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非接觸供電系統(tǒng)以及非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置的制作方法

文檔序號(hào):7457390閱讀:191來源:國(guó)知局
專利名稱:非接觸供電系統(tǒng)以及非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種非接觸供電系統(tǒng)以及非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)
為了對(duì)便攜式電話、家用電器等進(jìn)行非接觸供電,大多利用由高頻的磁通產(chǎn)生的電磁感應(yīng)。不僅是已被實(shí)際應(yīng)用的鄰接式的電磁感應(yīng)供電,而且在近年來一直受關(guān)注的被稱為磁諧振式的以相隔某種程度的距離進(jìn)行供電的空間供電技術(shù)中也利用了相同的電磁感應(yīng)。高頻的磁通還使金屬異物產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),由于渦流損耗而導(dǎo)致溫度上升。在金屬異物成為高溫的情況下,有可能引起供電裝置、設(shè)備的殼體發(fā)生變形,或者在人誤接觸時(shí)而發(fā)生燙傷。提出了各種用于防止對(duì)該金屬進(jìn)行感應(yīng)加熱的發(fā)明(例如,專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2)。在所提出的這些系統(tǒng)中,供電裝置側(cè)的高頻逆變器電路間歇性地振蕩、待機(jī)。在該待機(jī)時(shí)即使單獨(dú)放置金屬異物,由于平均輸出極小,因此也幾乎不存在溫度上升,是安全的。在放置了正確設(shè)備的情況下,在該間歇振蕩期間經(jīng)由初級(jí)線圈向次級(jí)線圈傳輸少許電力。利用該電力在次級(jí)側(cè)(設(shè)備側(cè))生成特殊的信號(hào),經(jīng)由供電裝置側(cè)的天線將該信號(hào)送回。供電裝置通過檢測(cè)該信號(hào)來判斷是否安裝了標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備來控制高頻逆變器。S卩,供電裝置進(jìn)行是否為正確設(shè)備的認(rèn)證,因此在僅放置了金屬異物的情況下仍保持間歇振蕩應(yīng)該是安全的 。

專利文獻(xiàn)1:日本專利3392103號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利3306675號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
_9] 發(fā)明要解決的問題但是,在非接觸供電裝置所使用的金屬異物檢測(cè)裝置中,當(dāng)然能夠進(jìn)行單獨(dú)放置了金屬異物的情況下的檢測(cè),但是無法檢測(cè)使用時(shí)被夾在電力用初級(jí)線圈與電力用次級(jí)線圈的間隙的薄金屬片等。作為對(duì)夾在線圈間的該金屬進(jìn)行檢測(cè)的方法,考慮以下方法當(dāng)在供電部與設(shè)備之間發(fā)送、接收信號(hào)時(shí),對(duì)由于被夾的金屬而發(fā)生衰減或者反射并從發(fā)送側(cè)發(fā)送到接收側(cè)的信號(hào)的電平下降進(jìn)行檢測(cè)。該方法利用以下結(jié)構(gòu)來進(jìn)行檢測(cè)在認(rèn)證設(shè)備時(shí),如果金屬異物介于發(fā)送接收天線之間,則與通常相比,在接收天線側(cè)認(rèn)證時(shí)的信號(hào)振幅發(fā)生衰減。另外,作為對(duì)被夾的該金屬異物進(jìn)行檢測(cè)的其它方法的例子,考慮以下方法直接使用用于電力傳輸?shù)墓╇娋€圈和受電線圈,在數(shù)據(jù)通信時(shí)從設(shè)備側(cè)對(duì)受電線圈的輸出進(jìn)行調(diào)制,由此引起在供電裝置側(cè)的送電線圈的端子處出現(xiàn)的電壓或者電流發(fā)生變化。在該方法中,當(dāng)在受電線圈與送電線圈之間存在金屬異物時(shí)數(shù)據(jù)通信的信號(hào)衰減,因此通過利用該結(jié)構(gòu)來檢測(cè)被夾入的金屬。
但是,在這些方法中,如果金屬異物小或薄則信號(hào)的衰減小,因此還有可能被作為不存在異物時(shí)的信號(hào)電平的偏差而檢測(cè)不出金屬異物。由此,被夾的金屬異物的檢測(cè)受到限制。關(guān)于近年來的供電裝置,為了應(yīng)對(duì)高輸出的設(shè)備,存在每單位面積的輸出變大的傾向,越發(fā)需要對(duì)更小的薄金屬片進(jìn)行檢測(cè)。通常,為了應(yīng)對(duì)該情況必須設(shè)置高價(jià)、大規(guī)模的專用的高靈敏度高精度的金屬檢測(cè)傳感器,導(dǎo)致供電系統(tǒng)的大型化、成本增加。本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的,其目的在于提供一種能夠以廉價(jià)且簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)來高靈敏度高精度地檢測(cè)金屬異物的非接觸供電系統(tǒng)以及非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置。用于解決問題的方案本發(fā)明的第一方式是一種非接觸供電系統(tǒng)。該非接觸供電系統(tǒng)具備供電裝置,其包括初級(jí)線圈以及使上述初級(jí)線圈中有高頻電流流動(dòng)的高頻逆變器;設(shè)備,其包括次級(jí)線圈,該次級(jí)線圈通過由于在上述初級(jí)線圈中流動(dòng)的電流而產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)來產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),該設(shè)備利用在上述次級(jí)線圈中產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)對(duì)負(fù)載提供電力;以及金屬異物檢測(cè)裝置,其包括天線線圈;振蕩電路,其使上述天線線圈中有高頻電流流動(dòng);以及檢測(cè)電路,其對(duì)在上述振蕩電路和上述天線線圈的任一個(gè)中被觀測(cè)的電壓或者電流的變化進(jìn)行檢測(cè),其中,上述振蕩電路包括具有如下設(shè)計(jì)值的組成部件該設(shè)計(jì)值使上述振蕩電路在緊接在該振湯電路中開始廣生振湯后的振湯條件到穩(wěn)定的持續(xù)振湯條件之如為止的沮圍內(nèi)的振湯條件下產(chǎn)生振蕩,上述金屬異物檢測(cè)裝置利用上述檢測(cè)電路,根據(jù)由放置在上述供電裝置上的金屬異物所導(dǎo)致的上述天線線圈的電氣特性的變化,對(duì)上述振蕩電路的振蕩的停止或者振蕩振幅的衰減進(jìn)行檢測(cè),來控制上述供電裝置。本發(fā)明的第二方式是一種該非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置,該非接觸供電系統(tǒng)對(duì)供電裝置的初級(jí)線圈進(jìn)行勵(lì)磁,通過電磁感應(yīng)使配置在上述供電裝置上的設(shè)備的次級(jí)線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),將該感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)提供給上述設(shè)備的負(fù)載。該金屬異物檢測(cè)裝置具備天線線圈;振蕩電路,其使上述天線線圈中有聞?lì)l電流流動(dòng);以及檢測(cè)電路,其對(duì)在上述振蕩電路和天線線圈部的任一個(gè)中被觀測(cè)的電壓或者電流的變化進(jìn)行檢測(cè),其中,上述振蕩電路包括具有如下設(shè)計(jì)值的組成部件該設(shè)計(jì)值使上述振蕩電路在緊接在該振蕩電路中開始產(chǎn)生振蕩后的振蕩條件到穩(wěn)定的持續(xù)振蕩條件之前為止的范圍內(nèi)的振蕩條件下產(chǎn)生振蕩,上述檢測(cè)電路根據(jù)由放置在上述供電裝置上的金屬異物所導(dǎo)致的上述天線線圈的電氣特性的變化,對(duì)上述振蕩電路的振蕩的停止或者振蕩振幅的衰減進(jìn)行檢測(cè),來控制上述供電裝置。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明,能夠以廉價(jià)且簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)高靈敏度高精度地檢測(cè)金屬異物。


圖1是第一實(shí)施方式的供電裝置的整體立體圖。圖2是表示初級(jí)線圈、金屬檢測(cè)天線線圈的配置位置的說明圖。圖3是表示供電裝置和設(shè)備的電氣結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖4是金屬異物檢測(cè)裝置的振蕩電路圖。
圖5的(a)是表示對(duì)供電裝置什么都沒放置的狀態(tài)的圖,(b)是表示對(duì)供電裝置僅放置了金屬片的狀態(tài)的圖,(C)是表示對(duì)供電裝置僅放置了設(shè)備的狀態(tài)的圖,(d)是表示在供電裝置的載置面與設(shè)備之間夾入了金屬片的狀態(tài)的圖,(e)是表示在遠(yuǎn)離設(shè)備的位置處放置了金屬片的狀態(tài)的圖。圖6是振蕩電路的振蕩信號(hào)的輸出波形圖。圖7是其它振蕩條件下的振蕩電路的檢測(cè)信號(hào)的輸出波形圖。圖8是高頻逆變器電路的電路圖。圖9是第一勵(lì)磁同步信號(hào)和第二勵(lì)磁同步信號(hào)的輸出波形圖。圖10是高頻逆變器電路的輸出波形圖。圖11是高頻逆變器電路的輸出波形圖。圖12是第二實(shí)施方式的供電裝置的整體立體圖。圖13是表示第二實(shí)施方式的供電裝置和設(shè)備的電氣結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖14是表示第二實(shí)施方式的金屬檢測(cè)天線線圈的電氣結(jié)構(gòu)的電路。圖15是表示第二實(shí)施方式的另一例的電路圖。圖16是第三實(shí)施方式的供電裝置和設(shè)備的整體立體圖。圖17是表示第三實(shí)施方式的供電裝置和設(shè)備的電氣結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖18是第四實(shí)施方式的供電裝置和設(shè)備的整體立體圖。圖19是表示第四實(shí)施方式的供電裝置和設(shè)備的電氣結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖20的(a)是表示對(duì)供電裝置什么都沒放置的狀態(tài)的圖,(b)是表示對(duì)供電裝置僅放置了金屬片的狀態(tài)的圖,(C)是表示對(duì)供電裝置僅放置了設(shè)備的狀態(tài)的圖,(d)是表示在供電裝置的載置面與設(shè)備之間夾入了金屬片的狀態(tài)的圖,(e)是表示在遠(yuǎn)離設(shè)備的位置處放置了金屬片的狀態(tài)的圖,(f)是供電裝置的載置面與設(shè)備相分離來進(jìn)行供電的狀態(tài)的圖,(g)是供電裝置的載置面與金屬片相分離,在該分離的空間內(nèi)也放置有金屬片的狀態(tài)的圖。圖21是振蕩電路的振蕩信號(hào)的輸出波形圖。圖22是表示金屬異物檢測(cè)裝置的另一例的立體圖。
具體實(shí)施例方式下面,按照

將本發(fā)明的非接觸供電系統(tǒng)具體化的第一實(shí)施方式。圖1示出供電裝置I和被該供電裝置I非接觸供電的設(shè)備E的整體立體圖。供電裝置I的殼體2由四邊形的底板3、從該底板3的四周向上方延伸而形成的四邊形框體4以及封閉該四邊形框體4的上方的開口部的由鋼化玻璃構(gòu)成的頂板5形成。而且,頂板5的上表面成為作為載置設(shè)備E的供電面的載置面6。如圖2所示,在由底板3、四邊形框體4以及頂板5形成的空間(殼體2內(nèi))配設(shè)有初級(jí)線圈LI。在本實(shí)施方式中,初級(jí)線圈LI為一個(gè),與頂板5的載置面6平行地配置。而且,初級(jí)線圈LI被配置固定于與頂板5的下表面接近到要接觸這種程度的位置處。在初級(jí)線圈LI的下方位置的底板3上安裝配置有用于對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)控制的供電模塊M。供電模塊M與初級(jí)線圈LI相連接,對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng),對(duì)載置于載置面6的設(shè)備E進(jìn)行非接觸供電。
