一種dc-dc轉(zhuǎn)換電路和dc-dc芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于直流電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，提供了一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路和DC-DC芯片。在本發(fā)明中，根據(jù)DC-DC輸出端的反饋電壓的變化控制分流模塊對充放電模塊的充電電流進行分流，從而改變充放電模塊的充電電流，進而改變充放電電容的充電時間，進一步使振蕩電路的振蕩周期發(fā)生改變，達到軟啟動的目的，本發(fā)明提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)ζ滠泦又芷谶M行調(diào)節(jié)，而不需要芯片專用引腳且不需要增加充放電電容的容量，設(shè)計簡單，降低了電路的成本，而且可以抑制電路啟動時輸出端的浪涌電流，消除電壓過沖。
【專利說明】—種DC-DC轉(zhuǎn)換電路和DC-DC芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于直流電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路和DC-DC芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]DC-DC轉(zhuǎn)換電路在上電時，輸出端會有很大的浪涌電流，還有可能出現(xiàn)電壓過沖，這些都會給DC-DC轉(zhuǎn)換電路所在的電子系統(tǒng)造成不確定影響，因此需要軟啟動來實現(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換電路的平穩(wěn)啟動，來限制浪涌電流，消除輸出電壓過沖。
[0003]一般的軟啟動電路都需要芯片專用引腳來外接電容以達到軟啟動的功能，這就造成了芯片應(yīng)用時電路的復(fù)雜以及應(yīng)用成本的提高。在現(xiàn)有技術(shù)中，DC-DC轉(zhuǎn)換電路(芯片)內(nèi)部集成有軟啟動電路，但是由于軟啟動的時間和充電電容的充電時間呈正比，而充電電流不會改變，當(dāng)要較長的軟啟動時間時，必須增加充電電容的容量，設(shè)計復(fù)雜且增加了整個電路的成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路，旨在解決現(xiàn)有DC-DC轉(zhuǎn)換電路中軟啟動電路設(shè)計復(fù)雜、成本較高的問題。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路，包括控制所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動周期的振蕩電路，所述振蕩電路包括與充電電源連接的充放電模塊，所述充放電模塊包括與充電電源連接的充放電電容，所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路還包括:
[0006]第一電源端和第二電源端分別與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的參考電壓輸出端和電壓反饋端連接，輸入端與所述充放電模塊的充電線路連接，輸出端接地，用于根據(jù)所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的反饋電壓的變化對所述充放電模塊在充電過程中的電流進行分流以調(diào)節(jié)所述振蕩周期的分流模塊。
[0007]進一步地，所述振蕩電路還包括生成振蕩信號的振蕩器。
[0008]進一步地，所述充放電模塊包括至少一個充放電電容。
[0009]進一步地，所述分流模塊包括第一運算放大器Ul以及第一開關(guān)管；
[0010]所述第一運算放大器Ul的反相輸入端為所述分流模塊的第一電源端，所述第一運算放大器Ul的正相輸入端為所述分流模塊的第二電源端，所述運算放大器的輸出端與所述第一開關(guān)管的控制端連接，所述第一開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第一開關(guān)管的低電位端為所述分流模塊的輸出端。
[0011]進一步地，所述第一開關(guān)管為第一 NMOS管；
[0012]所述第一 NMOS管的柵極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NMOS管的漏極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NMOS管的源極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
[0013]進一步地，所述第一開關(guān)管為第一 NPN型三極管；
[0014]所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
[0015]進一步地，所述分流模塊包括:
[0016]第一 PMOS場效應(yīng)管、第二 PMOS場效應(yīng)管、第三PMOS場效應(yīng)管、第四NMOS場效應(yīng)
管以及第二開關(guān)管；
[0017]所述第一 PMOS場效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第一電源端，所述第一 PMOS場效應(yīng)管的源極與所述第二 PMOS場效應(yīng)管的漏極以及所述第三PMOS場效應(yīng)管的源極連接，所述第二 PMOS場效應(yīng)管的柵極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的偏置電流輸出端連接，所述第二PMOS場效應(yīng)管的源極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的電源端連接，所述第三PMOS場效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第二電源端，所述第三PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場效應(yīng)管的漏極以及所述第四NMOS場效應(yīng)管的柵極連接，所述第一 PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場效應(yīng)管的源極共接于所述第二開關(guān)管的低電位端，所述第四NMOS場效應(yīng)管的柵極與所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第二開關(guān)管的低電位端為所述第二開關(guān)管的低電位端。
