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能量傳輸系統(tǒng)及其積層陶瓷電感饋入式的能量傳輸裝置的制作方法

文檔序號:7344412閱讀:144來源:國知局
專利名稱:能量傳輸系統(tǒng)及其積層陶瓷電感饋入式的能量傳輸裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種能量傳輸系統(tǒng),且特別涉及一種積層陶瓷(Multilayer Ceramic)電感饋入式的無線能量傳輸裝置。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)上,多種無線傳輸技術(shù)已廣泛地被應用在通信領(lǐng)域中。目前的無 線傳輸技術(shù)大部分被使用于在信號的接收與發(fā)送上,故多半只能達成低功 率的信號傳輸。
由于使用無線傳輸技術(shù)的電子產(chǎn)品越來越多,通過無線傳輸方式來達 到更高功率的傳輸技術(shù)的開發(fā)越來越受到重視。美國專利公開號 2007/0222542已公開了 一種可無線地進行能量傳輸?shù)臒o線功率傳輸 (Wireless Power Transfer, WPT)的無線非輻射能量轉(zhuǎn)移器,來將一個共振器 的電磁能,以共振的方式傳遞至另一個共振器。
然而,此種轉(zhuǎn)移器必須要使用到具有高品質(zhì)因素(Q-factor)的共振器才 能達到一定的傳輸效率。這樣的共振器的體積龐大且成本高昂,難以應用 于一般的電子產(chǎn)品中。因此,如何設(shè)計出體積小,成本低,且具有高傳輸 效率的無線功率傳輸裝置,乃業(yè)界不斷致力的方向之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種積層陶瓷(Multilayer Ceramic)電感饋入式的能量傳輸 裝置及其系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)能量傳輸裝置,其具有體積較小、共振頻率較 低及品質(zhì)因素(Q-factor)較高的優(yōu)點。
根據(jù)本發(fā)明提出一種能量傳輸系統(tǒng),用以驅(qū)動電子裝置。能量傳輸系 統(tǒng)包括電源端裝置、第一能量傳輸裝置、第二能量傳輸裝置及裝置端裝置。 電源端裝置用以提供第一外部電能。第一能量傳輸裝置包括第一耦合電路 及第一共振器。第一耦合電路與電源端裝置形成回路,以接收第一外部電 能。該第一耦合電路上的第一外部電能耦合至第一共振器,使第一共振器產(chǎn)生第 一 內(nèi)部電磁能。第二能量傳輸裝置包括多個第 一 陶瓷基板及第二陶 瓷基板。多個第一陶瓷基板彼此平行設(shè)置,第一陶瓷基板實現(xiàn)第二共振器, 第二共振器與第一共振器具有實質(zhì)上相同的共振頻率。第一及第二共振器
之間進行非輻射能量轉(zhuǎn)移(Non-radiative Energy Transfer),使第二共振器產(chǎn) 生第二內(nèi)部電磁能。第二陶瓷基板設(shè)置于多個第一陶瓷基板的上方,第二 陶瓷基板包括第二耦合電路。第二共振器上的第二內(nèi)部電磁能耦合至第二 耦合電路,^使第二耦合電路具有第二外部電能。裝置端裝置與第二耦合電 路形成回路,以接收并提供第二外部電能驅(qū)動電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明提出一種能量傳輸系統(tǒng),用以驅(qū)動電子裝置。能量傳輸系 統(tǒng)包括電源端裝置、第一能量傳輸裝置、第二能量傳輸裝置及裝置端裝置。 電源端裝置用以提供第一外部電能。第一能量傳輸裝置包括第一陶瓷基板 及多個第二陶瓷基板。第一陶瓷基板實現(xiàn)第一耦合電路,用以與電源端裝 置形成回路,以接收第一外部電能,多個第二陶瓷基板彼此平行地設(shè)置于 第一陶瓷基板的下方,多個第二陶瓷基板實現(xiàn)第一共振器。第一耦合電路 上的第一外部電能耦合至第一共振器,使第一共振器產(chǎn)生第 一 內(nèi)部電磁能。 第二能量傳輸裝置包括第二共振器及第二耦合電路。第二共振器與第一共 振器具有實質(zhì)上相同的共振頻率,第 一及第二共振器之間進行非輻射能量 轉(zhuǎn)移(Non-radiative Energy Transfer),使第二共振器產(chǎn)生第二內(nèi)部電磁能。 第二共振器上的第二內(nèi)部電磁能耦合至第二耦合電路,使第二耦合電路具 有第二外部電能。裝置端裝置與第二耦合電路形成回路,以接收并提供第