另外,如圖2所示,在初級(jí)線圈LI的外側(cè),以包圍初級(jí)線圈LI的方式配置固定有信號(hào)接收天線線圈ATI。而且,在載置于載置面6的設(shè)備E與供電模塊M之間,經(jīng)由信號(hào)接收天線線圈ATl通過無線通信分別進(jìn)行數(shù)據(jù)、信息的發(fā)送接收。另外,如圖2所示,在頂板5的上表面(載置面6)且與初級(jí)線圈LI相向的位置處形成有金屬檢測(cè)天線線圈AT2。金屬檢測(cè)天線線圈AT2形成為螺旋形狀,利用公知的印刷布線技術(shù)形成在載置面6上。金屬檢測(cè)天線線圈AT2與設(shè)置在殼體2內(nèi)的金屬異物檢測(cè)裝置7相連接,構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的一部分。金屬異物檢測(cè)裝置7通過金屬檢測(cè)天線線圈AT2來檢測(cè)載置面6上的金屬片8。而且,金屬異物檢測(cè)裝置7在檢測(cè)到載置面6上的金屬片8時(shí),對(duì)供電模塊M輸出金屬存在信號(hào)ST。另外,在殼體2內(nèi)安裝有對(duì)供電模塊M進(jìn)行統(tǒng)一控制的由微計(jì)算機(jī)構(gòu)成的系統(tǒng)控制部9。而且,通過信號(hào)接收天線線圈ATl接收到的數(shù)據(jù)、信息經(jīng)由供電模塊M被輸出到系統(tǒng)控制部9。另外,通過金屬檢測(cè)天線線圈AT2檢測(cè)并從金屬異物檢測(cè)裝置7輸出的金屬存在信號(hào)ST經(jīng)由供電模塊M被輸出到系統(tǒng)控制部9。載置于供電裝置I的載置面6的設(shè)備E具有次級(jí)線圈L2。如圖2所示,通過供電裝置I的初級(jí)線圈LI的勵(lì)磁對(duì)設(shè)備E的次級(jí)線圈L2進(jìn)行勵(lì)磁供電,設(shè)備E的次級(jí)線圈L2將被供電的該電力、即二次電力提供到設(shè)備E的負(fù)載Z。另外,如圖2所示,在設(shè)備E的次級(jí)線圈L2的外側(cè),以包圍該次級(jí)線圈L2的方式卷繞有發(fā)送接收天線線圈AT3。而且,在設(shè)備E載置于供電裝置I的載置面6時(shí),設(shè)備E經(jīng)由包圍位于其正下方的初級(jí)線圈LI的信號(hào)接收天線線圈AT1,與對(duì)該初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)控制的供電模塊M之間通過無線通信進(jìn)行數(shù)據(jù)、信息的發(fā)送接收。接著,按照?qǐng)D3說明供電裝置I和設(shè)備E的電氣結(jié)構(gòu)。在圖3中,在設(shè)備E中具備設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10。設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10與發(fā)送接收天線線圈AT3相連接。設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10生成設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ,該設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID表示是通過供電裝置I接受供電的設(shè)備E,該勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ用于向供電裝置I請(qǐng)求供電。而且,設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10將該設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ經(jīng)由發(fā)送接收天線線圈AT3發(fā)送到供電裝置I。在此,設(shè)備E是通過在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的電力(二次電力)來進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的設(shè)備,只要是能夠生成上述設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ并發(fā)送到供電裝置I的設(shè)備即可。因而,設(shè)備E可以是以下設(shè)備該設(shè)備將在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的二次電力通過整流電路進(jìn)行整流并使用整流得到的直流電源從而在載置面6上被驅(qū)動(dòng),或者也可以是將二次電力直接用作交流電源從而在載置面6上被驅(qū)動(dòng)。另外,設(shè)備E還可以是將在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的二次電力通過整流電路進(jìn)行整流并使用整流得到的直流電源對(duì)內(nèi)置的充電電池(二次電池)進(jìn)行充電的設(shè)備。另外,在用于對(duì)內(nèi)置的二次電池進(jìn)行充電的便攜式電話、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)等設(shè)備E中,也可以使設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10具備以下功能在二次電池充電完成時(shí),消除在充電完成前發(fā)送的設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ中的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ,僅發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID。另外,在具備計(jì)時(shí)器的設(shè)備E中,也可以使設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10具備以下功能接受供電并在由計(jì)時(shí)器設(shè)定的時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)設(shè)備E,在經(jīng)過了所設(shè)定的該時(shí)間時(shí)消除在經(jīng)過時(shí)間之前發(fā)送的設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ中的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ,僅發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID。另一方面,在圖3中,連接有初級(jí)線圈LI的供電模塊M具備勵(lì)磁請(qǐng)求接收電路
11、設(shè)備認(rèn)證接收電路12、勵(lì)磁控制電路13以及高頻逆變器電路14。勵(lì)磁請(qǐng)求接收電路11與供電模塊M的信號(hào)接收天線線圈ATl相連接,經(jīng)由信號(hào)接收天線線圈ATl接收從載置于載置面6的設(shè)備E發(fā)送的發(fā)送信號(hào)。勵(lì)磁請(qǐng)求接收電路11從接收到的發(fā)送信號(hào)中提取用于請(qǐng)求供電的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ。然后,勵(lì)磁請(qǐng)求接收電路11當(dāng)從發(fā)送信號(hào)提取出勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ時(shí),將該勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ輸出到勵(lì)磁控制電路13。設(shè)備認(rèn)證接收電路12與供電模塊M的信號(hào)接收天線線圈ATl相連接,經(jīng)由信號(hào)接收天線線圈ATl接收從載置于載置面6的設(shè)備E送信的發(fā)送信號(hào)。設(shè)備認(rèn)證接收電路12從接收到的發(fā)送信號(hào)提取表示是能夠接受供電的設(shè)備E的設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID。然后,設(shè)備認(rèn)證接收電路12當(dāng)從發(fā)送信號(hào)提取出設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID時(shí),將該設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID輸出到勵(lì)磁控制電路13。另外,勵(lì)磁控制電路13與金屬異物檢測(cè)裝置7相連接。如圖4所示,金屬異物檢測(cè)裝置7具備使高頻電流流向金屬檢測(cè)天線線圈AT2的振蕩電路7a和對(duì)金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電壓或者電流(振蕩信號(hào)Vo)的變化進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)電路7b。而且,金屬異物檢測(cè)裝置7通過金屬檢測(cè)天線線圈AT2來檢測(cè)在載置面6上是否載置有金屬片8,當(dāng)檢測(cè)到在載置面6上載置有金屬片8時(shí),從檢測(cè)電路7b向勵(lì)磁控制電路13輸出金屬存在信號(hào)ST。在本實(shí)施方式中,如圖4所示,振蕩電路7a由科爾皮茲振蕩電路構(gòu)成,將金屬檢測(cè)天線線圈AT2兼用作該振蕩電路7a的電感組成部件之一。振蕩電路7a包括雙極晶體管Q1、金屬檢測(cè)天線線圈AT2、第一 第三電容器Cl C3、第一和第二電阻Rl、R2。晶體管Ql的集電極端子與金屬檢測(cè)天線線圈AT2的一端相連接,該金屬檢測(cè)天線線圈AT2的另一端與直流電源B的正端子相連接。另外,金屬檢測(cè)天線線圈AT2的另一端經(jīng)由第一電容器Cl與晶體管Ql的發(fā)射極端子相連接。并且,在晶體管Ql的集電極端子與發(fā)射極端子之間連接有第二電容器C2。另外,晶體管Ql的基極端子經(jīng)由由第三電容器C3和第一電阻Rl構(gòu)成的并聯(lián)電路與直流電源B的正端子相連接。另外,晶體管Ql的發(fā)射極端子經(jīng)由第二電阻R2與直流電源B的負(fù)端子相連接。而且,振蕩電路7a將振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo從晶體管Ql的集電極端子輸出到檢測(cè)電路7b。對(duì)于像這樣構(gòu)成的振蕩電路7a,預(yù)先設(shè)定構(gòu)成該振蕩電路7a的組成部件、即晶體管Q1、金屬檢測(cè)天線線圈AT2、第一 第三電容器Cl C3、第一和第二電阻Rl、R2的電路常數(shù),來輸出能夠高靈敏度地檢測(cè)金屬異物的振蕩信號(hào)Vo。詳細(xì)地說,構(gòu)成振蕩電路7a的組成部件被設(shè)定為以下設(shè)計(jì)值該設(shè)計(jì)值使振蕩電路7a在緊接在超出驅(qū)動(dòng)該振蕩電路7a時(shí)不產(chǎn)生振蕩的極限值而開始產(chǎn)生振蕩后的狀態(tài)到振蕩振幅穩(wěn)定在該振蕩電路7a穩(wěn)定的最大振幅處的狀態(tài)附近為止的振蕩條件的范圍內(nèi)廣生振蕩。也就是說,振蕩電路7a的設(shè)計(jì)值不是能夠以穩(wěn)定的振幅維持持續(xù)振蕩的值,而是被設(shè)定為以下值在從緊接在能夠開始振湯后的振湯條件到穩(wěn)定的持續(xù)振湯條件之如的沮圍內(nèi)的振蕩條件下產(chǎn)生振蕩。其結(jié)果是,能夠以與振蕩相關(guān)的電磁參數(shù)的小的變化來生成振蕩信號(hào)Vo的振蕩振幅的大的變化。換句話說,振蕩電路7a的金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電氣特性是隨著被放置在供電裝置I的載置面6上的金屬片8而發(fā)生變化。而且,利用該金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電氣特性的變化使振蕩電路7a的振蕩停止或者使振蕩"[目號(hào)Vo的振蕩振幅大幅裳減。另外,關(guān)于供電裝置I的載置面6,考慮圖5的(a) 圖5的(e)所示的情況。圖5的(a)示出在供電裝置I的載置面6上什么都沒放置的狀態(tài)。圖5的(b)示出在供電裝置I的載置面6上僅放置了金屬片8的狀態(tài)。圖5的(C)示出在供電裝置I的載置面6上僅放置了設(shè)備E的狀態(tài)。圖5的(d)示出在供電裝置I的載置面6與設(shè)備E之間夾入了金屬片8的狀態(tài)。圖5的(e)示出在供電裝置I的載置面6且遠(yuǎn)離設(shè)備E的位置處放置了金屬片8的狀態(tài)。在該各狀態(tài)下,在圖5的(a)所示的在載置面6上什么都沒放置的狀態(tài)下,如圖6的期間Al所示,需要使振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo成為最大振幅波形。在該前提下,在圖5的(b)所示的狀態(tài)下,如圖6的期間A3所示,需要使振蕩信號(hào)Vo的振幅為零,在圖5的(c)所示的狀態(tài)下,如圖6的期間A2所示,需要使振蕩信號(hào)Vo成為比什么都沒放置的狀態(tài)的最大振幅稍小的振幅波形。并且,在圖5的(d)和圖5的(e)所示的狀態(tài)下,如圖6的期間A4所示,需要使振蕩信號(hào)Vo的振幅為零。