[0018]進一步地，所述第二開關(guān)管為第二 NMOS管；
[0019]所述第二 NMOS管的柵極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NMOS管的漏極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NMOS管的源極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
[0020]進一步地，所述第二開關(guān)管為第二 NPN型三極管；
[0021]所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
[0022]本發(fā)明還提供了一種DC-DC芯片，所述DC-DC芯片包括如上任一所述的DC-DC轉(zhuǎn)
換電路。
[0023]在本發(fā)明中，根據(jù)DC-DC輸出端的反饋電壓的變化控制分流模塊對充放電電容的充電電流進行分流，從而改變充放電模塊的充電電流，進而改變充放電模塊的充電時間，進一步使振蕩電路的振蕩周期發(fā)生改變，達到軟啟動的目的，本發(fā)明提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)ζ滠泦又芷谶M行調(diào)節(jié)，而不需要芯片專用引腳且不需要增加充放電電容的容量，設(shè)計簡單，降低了電路的成本，而且可以抑制電路啟動時輸出端的浪涌電流，消除電壓過沖。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明實施例提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖2是本發(fā)明第一實施例提供的分流模塊的模塊結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖3是本發(fā)明第一實施例提供的分流模塊的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖4是本發(fā)明第一實施例提供的分流模塊的另一電路結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖5是本發(fā)明第二實施例提供的分流模塊的模塊結(jié)構(gòu)圖；
[0029]圖6是本發(fā)明第二實施例提供的分流模塊的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖7是本發(fā)明第二實施例提供的分流模塊的另一電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】[0031]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0032]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的具體實現(xiàn)進行詳細(xì)描述:
[0033]圖1示出了本發(fā)明實施例提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅列出與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分，詳述如下:
[0034]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路包括控制所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動周期的振蕩電路101，振蕩電路101包括與充電電源VCC連接的充放電模塊1011，DC-DC轉(zhuǎn)換電路還包括:
[0035]第一電源端和第二電源端分別與DC-DC轉(zhuǎn)換電路的參考電壓輸出端Vkef和電壓反饋端Vfb連接，輸入端與充放電模塊1011的充電線路連接，輸出端接地，用于根據(jù)DC-DC轉(zhuǎn)換電路的反饋電壓Vkef的變化對充放電模塊1011在充電過程中的電流進行分流以調(diào)節(jié)振蕩器1012的振蕩周期的分流模塊102。
[0036]在本發(fā)明實施例中，分流模塊102的輸入端與充放電模塊1011的充電線路連接，其連接位置并不限定，只要能對充放電模塊1011的充電電流進行分流，分流模塊102在整個DC-DC轉(zhuǎn)換電路的啟動過程中接收到輸出端的反饋信號Vfb，分流模塊102根據(jù)反饋電壓Vfb的變化(從小到大)對充放電模塊1011的充電電流進行分流，從而影響充放電模塊1011的充電時間，由于振蕩電路101產(chǎn)生的振蕩周期與充放電模塊1011的充電時間成正比，當(dāng)充電電流變小時，充電時間必然變長，振蕩電路101的振蕩周期變長，從而對振蕩電路101的振蕩周期進行調(diào)節(jié)，達到DC-DC轉(zhuǎn)換電路的軟啟動的目的。
[0037]作為本發(fā)明一實施例，振蕩電路101還包括生成振蕩信號的振蕩器1012。
[0038]作為本發(fā)明一實施例，充放電模塊1011包括至少一個充放電電容C。
[0039]在本發(fā)明實施例中，充放電模塊1011可包含一個或多個串/并聯(lián)的充放電電容，根據(jù)改變充放電電容的連接方式或數(shù)量，可以改變充放電模塊1011的充放電容量，進而改變充放電時間和振蕩電路的生成信號的周期，由于一個充放電電容或多個充放電電容的工作原理基本相同，為了便于說明，以下實施例中都以采用一個充放電電容進行說明。
[0040]實施例一:
[0041]圖2示出了本發(fā)明第一實施例提供的分流模塊102的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅列出與本發(fā)明第一實施相關(guān)的部分，詳述如下:
[0042]如圖2所示，作為本發(fā)明一實施例，分流模塊102包括第一運算放大器Ul以及第一開關(guān)管1021 ；
[0043]第一運算放大器Ul的反相輸入端為分流模塊102的第一電源端，第一運算放大器Ul的正相輸入端為分流模塊102的第二電源端,第一運算放大器Ul的輸出端與第一開關(guān)管1021的控制端連接，第一開關(guān)管1021的高電位端為分流模塊102的輸入端，第一開關(guān)管1021的低電位端為分流模塊102的輸出端。
[0044]如圖3所示，作為本發(fā)明一實施例，第一開關(guān)管為第一 NMOS管Ql ；