二外部電能驅(qū)動電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明提出一種積層陶瓷(Multilayer Ceramic)電感饋入式的能量 傳輸裝置,包括第一陶瓷基板及多個第二陶瓷基板。第一陶瓷基板實現(xiàn)耦 合電路,耦合電路用以與外部電路形成回路,以傳輸外部電能。多個第二 陶瓷基板彼此平行地設(shè)置于第 一 陶瓷基板的下方,多個第二陶瓷基板實現(xiàn) 共振器,第一耦合電路上的外部電能耦合至共振器,使共振器產(chǎn)生內(nèi)部電 磁能。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉一優(yōu)選實施例,并配 合附圖,作詳細說明如下


圖1繪示依照本發(fā)明實施例的能量傳輸系統(tǒng)的方塊圖。 第2繪示乃圖1的能量傳輸裝置16的詳細結(jié)構(gòu)圖。
圖3繪示依照傳統(tǒng)環(huán)形共振器電路的返回損耗的模擬頻率響應圖。 圖4繪示依照乃圖1的扁平式共振器Rs2的返回損耗的模擬頻率響應圖。
主要元件符號說明
10:能量傳輸系統(tǒng) 12:電源端裝置 14、 16:能量傳輸裝置 14a、 16a:耦合電路 Rsl、 Rs2:共振器 18:裝置端裝置 20:電子裝置
Sub一a、 Sub—bl-Sub一b4:陶瓷基板 Exdl-Exd4:共振器電極 Exdc:耦合電極
Edl—l-Ed4—1、 Edl—2-Ed4—2、 Edc—1、 Edc—2:端點
Sidel:側(cè)邊
Exl、 Ex2:端電才及
具體實施例方式
本實施例的能量傳輸系統(tǒng)是應用積層陶瓷(Multilayer Ceramic)技術(shù)來 實現(xiàn)電感饋入式的能量傳輸系統(tǒng)。
請參照圖1,其繪示依照本發(fā)明實施例的能量傳輸系統(tǒng)的方塊圖。能量 傳輸系統(tǒng)IO用以驅(qū)動電子裝置20。電子裝置20優(yōu)選地為手持式電子裝置。 舉例來說,電子裝置20為移動電話。能量傳輸系統(tǒng)10包括電源端裝置12、 能量傳輸裝置14、 16及裝置端裝置18。
電源端裝置12用以提供外部電能Pexl。舉例來說,電源端裝置12包 括交流電流源,其用以提供交流的外部電能Pexl。
能量傳輸裝置14包括耦合電路14a及共振器Rsl。耦合電路14a系耦 接至電源端裝置12并與其形成回路,以接收外部電能Pexl。耦合電路14a上的外部電能Pexl耦合至共振器Rsl ,使共振器Rsl產(chǎn)生內(nèi)部電磁能Pinl 。 能量傳輸裝置16包括耦合電路16a及共振器Rs2。共振器Rs2與Rsl 具有實質(zhì)上相同的共振頻率,共振器Rsl與Rs2之間進行非輻射能量轉(zhuǎn)移 (Non-radiative Energy Transfer),使得共振器Rsl上的內(nèi)部電磁能Pinl耦合 至共振器Rs2,使共振器Rs2產(chǎn)生內(nèi)部電磁能Pin2。共振器Rs2上的電磁 能更耦合至耦合電路16a,使得耦合電路16a具有外部電能Pex2。
更詳細地說,能量傳輸裝置16為積層陶瓷(Multilayer Ceramic)電感饋 入式的能量傳輸裝置,其的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。能量傳輸裝置16包括陶 資基板Sub—a及Sub—bl-Sub—bn,其中n為大于1的自然數(shù)。陶瓷基板Sub—a 與Sub一bl-Sub一bn被依序地由上到下彼此平行設(shè)置。陶瓷基板Sub一a實現(xiàn) 耦合電路16a,陶覺基板Sub一bl-Sub一bn實現(xiàn)共振器Rs2。本實施例以n等 于4的情形為例作說明。
舉例來說,共振器Rs2為扁平式螺旋管(Flat-wire Solenoid)共振器。陶 資基板Sub—bl-Sub—b4分別包括共振器電極Exdl-Exd4,共振器電極 Exdl-Exd4均具有扁平式C字形結(jié)構(gòu)。各共振器電極Exdl-Exd4例如為金 屬導電漿料,其具有寄生的電容效應與電感效應。通過各共振器電極間的 寄生的電容與電感來進行能量耦合,使得共振器電極Exdl-Exd4具有共振 器特性。
任兩位于相鄰的陶資基板上的共振器電極通過通孔(Via Hole)相互耦 接,以形成螺旋管結(jié)構(gòu)。.舉例來說,共振器電極Exdl包括端點Edl_l及 Edl—2,共振器電極Exd2包括端點Ed2—1及Ed2—2。端點Ed2—1位于端點 Edl—2的垂直下方,且端點Ed2—1與Ed—12通過通孔相互耦接。
