芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及大規(guī)模集成電路的測試方法，尤其涉及一種芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]由于芯片在生產(chǎn)過程中存在工藝偏差，芯片的所有參數(shù)最終會呈正態(tài)分布，從而影響產(chǎn)品參數(shù)的精度，其中某些參數(shù)會超出產(chǎn)品規(guī)格書所要求的范圍，從而影響產(chǎn)品的良率。為了提高產(chǎn)品參數(shù)精度和良率，通常會在芯片生產(chǎn)完成之后對所有的參數(shù)進行測量，然后根據(jù)測量結(jié)果對其中的關(guān)鍵參數(shù)進行修調(diào)。
[0003]常用的修調(diào)方法是在Chip Probe測試階段進行，在芯片封裝之前測量關(guān)鍵參數(shù)，然后用激光熔斷修調(diào)電路中的某些熔絲，從而實現(xiàn)對關(guān)鍵參數(shù)的修調(diào)。該方法實現(xiàn)過程簡單，修調(diào)電路面積小，但是增加了 Chip Probe測試的工序，增加了測試成本；另外由于該修調(diào)方法是在封裝之前完成的，后續(xù)的封裝工藝還會進一步的影響參數(shù)的精度，所以該方法對最終廣品的參數(shù)精度和良率的提尚并不十分的理想。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述成本高、參數(shù)精度和良率的提升效果較差的試缺陷，提供一種芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種芯片參數(shù)修調(diào)電路，用于對封裝后的芯片的參數(shù)進行修調(diào)，其中，所述修調(diào)電路包括控制單元和分別連接至所述控制單元的至少一個修調(diào)單元；
[0006]所述控制單元用于給每個修調(diào)單元發(fā)送一組修調(diào)信號；每個修調(diào)單元用于接收一組修調(diào)信號并根據(jù)所述的一組修調(diào)信號永久性的輸出一組邏輯信號，所述的一組邏輯信號用于對一個參數(shù)進行修調(diào)控制。
[0007]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述的一組修調(diào)信號包括多個修調(diào)位信號，每個修調(diào)單元包括數(shù)量與所述多個修調(diào)位信號對應(yīng)的多個開關(guān)電路和多個修調(diào)位執(zhí)行電路；每個所述開關(guān)電路分別連接至所述控制單元，每個所述修調(diào)位執(zhí)行電路連接至對應(yīng)的開關(guān)電路；
[0008]所述開關(guān)電路用于獲取對應(yīng)的修調(diào)位信號并根據(jù)該修調(diào)位信號實現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)閉；所述修調(diào)位執(zhí)行電路用于在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通前輸出代表不進行位修調(diào)的電平信號、在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通后永久性的輸出代表進行位修調(diào)的電平信號，一個修調(diào)單元內(nèi)的所有的修調(diào)位執(zhí)行電路輸出的電平信號組合形成所述的一組邏輯信號。
[0009]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述修調(diào)位執(zhí)行電路包括:低壓PMOS管、兩個開關(guān)器件、下拉電阻、比較器；
[0010]所述低壓PMOS管的柵極通過所述開關(guān)電路連接至芯片內(nèi)部高壓電源，所述低壓PMOS管的柵極還通過下拉電阻連接至比較器的反相輸入端，且該反相輸入端還通過一個開關(guān)器件連接至芯片內(nèi)部低壓電源，所述比較器的同相輸入端接收預(yù)設(shè)比較電壓，所述比較器的輸出端用于輸出所述電平信號，所述低壓PMOS管的漏極和源極連接后通過另一個開關(guān)器件連接至芯片內(nèi)部接地點。
[0011 ] 本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述兩個開關(guān)器件包括MOS管或三極管。
[0012]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述開關(guān)電路包括MOS管或三極管。
[0013]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路，其中，所述控制單元包括依次連接的測試電路、串并行轉(zhuǎn)換電路、電平轉(zhuǎn)換電路；
[0014]所述測試電路用于在接收到測試使能信號后進入測試模式并接收串行修調(diào)控制信號；所述串并行轉(zhuǎn)換電路用于將所述串行修調(diào)控制信號轉(zhuǎn)換為并行修調(diào)控制信號；所述電平轉(zhuǎn)換電路用于將該并行修調(diào)控制信號進行電壓轉(zhuǎn)換得到所述的一組修調(diào)信號。
[0015]本發(fā)明還公開了一種包括所述的芯片參數(shù)修調(diào)電路的芯片。