[0045]第一 NMOS管Ql的柵極為第一開關(guān)管1021的控制端，第一 NMOS管Ql的漏極為第一開關(guān)管1021的高電位端,第一 NMOS管Ql的源極為第一開關(guān)管1021的低電位端。
[0046]如圖4所示，作為本發(fā)明一實施例，第一開關(guān)管1021為第一 NPN型三極管Q2 ；[0047]第一 NPN型三極管Q2的基極為第一開關(guān)管1021的控制端，第一 NPN型三極管Q2的基極為第一開關(guān)管1021的高電位端，第一 NPN型三極管Q2的發(fā)射極為第一開關(guān)管1021的低電位端。
[0048]下面對本發(fā)明第一實施例提供的分流模塊的工作原理以第一開關(guān)管1021為第一NMOS管Ql為例進行說明:
[0049]當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn)換電路上電以后，此時振蕩器1012開始工作，由于DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓由低電平慢慢上升，所以反饋電壓Vfb同樣由OV開始上升，當(dāng)反饋電壓Vfb小于參考電壓Vkef時，運算放大器Ul輸出電平相對較高，此時控制第一 NMOS管Ql導(dǎo)通，充放電電容C的充電電流I會有部分電流I2進入分流模塊102，使得充放電電容C的充電電流變小，則充放電電容C的充電時間變長，振蕩器1012的振蕩周期變大；隨著DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓逐漸變大，此時的反饋電壓Vfb也在變大，當(dāng)反饋電壓Vfb大于參考電壓Vkef時，運算放大器Ul的輸出電壓變小，流入第一 NMOS管Ql的電流I2變小，充放電電容C的充電電流I1變大，從而使充放電電容C的充電時間漸漸變短，振蕩器1012的振蕩周期變小，通過分流模塊102對充放電電容C充電電流的漸變控制使振蕩器1012的振蕩周期漸變，進而達到DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動的目的。
[0050]實施例二:
[0051]圖5示出了本發(fā)明第二實施例提供的分流模塊的模塊結(jié)構(gòu)圖，為了便于說明，僅列出與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分，詳述如下:
[0052]如圖5所示，作為本發(fā)明一實施例，分流模塊102包括:
[0053]第一 PMOS場效應(yīng)管Q3、第二 PMOS場效應(yīng)管Q4、第三PMOS場效應(yīng)管Q5、第四NMOS場效應(yīng)管Q6以及第二開關(guān)管1022 ；
[0054]第一 PMOS場效應(yīng)管Q3的柵極為分流模塊102的第一電源端，第一 PMOS場效應(yīng)管Q3的源極與第二 PMOS場效應(yīng)管Q4的漏極以及第三PMOS場效應(yīng)管Q5的源極連接，第二PMOS場效應(yīng)管Q4的柵極與DC-DC轉(zhuǎn)換電路的偏置電流輸出端連接，第二 PMOS場效應(yīng)管Q4的源極與DC-DC轉(zhuǎn)換電路的電源端連接，第三PMOS場效應(yīng)管Q5的柵極為分流模塊102的第二電源端，第三PMOS場效應(yīng)管Q5的漏極與第四NMOS場效應(yīng)管Q6的漏極以及第四NMOS場效應(yīng)管Q6的柵極連接，第一 PMOS場效應(yīng)管Q3的漏極與第四NMOS場效應(yīng)管Q6的源極共接于第二開關(guān)管1022的低電位端，第四NMOS場效應(yīng)管Q6的柵極與第二開關(guān)管1022的控制端連接，第二開關(guān)管1022的高電位端為分流模塊102的輸入端，第二開關(guān)管的低電位端為第二開關(guān)管1022的低電位端。
[0055]如圖6所示，作為本發(fā)明一實施例，第二開關(guān)管1022為第二 NMOS管Q7 ；
[0056]第二 NMOS管Q7的柵極為第二開關(guān)管1022的控制端，第二 NMOS管Q7的漏極為第二開關(guān)管1022的高電位端，第二 NMOS管Q7的源極為第二開關(guān)管1022的低電位端。
[0057]如圖7所示，作為本發(fā)明一實施例，第二開關(guān)管1022為第二 NPN型三極管Q8 ；
[0058]第二 NPN型三極管Q8的基極為第二開關(guān)管1022的控制端，第二 NPN型三極管Q8的基極為第二開關(guān)管1022的高電位端，第二 NPN型三極管Q8的發(fā)射極為第二開關(guān)管1022的低電位端。
[0059]下面對本發(fā)明第二實施例提供的分流模塊的工作原理以第二開關(guān)管1022為第二NMOS管Q7進行說明:[0060]當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn)換電路上電以后，此時振蕩器1012開始工作，由于DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓由低電平慢慢上升，所以反饋電壓Vfb同樣由OV開始上升，當(dāng)反饋電壓Vfb小于參考電壓Vkef時，流過第三PMOS場效應(yīng)管Q5的電流大于流過第一 PMOS場效應(yīng)管Q3的電路，經(jīng)由第四NMOS場效應(yīng)管Q6鏡像后，流入第二 NMOS管Q7的電流I2隨著流過第三PMOS場效應(yīng)管Q5的電流變化而變化，即有電流流入分流模塊102，使得充放電電容C的充電電流I1變小，充電時間變長，振蕩器1012的振蕩周期變大；隨著DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓逐漸變大，此時的反饋電壓Vfb也在變大，從而控制流過第三PMOS場效應(yīng)管Q5的電流變小，進而流入第二 NMOS管Q7的電流I2變小，從而充放電電容C的充電電流I1變大，充電時間漸漸變短，周期變小通過分流模塊102對充放電電容C充電電流的漸變控制使振蕩器1012的振蕩周期漸變，進而達到DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動的目的。
[0061]在本發(fā)明第一實施例和第二實施例中，分流模塊102中第一開關(guān)管1021和第二開關(guān)管1022面前的電路結(jié)構(gòu)并不限于上述兩種，只要是采用將DC-DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的反饋電壓Vfb與參考電壓Vkef進行比較，根據(jù)比較結(jié)果控制分流電流I2的大小的方法都屬于本發(fā)明保護的內(nèi)容。
[0062]本發(fā)明還提供了一種DC-DC芯片，該DC-DC芯片包括上述任一所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路。