相似地,共振器電極Exd3包括端點Ed3—1及Ed3一2,共振器電Exd4 包括端點Ed4—1及Ed4—2。端點Ed3—1位于端點Ed2—2的垂直下方,并通 過通孔相連"^妄。端點Ed4—1位于端點Ed3一2的垂直下方,并通過通孔相連 接。如此,陶瓷基板Sub—bl-Sub—b4上的共振器電極Exdl-Exd4系實現(xiàn)出 共振器Rs2,共振器Rsl上的內(nèi)部電磁能Pinl系耦合至扁平線共振器Rs2, 使扁平線共振器Rs2產(chǎn)生內(nèi)部電磁能Pin2。
陶瓷基板Sub—a包括耦合電極Exdc,耦合電極Exdc具有C字形結(jié)構(gòu), 耦合電極Exdc的C字形結(jié)構(gòu)包括端點Edc—1及Edc—2。耦合電極Exdc的 端點Edc—1及Edc一2被延伸至陶瓷基板Sub—a的側(cè)邊Sidel,并分別耦接至
10端電才及Exl及Ex2。端電極Exl與Ex2耦接至裝置端裝置18,以與裝置端 裝置18形成回路。如此,陶瓷基板Sub—a上的耦合電極Exdc實現(xiàn)出耦合 電路16a,共振器Rs2上的內(nèi)部電磁能Pin2更耦合至耦合電路16a,使耦合 電路16a具有外部電能Pex2。
裝置端裝置18用以接收外部電能Pex2,并據(jù)以提供系統(tǒng)電能Psys至 電子裝置20。舉例來說,裝置端裝置18例如包括電壓轉(zhuǎn)換器(Voltage Converter),用以根據(jù)耦合電路16a上交流的外部電能Pex2轉(zhuǎn)換為直流的系 統(tǒng)電能Psys提供至電子裝置20。電子裝置20例如包括電池(未繪示),系統(tǒng) 電能Psys例如用以對此電池進行充電,以對電子裝置20進行驅(qū)動。
在本實施例中,雖僅以共振器Rs2由4個陶瓷基板Sub—bl-Sub—b4中 的共振器電極Rxdl-Rxd4來實現(xiàn)的情形為例作說明,然而,本實施例的共 振器Rs2并不局限于由四個共振器電極Rxdl-Rxd4來實現(xiàn),而更可由更多 的共振器電極來實現(xiàn)。
模擬結(jié)果
假設(shè)一個傳統(tǒng)環(huán)形線圈共振器電路的線寬、外徑與高度分別為3公厘 (millimeter, mm)、 3.5公分(Centimeter, cm)及2cm,根據(jù)此傳統(tǒng)環(huán)形線圈 共振器的條件模擬得到的返回損耗(RetumLoss)頻率響應圖如圖3所示。根 據(jù)圖4可知,此傳統(tǒng)共振器電^各的共振頻率約為19.3百萬赫茲(MegaHerz, MHz),返回損耗約為23分貝(decibel, dB)。
假設(shè)本實施例的共振器Rs2的線寬為3mm,外徑為2.5cm,高度4mm, 如此共振器Rs2的體積約為前述傳統(tǒng)環(huán)形線圈共振器電路的體積的10.2%。 共振器Rs2中陶瓷基板的介電常數(shù)例如為7.8。根據(jù)前述條件模擬得到的返 回損耗頻率響應圖如圖4所示。根據(jù)圖4可知,共振器Rs2的共振頻率為 13 MHz,返回損耗約為-45dB。
一般來說,共振器由其結(jié)構(gòu)中的寄生電感與寄生電容進行能量轉(zhuǎn)換而 產(chǎn)生共振效應。在本實施例中,利用線寬較大的扁平式螺旋管結(jié)構(gòu)的共振 器Rs2來提升線圈間的寄生電容,使得共振器Rs2具有較低的共振頻率。 另外,本實施例的扁平式共振器Rs2例如為并聯(lián)諧振,如此,較高的寄生 電容亦將使扁平式共振器Rs2具有較高的品質(zhì)因數(shù)(Q-factor)。
綜合以上,相較于傳統(tǒng)環(huán)形線圈共振器電路,本實施例的積層陶瓷電 感饋入式的能量傳輸裝置中的共振器具有體積較小、共振頻率較低及品質(zhì)因素(Q-factor)較高的優(yōu)點。而通過以積層陶瓷結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)能量傳輸裝置中 的耦合電路,本實施例的積層陶瓷電感饋入式的能量傳輸裝置更具有耦合 電路的體積較小的優(yōu)點。在本實施例中,雖僅以能量傳輸裝置16中包括以積層陶毫結(jié)構(gòu)來實現(xiàn) 的耦合電路16a與共振器Rs2的情形為例作說明,然,本實施例的能量傳 輸系統(tǒng)10中能量傳輸裝置14亦可以包括積層陶瓷結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的耦合電路 與共振器。如此,使得本實施例的能量傳輸系統(tǒng)中的耦合電路與共振器均 具有體積較小,而共振器具有共振頻率較低及品質(zhì)因素較高的優(yōu)點。