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新型mcr磁控箱的制作方法

文檔序號(hào):7498692閱讀:212來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):新型mcr磁控箱的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種MCR (磁閥式可控電抗器)磁控箱。
背景技術(shù)
MCR源自于自磁放大器以及傳統(tǒng)的飽和電抗器,但是由于它們的響應(yīng)速度慢、 損耗大、噪音大、諧波大等缺點(diǎn),長(zhǎng)期以來(lái)沒(méi)有得到廣泛的應(yīng)用。"磁閥"概念的 提出,極大改善了飽和電抗器在損耗噪音及諧波等方面的性能,為飽和電抗器性 能上的突破奠定了基礎(chǔ), 一種基于MCR的全新高低壓動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置,為我國(guó) 的廣大用戶(hù)提高功率因數(shù)、改善電能質(zhì)量,提供了一種全新的選擇。
MCR型可控電抗器動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)是一種比TCR型更具優(yōu)勢(shì)的技術(shù),其由 并聯(lián)固定電容器組、先進(jìn)的磁控電抗器及磁控箱組成。磁控電抗器容量無(wú)級(jí)可調(diào), 能自動(dòng)快速跟蹤負(fù)荷無(wú)功,穩(wěn)定母線(xiàn)電壓。當(dāng)系統(tǒng)無(wú)功過(guò)剩時(shí),固定補(bǔ)償電容器 發(fā)出的無(wú)功由電抗器吸收,當(dāng)缺乏無(wú)功時(shí),電抗器容量減小,由補(bǔ)償電容器吸收。 MCR通過(guò)改變控制電流的大小從而改變鐵心的磁飽和度,平滑的調(diào)節(jié)電抗器的容 量。這里電流的大小是通過(guò)控制晶閘管觸發(fā)角度的大小實(shí)現(xiàn)的。而晶閘管及相關(guān) 器件都安裝在磁控箱內(nèi)。所以晶閘管是否能穩(wěn)定觸發(fā)具有重要的意義,因此對(duì)磁 控箱的結(jié)構(gòu)就有了一定的要求。目前,市場(chǎng)上的MCR磁控箱一般使用外供電源給 MCR的觸發(fā)電路供電,這種方式就增加了額外的設(shè)備投資,并會(huì)帶來(lái)高低壓的隔 離問(wèn)題。觸發(fā)方式采用電磁觸發(fā),電磁觸發(fā)不穩(wěn)定且易受干擾,冷卻方式采用油 冷,檢修不方便,磁控箱接地,由于絕緣的要求,增大了設(shè)備的體積,不利于運(yùn) 輸和安裝。 發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有MCR磁控箱中存在觸發(fā)不穩(wěn)定、檢修困難以及增加成本的問(wèn)題,本 實(shí)用新型提供一種MCR磁控箱,其所采取的技術(shù)方案為
該磁控箱包括箱體以及設(shè)于箱體內(nèi)的晶閘管、二極管、熱管散熱器、熔斷器和觸發(fā)盒以及觸發(fā)電路板,晶閘管和二極管固定在熱管散熱器上,熔斷器分別與 晶閘管和二極管串接,觸發(fā)盒內(nèi)設(shè)有觸發(fā)電路板,觸發(fā)電路板上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換模 塊,觸發(fā)電路板把光纖傳輸?shù)墓庑盘?hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),然后去觸發(fā)晶閘管,箱體內(nèi)
設(shè)有磁控電抗器本體、晶閘管、二極管和觸發(fā)電路板組成MCR原理電路,還設(shè)有 由電容和電阻組成的耦合取能回路,該回路能夠從磁控電抗器本體上取得電能, 箱體的底部支撐有絕緣子。
觸發(fā)盒固定在熱管散熱器的下前方位置,烙斷器固定在熱管散熱器的上方橫 梁上。
磁控電抗器本體、二極管、電容、電阻和觸發(fā)電路板依次串接,同時(shí)磁控電 抗器本體、晶閘管和觸發(fā)電路板依次串接。
耦合取能回路可以直接從磁控電抗器的本體上取能,再進(jìn)行電能轉(zhuǎn)換,作為 電源使用。觸發(fā)方式采用光電觸發(fā),在觸發(fā)電路板上裝有光電轉(zhuǎn)換模塊,接受控 制系統(tǒng)發(fā)出的并由光纖傳輸?shù)目刂菩盘?hào),然后把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成觸發(fā)晶閘管所需要 的電信號(hào),這種方式具有較強(qiáng)的抗干擾能力,可以達(dá)到穩(wěn)定觸發(fā)的目的。利用光 纖傳輸光信號(hào)觸發(fā)晶閘管還有一個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)就是隔離電壓高。冷卻方式采用熱 管自冷,冷卻效果顯著,體積減小且利于檢修。磁控箱下有絕緣子支撐可以使電 位懸浮,不用再接地,無(wú)須考慮內(nèi)部與箱體的絕緣,這樣減小了磁控箱的體積。
