專利名稱：硅晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅晶片，特別涉及適用于半導(dǎo)體裝置制造的硅晶片，其中該半導(dǎo)體裝置具有使用快速升降溫?zé)崽幚矶圃斓臏\結(jié)。
背景技術(shù)：
在采用直拉(CZ)法生長的硅單晶中，可以看到冷卻時(shí)原子空穴發(fā)生凝聚，從而形成直徑為0.1～0.3μm左右的孔穴的現(xiàn)象。由這樣的硅單晶制作的硅晶片在表面發(fā)生COP(晶體的原生粒子缺陷CrystalOriginated Particle)，在器件的動(dòng)作中產(chǎn)生不良現(xiàn)象。為此，作為孔穴形成的防止對(duì)策，以前所采用的方法是在氫或氬氣氣氛下，于1000℃以上的高溫下進(jìn)行熱處理(例如，參照特開2003-59932號(hào)公報(bào))。
另外，CZ法由于在石英制坩堝中使多晶硅熔融而實(shí)現(xiàn)單晶化，所以從構(gòu)成坩堝的石英中溶出大量的氧，并作為晶格間氧進(jìn)入硅晶體中，該氧經(jīng)熱處理在硅晶體中凝聚而成為氧析出物(體微缺陷，BMDBulk Micro Defect)。而且在0.25μm(250nm)設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)的上一代器件中，由于重視吸除效應(yīng)(gettering effect)，因而在硅晶片內(nèi)高密度地形成BMD的技術(shù)得以應(yīng)用。
然而近年來，隨著晶片直徑的增大，器件形成工序中的晶片熱處理由爐成批處理(furnace batch processing)變化為單片處理。這是因?yàn)榫旧淼闹亓考又?，在爐成批處理中，滑移等缺陷很有可能進(jìn)入晶片中。另外，為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的高度集成化和高速化，也要求淺淺地形成晶體管的源極-漏極擴(kuò)散層，從而要求與此目的相適應(yīng)的熱處理。
例如，與DRAM(Dynamic RandomAccess Memory)的半間距為32nm這一代相當(dāng)?shù)倪壿婰SI產(chǎn)品，一般認(rèn)為具有13nm的物理柵極長度。而且在這樣的邏輯LSI產(chǎn)品中，要求極淺的結(jié)(例如，InternationalTechnology Roadmap for Semiconductors 2005)，作為晶體管的源極-漏極擴(kuò)散層的擴(kuò)展擴(kuò)散層(extension diffusion layer)深度，為4.5nm以下；作為接觸擴(kuò)散層，為15nm以下。
在像上述那樣形成結(jié)的深度較淺的器件方面，需要在晶片的熱處理中，不讓雜質(zhì)盡量擴(kuò)散而進(jìn)行活化。為此，可以使用能夠進(jìn)行高溫短時(shí)間熱處理的閃光燈退火(flash lamp annealing)之類的熱處理裝置。
可是，在這樣的熱處理裝置中，其升降溫速度極快，在晶片的表面和背面往往產(chǎn)生溫度差。因此，這樣的工藝所存在的問題是在晶片上產(chǎn)生較大的應(yīng)力，從而導(dǎo)致晶片的開裂。特別是上述具有高密度BMD的硅晶片容易產(chǎn)生開裂和變形。因此，使用閃光燈退火等快速升降溫?zé)崽幚碓诠杈闲纬删哂袦\結(jié)的半導(dǎo)體器件是困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述的技術(shù)課題而完成的，它限定了硅晶片表面的BMD的尺寸和密度。由此，因諸如在表面和背面產(chǎn)生溫度差之類的快速升降溫?zé)崽幚矶a(chǎn)生的開裂便能夠得以防止。這樣一來，本發(fā)明旨在提供一種適用于具有淺結(jié)的半導(dǎo)體器件之制造的硅晶片。
為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的一個(gè)方案的硅晶片之特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下。
另外，本發(fā)明的一個(gè)方案的半導(dǎo)體裝置用硅晶片之特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下；所述半導(dǎo)體裝置用硅晶片使用熱處理溫度在1000℃以上、熱處理時(shí)間為3msec以下的熱處理而制造。
