專利名稱：一種igbt過流鎖定保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
隨著電子開關(guān)電源的日益發(fā)展，電源的功率做得越來越大，IGBT(Insulated GateBipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管應(yīng)運(yùn)而生,在開關(guān)電源的應(yīng)用中，要求對(duì)IGBT的飽和導(dǎo)通壓降進(jìn)行監(jiān)控，當(dāng)IGBT過流的時(shí)候，即器件中流過的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞，這就要求電源要做出迅速的反應(yīng)，切斷主電路的工作，以免IGBT損壞造成更嚴(yán)重的損失。傳統(tǒng)方法是用專用的鎖存芯片進(jìn)行鎖定保護(hù)，價(jià)格相對(duì)比較高。專門設(shè)計(jì)一款低成本，反應(yīng)速度快的過流鎖定保護(hù)電路。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單，反應(yīng)速度快的IGBT過流鎖定保護(hù)電路。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明之一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其包括過流信號(hào)檢入單元、與所述過流信號(hào)檢入單元依次相連的過流檢入處理單元及過流檢出處理單元、及連接所述過流檢出處理單元的PWM控制單元、反饋鎖定單元、電源單元及上電處理單元，其特征在于:所述反饋鎖定單元的一端連接所述過流檢出處理單元輸出端，其另一端與所述過流檢入處理單元相連，所述電源單元與所述過流檢入處理單元、上電處理單元和過流檢出處理單元分別相連，且所述上電處理單元的輸出端連接所述過流檢出單元。在上述方案的基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述過流檢入處理單元包括電阻R1、與所述電阻Rl連接的反相器及電阻R3，所述電阻Rl的輸入端與所述過流信號(hào)檢入單元相連，所述電阻R3的輸入端與所述電源單元相連，且反相器的輸出端與所述過流檢出處理單元相連。在上述方案的基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述反饋鎖定單元包括電阻R2，所述電阻R2與所述反相器的輸出端相連。在上述方案的基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述反饋鎖定單元還包括第一二極管，所述第一二極管的一端與所述反相器的輸入端相連，其另一端與所述過流檢出處理單元相連。在上述方案的基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述上電處理單元包括第二二極管、與所述二極管連接的電容和電阻R4，所述第二二極管與所述電阻R2的輸出端相連，所述電阻R4的一端與所述電源單元相連，其另一端連接所述第二二極管的輸出端，所述電容的輸出端接地。在上述方案的基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述電源為5V直流電源。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是:通過本發(fā)明采用了過流鎖定單元，當(dāng)檢測到過流信號(hào)時(shí)，可以將PWM控制單元強(qiáng)制鎖死在關(guān)閉狀態(tài)，確保IGBT過流保護(hù)可靠性，同時(shí)本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，可降低生產(chǎn)陳本。


圖1是本發(fā)明的一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路的電路 圖2是本發(fā)明的一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路的方塊圖。
具體實(shí)施例方式為詳細(xì)說明本發(fā)明之技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，以下茲例舉實(shí)施例并配合附圖詳予說明。請參閱圖1至圖2所示，本發(fā)明提供一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其包括過流信號(hào)檢入單元10、與所述過流信號(hào)檢入單元10依次相連的過流檢入處理單元20及過流檢出處理單元40、及連接所述過流檢出處理單元40的PWM控制單元70、反饋鎖定單元30、電源單元60及上電處理單元50,其中:
