垂直結構紅光led的導電電橋體的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種紅光LED封裝器件，特別是涉及芯片的電極導線結構。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有紅光LED芯片的兩個電極分別位于芯片的上表面和下表面，其具有一個η型GaAs襯底，在襯底下面為一個負極歐姆接觸電極，其上表面為一個正極歐姆接觸電極，整個芯片為垂直結構。封裝紅光芯片的時候，需要在其上電極上進行打線。打線用的引線一般為金線，金線的端部截面面積小，焊接時會發(fā)生虛焊，且長時間使用后，端面容易被氧化，造成焊接點電阻增大，影響器件的使用壽命。具有金線結構的LED器件，其抗沖擊、抗振動能力都較弱，在很多具有振動環(huán)境里，例如機車上，減少這種金線技術的使用，可以提高其安全穩(wěn)定性。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]為了克服現(xiàn)有技術的不足，本實用新型所要解決的技術問題是一種垂直結構紅光LED的導電電橋體，用于提高器件的穩(wěn)定性，使器件具有較好的抗振性能。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案如下:
[0005]—種垂直結構紅光LED的導電電橋體，其包括透明主體，所述透明主體為塊狀六面體，其包括上表面、下表面和四個側面；
[0006]在透明主體的表面上設有導電層，其中在所述四個側面以及下表面的邊緣處設有所述導電層，四個側面和下表面邊緣的導電層連成一體，在所述下表面上形成一個非導電層覆蓋區(qū)。
[0007]優(yōu)選的:所述導電層為金錫合金或氧化銦錫材料。
[0008]優(yōu)選的:在所述非導電層覆蓋區(qū)表面設有增透膜。在透明主體的下表面設增透膜有利于紅光穿過透明主體，有利于出光，提高出光率。
[0009]優(yōu)選的:在所述下表面邊緣的導電層為導電層焊料部，其上設有凹槽結構。與芯片電極連接的凹槽結構可以使電橋體扣緊電極，減少松脫現(xiàn)象；與支架電極導線連接電橋體的下表面設凹槽結構，則需要在支架電極導線連接處同樣設置一個凸起的焊料體，這樣凸起與凹槽結合，有利于增加它們的連接。
[0010]優(yōu)選的:所述透明主體為藍寶石材料或石英玻璃材料。
[0011]優(yōu)選的:位于所述下表面邊緣的導電層表面設有焊料。
[0012]優(yōu)選的:在所述下表面中間為矩形的非導電層覆蓋區(qū)，在非導電層覆蓋區(qū)兩側為下表面邊緣的導電層，下表面邊緣的導電層為導電層焊料部，導電層焊料部為矩形。
[0013]優(yōu)選的:所述透明主體的側面的下部份設有導電層。
[0014]相比現(xiàn)有技術，本實用新型的有益效果在于:
[0015]本實用新型在芯片的上電極上增加了一個電橋體，其用于將芯片的電極與支架的導線電連接在一起，為了配合這種結構，支架上設置了一個臺階。這種結構代替了焊線結構，且焊接面面積大，不容易松脫，且抗氧化能力強。具有本實用新型結構的器件，其抗振性能好。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型的結構示意圖。
[0017]圖2是電橋體的立體結構示意圖。
[0018]圖3是圖1的仰視示意圖。
[0019]圖4是芯片的俯視結構圖。
[0020]圖5是電橋體的第二個實施例的結構圖。
[0021]圖6是電橋體的第三個實施例的結構圖。
[0022]圖7是電橋體的使用示意圖。
[0023]圖8是電橋體的第三個實施例的結構圖。
[0024]圖中標識說明:
[0025]1、芯片；2、上電極；3、電橋體；31、透明主體；31_1、上表面；31_2、非導電層覆蓋區(qū)；31-3、透明主體上部；31-4、側面；31-5、下表面；4、焊料；5、導電層；51、導電層焊料部；52、導電層側面部；6、第一電極導線；7、第二電極導線；8、槽；9、臺階；10、支架；11、凹槽結構；12-1、電極端凹槽結構；12-2、焊接端凹槽結構；13、增透膜。
【具體實施方式】
[0026]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細說明。
[0027]參見圖1至圖3，該垂直結構紅光LED的導電電橋體3，其包括透明主體31，透明主體31為塊狀六面體，其包括上表面31-1、下表面31-5和四個側面31-4。在透明主體的表面上設有導電層，其中在四個側面以及下表面的邊緣處設有導電層5，四個側面和下表面邊緣的導電層連成一體，在側面的導電層為導電層側面部52，在下表面的導電層為導電層焊料部51，在下表面上形成一個非導電層覆蓋區(qū)31-2。導電層5為金錫合金或氧化銦錫材料。透明主體31為藍寶石材料。一般情況下，藍寶石透明主體為經(jīng)過減薄后的片體。
