Dc電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于電機(jī)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路及具有該驅(qū)動(dòng)電路的DC電機(jī)。該DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)在電機(jī)內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板的驅(qū)動(dòng)器端子與IPM模塊之間增加一磁珠處理單元、在電機(jī)UVW線圈與驅(qū)動(dòng)器端子之間增加一差分濾波單元來(lái)解決DC電機(jī)的電磁干擾問(wèn)題。通過(guò)此驅(qū)動(dòng)電路的改善措施后，噪聲大幅下降，能有效抑制DC電機(jī)的高頻EMI，提高電機(jī)的EMI裕量，改善電機(jī)的EMI水平，降低電機(jī)使用設(shè)備的EMI整改難度。本實(shí)用新型提供的方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，易于生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型屬于電機(jī)領(lǐng)域，尤其涉及家用電器設(shè)備上用于軸流風(fēng)葉、貫流風(fēng)葉等 驅(qū)動(dòng)的具有EMI抑制功能的DC電機(jī)。 DC電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)電路

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，家用電器上使用的風(fēng)葉，如軸流風(fēng)葉、貫流風(fēng)葉等，都需要使用電機(jī)驅(qū)動(dòng)，為 了提高效率，DC電機(jī)已大量應(yīng)用于此。為了設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，經(jīng)常使用家用電器自帶內(nèi)置驅(qū)動(dòng)的 DC電機(jī)，因?yàn)榧矣秒娖骱推渌褂肈C電機(jī)的設(shè)備的EMI是要滿足國(guó)標(biāo)要求的，因此必須屏 蔽或者抑制電機(jī)的EMI，防止電機(jī)產(chǎn)生過(guò)量的EMI。
[0003] 但是，家用電器使用的DC電機(jī)體積通常都比較小，同時(shí)為了滿足結(jié)構(gòu)要求，家用 電器控制器的設(shè)計(jì)就更加小，無(wú)法增加體積大的濾波器件，因此一般情況下EMI裕量的設(shè) 計(jì)不大。雖然滿足電機(jī)的國(guó)標(biāo)要求，但對(duì)電機(jī)使用設(shè)備來(lái)說(shuō)，就需要額外增加相應(yīng)的濾波器 件以屏蔽或者抑制電機(jī)的EMI，導(dǎo)致家用電器和其它使用DC電機(jī)的設(shè)備的控制器濾波設(shè)計(jì) 復(fù)雜，成本上漲。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 本實(shí)用新型的目的首先即在于提供一種新型的DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，以解決現(xiàn)有電 機(jī)EMI裕量設(shè)計(jì)低、導(dǎo)致整機(jī)EMI整改困難，濾波電路復(fù)雜，成本偏高的技術(shù)問(wèn)題。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路包括依次相連的驅(qū)動(dòng)器 端子、IPM模塊及其控制單元和電機(jī)UVW線圈，作為改進(jìn)，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括：
[0006] 連接在所述驅(qū)動(dòng)器端子與所述IPM模塊之間，用于增大高頻信號(hào)阻抗、抑制噪聲 信號(hào)的磁珠處理單元；以及
[0007] 連接在所述電機(jī)UVW線圈與所述驅(qū)動(dòng)器端子之間，用于抑制高次諧波和高頻噪 聲，降低電機(jī)EMI的差分濾波單元。
[0008] 具體地，所述磁珠處理單元包括第一磁珠 Z1和第二磁珠 Z2 ;所述第一磁珠 Z1串 聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的P線與所述IPM模塊之間，所述第二磁珠 Z2串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的N線與 所述IPM模塊之間。
[0009] 更具體地，所述差分濾波單元包括電容C1 ;所述電容C1連接在所述電機(jī)UVW線圈 的公共端與驅(qū)動(dòng)器端子的N線之間。
[0010] 進(jìn)一步地，所述第一磁珠 Z1和第二磁珠 Z2為貼片器件或者插件。
[0011] 更進(jìn)一步地，所述電容C1為瓷片Y電容。
[0012] 本實(shí)用新型的目的還在于提供一種DC電機(jī)，該DC電機(jī)內(nèi)置有驅(qū)動(dòng)板。作為改進(jìn)， 該DC電機(jī)的內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板上包括了上述任一形式的驅(qū)動(dòng)電路。