根據(jù)本發(fā)明，即使在快速升降溫?zé)崽幚碇惖谋砻婧捅趁娴臏囟炔钶^大的制造工藝中，也可以抑制晶片缺陷的發(fā)生和開裂。因此，根據(jù)本發(fā)明，提供一種適用于具有淺結(jié)的半導(dǎo)體裝置之制造的硅晶片。


圖1是說明第1實(shí)施方案的作用的示意圖。
圖2是表示第1實(shí)施方案以及比較例的硅晶片的BMD密度分布圖。
圖3表示第2實(shí)施方案的硅晶片的BMD密度分布的一個(gè)實(shí)例。
圖4表示了第2實(shí)施方案的在距表面的深度低于50μm的區(qū)域的、直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD密度和結(jié)泄漏(junctionleakage)的關(guān)系。
圖5說明了第2實(shí)施方案的在距表面的深度低于50μm的區(qū)域的、直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD密度和結(jié)泄漏的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖，就本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
(第1實(shí)施方案)本發(fā)明的第1實(shí)施方案的硅晶片之特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的BMD密度在1×108/cm3以下。除此之外，在距表面的深度為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的BMD密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。
圖2表示了本實(shí)施方案以及比較例的硅晶片的BMD密度分布。橫軸表示距硅晶片表面的深度方向的距離，縱軸表示直徑10nm以上的BMD密度。圖示的BMD密度分布可以通過采用了公知的紅外激光散射的測(cè)定裝置進(jìn)行評(píng)價(jià)。如圖2所示，在比較例的硅晶片中，直徑10nm以上的BMD密度在距表面的距離淺于20μm的區(qū)域開始增加，在距表面的距離為20μm左右的區(qū)域，BMD密度大于1×108/cm3。與此相對(duì)照，在本實(shí)施方案的硅晶片中，在距表面的距離為50μm以上的區(qū)域，直徑10nm以上的BMD密度達(dá)1×108/cm3以上。因此，在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的BMD密度在1×108/cm3以下。
圖1是說明本實(shí)施方案的作用的示意圖。圖1A是本實(shí)施方案以及比較例的硅晶片的剖視圖；圖1B是表示本實(shí)施方案的硅晶片的作用，由圖1A的虛線所包圍的部分的剖視圖；圖1C是表示比較例的硅晶片的作用，由圖1A的虛線所包圍的部分的剖視圖。首先，如圖1A所示，在硅晶片100的內(nèi)部，形成直徑10μm以上的BMD層110以進(jìn)行吸除。如圖1C所示，對(duì)于比較例的硅晶片，當(dāng)使用公知的閃光燈退火裝置例如進(jìn)行溫度為1000℃、加熱時(shí)間為3msec的快速升降溫處理時(shí)，產(chǎn)生晶片開裂和位錯(cuò)狀的缺陷120。與此相對(duì)照，如圖1B所示，當(dāng)在同樣的條件下對(duì)本實(shí)施方案的硅晶片進(jìn)行快速升降溫?zé)崽幚頃r(shí)，沒有產(chǎn)生晶片開裂和位錯(cuò)狀的缺陷。另外，即使是以更快的速度進(jìn)行升降溫的1msec的加熱時(shí)間，也沒有產(chǎn)生晶片開裂和位錯(cuò)狀的缺陷。
這樣一來，如果是像本實(shí)施方案那樣，使距晶片表面的深度低于50μm的區(qū)域中的BMD密度得以降低的硅晶片，則即使對(duì)于通過快速升降溫進(jìn)行的熱處理，也可以獲得缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂受到抑制的作用。因此，作為在晶片的表面和背面產(chǎn)生溫度差的快速升降溫?zé)崽幚碛霉杈?，可以?yōu)選使用。因此，如果使用本實(shí)施方案的硅晶片，則如下述的邏輯產(chǎn)品那樣，可以獲得能夠形成必須具有淺結(jié)的半導(dǎo)體器件的效果，其中所述邏輯產(chǎn)品例如使用熱處理溫度在1000℃以上、熱處理時(shí)間為3msec以下的熱處理而制造，且具有物理柵極長度為13nm左右的晶體管。因此，作為使用熱處理溫度在1000℃以上、熱處理時(shí)間為3msec以下的熱處理而制造的半導(dǎo)體裝置用硅晶片具有優(yōu)良的特性。