因此,在本實(shí)施方式中,如上所述,通過改變組成部件的值、種類而有意地將構(gòu)成振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值設(shè)定為振蕩終于要開始的條件附近的值,來實(shí)現(xiàn)振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo。由此,在振蕩電路7a中,在僅放置了設(shè)備E的情況下,振蕩信號(hào)Vo的振幅略微衰減,與此相對(duì)地,在僅放置了金屬片8或者在設(shè)備E與載置面6之間夾入了金屬片8、或者在設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下停止振蕩。在設(shè)備E與金屬檢測(cè)天線線圈AT2之間,雖然金屬片8與金屬檢測(cè)天線線圈AT2的距離變近,但即使是該距離的少量差異也對(duì)振蕩的有無造成影響。換句話說,振蕩電路7a是對(duì)距離具有高靈敏度的傳感器,即使是被放置在比設(shè)備E的殼體的厚度短的距離處的近接或者緊密貼合那樣的金屬片8,也能夠高精度地進(jìn)行檢測(cè)。而且,在存在金屬片8時(shí),具有固定的殼體厚度的設(shè)備E不能與金屬檢測(cè)天線線圈AT2緊密貼合,因此能夠明確區(qū)分在殼體內(nèi)具有次級(jí)線圈L2、金屬以及磁性材料的設(shè)備E和金屬片8地進(jìn)行檢測(cè)。結(jié)果是,通過將振蕩電路7a的設(shè)計(jì)值選擇為終于能夠振蕩的條件的附近的值,得到對(duì)由放置在金屬檢測(cè)天線線圈AT2的上方的近接的金屬片8所導(dǎo)致的電磁特性的變化具有極高靈敏度的狀態(tài)。另外,在實(shí)際的電路中,與引起高頻動(dòng)作的布線的電感、電容、所使用的晶體管的放大率有關(guān)的特性復(fù)雜地?fù)诫s在上述振蕩條件中。因此,在本實(shí)施方式中,在實(shí)驗(yàn)等的范圍內(nèi)改變各組成部件的參數(shù)并且將它們進(jìn)行組合,在確認(rèn)了穩(wěn)定的振蕩狀態(tài)的基礎(chǔ)上設(shè)定組成部件的設(shè)計(jì)值。另外,也可以使構(gòu)成振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值更為接近稍微穩(wěn)定振蕩的狀態(tài)。通過這樣,在圖5的(a) 圖5的(e)的各狀態(tài)下能夠得到圖7所示的振蕩信號(hào)Vo0即能夠確認(rèn)的是,在載置面6上僅存在金屬片8的情況下、或者在金屬片8被夾在設(shè)備E與載置面6之間的情況下、或者在設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下,雖然不能說是振蕩停止,但是振蕩信號(hào)Vo的振幅表現(xiàn)為大幅衰減。從振蕩電路7a輸出的振蕩信號(hào)Vo被輸出到檢測(cè)電路7b。在蕩信號(hào)Vo的振幅值小于預(yù)先決定的基準(zhǔn)值時(shí),檢測(cè)電路7b判斷為在載置面6上僅放置了金屬片8、或者金屬片8被設(shè)備E夾住或者被放置在設(shè)備E的附近的載置面6上,輸出金屬存在信號(hào)ST。檢測(cè)電路7b (金屬異物檢測(cè)裝置7)將該金屬存在信號(hào)ST輸出到勵(lì)磁控制電路13。相反地,在振蕩信號(hào)Vo的振幅值為預(yù)先決定的基準(zhǔn)值以上時(shí),檢測(cè)電路7b (金屬異物檢測(cè)裝置7)判斷為在載置面6上什么都沒放置、或者在載置面6上僅放置了設(shè)備E,不向勵(lì)磁控制電路13輸出金屬存在信號(hào)ST。對(duì)勵(lì)磁控制電路13輸入時(shí)時(shí)被輸出的來自勵(lì)磁請(qǐng)求接收電路11的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ、來自設(shè)備認(rèn)證接收電路12的設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID以及來自金屬異物檢測(cè)裝置7的金屬存在信號(hào)ST。勵(lì)磁控制電路13將時(shí)時(shí)輸入的該勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ、設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID以及金屬存在信號(hào)ST輸出到系統(tǒng)控制部9。而且,勵(lì)磁控制電路13通過向系統(tǒng)控制部9輸出勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ、設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID以及金屬存在信號(hào)ST,來等待來自系統(tǒng)控制部9的允許信號(hào)EN0系統(tǒng)控制部9在(I)輸入了勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ的情況下、(2)輸入了設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID的情況下,將用于對(duì)與供電模塊M相連接的初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)的允許信號(hào)EN輸出到勵(lì)磁控制電路13。勵(lì)磁控制電路13當(dāng)被輸入了來自系統(tǒng)控制部9的允許信號(hào)EN時(shí),將用于對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)以進(jìn)行供電的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT輸出到高頻逆變器電路14。另外,即使上述(I) (2)條件成立,在從金屬異物檢測(cè)裝置7經(jīng)由勵(lì)磁控制電路13對(duì)系統(tǒng)控制部9輸入了金屬存在信號(hào)ST時(shí),系統(tǒng)控制部9也不輸出允許信號(hào)EN。因而,勵(lì)磁控制電路13不向高頻逆變器電路14輸出用于對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT。并且,在輸出允許信號(hào)EN期間沒有輸入來自勵(lì)磁控制電路13的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID中的至少一個(gè)信號(hào)時(shí),系統(tǒng)控制部9停止輸出允許信號(hào)EN。因而,在這種情況下,勵(lì)磁控制電路13也不向高頻逆變器電路14輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT。高頻逆變器電路14與供電模塊M的初級(jí)線圈LI相連接。而且,高頻逆變器電路14基于驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。也就是說,當(dāng)從勵(lì)磁控制電路13輸入驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT時(shí),高頻逆變器電路14對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)以進(jìn)行供電。因而,在能夠從供電裝置I接受供電的設(shè)備E載置于載置面6而從該設(shè)備E發(fā)送了設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ、且在載置面6上不存在金屬片8的情況下,通過高頻逆變器電路14對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行用于供電的勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。即,初級(jí)線圈LI進(jìn)行要通過非接觸供電對(duì)設(shè)備E提供二次電力的勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。如圖3所不,聞?lì)l逆變器電路14具備聞?lì)l振蕩電路14a和勵(lì)磁同步彳目號(hào)廣生電路14bo高頻振蕩電路14a與初級(jí)線圈LI相連接來對(duì)該初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。圖8示出高頻振蕩電路14a的電路結(jié)構(gòu)。高頻振蕩電路14a是半橋型的局部諧振電路,在設(shè)置于供電裝置I的電源電壓G與接地之間并聯(lián)地設(shè)置有分壓電路,該分壓電路由第四電容器C4和第五電容器C5的串聯(lián)電路構(gòu)成。由第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12的串聯(lián)電路構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路與該分壓電路并聯(lián)地連接。另外,在本實(shí)施方式中,第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12由MOSFET構(gòu)成,第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12分別在源極端子與漏極端子之間連接有續(xù)流用的二極管Dl、D2。而且,在第四電容器C4與第五電容器C5的連接點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)NI)和第一功率晶體管Qll與第二功率晶體管Q12的連接點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)N2)之間連接有初級(jí)線圈LI。另外,第六電容器C6與初級(jí)線圈LI并聯(lián)連接。在本實(shí)施方式中,第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12由N溝道MOSFET構(gòu)成,在第一功率晶體管QlI的柵極端子上連接有第一邏輯與電路21,在第二功率晶體管Q12的柵極端子上連接有第二邏輯與電路22。第一邏輯與電路21是雙輸入端子的邏輯與電路,對(duì)其中一個(gè)輸入端子輸入作為高、低信號(hào)的第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl。詳細(xì)地說,第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl是具有預(yù)先決定的周期Tsl的高、低信號(hào),如圖9所示,將高的時(shí)間tal設(shè)定為比低的`時(shí)間tbl短。而且,在本實(shí)施方式中,從設(shè)置于系統(tǒng)控制部9的信號(hào)生成電路(未圖不)輸出該第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl。另外,對(duì)第一邏輯與電路21的另一個(gè)輸入端子輸入來自第一邏輯或電路23的第一輸出信號(hào)Vrsl。第一邏輯或電路23是雙輸入端子的邏輯或電路,對(duì)其中一個(gè)輸入端子輸入如圖10所示的間歇性地成為高電平的間歇高信號(hào)Vst。詳細(xì)地說,在本實(shí)施方式中,如圖9和圖10所不,間歇高信號(hào)Vst具有第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl的周期Tsl的6倍的周期Tst(=6Tsl)。該間歇高信號(hào)Vst在第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl從高下降到低之后上升為高,在上升為高之后在第二個(gè)第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl即將上升之前下降到低。而且,在下降到低電平之后輸出的第五個(gè)第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl下降之后,下一個(gè)間歇聞"[目號(hào)Vst上升為聞。在此,將間歇聞"[目號(hào)Vst為筒電平的時(shí)間稱為聞時(shí)間tx。而且,在本實(shí)施方式中,從設(shè)置于系統(tǒng)控制部9的信號(hào)生成電路(未圖示)輸出該間歇聞彳目號(hào)Vst。另外,從勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b對(duì)第一邏輯或電路23的另一個(gè)輸入端子輸入如圖10和圖11所示的逆變器控制信號(hào)Vss。在對(duì)勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b輸入了來自勵(lì)磁控制電路13的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT時(shí),勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b將用于對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)以進(jìn)行供電的高電平的逆變器控制信號(hào)Vss輸出到第一邏輯或電路23。