[0013] 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路及具有該驅(qū)動(dòng)電路的DC電機(jī)。該DC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)在電機(jī)內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板的驅(qū)動(dòng)器端子與IPM模塊之間增加一磁珠處理單元、 在電機(jī)UVW線圈與驅(qū)動(dòng)器端子之間增加一差分濾波單元來(lái)解決DC電機(jī)的電磁干擾問(wèn)題。 通過(guò)此驅(qū)動(dòng)電路的改善措施后，噪聲大幅下降，能有效抑制DC電機(jī)的1?頻EMI，提1?電機(jī)的 EMI裕量，改善電機(jī)的EMI水平，降低電機(jī)使用設(shè)備的EMI整改難度。本實(shí)用新型提供的方 案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，易于生產(chǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0015] 圖2是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例提供的DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016] 為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施 例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋 本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0017] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)框圖；為了便于說(shuō)明，僅 不出了與本實(shí)施例相關(guān)的部分。
[0018] 參見(jiàn)圖1 :
[0019] 一種DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，包括依次相連的驅(qū)動(dòng)器端子101、IPM模塊及其控制單元 102和電機(jī)UVW線圈103,作為改進(jìn)，該驅(qū)動(dòng)電路還包括磁珠處理單元104和差分濾波單元 105。
[0020] 其中，磁珠處理單元104連接在驅(qū)動(dòng)器端子101與IPM模塊及其控制單元102之 間，用于增大高頻信號(hào)阻抗、抑制IPM模塊工作時(shí)產(chǎn)生的噪聲信號(hào)；差分濾波單元105則是 連接在電機(jī)UVW線圈103與驅(qū)動(dòng)器端子101之間，用于抑制高次諧波和高頻噪聲，特別是 IPM模塊直流轉(zhuǎn)交流時(shí)高頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的高次諧波及高頻噪聲，對(duì)降低EMI起到比較大貢獻(xiàn)。
[0021] 圖2示出了本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例提供的DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。同 樣的，為了便于說(shuō)明，也僅示出了與本實(shí)施例相關(guān)的部分。
[0022] 如圖2所示：
[0023] 作為一優(yōu)選實(shí)施例，磁珠處理單元104主要包括兩個(gè)磁珠，分別是第一磁珠 Z1和 第二磁珠 Z2 ;其中，第一磁珠 Z1串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子101的P線與IPM模塊及其控制單元102 之間，第二磁珠 Z2串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子101的N線與IPM模塊及其控制單元102之間。
[0024] 在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，兩個(gè)磁珠的選型可以根據(jù)實(shí)際EMI效果選型；另一方面，根據(jù)結(jié)構(gòu) 尺寸可以選用貼片器件，也可以選用插件。
[0025] 作為一優(yōu)選實(shí)施例，差分濾波單元105為連接在電機(jī)UVW線圈103的三相公共端 與驅(qū)動(dòng)器端子101的N線之間的電容部分C1。
[0026] 在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，此電容部分C1可以為瓷片Y電容，具體參數(shù)根據(jù)EMI效果選擇，優(yōu) 選 102M。
[0027] 另一方面，市面上普通電機(jī)的驅(qū)動(dòng)板內(nèi)部主要是IPM模塊及其控制電路，EMI主要 通過(guò)布板措施來(lái)抑制，裕量偏低。有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種新型的DC電機(jī)， 該DC電機(jī)也內(nèi)置有驅(qū)動(dòng)板，但是，其內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板上的驅(qū)動(dòng)電路就如圖1或者圖2所示。
[0028] 具體而言，驅(qū)動(dòng)電路包括依次相連的驅(qū)動(dòng)器端子、IPM模塊及其控制單元、電機(jī) UVW線圈，作為改進(jìn)，驅(qū)動(dòng)電路還包括：
[0029] 連接在所述驅(qū)動(dòng)器端子與所述IPM模塊及其控制單元之間，用于增大高頻信號(hào)阻 抗、抑制噪聲信號(hào)的磁珠處理單元；以及連接在所述電機(jī)UVW線圈與所述驅(qū)動(dòng)器端子之間， 用于抑制高次諧波和高頻噪聲，降低電機(jī)EMI的差分濾波單元。
[0030] 進(jìn)一步地，該新型DC電機(jī)的磁珠處理單元包括第一磁珠 Z1和第二磁珠 Z2 ;第一 磁珠 Z1串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的P線與IPM模塊及其控制單元之間，第二磁珠 Z2串聯(lián)在驅(qū)動(dòng) 器端子的N線與IPM模塊及其控制單元之間。
[0031] 進(jìn)一步地，該新型DC電機(jī)的差分濾波單元包括連接在電機(jī)UVW線圈的三相公共端 與驅(qū)動(dòng)器端子的N線之間的電容C1。
[0032] 具體地，所述第一磁珠 Z1和第二磁珠 Z2為貼片器件或者插件；所述電容C1為瓷 片Y電容。