在本實施例中,雖僅以能量傳輸裝置16中的共振器Rs2具有扁平式螺 旋管的結(jié)構(gòu),然,共振器Rs2并不局限于具有扁平式螺旋管的結(jié)構(gòu)。綜上所述,雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實施例公開如上,然其并非用以限 定本發(fā)明。本發(fā)明本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當 可作各種的更動與潤飾。因此,本發(fā)明的保護范圍當視所附權(quán)利要求書所 界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種能量傳輸系統(tǒng),用以驅(qū)動一電子裝置,該能量傳輸系統(tǒng)包括一電源端裝置,用以提供一第一外部電能;一第一能量傳輸裝置,包括一第一耦合電路,與該電源端裝置形成回路,以接收該第一外部電能;及一第一共振器,該第一耦合電路上的該第一外部電能耦合至該第一共振器,使該第一共振器產(chǎn)生一第一內(nèi)部電磁能;一第二能量傳輸裝置,包括多個第一陶瓷基板,彼此平行設(shè)置,這些第一陶瓷基板實現(xiàn)一第二共振器,該第二共振器與該第一共振器具有實質(zhì)上相同的共振頻率,該第一及該第二共振器之間進行非輻射能量轉(zhuǎn)移,使該第二共振器產(chǎn)生一第二內(nèi)部電磁能;及一第二陶瓷基板,設(shè)置于這些第一陶瓷基板的上方,該第二陶瓷基板包括一第二耦合電路,該第二共振器上的該第二內(nèi)部電磁能耦合至該第二耦合電路,使該第二耦合電路具有一第二外部電能;以及一裝置端裝置,與該第二耦合電路形成回路,以接收并提供該第二外部電能驅(qū)動該電子裝置。
2. 如權(quán)利要求1所述的能量傳輸系統(tǒng),其中這些第一陶瓷基板包括 一第1個第一陶瓷基板,設(shè)置于該第二陶瓷基板的下方,該第1個第一陶瓷基板包括一第一共振器電極,包括一第一起始端及一第一終止端;及 一第2個第一陶瓷基板,設(shè)置于該第1個第一陶瓷基板的下方,該第2個第一陶瓷基板包括一第二共振器電極,該第二共振器電極包括一第二起始端及一第二終止端,該第二起始端位于該第一終止端的下方并通過通孔相互耦接。
3. 如權(quán)利要求2所述的能量傳輸系統(tǒng),其中這些第一陶瓷基板還包括 一第3個第一陶瓷基板,設(shè)置于該第2個第一陶瓷基板的下方,該第3個第一陶瓷基板包括一第三共振器電極,該第三共振器電極包括一第三起始端及一第三終止端,該第三起始端位于該第二終止端的下方并通過通孔相互耦接。
4. 如權(quán)利要求3所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第三共振器電極具有一C字形電極結(jié)構(gòu),該第三起始端及該第三終止端分別為該C字形電極結(jié)構(gòu) 的第一端點及第二端點。
5. 如權(quán)利要求2所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第一共振器電極具有一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第一起始端及該第一終止端分別為該C字形電極結(jié)構(gòu) 的第一端點及第二端點。
6. 如權(quán)利要求2所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第二共振器電極具有一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第二起始端及該第二終止端分別為該C字形電極結(jié)構(gòu) 的第一端點及第二端點。
7. 如權(quán)利要求1所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第二陶瓷基板包括 一耦合電極,具有一C字形電極結(jié)構(gòu),該C字形電極結(jié)構(gòu)的第一端點及第二端點延伸至該第二陶瓷基板的一側(cè)邊,以與該裝置端裝置形成回路。
8. 如權(quán)利要求1所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第一能量傳輸裝置包括 一第三陶瓷基板,實現(xiàn)該第一耦合電路;及多個第四陶乾基板,彼此地平行設(shè)置于該第三陶瓷基板的下方,這些 第四陶瓷基板實現(xiàn)該第一共振器。
9. 如權(quán)利要求8所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第三陶瓷基板包括 一耦合電極,具有一C字形電極結(jié)構(gòu),該C字形電極結(jié)構(gòu)的第一端點及第二端點延伸至該第一陶資基板的一側(cè)邊,以與該電源端裝置形成回路。