另外,在沒有從勵(lì)磁控制電路13對(duì)勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b輸入驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT時(shí),勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b不輸出高電平的逆變器控制信號(hào)Vss。例如,當(dāng)在載置面6上沒有載置設(shè)備E時(shí)(在沒有接收到勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID時(shí)),勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b不向第一邏輯或電路23輸出高電平的逆變器控制信號(hào)Vss。此時(shí),第一邏輯或電路23按輸入到其中一個(gè)輸入端子的間歇高信號(hào)Vst的周期Tst,將高電平時(shí)間與高時(shí)間tx相同的第一輸出信號(hào)Vrsl輸出到下一級(jí)的第一邏輯與電路21。換句話說,此時(shí),第一邏輯或電路23將間歇高信號(hào)Vst作為第一輸出信號(hào)Vrsl進(jìn)行輸出。因而,如圖10所不,在對(duì)第一邏輯與電路21輸入了間歇高信號(hào)Vst時(shí),第一邏輯與電路21按周期Tst將第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl作為第一導(dǎo)通截止信號(hào)Vgl輸出到第一功率晶體管Qll的柵極。其結(jié)果是,第一功率晶體管Qll按周期Tst在間歇高信號(hào)Vst的高時(shí)間tx期間響應(yīng)于第一導(dǎo)通截止信號(hào)Vgl (第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl)而間歇性地導(dǎo)通。順便提及,在沒有載置金屬片8且上述(I) (2)的條件成立的情況下,勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b被輸入驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT,將高電平的逆變器控制信號(hào)Vss輸出到第一邏輯或電路23。而且,第一邏輯或電路23將該高電平的逆變器控制信號(hào)Vss作為第一輸出信號(hào)Vrsl輸出到下一級(jí)的第一邏輯與電路21。因而,如圖11所示,在對(duì)第一邏輯與電路21輸出高電平的逆變器控制信號(hào)Vss期間,第一邏輯與電路21將以預(yù)先決定的周期Tsl輸出的第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl作為第一導(dǎo)通截止信號(hào)Vgl輸出到第一功率晶體管Qll的柵極。其結(jié)果是,第一功率晶體管Qll以第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl的周期Tsl進(jìn)行導(dǎo)通、截止。另一方面,在第二功率晶體管Q12的柵極端子上連接有第二邏輯與電路22。第二邏輯與電路22是雙輸入端子的邏輯與電路,對(duì)其中一個(gè)輸入端子輸入作為高、低信號(hào)的第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2。

詳細(xì)地說,第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2是具有預(yù)先決定的周期Ts2的高、低信號(hào),如圖9所示,第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2具有與第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl的周期Tsl相同的周期。另外,與第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl同樣地,第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2將高的時(shí)間ta2(=tal)設(shè)定為比低的時(shí)間tb2(=tbl)短,且與上述第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl處于大致反轉(zhuǎn)的關(guān)系。S卩,在第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl為高時(shí)第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2為低,在第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl為低時(shí)第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2為高。另外,在此,如上所述,設(shè)定為第一和第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、Vs2的高時(shí)間tal、ta2比低時(shí)間tbl、tb2短。因而,在第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl從高下降到低至第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2從低上升到高為止的期間以及第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2從高下降到低至第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl從低上升到高為止的期間,存在第一和第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、Vs2均為低電平的空載時(shí)間td。通過設(shè)置該空載時(shí)間td,能夠?qū)崿F(xiàn)第一功率晶體管Qll與第二功率晶體管Q12之間的軟切換。另外,在本實(shí)施方式中,從設(shè)置于系統(tǒng)控制部9的信號(hào)生成電路(未圖示)輸出該第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2。另外,對(duì)第二邏輯與電路22的另一個(gè)輸入端子輸入來自第二邏輯或電路24的第二輸出信號(hào)Vrs2。
第二邏輯或電路24是雙輸入端子的邏輯或電路,對(duì)其中一個(gè)輸入端子輸入上述間歇高信號(hào)Vst。另外,同樣地從勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b對(duì)第二邏輯或電路24的另一個(gè)輸入端子輸入上述逆變器控制信號(hào)Vss。因而,在從勵(lì)磁控制電路13對(duì)勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b輸入了驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT時(shí)(上述(I) (2)條件成立時(shí)),對(duì)第二邏輯或電路24輸入高電平的逆變器控制信號(hào)Vss。另外,在沒有從勵(lì)磁控制電路13對(duì)勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b輸入驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT時(shí)(上述(I) (2)條件不成立時(shí)),不對(duì)第二邏輯或電路24輸入高電平的逆變器控制信號(hào) Vss0而且,第二邏輯或電路24按輸入到其中一個(gè)輸入端子的間歇高信號(hào)Vst的周期Tst,將高電平時(shí)間與高時(shí)間tx相同的第二輸出信號(hào)Vrs2輸出到下一級(jí)的第二邏輯與電路22。換句話說,此時(shí),第二邏輯或電路24將間歇高信號(hào)Vst作為第二輸出信號(hào)Vrs2進(jìn)行輸出。因而,在對(duì)第二邏輯與電路22輸入了間歇高信號(hào)Vst時(shí),如圖10所示,第二邏輯與電路22按周期Tst將第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2作為第二導(dǎo)通截止信號(hào)Vg2輸出到第二功率晶體管Q12的柵極。其結(jié)果是,第二功率晶體管Q12按周期Tst在間歇高信號(hào)Vst的高時(shí)間tx期間響應(yīng)于第二導(dǎo)通截止信號(hào)Vg2(第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2)而間歇性地導(dǎo)通。由此,例如,當(dāng)在載置面6上沒有載置設(shè)備E時(shí)(在沒有接收到勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID時(shí)),高頻振蕩電路14a的第一功率晶體管Qll根據(jù)由間歇高信號(hào)Vst決定的第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl進(jìn)行導(dǎo)通、截止,第二功率晶體管Q12根據(jù)由間歇高信號(hào)Vst決定的第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2進(jìn)行導(dǎo)通、截止。在此,第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl的波形與第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2的波形處于反轉(zhuǎn)的關(guān)系,因此第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12交替地且間歇性地進(jìn)行導(dǎo)通、截止。由此,初級(jí)線圈LI被間歇性地勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。因而,在載置面6上沒有載置設(shè)備E的待機(jī)狀態(tài)下,供電裝置I的初級(jí)線圈LI不是被連續(xù)勵(lì)磁,而是被間歇性地勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。順便提及,在沒有載置金屬片8且上述(I) (2)條件成立的情況下,勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b將高電平的逆變器控制信號(hào)Vss輸出到第二邏輯或電路24。而且,第二邏輯或電路24將該高電平的逆變器控制信號(hào)Vss作為第二輸出信號(hào)Vrs2輸出到下一級(jí)的第二邏輯與電路22。因而,在輸出高電平的逆變器控制信號(hào)Vss期間,第二邏輯與電路22如圖11所示那樣將具有預(yù)先決定的周期Ts2的第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2作為第二導(dǎo)通截止信號(hào)Vg2輸出到第二功率晶體管Q12的柵極。其結(jié)果是,第二功率晶體管Q12以第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2的周期Ts2來進(jìn)行導(dǎo)通、截止。由此,在沒有載置金屬片8且上述(I) (2)條件成立的情況下、即在輸出高電平的逆變器控制信號(hào)Vss期間,第一功率晶體管Qll根據(jù)第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl來進(jìn)行導(dǎo)通、截止,第二功率晶體管Q12根據(jù)第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2來導(dǎo)通、截止。在此,作為第一和第二導(dǎo)通截止信號(hào)Vgl、Vg2而被輸出的第一和第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、Vs2的波形處于相互反轉(zhuǎn)的關(guān)系。因此,在⑴⑵條件成立期間,高頻振蕩電路14a的第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12交替地導(dǎo)通、截止。