[0063]在本發(fā)明實施例中，根據(jù)DC-DC輸出端的反饋電壓的變化控制分流模塊對充放電電容的充電電流進行分流，從而改變充放電模塊的充電電流，進而改變充放電模塊的充電時間，進一步使振蕩電路的振蕩周期發(fā)生改變，達到軟啟動的目的，本發(fā)明提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)ζ滠泦又芷谶M行調(diào)節(jié)，而不需要芯片專用引腳且不需要增加充放電電容的容量，設(shè)計簡單，降低了電路的成本，而且可以抑制電路啟動時輸出端的浪涌電流，消除電壓過沖。
[0064]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路，包括控制所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動周期的振蕩電路，所述振蕩電路包括與充電電源連接的充放電模塊，其特征在于，所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路還包括: 第一電源端和第二電源端分別與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的參考電壓輸出端和電壓反饋端連接，輸入端與所述充放電模塊的充電線路連接，輸出端接地，用于根據(jù)所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的反饋電壓的變化對所述充放電模塊在充電過程中的電流進行分流以調(diào)節(jié)所述振蕩周期的分流模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述振蕩電路還包括生成振蕩信號的振蕩器。
3.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述充放電模塊包括至少一個充放電電容。
4.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述分流模塊包括第一運算放大器以及第一開關(guān)管； 所述第一運算放大器的反相輸入端為所述分流模塊的第一電源端，所述第一運算放大器的正相輸入端為所述分流模塊的第二電源端，所述運算放大器的輸出端與所述第一開關(guān)管的控制端連接，所述第一開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第一開關(guān)管的低電位端為所述分流模塊的輸出端。
5.如權(quán)利要求4所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為第一NMOS管； 所述第一 NMOS管的柵極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NMOS管的漏極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NMOS管的源極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
6.如權(quán)利要求4所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為第一NPN型三極管；` 所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
7.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述分流模塊包括: 第一 PMOS場效應(yīng)管、第二 PMOS場效應(yīng)管、第三PMOS場效應(yīng)管、第四NMOS場效應(yīng)管以及第二開關(guān)管； 所述第一 PMOS場效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第一電源端，所述第一 PMOS場效應(yīng)管的源極與所述第二 PMOS場效應(yīng)管的漏極以及所述第三PMOS場效應(yīng)管的源極連接，所述第二 PMOS場效應(yīng)管的柵極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的偏置電流輸出端連接，所述第二 PMOS場效應(yīng)管的源極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的電源端連接，所述第三PMOS場效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第二電源端，所述第三PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場效應(yīng)管的漏極以及所述第四NMOS場效應(yīng)管的柵極連接，所述第一 PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場效應(yīng)管的源極共接于所述第二開關(guān)管的低電位端，所述第四NMOS場效應(yīng)管的柵極與所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第二開關(guān)管的低電位端為所述第二開關(guān)管的低電位端。
8.如權(quán)利要求7所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為第二NMOS管； 所述第二 NMOS管的柵極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NMOS管的漏極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NMOS管的源極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
9.如權(quán)利要求7所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為第二NPN型三極管； 所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
10.一種DC-DC芯片，其特征在于，所述DC-DC芯片包括如權(quán)利要求1_9任一所述的DC-DC轉(zhuǎn)換 電路。
【文檔編號】H02M3/07GK103560665SQ201310554340
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】王衛(wèi)田 申請人:深圳創(chuàng)維－Rgb電子有限公司