[0033] 在具體實(shí)施過(guò)程中，只要在電機(jī)的內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板上增加兩個(gè)磁珠 Zl、Z2和電容C1， 將磁珠 Z1和Z2分別串接在驅(qū)動(dòng)器端子的P線、N線與IPM模塊之間、將電容C1放置到電 機(jī)UVW線圈的三相公共端與驅(qū)動(dòng)器端子的N線之間，具體位置可以根據(jù)電機(jī)結(jié)構(gòu)要求擺放， 即可有效抑制差模噪聲干擾，增加 EMI設(shè)計(jì)裕量。
[0034] 綜上所述，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路及具有該驅(qū)動(dòng)電路的DC電 機(jī)。該DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)在電機(jī)內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板的驅(qū)動(dòng)器端子與IPM模塊之間增加一磁珠 處理單元、在電機(jī)UVW線圈與驅(qū)動(dòng)器端子之間增加一差分濾波單元來(lái)解決DC電機(jī)的電磁干 擾問(wèn)題。通過(guò)此驅(qū)動(dòng)電路的改善措施后，噪聲大幅下降，能有效抑制DC電機(jī)的1?頻EMI，提 高電機(jī)的EMI裕量，改善電機(jī)的EMI水平，降低電機(jī)使用設(shè)備的EMI整改難度。本實(shí)用新型 提供的方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，易于生產(chǎn)。
[0035] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，盡管參 照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可 以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改、或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。 凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，包括依次相連的驅(qū)動(dòng)器端子、IPM模塊及其控制單元和電 機(jī)UVW線圈，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括： 連接在所述驅(qū)動(dòng)器端子與所述IPM模塊及其控制單元之間，用于增大高頻信號(hào)阻抗、 抑制噪聲信號(hào)的磁珠處理單元；以及 連接在所述電機(jī)UVW線圈與所述驅(qū)動(dòng)器端子之間，用于抑制高次諧波和高頻噪聲，降 低電機(jī)EMI的差分濾波單元。
2. 如權(quán)利要求1所述的DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述磁珠處理單元包括第一 磁珠 Z1和第二磁珠 Z2 ; 所述第一磁珠 Z1串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的P線與所述IPM模塊及其控制單元之間，所述第 二磁珠 Z2串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的N線與所述IPM模塊及其控制單元之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述差分濾波單元包括電容 C1 ； 所述電容C1連接在所述電機(jī)UVW線圈的三相公共端與驅(qū)動(dòng)器端子的N線之間。
4. 如權(quán)利要求2所述的DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一磁珠 Z1和第二磁珠 Z2為貼片器件或者插件。
5. 如權(quán)利要求3所述的DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電容C1為瓷片Y電容。
6. -種DC電機(jī)，其內(nèi)置驅(qū)動(dòng)板上的驅(qū)動(dòng)電路包括依次相連的驅(qū)動(dòng)器端子、IPM模塊及 其控制單元和電機(jī)UVW線圈，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括： 連接在所述驅(qū)動(dòng)器端子與所述IPM模塊及其控制單元之間，用于增大高頻信號(hào)阻抗、 抑制噪聲信號(hào)的磁珠處理單元；以及 連接在所述電機(jī)UVW線圈與所述驅(qū)動(dòng)器端子之間，用于抑制高次諧波和高頻噪聲，降 低電機(jī)EMI的差分濾波單元。
7. 如權(quán)利要求6所述的DC電機(jī)，其特征在于，所述磁珠處理單元包括第一磁珠 Z1和第 二磁珠 Z2 ; 所述第一磁珠 Z1串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的P線與所述IPM模塊及其控制單元之間，所述第 二磁珠 Z2串聯(lián)在驅(qū)動(dòng)器端子的N線與所述IPM模塊及其控制單元之間。
8. 如權(quán)利要求6所述的DC電機(jī)，其特征在于，所述差分濾波單元包括電容C1 ; 所述電容C1連接在所述電機(jī)UVW線圈的三相公共端與驅(qū)動(dòng)器端子的N線之間。
9. 如權(quán)利要求7所述的DC電機(jī)，其特征在于，所述第一磁珠 Z1和第二磁珠 Z2為貼片 器件或者插件。
10. 如權(quán)利要求8所述的DC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電容C1為瓷片Y電容。
【文檔編號(hào)】H02P7/00GK203911818SQ201420256305
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年5月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月19日
【發(fā)明者】武文增 申請(qǐng)人:美的集團(tuán)股份有限公司