而且,第一功率晶體管Qll和第二功率晶體管Q12分別在源極-漏極之間產(chǎn)生勵(lì)磁電壓VD1、VD2。因而,在為了進(jìn)行供電而將設(shè)備E載置于供電裝置I的載置面6時(shí),位于載置有設(shè)備E的位置的初級(jí)線圈LI被連續(xù)地勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。系統(tǒng)控制部9具備微計(jì)算機(jī),與供電模塊M電連接。如上所述,從勵(lì)磁控制電路13對(duì)系統(tǒng)控制部9輸入勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ、設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID以及金屬存在信號(hào)ST。而且,系統(tǒng)控制部9基于來自勵(lì)磁控制電路13的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ、設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID來判斷是否載置了請(qǐng)求供電的設(shè)備E。在從勵(lì)磁控制電路13輸入了勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID時(shí),系統(tǒng)控制部9對(duì)勵(lì)磁控制電路13輸出允許信號(hào)EN。也就是說,系統(tǒng)控制部9判斷是否載置了請(qǐng)求供電的設(shè)備E來對(duì)勵(lì)磁控制電路13輸出允許信號(hào)EN。另外,系統(tǒng)控制部9基于從金屬異物檢測(cè)裝置7經(jīng)由勵(lì)磁控制電路13輸出的金屬存在信號(hào)ST來判斷在載置面6上是否載置了金屬片8。當(dāng)從勵(lì)磁控制電路13輸入了金屬存在信號(hào)ST時(shí),系統(tǒng)控制部9不對(duì)勵(lì)磁控制電路13輸出允許信號(hào)EN。也就是說,系統(tǒng)控制部9判斷為在載置面6上載置有金屬片8,不對(duì)勵(lì)磁控制電路13輸出允許信號(hào)EN。因而,即使請(qǐng)求供電的設(shè)備E載置于供電裝置I的載置面6且供電裝置I能夠進(jìn)行供電,在載置面6上以圖5的(d)、(e)所示的狀態(tài)存在金屬片8的情況下,系統(tǒng)控制部9也不輸出允許信號(hào)EN。這是為了防止對(duì)金屬片8的感應(yīng)加熱。系統(tǒng)控制部9具備生成上述第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2以及間歇高信號(hào)Vst的未圖示的信號(hào)產(chǎn)生電路。在供電裝置I的電源開關(guān)(未圖示)接通時(shí),系統(tǒng)控制部9使信號(hào)產(chǎn)生電路驅(qū)動(dòng)來生成第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2以及間歇高信號(hào)Vst。然后,系統(tǒng)控制部9將生成的第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2以及間歇高信號(hào)Vst全部輸出到供電模塊M的高頻逆變器電路14。因而,在供電模塊M沒有輸入允許信號(hào)EN的狀態(tài)(例如待機(jī)狀態(tài))下,供電模塊M的高頻逆變器電路14被持續(xù)輸入第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2以及間歇高信號(hào)Vst,因此供電裝置I的初級(jí)線圈LI不是被連續(xù)勵(lì)磁而是被間歇性地勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)。接著,對(duì)如上述那樣構(gòu)成的供電裝置I的作用進(jìn)行說明。當(dāng)前,當(dāng)接通未圖示電源開關(guān)對(duì)供電裝置I提供電源時(shí),系統(tǒng)控制部9對(duì)高頻逆變器電路14輸出用于對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行間歇性地勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)的第一勵(lì)磁同步信號(hào)Vsl、第二勵(lì)磁同步信號(hào)Vs2以及間歇高信號(hào)Vst。由此,供電模塊M的高頻逆變器電路14對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行間歇性地勵(lì)磁。然后,系統(tǒng)控制部9等待來自供電模塊M的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,直到從供電模塊M輸入勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID為止系統(tǒng)控制部9持續(xù)對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行間歇?jiǎng)?lì)磁。此時(shí),供電模塊M處于待機(jī)狀態(tài)。不久,當(dāng)放置了設(shè)備E時(shí),設(shè)備E通過供電裝置I的初級(jí)線圈LI的間歇?jiǎng)?lì)磁而得到少許的二次電力,使設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10動(dòng)作。設(shè)備E通過設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10來生成設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ,并將這些信號(hào)經(jīng)由發(fā)送接收天線線圈AT3向供電模塊M的信號(hào)接收天線線圈ATl發(fā)送。然后,當(dāng)信號(hào)接收天線線圈ATl從設(shè)備E接收到設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID和勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ時(shí),利用勵(lì)磁請(qǐng)求接收電路11提取勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ,利用設(shè)備認(rèn)證接收電路12提取設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,這些勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID經(jīng)由勵(lì)磁控制電路13被提供給系統(tǒng)控制部9。系統(tǒng)控制部9基于來自勵(lì)磁控制電路13的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID判斷為載置有請(qǐng)求供電的設(shè)備E,對(duì)勵(lì)磁控制電路13輸出允許信號(hào)EN。勵(lì)磁控制電路13響應(yīng)于允許信號(hào)EN,對(duì)高頻逆變器電路14(勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b)輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT。由此,從勵(lì)磁同步信號(hào)產(chǎn)生電路14b輸出逆變器控制信號(hào)Vss,開始對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行連續(xù)勵(lì)磁。在連續(xù)勵(lì)磁中,系統(tǒng)控制部9判斷勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ是否已消失,在勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ沒有消失的情況下,持續(xù)對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行連續(xù)勵(lì)磁。即,對(duì)設(shè)備E持續(xù)供電。因而,設(shè)備E從供電裝置I接受非接觸供電,通過該供電電力來驅(qū)動(dòng)負(fù)載Z。在此,在從載置面6取下設(shè)備E時(shí)、或者在勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ消失時(shí),系統(tǒng)控制部9判斷為勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ消失,停止對(duì)供電模塊M輸出允許信號(hào)EN。然后,系統(tǒng)控制部9等待來自該供電模塊M的新的勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,直到從供電模塊M輸入勵(lì)磁請(qǐng)求信號(hào)RQ和設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID為止持續(xù)對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行間歇?jiǎng)?lì)磁。

另外,在從供電裝置I的未圖示的電源開關(guān)接通時(shí)起到斷開為止的期間,金屬異物檢測(cè)裝置7使振蕩電路7a進(jìn)行振蕩動(dòng)作,來進(jìn)行金屬片8的檢測(cè)。 此時(shí),對(duì)于振蕩電路7a,振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值被設(shè)定成為以下振蕩條件該振湯條件使振湯電路7a在從緊接在超出驅(qū)動(dòng)該振湯電路7a時(shí)不廣生振湯的極限值而開始廣生振蕩后的狀態(tài)到振蕩振幅穩(wěn)定在該振蕩電路7a的穩(wěn)定的最大振幅處的狀態(tài)附近為止的范圍內(nèi)產(chǎn)生振蕩。S卩,改變組成部件的值、種類,在如圖5的(a)所示那樣在載置面6上什么都沒有載置的狀態(tài)下,在振蕩終于開始的條件的附近設(shè)定振蕩條件。此時(shí),如圖6的期間Al所示,能夠?qū)崿F(xiàn)振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo。換句話說,即使由于金屬片8而導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性少許變化,振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo的振幅也發(fā)生變動(dòng)。而且,在如圖5的(C)所示那樣僅放置了設(shè)備E的情況下,如圖6的期間A2所示,振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo的振幅少許裳減。與此相對(duì)地,在如圖5的(b)所示那樣僅放置了金屬片8的情況下,由于金屬片8導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性迅速地變化,如圖6的期間A3所示,振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止而停止輸出振蕩信號(hào)Vo。同樣地,在如圖5的(d)所示那樣金屬片8被設(shè)備E夾住的情況下,或者在如圖5的(e)所示那樣在設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下,由于金屬片8導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性迅速地變化,如圖6的期間A4所示,振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止而停止輸出振蕩信號(hào)Vo。因而,能夠通過振蕩電路7a來高靈敏度地檢測(cè)供電裝置I的載置面6上放置的金屬片8。而且,當(dāng)金屬異物檢測(cè)裝置7檢測(cè)到金屬片8并輸出金屬存在信號(hào)ST時(shí),系統(tǒng)控制部9經(jīng)由勵(lì)磁控制電路13接收金屬存在信號(hào)ST,以固定時(shí)間驅(qū)動(dòng)未圖示的通知燈或者通知蜂鳴器來向用戶通知該意思,并且停止對(duì)該供電模塊M輸出允許信號(hào)EN。之后,系統(tǒng)控制部9對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行間歇性地勵(lì)磁,直到金屬存在信號(hào)ST消失為止。因而,在本實(shí)施方式中,通過間歇?jiǎng)?lì)磁能夠防止金屬片8被感應(yīng)加熱。 本實(shí)施方式的非接觸供電系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn)。(I)在該實(shí)施方式中,對(duì)振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值、S卩,晶體管Q1、金屬檢測(cè)天線線圈AT2、第一 第三電容器Cl C3、第一和第二電阻R1、R2的設(shè)計(jì)值進(jìn)行設(shè)定,使得在緊接在超出該振蕩電路7a中不產(chǎn)生振蕩的極限值而開始產(chǎn)生振蕩后的狀態(tài)到振蕩振幅穩(wěn)定在該振蕩電路7a的穩(wěn)定的最大振幅處的狀態(tài)附近為止的振蕩條件的范圍內(nèi)廣生振蕩。