一種單晶硅片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種單晶硅產(chǎn)品，具體是一種單晶硅片。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。
[0003]隨著太陽能電池市場的快速成長，太陽能電池板主要由晶體硅片制作而成，目前全球95%以上的晶硅電池采用P型摻硼晶硅制作，光照10小時(shí)后會(huì)產(chǎn)生5—8%的不可恢復(fù)效率衰減，該難題長期困擾國內(nèi)外光伏界。用鎵代替硼可以克服光衰。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種單晶硅片，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種單晶硅片，包括單晶硅片主體，所述單晶硅片主體正面為凹凸不平的絨面結(jié)構(gòu)，所述單晶硅片主體背面為平面結(jié)構(gòu)，所述單晶硅片主體中均勻摻雜分布有鎵，所述單晶硅片主體的絨面結(jié)構(gòu)為齒形結(jié)構(gòu)。
[0007]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述鎵在單晶硅片主體內(nèi)的位錯(cuò)密度小于2000pcs/cm 2o
[0008]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述單晶硅片主體的生長方法為直拉單晶生長。
[0009]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述單晶硅片主體的晶向偏離度小于1°。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，通過摻鎵在單晶硅片主體中，使得單晶硅片電阻率在不增加成本的前提實(shí)現(xiàn)和摻硼一樣的水平，實(shí)現(xiàn)了晶體100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相當(dāng)于效率提高一個(gè)百分點(diǎn)，成本下降6%，并已經(jīng)產(chǎn)生巨大經(jīng)濟(jì)效益。
【附圖說明】
[0011]圖1為單晶硅片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中:1_單晶硅片主體、2-單晶硅片主體正面、3-鎵、4-單晶硅片主體背面。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0014]請參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中，一種單晶硅片，包括單晶硅片主體I，單晶硅片主體正面2為凹凸不平的絨面結(jié)構(gòu)，單晶硅片主體背面4為平面結(jié)構(gòu)，單晶硅片主體I中均勻摻雜分布有鎵3，單晶硅片主體I的絨面結(jié)構(gòu)為齒形結(jié)構(gòu)，鎵3在單晶硅片主體I內(nèi)的位錯(cuò)密度小于2000pcs/cm2，單晶硅片主體I的生長方法為直拉單晶生長，單晶硅片主體I的晶向偏離度小于1°。
[0015]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，通過摻鎵在單晶硅片主體中，使得單晶硅片電阻率在不增加成本的前提下實(shí)現(xiàn)和摻硼一樣的水平，實(shí)現(xiàn)了晶體100%的利用并抑制了 95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相當(dāng)于效率提高一個(gè)百分點(diǎn)，成本下降6%，并已經(jīng)產(chǎn)生巨大經(jīng)濟(jì)效益。
[0016]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0017]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種單晶硅片，包括單晶硅片主體，其特征在于，所述單晶硅片主體正面為凹凸不平的絨面結(jié)構(gòu)，所述單晶硅片主體背面為平面結(jié)構(gòu)，所述單晶硅片主體中均勻摻雜分布有鎵，所述單晶硅片主體的絨面結(jié)構(gòu)為齒形結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述鎵在單晶硅片主體內(nèi)的位錯(cuò)密度小于 2000pcs/cm2。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅片主體的生長方法為直拉單晶生長。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅片主體的晶向偏離度小于I。。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種單晶硅片，包括單晶硅片主體，單晶硅片主體正面為凹凸不平的絨面結(jié)構(gòu)，所述單晶硅片主體背面為平面結(jié)構(gòu)，所述單晶硅片主體中均勻摻雜分布有鎵，所述單晶硅主體的絨面結(jié)構(gòu)為齒形結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，通過摻鎵在單晶硅片主體中，使得單晶硅片電阻率在不增加成本的前提實(shí)現(xiàn)和摻硼一樣的水平，實(shí)現(xiàn)了晶體100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相當(dāng)于效率提高一個(gè)百分點(diǎn)，成本下降6%，并已經(jīng)產(chǎn)生巨大經(jīng)濟(jì)效益。
【IPC分類】H01L31/0288, H01L31/0236
【公開號】CN205335264
【申請?zhí)枴緾N201521116443
【發(fā)明人】張忠安
【申請人】江西豪安能源科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月30日