下面根據(jù)本實(shí)施方案，就可以獲得上述作用和效果的理由進(jìn)行說明。
在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的BMD密度超過1×108/cm3的硅晶片在因諸如像閃光燈退火那樣，于晶片表面和背面產(chǎn)生溫度差之類的快速升降溫?zé)崽幚碇腥菀桩a(chǎn)生裂紋。另外，發(fā)明人分析了開裂晶片和未開裂晶片的不同，結(jié)果發(fā)現(xiàn)即使在不產(chǎn)生開裂的情況下，往往也產(chǎn)生塑性變形，且使翹曲量增加。一般認(rèn)為這是由于在晶片結(jié)晶中的不連續(xù)點(diǎn)即BMD上，施加有因快速升降溫?zé)崽幚矶a(chǎn)生的熱應(yīng)力，以致產(chǎn)生位錯(cuò)(滑移)，由此使應(yīng)力得以緩和，從而不至于達(dá)到產(chǎn)生開裂的程度。實(shí)際上，即使在不產(chǎn)生開裂的晶片中，通過X-射線形貌學(xué)(XRT)也可以觀察到沿單晶的生長條紋產(chǎn)生的大量的缺陷。
另外，即使在產(chǎn)生翹曲的晶片中，在距晶片表面的深度50μm以上的區(qū)域，沒有看到位錯(cuò)的發(fā)生。由此可以認(rèn)為在距晶片表面的深度低于50μm的區(qū)域內(nèi)存在的直徑10nm以上的BMD成為位錯(cuò)或裂紋的發(fā)生源。因此，可以認(rèn)為正如本實(shí)施方案那樣，通過使距晶片表面的深度低于50μm的區(qū)域內(nèi)存在的直徑10nm以上的BMD密度得以降低，便可以獲得晶片中缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂受到抑制的上述作用。
此外，在本實(shí)施方案中，僅對(duì)有關(guān)直徑10nm以上的BMD的分布和密度進(jìn)行限定的理由，是因?yàn)橹睆降陀?0nm的BMD的存在，不會(huì)左右晶片中缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂。另外，之所以限定為低于50μm，是因?yàn)樵诒?0μm更深的區(qū)域，直徑10nm以上的BMD即使以1×108/cm3以上的密度存在，也不會(huì)產(chǎn)生晶片中缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂。而且與之相反，在淺于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的BMD如果以1×108/cm3以上的密度存在，則晶片中缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂變得明顯。
其次，就表現(xiàn)出圖2的BMD分布的本實(shí)施方案的硅晶片的制造方法進(jìn)行說明。本實(shí)施方案的硅晶片例如可以采用如下的方法進(jìn)行制造，即在1200℃下對(duì)氧濃度為1.1～1.5×1018個(gè)原子/cm3以下的直徑為200mm的硅晶片于氫氣氛中實(shí)施2小時(shí)的熱處理。
本實(shí)施方案的硅晶片在用于下述的半導(dǎo)體裝置的制造時(shí)，其作用和效果明顯表現(xiàn)出來，其中所述半導(dǎo)體裝置通過采用像閃光燈退火那樣的、熱處理溫度在1000℃以上且熱處理時(shí)間為3msec以下的特快升降溫?zé)崽幚矶圃?。但是，例如即使是以鹵素?zé)魹闊嵩?，?00～300℃/sec左右的升降溫速度進(jìn)行的RTP(快速熱處理Rapid ThermalProcessing)等其它的快速升降溫?zé)崽幚?，從上述作用和效果的產(chǎn)生原理加以考慮，也清楚晶片中缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂可以受到抑制。
另外，在本實(shí)施方案中，假定在距表面的距離為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的氧析出物(BMD)密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。在制造器件的工序中，從吸除Fe和Ni等金屬雜質(zhì)、從而不使裝置上的絕緣膜特性和結(jié)泄漏特性劣化的角度考慮，優(yōu)選在晶片的深處這樣存在充分的BMD。但是，從快速升降溫?zé)崽幚碇腥毕莸陌l(fā)生、翹曲量的增大以及開裂受到抑制的角度考慮，則未必必須在50μm以上的深度存在BMD密度為1×108/cm3以上的區(qū)域。