也就是說,振蕩電路7a的設(shè)計(jì)值不是能夠以穩(wěn)定的振幅維持持續(xù)振蕩的值,而被設(shè)定為以下值以從緊接在能夠開始后振湯的振湯條件到穩(wěn)定的持續(xù)振湯條件之如為止的范圍內(nèi)的振蕩條件產(chǎn)生振蕩。其結(jié)果是,能夠以與振蕩有關(guān)的電磁參數(shù)的小的變化來生成振蕩振幅的大的變化。由此,當(dāng)在金屬檢測(cè)天線線圈AT2的附近放置了小或薄的金屬片8時(shí),天線線圈AT2的電磁特性的小的變化對(duì)振蕩電路7a的振蕩的有無造成影響,被變換為振蕩信號(hào)Vo的振蕩振幅的大的變化。因而,金屬異物檢測(cè)裝置7 (振蕩電路7a)靈敏度高,能夠檢測(cè)更小的金屬片8。(2)在該實(shí)施方式中,將金屬異物檢測(cè)裝置7設(shè)置于供電裝置1,因此能夠在供電裝置I側(cè)單獨(dú)檢測(cè)被放置于供電裝置I的載置面6的金屬片8、被夾在設(shè)備E與載置面6之間的金屬片8。由此,能夠基于金屬片8的檢測(cè)來控制供電。(3)在該實(shí)施方式中,將形成于供電裝置I的載置面6的金屬檢測(cè)天線線圈AT2形成為螺旋形狀。通過形成為螺旋形狀,能夠使線圈AT2在載置面6的面方向展開,另外還能夠使其厚度變薄。另外,能夠通過印刷布線等簡(jiǎn)單地形成,因此還能夠形成在頂板5的兩面,并且還能夠使形狀為圓形、方形等各種形狀。(4)在該實(shí)施方式中,將金屬檢測(cè)天線線圈AT2設(shè)為構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a的部件,因此能夠?qū)崿F(xiàn)組成部件的減少。(5)在該實(shí)施方式中,在頂板5的載置面6上形成有金屬檢測(cè)天線線圈AT2。即,在最接近金屬片8的位置處形成有金屬檢測(cè)天線線圈AT2。由此,能夠?qū)⒔饘贆z測(cè)靈敏度提高為更高的精度。(第二實(shí)施方式)接著,按照?qǐng)D12、圖13、圖14說明第二實(shí)施方式。在上述第一實(shí)施方式的供電裝置I中,設(shè)置于供電裝置I的金屬檢測(cè)天線線圈AT2是一個(gè)。在本實(shí)施方式中,具有以下特征點(diǎn)在供電裝置I中設(shè)置有多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2。另外,為了便于說明,對(duì)與 第一實(shí)施方式相同的部分附加相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。在圖12中,在供電裝置I的載置面6上形成有多個(gè)(在圖12中為20個(gè))金屬檢測(cè)天線線圈AT2。本實(shí)施方式的金屬檢測(cè)天線線圈AT2的尺寸是第一實(shí)施方式的金屬檢測(cè)天線線圈AT2的二十分之一,針對(duì)載置面6,在X方向上排列5個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2、在Y方向上排列4個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2。而且,各金屬檢測(cè)天線線圈AT2形成為螺旋形狀,利用公知的印刷布線技術(shù)形成在載置面6上。各金屬檢測(cè)天線線圈AT2與設(shè)置在殼體2內(nèi)的金屬異物檢測(cè)裝置7相連接。而且,如圖13所示,金屬異物檢測(cè)裝置7通過各金屬檢測(cè)天線線圈AT2對(duì)放置于載置面6的金屬片8進(jìn)行檢測(cè)。金屬異物檢測(cè)裝置7包括振蕩電路7a和檢測(cè)電路7b。與第一實(shí)施方式同樣地,振蕩電路7a由科爾皮茲振蕩電路構(gòu)成。而且,如圖14所示,各金屬檢測(cè)天線線圈AT2并聯(lián)連接,該并聯(lián)電路與振蕩電路7a相連接。而且,第一實(shí)施方式同樣地,對(duì)于與多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2相連接的振蕩電路7a,對(duì)構(gòu)成振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值進(jìn)行設(shè)定,使得在從緊接在超出驅(qū)動(dòng)該振蕩電路7a時(shí)不產(chǎn)生振蕩的極限值而開始產(chǎn)生振蕩后的狀態(tài)起到振蕩振幅穩(wěn)定在該振蕩電路7a的穩(wěn)定的最大振幅處的狀態(tài)附近為止的振蕩條件的范圍內(nèi)廣生振蕩。S卩,改變組成部件的值、種類,在如圖5的(a)所示那樣在載置面6上什么都沒有載置的狀態(tài)下,在振蕩終于開始的條件的附近設(shè)定振蕩條件。此時(shí),如圖6的期間Al所示,能夠?qū)崿F(xiàn)振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo。另外,在如圖5的(C)所示那樣僅放置了設(shè)備E的情況下,如圖6的期間A2所示,振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo的振幅少許裳減。與此相對(duì)地,在如圖5的(b)所示那樣僅放置了金屬片8的情況下,由于金屬片8導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性迅速地變化,如圖6的期間A3所示,振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止而停止輸出振蕩信號(hào)Vo。

同樣地,在如圖5的(d)所示那樣金屬片8被設(shè)備E夾住的情況下、或者在如圖5的(e)所示那樣在設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下,也由于金屬片8而導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性迅速地變化,如圖6的期間A4所示,振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止而停止輸出振蕩信號(hào)Vo。 本實(shí)施方式除了具有第一實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)以外,還具有以下優(yōu)點(diǎn)。(I)在該實(shí)施方式中,金屬檢測(cè)天線線圈AT2由多個(gè)小面積的天線線圈構(gòu)成。也就是說,在相同寬度的載置面6內(nèi)配置有多個(gè)小面積的金屬檢測(cè)天線線圈AT2。因而,分辨率提高,能夠檢測(cè)更小的金屬片8。另外,對(duì)一個(gè)振蕩電路7a并聯(lián)地連接多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2,由此能夠抑制檢測(cè)靈敏度的下降。因此,能夠利用一個(gè)振蕩電路7a在確保大面積的檢測(cè)區(qū)域的同時(shí)檢測(cè)小的金屬片8。并且,由于利用一個(gè)振蕩電路7a就能夠進(jìn)行大面積的檢測(cè),因此能夠節(jié)省電力、節(jié)省部件。并且,通過配置多個(gè)振蕩電路7a能夠簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)大檢測(cè)區(qū)域,能夠自如地應(yīng)對(duì)寬的供電面,上述每個(gè)振蕩電路7a均具有多個(gè)該天線線圈AT2。另外,在該實(shí)施方式中,將多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2并聯(lián)連接,將該并聯(lián)電路與一個(gè)振蕩電路7a相連接。也可以如圖15所示那樣,將多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2分成多個(gè)組,對(duì)各組設(shè)置金屬異物檢測(cè)裝置7 (—個(gè)振蕩電路7a和一個(gè)檢測(cè)電路7b)。在這種情況下,對(duì)于各組,也可以將屬于該組的多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2并聯(lián)連接,并將該并聯(lián)電路與該組的振蕩電路7a相連接。也就是說,通過設(shè)置多個(gè)振蕩電路7a與檢測(cè)電路7b的組(即,金屬異物檢測(cè)裝置7),能夠容易地?cái)U(kuò)大檢測(cè)區(qū)域,能夠自如地應(yīng)對(duì)寬的載置面6。(第三實(shí)施方式)接著,按照?qǐng)D16、圖17說明第三實(shí)施方式。在上述第一和第二實(shí)施方式中,將金屬異物檢測(cè)裝置7設(shè)置于供電裝置I。在本實(shí)施方式中,具有以下特征點(diǎn)將金屬異物檢測(cè)裝置7設(shè)置于設(shè)備E。另外,為了便于說明,對(duì)與第一實(shí)施方式相同的部分附加相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。在圖16中,在設(shè)備E的殼體的下表面即與供電裝置I的載置面6相抵接的受電面上形成有多個(gè)(在該實(shí)施方式中為4個(gè))金屬檢測(cè)天線線圈AT2。與第一和第二實(shí)施方式同樣地,各金屬檢測(cè)天線線圈AT2形成為螺旋形狀,利用公知的印刷布線技術(shù)形成在下表面。而且,在本實(shí)施方式中,在供電裝置I的載置面6沒有形成金屬檢測(cè)天線線圈AT2。另外,在設(shè)備E內(nèi)設(shè)置有包括振蕩電路7a和檢測(cè)電路7b的金屬異物檢測(cè)裝置7。而且,形成在設(shè)備E的下表面的多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2并聯(lián)地連接,該并聯(lián)電路與金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a相連接。這些多個(gè)金屬檢測(cè)天線線圈AT2構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的一部分。而且,金屬異物檢測(cè)裝置7通過金屬檢測(cè)天線線圈AT2對(duì)被夾在載置面6與載置于載置面6的設(shè)備E之間的金屬片8進(jìn)行檢測(cè)。與第一實(shí)施方式同樣地,金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a由科爾皮茲振蕩電路構(gòu)成。而且,與第一實(shí)施方式同樣地,對(duì)于振蕩電路7a,對(duì)構(gòu)成振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值進(jìn)行設(shè)定,使得在從緊接在超出驅(qū)動(dòng)該振蕩電路7a時(shí)不產(chǎn)生振蕩的極限值而開始產(chǎn)生振蕩后的狀態(tài)起到振蕩振幅穩(wěn)定在該振蕩電路7a的穩(wěn)定的最大振幅處的狀態(tài)附近為止的振蕩條件的范圍內(nèi)進(jìn)行振蕩。由此,在供電裝置I的載置面6上載置有設(shè)備E且金屬片8被該設(shè)備E夾住的情況下、或者在該設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下,由于金屬片8導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性迅速地變化,能夠使振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止,停止輸出振蕩信號(hào)Vo。因而,能夠通過振蕩電路7a高靈敏度地檢測(cè)在供電裝置I的載置面6上放置的金屬片8。從振蕩電路7a輸出的振蕩信號(hào)Vo被輸出到檢測(cè)電路7b。在振蕩信號(hào)Vo的振幅值小于預(yù)先決定的基準(zhǔn)值時(shí),檢測(cè)電路7b判斷為金屬片8被設(shè)備E夾住或者在載置面6上的設(shè)備E的附近放置了金屬片8,輸出金屬存在信號(hào)ST。相反地,在振蕩信號(hào)No的振幅值為預(yù)先決定的基準(zhǔn)值以上時(shí),檢測(cè)電路7b判斷為在載置面6上僅放置有設(shè)備E,不輸出金屬存在信號(hào)ST。檢測(cè)電路7b將該金屬存在信號(hào)ST輸出到設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10。而且,設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10將輸入的金屬存在信號(hào)ST經(jīng)由發(fā)送接收天線線圈AT3發(fā)送到供電裝置I。另外,振蕩電路7a的直流電源B是內(nèi)置于設(shè)備E的輔助電源(二次電池)。在進(jìn)行間歇?jiǎng)?lì)磁的供電裝置I的載置面6上載置有設(shè)備E時(shí),通過在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的二次電力對(duì)該輔助電源(二次電池)進(jìn)行充電。因而,當(dāng)在進(jìn)行間歇?jiǎng)?lì)磁的供電裝置I的載置面6上載置有設(shè)備E且通過在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的二次電力對(duì)輔助電源(二次電池)進(jìn)行充電時(shí),設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10進(jìn)行驅(qū)動(dòng),并且振蕩電路7a也開始進(jìn)行振蕩動(dòng)作。