所述過流檢入處理單元20包括電阻R1、與所述電阻Rl連接的反相器及電阻R3，所述電阻Rl的輸入端與所述過流信號(hào)檢入單元10相連，所述電阻R3的輸入端與所述電源單元60相連，且該反相器的輸出端與所述過流檢出處理單元40相連。所述過流檢出處理單元40包括一第一反相器，所述第一反相器可以為奇數(shù)個(gè)反相器想串聯(lián)。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第一反相器優(yōu)選一個(gè)。所述反饋鎖定單元30的一端連接所述過流檢出處理單元40輸出端，其另一端與所述過流檢入處理單元20相連，且該反饋鎖定單元30包括第第一二極管，所述第一二極管的一端與所述反相器的輸入端相連，其另一端與所述過流檢出處理單元40相連。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述反饋鎖定單元30還包括一電阻R2，所述電阻R2 —端與所述反相器的輸出端相連，其另一端連接所述過流檢出處理單元40的第一反相器的輸入端。所述電源單元60與所述過流檢入處理單元20、上電處理單元50和過流檢出處理單元40分別相連，且所述上電處理單元50的輸出端連接所述過流檢出單元。其中所述的電源單元60優(yōu)選5V直流電源。該上電處理單元50包括第二二極管、與所述第二二極管連接的電容和電阻R4，所述第二二極管與所述電阻R2的輸出端相連，所述電阻R4的一端與所述電源單元60相連，其另一端連接所述第二二極管的輸出端，所述電容的輸出端接地。工作時(shí)，當(dāng)IGBT出現(xiàn)過流的時(shí)候，過流信號(hào)檢入單元10會(huì)輸入會(huì)發(fā)出IOmS時(shí)間的低電平信號(hào)過來，導(dǎo)致過流檢出處理單元40的反相器的輸入端電平轉(zhuǎn)為低電平，該低電平信號(hào)經(jīng)反相器反相后其輸出端變?yōu)楦唠娖?，這樣過流檢出輸出單元的輸入端也強(qiáng)制拉為高電平，經(jīng)檢出輸出單元的第二反相器反相后變?yōu)榈碗娖?，輸送至PWM控制單元70，讓PWM控制芯片強(qiáng)制關(guān)閉，同時(shí)通過第一二極管D1，把第一反相器的當(dāng)輸入端也強(qiáng)制拉低電平，第一反相器的輸出端也一直為高電平，第二反相器的輸入端也會(huì)一直持續(xù)高電平，自然第二反相器的輸出端也會(huì)一直是低電平，從而強(qiáng)制把PWM芯片強(qiáng)制鎖死在關(guān)閉狀態(tài)下，達(dá)到了保護(hù)IGBT的作用。這種情況下，只有把電源切斷后，此鎖死電路才會(huì)恢復(fù)正常。在該過程中，所述電流檢入處理單元的電阻Rl主要是反相器提供一偏置電壓，所述上電處理單元50的電容Cl主要是在電源供電初期穩(wěn)定電流，同時(shí)通過第二二極管強(qiáng)制把第一反相器的強(qiáng)制拉到低電平。綜上所述，僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例，不以此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡依本發(fā)明專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆為本發(fā)明專利涵蓋的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其包括過流信號(hào)檢入單元、與所述過流信號(hào)檢入單元依次相連的過流檢入處理單元及過流檢出處理單元、及連接所述過流檢出處理單元的PWM控制單元、反饋鎖定單元、電源單元及上電處理單元，其特征在于:所述反饋鎖定單元的一端連接所述過流檢出處理單元輸出端，其另一端與所述過流檢入處理單元相連，所述電源單元與所述過流檢入處理單元、上電處理單元和過流檢出處理單元分別相連，且所述上電處理單元的輸出端連接所述過流檢出單元。
2.如權(quán)利要求1所述IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其特征在于:所述過流檢入處理單元包括電阻R1、與所述電阻Rl連接的反相器及電阻R3，所述電阻Rl的輸入端與所述過流信號(hào)檢入單元相連，所述電阻R3的輸入端與所述電源單元相連，且反相器的輸出端與所述過流檢出處理單元相連。
3.如權(quán)利要求2所述IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其特征在于:所述反饋鎖定單元包括一電阻R2，所述電阻R2與所述反相器的輸出端相連。
4.如權(quán)利要求3所述IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其特征在于:所述反饋鎖定單元還包括第一二極管，所述第一二極管的一端與所述反相器的輸入端相連，其另一端與所述過流檢出處理單元相連。
5.如權(quán)利要求3所述IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其特征在于:所述上電處理單元包括第二二極管、與所述二極管連接的電容和電阻R4，所述第二二極管與所述電阻R2的輸出端相連，所述電阻R4的一端與所述電源單元相連，其另一端連接所述第二二極管的輸出端，所述電容的輸出端接地。
6.如權(quán)利要求1 所述IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其特征在于:所述電源為5V直流電源。
全文摘要
一種IGBT過流鎖定保護(hù)電路，其包括過流信號(hào)檢入單元、與所述過流信號(hào)檢入單元依次相連的過流檢入處理單元及過流檢出處理單元、及連接所述過流檢出處理單元的PWM控制單元、反饋鎖定單元、電源單元及上電處理單元，其特征在于所述反饋鎖定單元的一端連接所述過流檢出處理單元輸出端，其另一端與所述過流檢入處理單元相連，所述電源單元與所述過流檢入處理單元、上電處理單元和過流檢出處理單元分別相連，且所述上電處理單元的輸出端連接所述過流檢出單元。
文檔編號(hào)H02H7/10GK103219706SQ201310102868
公開日2013年7月24日 申請日期2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月28日
發(fā)明者黃華杰 申請人:深圳市安眾電氣有限公司