而且在本實(shí)施方案中，特別以直徑為200mm的硅晶片為例進(jìn)行了說明，但即使對(duì)于直徑大于200mm的大直徑的硅晶片，本發(fā)明也是有效的。
另外，在本實(shí)施方案中，說明了于氫氣氛中，在1200℃下實(shí)施2小時(shí)的熱處理而制造硅晶片的情況，但是，對(duì)于以在距表面的深度低于50μm的區(qū)域、直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下為特征的硅晶片的制造，未必局限于該制造條件。也就是說，在含有氫或氬中的至少任一種的氣體氣氛下，于1000℃～1200℃進(jìn)行適當(dāng)時(shí)間的熱處理，由此便可以制造出BMD的尺寸和密度像上述那樣受到限制的硅晶片。
(第2實(shí)施方案)本發(fā)明的第2實(shí)施方案的硅晶片除了在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑大于等于5nm但小于10nm的氧析出物密度為1×109/cm3～9×109/cm3以外，其余與第1實(shí)施方案相同，故而在此省略其說明。
圖3表示本實(shí)施方案的硅晶片的BMD密度分布的一個(gè)實(shí)例。橫軸表示距硅晶片表面的深度方向的距離，縱軸表示BMD密度。關(guān)于直徑10nm以上的BMD，圖中的BMD密度分布可以通過采用了公知的紅外激光散射的測(cè)定裝置進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，關(guān)于直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD，可以通過TEM(透射型電子顯微鏡)進(jìn)行測(cè)量。圖3中的三角標(biāo)記是采用TEM測(cè)得的實(shí)測(cè)值。
如圖3所示，對(duì)于本實(shí)施方案的硅晶片，在距表面的距離為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的BMD密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。另外，對(duì)于距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑大于等于5nm但小于10nm的氧析出物(BMD)密度為1.6×109/cm3左右，落入1×109/cm3～9×109/cm3的范圍。
發(fā)明人在使用快速升降溫?zé)崽幚砟褪苄愿叩牡?實(shí)施方案的硅晶片繼續(xù)進(jìn)行研究的過程中，無論是在距表面的深度低于50μm的區(qū)域、直徑10nm以上的BMD密度在1×108/cm3以下的晶片，還是在距表面的距離為50μm以上的區(qū)域、存在直徑10nm以上的BMD密度在1×108/cm3以上的區(qū)域的晶片，在每一種晶片中都發(fā)現(xiàn)了如下的現(xiàn)象，即在晶片上使用快速升降溫?zé)崽幚矶纬傻膒n結(jié)的結(jié)泄漏電流發(fā)生波動(dòng)。
于是，發(fā)明人著眼于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域的、直徑大于等于5mm但小于10nm的BMD密度進(jìn)行了研究。其結(jié)果如圖4所示。橫軸表示距表面的深度方向的距離，縱軸表示直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD密度。另外，圖中的實(shí)線和虛線表示多個(gè)硅晶片的BMD密度分布?？招膱A“○”標(biāo)記和“×”標(biāo)記是由TEM測(cè)得的BMD密度的實(shí)測(cè)點(diǎn)。在距表面的深度低于50μm的區(qū)域中的BMD密度即使低于1×109/cm3，或者大于9×109/cm3，也判明pn結(jié)的結(jié)泄漏電量增大。也就是說，在由點(diǎn)劃線所夾持的BMD密度為1×109/cm3～9×109/cm3的范圍內(nèi)，結(jié)泄漏電流表現(xiàn)出極小值。而且對(duì)于實(shí)測(cè)點(diǎn)用空心圓“○”標(biāo)記表示的BMD密度分布的硅晶片，一般認(rèn)為可以實(shí)現(xiàn)與物理柵極長度為13nm左右的邏輯LSI產(chǎn)品相當(dāng)?shù)慕Y(jié)泄漏電流規(guī)格。