10. 如權(quán)利要求8所述的能量傳輸系統(tǒng),其中這些第四陶瓷基板包括一第1個第四陶瓷基板,設(shè)置于該第三陶瓷基板的下方,該第1個第二陶瓷基板包括一第一共振器電極,包括一第一起始端及一第一終止端;及一第2個第四陶瓷基板,設(shè)置于該第1個第四陶瓷基板的下方,該第2 個第四陶f;基板包括一第二共振器電極,該第二共振器電極包括一第二起始端及一第二 終止端,該第二起始端位于該第一終止端的下方并通過通孔相互耦接。
11. 如權(quán)利要求IO所述的能量傳輸系統(tǒng),其中這些第四陶瓷基板還包括一第3個第四陶瓷基板,設(shè)置于該第2個第四陶瓷基板的下方,該第3個第四陶資基板包括一第三共振器電極,該第三共振器電極包括一第三起始端及一第三 終止端,該第三起始端位于該第二終止端的下方并通過通孔相互耦接。
12. 如權(quán)利要求11所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第三共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第三起始端及該第三終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
13. 如權(quán)利要求IO所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第一共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第一起始端及該第一終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
14. 如權(quán)利要求IO所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第二共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第二起始端及該第二終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
15. —種能量傳輸系統(tǒng),用以驅(qū)動一電子裝置,該能量傳輸系統(tǒng)包括 一電源端裝置,用以提供一第一外部電能; 一第一能量傳輸裝置包括一第一陶瓷基板,實現(xiàn)一第一耦合電路,用以與該電源端裝置形成 回路,以接收該第一外部電能;及多個第二陶瓷基板,彼此平行地設(shè)置于該第一陶瓷基板的下方,這 些第二陶覺基板實現(xiàn)一第一共振器,該第一耦合電路上的該第一外部電能 耦合至該第一共振器,使該第一共振器產(chǎn)生一第一內(nèi)部電磁能; 一第二能量傳輸裝置,包括一第二共振器,與該第一共振器具有實質(zhì)上相同的共振頻率,該第 一及該第二共振器之間進行非輻射能量轉(zhuǎn)移,使該第二共振器產(chǎn)生一第二 內(nèi)部電》茲能;及一第二耦合電路,該第二共振器上的該第二內(nèi)部電能耦合至該第二 耦合電路,使該第二耦合電路具有一第二外部電能;以及一裝置端裝置,與該第二耦合電路形成回路,以接收并提供該第二外 部電能驅(qū)動該電子裝置。
16. 如權(quán)利要求15所述的能量傳輸系統(tǒng),其中這些第二陶瓷基板包括 一第1個第二陶瓷基板,設(shè)置于該第一陶瓷基板的下方,該第1個第二陶瓷基板包括一第一共振器電極,包括一第一起始端及一第一終止端;及 一第2個第二陶瓷基板,設(shè)置于該第1個第二陶瓷基板的下方,該第2 個第二陶瓷基板包括一第二共振器電極,該第二共振器電極包括一第二起始端及一第二 終止端,該第二起始端位于該第一終止端的下方并通過通孔相互耦接。
17. 如權(quán)利要求16所述的能量傳輸系統(tǒng),還包括一第3個第二陶瓷基板,設(shè)置于該第2個第二陶資基板的下方,該第3 個第二陶瓷基板包括一第三共振器電極,該第三共振器電極包括一第三起始端及一第三終止端,該第三起始端位于該第二終止端的下方并通過通孔相互耦接。
18. 如權(quán)利要求17所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第三共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第三起始端及該第三終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
