)的電感中的平均電流相等,從而可以保證LED中的平均電流相同。如上所述,系統(tǒng)所需要的平均電流可以外部電阻R1和R2的比值來(lái)決定。

本發(fā)明的特點(diǎn)是:

本發(fā)明不需要通過(guò)外圍采樣電阻來(lái)檢測(cè)每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)的電感峰值電流,而是通過(guò)內(nèi)部電路來(lái)檢測(cè)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通期間電感兩端壓差與開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間的乘積為定值來(lái)控制系統(tǒng)恒流的。

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