另一方面，對(duì)于實(shí)測(cè)點(diǎn)用“×”標(biāo)記表示的BMD密度分布的硅晶片，則結(jié)泄漏電流過度增大，可以設(shè)想在該晶片上制造的具有物理柵極長度為13nm左右的MOSFET的微細(xì)邏輯LSI產(chǎn)品，其產(chǎn)品合格率低下。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方案的硅晶片，與第1實(shí)施方案同樣，為了形成淺結(jié)，即使使用快速升降溫?zé)崽幚?，也可以獲得晶片中缺陷的發(fā)生、翹曲量的增大以及開裂受到抑制的作用。除此之外，通過結(jié)泄漏受到抑制的作用，可以實(shí)現(xiàn)微細(xì)邏輯LSI產(chǎn)品所要求的規(guī)格。因此，可以獲得以高的產(chǎn)品合格率制造具有淺結(jié)的微細(xì)邏輯LSI產(chǎn)品等半導(dǎo)體裝置。
如上所述，結(jié)泄漏依存于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域的、直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD密度，下面使用圖5的示意圖就其理由進(jìn)行說明。圖5在硅晶片200上，形成了由柵極絕緣膜202、柵極203、源極-漏極擴(kuò)散層206以及硅基板中的溝道區(qū)(channelregion)構(gòu)成的MOSFET。
這里，對(duì)于與微細(xì)邏輯LSI相適應(yīng)的熱處理工藝，即使圖中用大黑圓表示的直徑10nm以上的BMD210分布在距表面50μm以上的區(qū)域，如果在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，圖中用小黑圓表示的直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD212的密度較低，則不能吸除圖中用用空心圓“○”標(biāo)記表示的Fe和Ni等金屬污染214。也就是說，根據(jù)實(shí)現(xiàn)淺結(jié)的要求，微細(xì)邏輯LSI的熱處理工藝極力謀求短時(shí)間化以及低溫化，以便使源極-漏極的雜質(zhì)不會(huì)擴(kuò)散。因此，從晶片表面侵入的金屬雜質(zhì)214難以在工藝過程中擴(kuò)散至距表面50μm以上的深處。所以，由直徑10nm以上的BMD210獲得的吸除效應(yīng)減少。因此，以金屬雜質(zhì)214為產(chǎn)生中心的結(jié)泄漏的降低變得困難。另一方面，如果是設(shè)計(jì)規(guī)則較大的產(chǎn)品的熱處理工藝，則由于熱處理工藝是高溫和短時(shí)間的，所以器件附近的金屬雜質(zhì)214因擴(kuò)散至距表面50μm以上的深處而吸除，從而可以充分減少結(jié)泄漏。而且如本實(shí)施方案那樣，在距表面的深度淺于50μm的區(qū)域，通過將直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD212的密度控制為高于一定量以上，則即使是與微細(xì)邏輯LSI相適應(yīng)的熱處理工藝，利用淺BMD212也可以吸除金屬雜質(zhì)。因此，即使熱處理受到抑制，也可以減少結(jié)泄漏，從而使其落入預(yù)定的規(guī)格內(nèi)。
然而與此相反，如果在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，圖中用小黑圓表示的直徑大于等于5nm但小于10nm的BMD212的密度過高，則起因于該BMD的結(jié)泄漏增加。因此，當(dāng)BMD密度達(dá)到某一程度以上時(shí)，通過因上述淺區(qū)域的BMD212獲得的金屬雜質(zhì)214的吸除效應(yīng)而產(chǎn)生的結(jié)泄漏降低效果與上述的結(jié)泄漏增加相互抵消。
因此，為了抑制具有淺結(jié)的半導(dǎo)體器件的結(jié)泄漏，并達(dá)到所期望的規(guī)格，正如本實(shí)施方案的硅晶片那樣，在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑大于等于5nm但小于10nm的氧析出物密度優(yōu)選為1×109/cm3～9×109/cm3。