19. 如權(quán)利要求16所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第一共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第 一起始端及該第 一終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
20. 如權(quán)利要求16所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第二共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第二起始端及該第二終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
21. 如權(quán)利要求15所述的能量傳輸系統(tǒng),其中該第一陶瓷基板包括 一耦合電極,具有一C字形電極結(jié)構(gòu),該C字形電極結(jié)構(gòu)的第一端點及第二端點延伸至該第二陶瓷基板的一側(cè)邊,以與該電源端裝置形成回路。
22. —種積層陶資電感饋入式的能量傳輸裝置,包括 一第一陶瓷基板,實現(xiàn)一耦合電路,該耦合電路用以與一外部電路形成回3各,以傳輸一外部電能;以及多個第二陶資基板,彼此平行地設(shè)置于該第一陶瓷基板的下方,這些 第二陶瓷基板實現(xiàn)一共振器,該第一耦合電路上的該外部電能耦合至該共 振器,使該共振器產(chǎn)生一內(nèi)部電磁能。
23. 如權(quán)利要求22所述的能量傳輸裝置,其中這些第二陶瓷基板包括 一第l個第二陶瓷基板,設(shè)置于該第一陶瓷基板的下方,該第1個第二陶瓷基板包括一第一共振器電極,包括一第一起始端及一第一終止端;及 一第2個第二陶瓷基板,設(shè)置于該第1個第二陶瓷基板的下方,該第2 個第二陶瓷基板包括一第二共振器電極,該第二共振器電極包括一第二起始端及一第二 終止端,該第二起始端位于該一終止端的下方并通過通孔相互耦接。
24. 如權(quán)利要求23所述的能量傳輸裝置,還包括一第3個第二陶瓷基板,設(shè)置于該第第2個第二陶瓷基板的下方,該 第3個第二陶資基板包括一第三共振器電極,該第三共振器電極包括一第三起始端及一第三 終止端,該第二終止端位于該第三起始端的上方并通過通孔相互耦才秦。
25. 如權(quán)利要求24所述的能量傳輸裝置,其中該第三共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第三起始端及該第三終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
26. 如權(quán)利要求23所述的能量傳輸裝置,其中該第一共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第一起始端及該第一終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第 一端點及第二端點。
27. 如權(quán)利要求23所述的能量傳輸裝置,其中該第二共振器電極具有 一 C字形電極結(jié)構(gòu),該第二起始端及該第二終止端分別為該C字形電極結(jié) 構(gòu)的第一端點及第二端點。
28. 如權(quán)利要求22所述的能量傳輸裝置,其中該第一陶瓷基板包括 一耦合電極,具有一C字形電極結(jié)構(gòu),該C字形電極結(jié)構(gòu)的第一端點及第二端點延伸至該第一陶資基板的一側(cè)邊,以與該外部電路形成回路。
全文摘要
一種能量傳輸系統(tǒng)及其積層陶瓷電感饋入式的能量傳輸裝置。該積層陶瓷(Multilayer Ceramic)電感饋入式的能量傳輸裝置,包括第一陶瓷基板及多個第二陶瓷基板。第一陶瓷基板實現(xiàn)耦合電路,耦合電路用以與外部電路形成回路,以傳輸外部電能。多個第二陶瓷基板彼此平行地設(shè)置于第一陶瓷基板的下方,多個第二陶瓷基板實現(xiàn)共振器,第一耦合電路上的外部電能耦合至共振器,使共振器產(chǎn)生內(nèi)部的電磁能。
文檔編號H02J17/00GK101630870SQ200810133850
公開日2010年1月20日 申請日期2008年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月17日
發(fā)明者吳永評, 林志隆, 顏保有 申請人:達方電子股份有限公司
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