因此本實(shí)用新型具有觸發(fā)穩(wěn)定可靠,絕緣性好,維修使用方便,節(jié)約生產(chǎn)成 本的特點(diǎn)。

圖l為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1右視圖3為本實(shí)用新型電路原理圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明
如圖1和圖2所示,箱體12內(nèi)裝有晶閘管5、 二極管IO、熱管散熱器l、熔斷器6和觸發(fā)盒4,晶閘管5和二極管10安裝在熱管散熱器1上用來(lái)散熱,絕緣 子2用來(lái)支撐箱體12使電位懸浮,固定在觸發(fā)盒4中的觸發(fā)電路板8上裝有光電 轉(zhuǎn)換模塊9,觸發(fā)盒4固定在熱管散熱器1的下前方位置,熔斷器6用來(lái)保護(hù)晶 閘管5和二極管10,防止電流超過(guò)其額定電流,其固定在熱管散熱器1上方橫梁 上。
如圖3所示,串接的電容3和電阻7組成阻容回路作為RC耦合取能回路,磁 控電抗器本體ll、晶閘管5、 二極管10和觸發(fā)電路板8組成MCR原理電路,磁控 電抗器本體ll、 二極管IO、電容3、電阻7和觸發(fā)電路板8依次串接,同時(shí)磁控 電抗器本體ll、晶閘管5和觸發(fā)電路板8依次串接。
通過(guò)耦合取能回路從磁控電抗器本體11上取得電能,供磁控箱自身使用,通 過(guò)光電轉(zhuǎn)換模塊9可以把光纖傳來(lái)的的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),進(jìn)而由觸發(fā)電路板 8的邏輯電路轉(zhuǎn)化為觸發(fā)晶閘管5的脈沖。
權(quán)利要求1、一種新型MCR磁控箱,包括箱體(12)以及設(shè)于箱體(12)內(nèi)的晶閘管(5)、二極管(10)、熱管散熱器(1)、熔斷器(6)和觸發(fā)盒(4)以及觸發(fā)電路板(8),其特征在于晶閘管(5)和二極管(10)固定在熱管散熱器(1)上,熔斷器(6)分別與晶閘管(5)和二極管(10)串接,觸發(fā)盒(4)內(nèi)設(shè)有觸發(fā)電路板(8),觸發(fā)電路板(8)上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換模塊(9),觸發(fā)電路板(8)把光纖傳輸?shù)墓庑盘?hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),然后去觸發(fā)晶閘管(5),箱體(12)內(nèi)設(shè)有磁控電抗器本體(11)、晶閘管(5)、二極管(10)和觸發(fā)電路板(8)組成MCR原理電路,還設(shè)有由電容(3)和電阻(7)組成的耦合取能回路,該回路能夠從磁控電抗器本體(11)上取得電能,箱體(12)的底部支撐有絕緣子(2)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型MCR磁控箱,其特征在于觸發(fā)盒(4) 固定在熱管散熱器(1)的下前方位置,熔斷器(6)固定在熱管散熱器(1) 的上方橫梁上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型MCR磁控箱,其特征在于磁控電抗器本 體(11)、 二極管(10)、電容(3)、電阻(7)和觸發(fā)電路板(8)依次串接, 同時(shí)磁控電抗器本體(11)、晶閘管(5)和觸發(fā)電路板(8)依次串接。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型MCR磁控箱,晶閘管和二極管固定在熱管散熱器上,觸發(fā)盒內(nèi)設(shè)有觸發(fā)電路板,觸發(fā)電路板上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換模塊,觸發(fā)電路板把光纖傳輸?shù)墓庑盘?hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),然后去觸發(fā)晶閘管,箱體內(nèi)還設(shè)有由電容和電阻組成的耦合取能回路,該回路能夠從磁控電抗器本體上取得電能,箱體的底部支撐有絕緣子。本實(shí)用新型具有觸發(fā)穩(wěn)定可靠,絕緣性好,維修使用方便,節(jié)約生產(chǎn)成本的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02P13/12GK201398172SQ200920024288
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者龐延慶, 康長(zhǎng)路, 山 楊, 王德強(qiáng) 申請(qǐng)人:山東泰開(kāi)電力電子有限公司
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