其次，就表現(xiàn)出圖4的BMD分布的本實(shí)施方案的硅晶片的制造方法的一個(gè)實(shí)例進(jìn)行說明。例如對(duì)于氧濃度為1.1～1.5×1018個(gè)原子/cm3以下的直徑為200mm的硅晶片，在進(jìn)行升溫速度設(shè)定為5℃/min、最高溫度設(shè)定為1250℃、保持時(shí)間設(shè)定為1小時(shí)的第1熱處理后；暫時(shí)冷卻至400℃；之后進(jìn)行450℃～1000℃區(qū)域中的升溫速度設(shè)定為1℃/min、最高溫度下的保溫時(shí)間設(shè)定為15min的第2熱處理。這里，在第1熱處理中，形成深的DZ(Denuded Zone無缺陷)區(qū)域，從而在距表面50μm以上的深區(qū)域形成BMD。另外，在第2熱處理中，于DZ區(qū)域促進(jìn)新核的形成和BMD的生長。但是，優(yōu)選像上述實(shí)例那樣，將最高溫度限定為1000℃或該值以下，從而使第2熱處理形成的BMD的尺寸不會(huì)超過直徑大于等于5nm但小于10nm的范圍。
以上參照具體實(shí)例就本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行了說明。在實(shí)施方案的說明中，省略了硅晶片、硅晶片的制造方法等本發(fā)明不需要直接說明的部分，而必需的硅晶片、硅晶片的制造方法以及半導(dǎo)體裝置用硅晶片等有關(guān)的要素可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇而加以使用。而且除此以外，具有本發(fā)明的要素、且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以適當(dāng)設(shè)計(jì)變更的所有的硅晶片以及半導(dǎo)體裝置用硅晶片均包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種硅晶片，其特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片，其特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑大于等于5nm但小于10nm的氧析出物密度為1×109/cm3～9×109/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片，其特征在于在距表面的深度為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅晶片，其特征在于在距表面的深度為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。
5.一種半導(dǎo)體裝置用硅晶片，其特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下；該半導(dǎo)體裝置用硅晶片使用熱處理溫度在1000℃以上、熱處理時(shí)間為3msec以下的熱處理而制造。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅晶片，其特征在于在距所述表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑大于等于5nm但小于10nm的氧析出物密度為1×109/cm3～9×109/cm3。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅晶片，其特征在于在距表面的深度為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅晶片，其特征在于在距表面的深度為50μm以上的區(qū)域，存在直徑10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以上的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適用于具有淺結(jié)的半導(dǎo)體裝置之制造的硅晶片。其中硅晶片的特征在于在距表面的深度低于50μm的區(qū)域，直徑10nm以上的氧析出物密度在1×10
文檔編號(hào)H01L21/324GK101074489SQ20071009611
公開日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2007年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月14日
發(fā)明者渡邊隆, 齊藤廣幸, 仙田剛士, 泉妻宏治, 鹿島一日兒 申請(qǐng)人:東芝陶瓷株式會(huì)社