[0016]本發(fā)明還公開了一種基于所述芯片參數(shù)修調(diào)電路的芯片參數(shù)修調(diào)方法，其中，包括如下步驟:
[0017]S1、控制單元給每個修調(diào)單元發(fā)送一組修調(diào)信號；
[0018]S2、每個修調(diào)單元接收一組修調(diào)信號并根據(jù)所述的一組修調(diào)信號永久性的輸出一組邏輯信號，所述的一組邏輯信號用于對一個參數(shù)進行修調(diào)控制。
[0019]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)方法，其中，所述控制單元包括測試電路、串并行轉(zhuǎn)換電路、電平轉(zhuǎn)換電路；所述的一組修調(diào)信號包括多個修調(diào)位信號，每個修調(diào)單元包括數(shù)量與所述多個修調(diào)位信號對應(yīng)的多個開關(guān)電路和多個修調(diào)位執(zhí)行電路；
[0020]所述步驟SI包括如下步驟:
[0021]S11、測試電路在接收到測試使能信號后進入測試模式并接收串行修調(diào)控制信號;
[0022]S12、串并行轉(zhuǎn)換電路將所述串行修調(diào)控制信號轉(zhuǎn)換為并行修調(diào)控制信號；
[0023]S13、電平轉(zhuǎn)換電路將該并行修調(diào)控制信號進行電壓轉(zhuǎn)換得到所述的一組修調(diào)信號。
[0024]所述步驟S2包括如下步驟:
[0025]S21、開關(guān)電路獲取對應(yīng)的修調(diào)位信號并根據(jù)該修調(diào)位信號實現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)閉；
[0026]S22、修調(diào)位執(zhí)行電路在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通前輸出代表不進行位修調(diào)的電平信號、在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通后永久性的輸出代表進行位修調(diào)的電平信號；
[0027]S23、一個修調(diào)單元內(nèi)的所有的修調(diào)位執(zhí)行電路輸出的電平信號組合形成所述的一組邏輯信號。
[0028]本發(fā)明所述的芯片參數(shù)修調(diào)方法，其中，所述修調(diào)位執(zhí)行電路包括低壓PMOS管和比較器，在所述步驟S22中，
[0029]在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通前，所述低壓PMOS管的柵氧將所述低壓PMOS管的柵極與源極、漏極隔離，所述比較器的反相輸入端連接至芯片內(nèi)部低壓電源，所述比較器輸出代表不進行位修調(diào)的低電平信號；
[0030]在所述開關(guān)電路首次導(dǎo)通后，所述低壓PMOS管的柵極經(jīng)由所述開關(guān)電路連接至內(nèi)部高壓電源，所述低壓PMOS管的柵氧在所述內(nèi)部高壓電源的作用下被擊穿且不可恢復(fù)，所述比較器的反相輸入端經(jīng)所述PMOS管接地，所述比較器輸出代表進行位修調(diào)的高電平信號。
[0031]實施本發(fā)明的芯片參數(shù)修調(diào)電路、修調(diào)方法以及包括該修調(diào)電路的芯片，具有以下有益效果:本發(fā)明在芯片封裝后執(zhí)行參數(shù)修調(diào)，給每個修調(diào)單元發(fā)送一組修調(diào)信號，每個修調(diào)單元根據(jù)所述一組修調(diào)信號永久性的輸出一組邏輯信號，所述的一組邏輯信號實現(xiàn)對一個參數(shù)進行修調(diào)控制。該方法減少了 ChipProbe測試的工序，降低了測試成本，另外由于該修調(diào)方法是在封裝之后完成的，修調(diào)已經(jīng)包含了封裝工藝對參數(shù)的影響，所以該方法可以極大地提尚最終廣品的參數(shù)精度和良率。
【附圖說明】
[0032]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中:
[0033]圖1是本發(fā)明芯片參數(shù)修調(diào)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2是本發(fā)明芯片參數(shù)修調(diào)電路的較佳實施例的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0035]為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細說明本發(fā)明的【具體實施方式】。
[0036]圖1是本發(fā)明芯片參數(shù)修調(diào)電路的較佳實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]本發(fā)明的芯片參數(shù)修調(diào)電路，用于對封裝后的芯片的參數(shù)進行修調(diào)，所述修調(diào)電路包括控制單元10和分別連接至所述控制單元10的至少一個修調(diào)單元20 ；
[0038]所述控制單元10用于給每個修調(diào)單元20發(fā)送一組修調(diào)信號；每個修調(diào)單元20用于接收一組修調(diào)信號并根據(jù)所述的一組修調(diào)信號永久性的輸出一組邏輯信號，所述的一組邏輯信號用于對一個參數(shù)進行修調(diào)控制。
[0039]所述的一組修調(diào)信號包括多個修調(diào)位信號，