另一方面,在供電裝置I的供電模塊M中設(shè)置有金屬信號(hào)接收電路7c。金屬信號(hào)接收電路7c與供電模塊M的信號(hào)接收天線線圈ATl相連接。金屬信號(hào)接收電路7c接收從載置于載置面6的設(shè)備E發(fā)送的發(fā)送信號(hào),從接收到的該發(fā)送信號(hào)中提取金屬存在信號(hào)ST。然后,金屬信號(hào)接收電路7c在從發(fā)送信號(hào)提取出金屬存在信號(hào)ST時(shí),將該金屬存在信號(hào)ST輸出到勵(lì)磁控制電路13。勵(lì)磁控制電路13將金屬存在信號(hào)ST輸出到系統(tǒng)控制部9。當(dāng)輸入了金屬存在信號(hào)ST時(shí),系統(tǒng)控制部9不輸出允許信號(hào)EN。因而,勵(lì)磁控制電路13不向高頻逆變器電路14輸出用于對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)以進(jìn)行供電的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CT。本實(shí)施方式具有以下優(yōu)點(diǎn)。(I)在該實(shí)施方式中,在設(shè)備E內(nèi)設(shè)置有金屬異物檢測(cè)裝置7。而且,設(shè)置在設(shè)備E內(nèi)的振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值不是能夠以穩(wěn)定的振幅來維持持續(xù)振蕩的值,而是被設(shè)定為以下值該值是以從緊接在能夠開始振蕩后的振蕩條件到穩(wěn)定的持續(xù)振蕩條件之前為止的范圍內(nèi)的振蕩條件來產(chǎn)生振蕩的值。由此,能夠以與振蕩有關(guān)的電磁參數(shù)的小的變化來生成振蕩振幅的大的變化。由此,當(dāng)在金屬檢測(cè)天線線圈AT2的附近放置了小或薄的金屬片8時(shí),天線線圈AT2的電磁特性的小的變化對(duì)振蕩電路7a的振蕩的有無造成影響,被變換為振蕩信號(hào)Vo的振蕩振幅的大的變化。因而,金屬異物檢測(cè)裝置7 (振蕩電路7a)成為高靈敏度,能夠檢測(cè)更小的金屬片8。(2)在該實(shí)施方式中,將金屬異物檢測(cè)裝置7設(shè)置在設(shè)備E內(nèi)。因而,設(shè)備E具有檢測(cè)功能,因此能夠使對(duì)附著或者放置在設(shè)備E的附近的金屬片8或者被夾在供電裝置與設(shè)備E之間的金屬片8進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)精度進(jìn)一步提高。(3)在該實(shí)施方式中,在設(shè)備E的殼體的下表面形成有金屬檢測(cè)天線線圈AT2。即,在將設(shè)備E載置于載置面6時(shí),在最接近金屬片8的位置處形成有金屬檢測(cè)天線線圈AT2。由此,能夠?qū)⒔饘贆z測(cè)靈敏度提高為更高精度。(第四實(shí)施方式)接著,按照?qǐng)D18、圖19、圖20、圖21說明第四實(shí)施方式。在上述第一和第二實(shí)施方式中,將金屬異物檢測(cè)裝置7設(shè)置于供電裝置1,在第三實(shí)施方式中,將金屬異物檢測(cè)裝置7設(shè)置于設(shè)備E。在本實(shí)施方式中,具有以下特征點(diǎn)將金屬異物檢測(cè)裝置7分散設(shè)置于供電裝置I和設(shè)備E。另外,為了便于說明,對(duì)與第一實(shí)施方式相同的部分附加相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。在圖18中,在設(shè)備E的殼體的下表面、即與供電裝置I的載置面6相抵接的受電面上形成有多個(gè)(在該實(shí)施方式中為4個(gè))金屬檢測(cè)天線線圈AT2。與第三實(shí)施方式同樣地,各金屬檢測(cè)天線線圈AT2形成為螺旋形狀,利用公知的印刷布線技術(shù)形成在設(shè)備E的殼體的下表面。金屬檢測(cè)天線線圈AT2被并聯(lián)地連接,該并聯(lián)電路與設(shè)置在設(shè)備E內(nèi)的構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a相連接。與第三實(shí)施方式同樣地,圖19所示的振蕩電路7a由科爾皮茲振蕩電路構(gòu)成。而且,與第三實(shí)施方式同樣地,對(duì)于與金屬檢測(cè)天線線圈AT2相連接的振蕩電路7a,對(duì)構(gòu)成振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值進(jìn)行設(shè)定,使得在從緊接在超出驅(qū)動(dòng)該振蕩電路7a時(shí)不產(chǎn)生振蕩的極限值而開始產(chǎn)生振蕩后的狀態(tài)起到振蕩振幅穩(wěn)定在該振蕩電路7a的穩(wěn)定的最大振幅處的狀態(tài)附近為止的振蕩條件的范圍內(nèi)進(jìn)行振蕩。由此,在供電裝置I的載置面6上載置有設(shè)備E且金屬片8被該設(shè)備E夾住的情況下、或者在該設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下,由于金屬片8導(dǎo)致金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁特性迅速地變化,能夠使振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止,停止輸出振蕩信號(hào)Vo。因而,能夠通過振蕩電路7a來高靈敏度地檢測(cè)在供電裝置I的載置面6上放置的金屬片8。另外,當(dāng)振蕩電路7a的振蕩動(dòng)作停止時(shí),設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10停止發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID。另外,振蕩電路7a的直流電源B是內(nèi)置于設(shè)備E的輔助電源(二次電池)。當(dāng)在進(jìn)行間歇?jiǎng)?lì)磁的供電裝置I的載置面6上載置有設(shè)備E時(shí),通過在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的二次電力對(duì)該輔助電源(二次電池)進(jìn)行充電。此外,輔助電源也可以是電容器等蓄電裝置。因而,當(dāng)在進(jìn)行間歇?jiǎng)?lì)磁的供電裝置I的載置面6上載置有設(shè)備E且通過在次級(jí)線圈L2中產(chǎn)生的二次電力對(duì)輔助電源(二次電池)進(jìn)行充電時(shí),設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10被驅(qū)動(dòng),并且振蕩電路7a也開始進(jìn)行振蕩動(dòng)作。此時(shí),設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10和振蕩電路7a與初級(jí)線圈LI的間歇?jiǎng)?lì)磁同步地進(jìn)行間歇?jiǎng)幼?,直到完成?duì)輔助電源(二次電池)充電為止。另一方面,在供電裝置I的載置面6上形成有多個(gè)(在圖18中為20個(gè))接收天線線圈AT4。關(guān)于本實(shí)施方式的接收天線線圈AT4,針對(duì)載置面6,在X方向上排列5個(gè)而在Y方向上排列4個(gè)。而且,各接收天線線圈AT4形成為螺旋形狀,利用公知的印刷布線技術(shù)形成于載置面6。接收天線線圈AT4與設(shè)置在供電裝置I (殼體2)內(nèi)的構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的檢測(cè)電路7b相連接。各接收天線線圈AT4對(duì)形成于放置在載置面6上的設(shè)備E的各金屬檢測(cè)天線線圈AT2所釋放的磁通變化進(jìn)行檢測(cè),將與該磁通變化對(duì)應(yīng)的電壓波形的檢測(cè)信號(hào)輸出到檢測(cè)電路7b。也就是說,在將設(shè)備E放置在載置面6且金屬片8被設(shè)備E夾住的情況下、或者在設(shè)備E的附近放置了金屬片8的情況下,振蕩電路7a停止振蕩,或者振蕩信號(hào)Vo的振幅衰減到接近零的振幅值。接收天線線圈AT4對(duì)來自該金屬檢測(cè)天線線圈AT2的磁通變化進(jìn)行檢測(cè),將比規(guī)定值小的振幅值的檢測(cè)信號(hào)輸出到檢測(cè)電路7b。其結(jié)果是,檢測(cè)電路7b根據(jù)由接收天線線圈AT4接收到的檢測(cè)信號(hào)的振幅電平檢測(cè)是否存在金屬片8,來輸出金屬存在信號(hào)ST。在此,在供電裝置I與設(shè)備E之間,考慮圖20(a) (g)所示的狀態(tài)。圖20的(a)表示在供電裝置I的載置面6上什么都沒有放置的狀態(tài)。圖20的(b)表示在供電裝置I的載置面6上僅放置了金屬片8的狀態(tài)。圖20的(C)表示在供電裝置I的載置面6上僅放置了設(shè)備E的狀態(tài)。圖20的⑷表示在供電裝置I的載置面6與設(shè)備E之間夾入了金屬片8的狀態(tài)。圖20的(e)表示在供電裝置I的載置面6上遠(yuǎn)離設(shè)備E的位置處放置了金屬片8的狀態(tài)。
圖20的(f)表示供電裝置I的載置面6與設(shè)備E相分離來進(jìn)行供電的狀態(tài)。圖20的(g)表示將供電裝置I的載置面6與金屬片8相分離,在該分離出的空間或者附近也放置了金屬片8的狀態(tài)。在該各狀態(tài)下,在如圖20的(a)所示那樣在載置面6上什么都沒放置的狀態(tài)下,如圖21的期間Al所示,設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10和振蕩電路7a不接收來自次級(jí)線圈L2的二次電力,因此設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10不發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,并且振蕩電路7a不進(jìn)行振蕩。其結(jié)果是,金屬檢測(cè)天線線圈AT2和接收天線線圈AT4的端子電壓為零。另外,由于沒有從設(shè)備E發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,因此供電裝置I (初級(jí)線圈LI)進(jìn)行間歇性的勵(lì)磁。另外,在如圖20的(b)所示那樣在供電裝置I的載置面6上僅放置了金屬片8的狀態(tài)下,如圖21的期間A3所示,設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10和振蕩電路7a不接收來自次級(jí)線圈L2的二次電力,因此設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10不發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,并且振蕩電路7a不進(jìn)行振蕩。其結(jié)果是,金屬檢測(cè)天線線圈AT2和接收天線線圈AT4的端子電壓為零。另夕卜,由于沒有從設(shè)備E發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,因此供電裝置I (初級(jí)線圈LI)進(jìn)行不會(huì)對(duì)金屬片8進(jìn)行感應(yīng)加熱這種程度的間歇?jiǎng)?lì)磁。并且,在如圖20的(C)所示那樣在供電裝置I的載置面6上僅放置了設(shè)備E的狀態(tài)下,如圖21的期間A2所示,設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10和振蕩電路7a接收來自次級(jí)線圈L2的二次電力,設(shè)備E (設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10)發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,振蕩電路7a進(jìn)行最大振幅的持續(xù)振湯。其結(jié)果是,供電裝置I的接收天線線圈AT4的端子電壓也成為最大振幅的連續(xù)振蕩信號(hào)。其結(jié)果是,不生成金屬存在信號(hào)ST,供電裝置1(初級(jí)線圈LI)也進(jìn)行連續(xù)勵(lì)磁。另外,在如圖20(f)所示那樣在供電裝置I的載置面6與設(shè)備E相分離來進(jìn)行供電的狀態(tài)下,如圖21的期間A5所示,設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10和振蕩電路7a接收來自次級(jí)線圈L2的二次電力,設(shè)備E(設(shè)備側(cè)發(fā)送接收電路10)發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,振蕩電路7a進(jìn)行最大振幅的連續(xù)振蕩。其結(jié)果是,雖然振幅變小一些,但供電裝置I的接收天線線圈AT4的端子電壓仍成為連續(xù)振蕩信號(hào)。其結(jié)果是,不生成金屬存在信號(hào)ST,供電裝置1(初級(jí)線圈LI)也進(jìn)行連續(xù)勵(lì)磁。另外,在如圖20的(d)所示那樣在供電裝置I的載置面6與設(shè)備E之間夾入了金屬片8的狀態(tài)下,如圖21的期間A6所示,雖然從設(shè)備E間歇性地發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,但振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo以接近零的振幅值進(jìn)行間歇振蕩或者停止振蕩。圖20的(e)也同樣。其結(jié)果是,生成金屬存在信號(hào)ST,供電裝置I (初級(jí)線圈LI)進(jìn)行不會(huì)對(duì)金屬片8進(jìn)行感應(yīng)加熱這種程度的間歇?jiǎng)?lì)磁。另外,在如圖20的(g)所示那樣供電裝置I的載置面6與金屬片8相分離且在分離的該空間或者附近放置了金屬片8的狀態(tài)下,也如圖21的期間A6所示,雖然從設(shè)備E間歇性地發(fā)送設(shè)備認(rèn)證信號(hào)ID,但振蕩電路7a的振蕩信號(hào)Vo也以接近零的振幅值進(jìn)行間歇振蕩或者停止振蕩。另外,由于夾入的金屬片8而導(dǎo)致來自金屬檢測(cè)天線線圈AT2的電磁波被吸收,而對(duì)來自該金屬檢測(cè)天線線圈AT2的磁通變化進(jìn)行檢測(cè)的接收天線線圈AT4的端子電壓衰減。
其結(jié)果是,生成金屬存在信號(hào)ST,供電裝置I (初級(jí)線圈LI)進(jìn)行不會(huì)對(duì)金屬片8進(jìn)行感應(yīng)加熱這種程度的間歇?jiǎng)?lì)磁。本實(shí)施方式具有以下優(yōu)點(diǎn)。(I)根據(jù)該實(shí)施方式,通過在供電裝置I中設(shè)置金屬檢測(cè)天線線圈AT2和振蕩電路7a、在設(shè)備E中設(shè)置接收天線線圈AT4和檢測(cè)電路7b來構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7。也就是說,將金屬異物檢測(cè)裝置7分開配置于供電裝置I和設(shè)備E。因而,對(duì)于是否存在被供電裝置I與設(shè)備E所夾的金屬異物,由于除了設(shè)備側(cè)的振蕩電路停止或者衰減之外還能夠利用傳遞至設(shè)置于供電裝置I的接收天線線圈AT4的磁通的衰減,因此能夠檢測(cè)更小的金屬片8。另外,在如磁性諧振式、次級(jí)線圈L2、在次級(jí)線圈L2中具有諧振電路的電磁感應(yīng)方式那樣在初級(jí)線圈LI和次級(jí)線圈L2相距幾cm 幾十cm以上來進(jìn)行供電的空間供電中也能夠應(yīng)用。另外,上述實(shí)施方式還可以進(jìn)行如下變更。 在上述各實(shí)施方式中,利用科爾皮茲振蕩電路來構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a,但并不限定于此,例如也可以利用哈脫利振蕩電路等其它振蕩電路來實(shí)施。 在上述各實(shí)施方式中,將螺旋狀的金屬檢測(cè)天線線圈AT2的形狀形成為方形,但并不限定于此,例如,也可以以圓形、橢圓形等其它形狀來實(shí)施。 在上述各實(shí)施方式中,對(duì)金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a的振蕩頻率不特別地進(jìn)行限定。也可以將振蕩 電路7a(振蕩信號(hào)Vo)的振蕩頻率設(shè)定為比對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁以進(jìn)行供電的聞?lì)l逆變器電路14(聞?lì)l振蕩電路14a)的振蕩頻率聞。這樣,通過使對(duì)金屬檢測(cè)天線線圈AT2進(jìn)行勵(lì)磁的頻率比對(duì)初級(jí)線圈LI進(jìn)行勵(lì)磁的頻率高,來降低初級(jí)線圈LI的磁通的影響,能夠提高檢測(cè)精度。另外,根據(jù)該結(jié)構(gòu),能夠減少金屬檢測(cè)天線線圈AT2的卷數(shù)或者縮短線圈的長(zhǎng)度。 在上述第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中,在供電裝置I的載置面6上形成金屬檢測(cè)天線線圈AT2,在殼體2內(nèi)設(shè)置有構(gòu)成金屬異物檢測(cè)裝置7的振蕩電路7a以及檢測(cè)電路7b。如圖22所示,形成在薄的絕緣性的撓性基板30 (也可以是薄的硬質(zhì)基板)的表面形成螺旋狀的金屬檢測(cè)天線線圈AT2且在撓性基板30的表面一側(cè)安裝有振蕩電路7a和檢測(cè)電路7b的獨(dú)立的金屬異物檢測(cè)裝置7。而且,在金屬異物檢測(cè)裝置7上進(jìn)行布線,該布線能夠與供電裝置I的信號(hào)線和電源線連接。通過將這樣構(gòu)成的金屬異物檢測(cè)裝置7載置在現(xiàn)有的供電裝置的載置面上,能夠使現(xiàn)有的供電裝置成為具有金屬檢測(cè)功能的非接觸供電系統(tǒng)。另外,在薄的絕緣性的撓性基板(也可以是薄的硬質(zhì)基板)的表面形成螺旋狀的接收天線線圈AT4,在該基板的表面一側(cè)安裝檢測(cè)電路7b并且進(jìn)行布線,其中,該布線能夠?qū)z測(cè)電路7b與現(xiàn)有的供電裝置I的信號(hào)線和電源線連接。而且,通過將該基板載置在現(xiàn)有的供電裝置的載置面上,能夠使現(xiàn)有的供電裝置成為具有與第四實(shí)施方式相同的金屬檢測(cè)功能的非接觸供電系統(tǒng)。 在上述各實(shí)施方式中,檢測(cè)電路7b根據(jù)振蕩信號(hào)Vo的振幅值的大小來判斷金屬片8的有無,但檢測(cè)電路7b也可以根據(jù)頻率的變化來判斷金屬片8的有無。在這種情況下,對(duì)于振蕩電路7a的組成部件的設(shè)計(jì)值,不是能夠維持以穩(wěn)定的振蕩頻率進(jìn)行持續(xù)振蕩的設(shè)計(jì)值,而是被設(shè)定為從頻率不穩(wěn)定的狀態(tài)起到穩(wěn)定振蕩頻率的持續(xù)振蕩條件之前為止的值。而且,需要以與振蕩有關(guān)的電磁參數(shù)的小的變化來生成振蕩頻率的大的變化。 在上述第一 第三各實(shí)施方式中,在供電裝置I和設(shè)備E中的任一個(gè)上形成金屬檢測(cè)天線線圈AT2,在形成有金屬檢測(cè)天線線圈AT2的一方設(shè)置有振蕩電路7a和檢測(cè)電路7b。也可以在供電裝置I和設(shè)備E兩方中形成金屬檢測(cè)天線線圈AT2并且設(shè)置振蕩電路7a和檢測(cè)電路7b來實(shí)施。在這種情況下,能夠進(jìn)行更為精細(xì)的高精度的檢測(cè)。 在上述各實(shí)施方式中,將金屬檢測(cè)天線線圈AT2設(shè)置為螺旋狀,但也可以用環(huán)狀、螺旋狀等其它形狀來 形成。
權(quán)利要求
1.一種非接觸供電系統(tǒng),其特征在于,具備 供電裝置,其包括初級(jí)線圈以及使上述初級(jí)線圈中有高頻電流流動(dòng)的高頻逆變器;設(shè)備,其包括次級(jí)線圈,該次級(jí)線圈通過由于在上述初級(jí)線圈中流動(dòng)的電流而產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)來產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),該設(shè)備利用在上述次級(jí)線圈中產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)對(duì)負(fù)載提供電力;以及 金屬異物檢測(cè)裝置,其包括 天線線圈; 振蕩電路,其使上述天線線圈中有聞?lì)l電流流動(dòng);以及 檢測(cè)電路,其對(duì)在上述振蕩電路和上述天線線圈的任一個(gè)中被觀測(cè)的電壓或者電流的變化進(jìn)行檢測(cè), 其中,上述振蕩電路包括具有如下設(shè)計(jì)值的組成部件該設(shè)計(jì)值使上述振蕩電路在緊接在該振湯電路中開始廣生振湯后的振湯條件到穩(wěn)定的持續(xù)振湯條件之如為止的沮圍內(nèi)的振蕩條件下產(chǎn)生振蕩, 上述金屬異物檢測(cè)裝置利用上述檢測(cè)電路,根據(jù)由放置在上述供電裝置上的金屬異物所導(dǎo)致的上述天線線圈的電氣特性的變化,對(duì)上述振蕩電路的振蕩的停止或者振蕩振幅的衰減進(jìn)行檢測(cè),來控制上述供電裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述天線線圈是構(gòu)成上述振蕩電路的部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述天線線圈由多個(gè)小面積的線圈構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述天線線圈是將上述多個(gè)小面積的線圈并聯(lián)連接而構(gòu)成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述金屬異物檢測(cè)裝置設(shè)置于上述供電裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述金屬異物檢測(cè)裝置設(shè)置于上述設(shè)備,對(duì)上述供電裝置發(fā)送上述檢測(cè)電路的信號(hào)來控制上述供電裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 在上述設(shè)備中設(shè)置有上述天線線圈和上述振蕩電路,在上述供電裝置中設(shè)置有上述檢測(cè)電路, 上述檢測(cè)電路包括接收來自上述設(shè)備的上述天線線圈的信號(hào)的接收天線線圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述天線線圈配置在由上述供電裝置的殼體形成的供電面和由上述設(shè)備的殼體形成的受電面中的至少一方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述振蕩電路的振蕩頻率比上述高頻逆變器的振蕩頻率高。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的非接觸供電系統(tǒng),其特征在于, 上述天線線圈形成為螺旋狀。
11.一種非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置,該非接觸供電系統(tǒng)對(duì)供電裝置的初級(jí)線圈進(jìn)行勵(lì)磁,通過電磁感應(yīng)使配置在上述供電裝置上的設(shè)備的次級(jí)線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),將該感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)提供給上述設(shè)備的負(fù)載,該非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置的特征在于,具備 天線線圈; 振蕩電路,其使上述天線線圈中有聞?lì)l電流流動(dòng);以及 檢測(cè)電路,其對(duì)在上述振蕩電路和天線線圈部的任一個(gè)中被觀測(cè)的電壓或者電流的變化進(jìn)行檢測(cè), 其中,上述振蕩電路包括具有如下設(shè)計(jì)值的組成部件該設(shè)計(jì)值使上述振蕩電路在緊接在該振湯電路中開始廣生振湯后的振湯條件到穩(wěn)定的持續(xù)振湯條件之如為止的沮圍內(nèi)的振蕩條件下產(chǎn)生振蕩, 上述檢測(cè)電路根據(jù)由放置在上述供電裝置上的金屬異物所導(dǎo)致的上述天線線圈的電氣特性的變化,對(duì)上述振蕩電路的振蕩的停止或者振蕩振幅的衰減進(jìn)行檢測(cè),來控制上述供電裝置。
全文摘要
一種非接觸供電系統(tǒng)的金屬異物檢測(cè)裝置(7),包括天線線圈(AT2);振蕩電路(7a),其使天線線圈中有高頻電流流動(dòng);以及檢測(cè)電路(7b),其對(duì)在振蕩電路和天線線圈的任一個(gè)中被觀測(cè)的電壓或者電流的變化進(jìn)行檢測(cè)。振蕩電路(7a)包括被設(shè)定為如下設(shè)計(jì)值的組成部件該設(shè)計(jì)值使振蕩電路以從緊接在開始產(chǎn)生振蕩后的振蕩條件到穩(wěn)定的持續(xù)振蕩條件之前為止的范圍內(nèi)的振蕩條件來產(chǎn)生振蕩。金屬異物檢測(cè)裝置(7)利用檢測(cè)電路(7b),根據(jù)由放置在供電裝置(1)上的金屬異物所導(dǎo)致的天線線圈(AT2)的電氣特性的變化,對(duì)振蕩電路(7a)的振蕩的停止或者振蕩振幅的衰減進(jìn)行檢測(cè)。
文檔編號(hào)H02J17/00GK103069689SQ201180041459
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者安倍秀明 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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