[0028]在下表面中間為矩形的非導電層覆蓋區(qū)31-2，在非導電層覆蓋區(qū)兩側為下表面邊緣的導電層，下表面邊緣的導電層為導電層焊料部51，參見圖3，導電層焊料部51為矩形。
[0029]透明主體上表面不覆蓋導電層。參見圖6，在一個實施例中，在非導電層覆蓋區(qū)表面設有增透膜13。在透明主體的下表面設增透膜有利于紅光穿過透明主體，有利于出光，提高出光率。
[0030]在一個實施例中，參見圖5，在下表面邊緣的導電層為導電層焊料部51，其上設有凹槽結構11。與芯片電極連接的凹槽結構可以使電橋體扣緊電極，減少松脫現(xiàn)象。
[0031]參見圖6，與支架電極導線連接電橋體的下表面設凹槽結構，該圖中顯示，在電橋體的兩端的導電層焊料部51均設有凹槽結構，即焊接端凹槽結構12-2和電極端凹槽結構12-1。在支架電極導線連接處同樣設置一個凸起的焊料體，這樣凸起與凹槽結合，有利于增加它們的連接。
[0032]位于下表面邊緣的導電層表面設有焊料4。
[0033]參見圖4，芯片I包括上電極2，圖中所示的上電極為兩個連通的段，也可以為一個整體。圖5顯示電橋體3與芯片上電極2的連接結構圖。凹槽結構11的內(nèi)壁上為導電層。上電極與凹槽結構連接時，它們之間需要焊料連接，凹槽結構對上電極2有較強的限定作用。
[0034]圖7為本實用新型的使用示意圖。該紅光LED封裝器件包括支架10和支架上的槽8，在槽8內(nèi)封裝有芯片I。槽的槽壁上包括臺階9，臺階9上設有延伸到支架外的第一電極導線6。芯片I包括上電極2和下電極(圖中未示出)，在槽的底部設有第二電極導線7，下電極固定在槽的底部且與第二電極導線電性連接在一起。
[0035]在上電極2和臺階9上的第一電極導線6之間設將它們電連接在一起的電橋體3。電橋體3固定在上電極2和臺階9上，其上的導電層將上電極2和臺階9上的第一電極導線電性連接在一起。芯片I的高度與臺階9的高度相同，電橋體3置于芯片和臺階上保持水平。
[0036]參見圖8，在另一個實施例中，透明主體31的側面的下部份設有導電層5，透明主體上部31-3的側面不覆蓋導電層。這種結構一般適用于沒有減薄的藍寶石晶圓。藍寶石的厚度對整個電橋體沒有影響，由于導電層的材料會選用貴金屬金，所以，部分覆蓋透明主體的側面的方案，在滿足電流功率的前提下，可以降低成本和增加出光率。
[0037]上述實施方式僅為本實用新型的優(yōu)選實施方式，不能以此來限定本實用新型保護的范圍，本領域的技術人員在本實用新型的基礎上所做的任何非實質(zhì)性的變化及替換均屬于本實用新型所要求保護的范圍。
【主權項】
1.一種垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于該電橋體包括透明主體，所述透明主體為塊狀六面體，其包括上表面、下表面和四個側面； 在透明主體的表面上設有導電層，其中在所述四個側面以及下表面的邊緣處設有所述導電層，四個側面和下表面邊緣的導電層連成一體，在所述下表面上形成一個非導電層覆蓋區(qū)O2.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:所述導電層為金錫合金或氧化銦錫材料。3.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:在所述非導電層覆蓋區(qū)表面設有增透膜。4.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:在所述下表面邊緣的導電層為導電層焊料部，其上設有凹槽結構。5.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:所述透明主體為藍寶石材料或石英玻璃材料。6.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:位于所述下表面邊緣的導電層表面設有焊料。7.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:在所述下表面中間為矩形的非導電層覆蓋區(qū)，在非導電層覆蓋區(qū)兩側為下表面邊緣的導電層，下表面邊緣的導電層為導電層焊料部，導電層焊料部為矩形。8.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構紅光LED的導電電橋體，其特征在于:所述透明主體的側面的下部份設有導電層。
【專利摘要】本實用新型提供一種垂直結構紅光LED的導電電橋體，涉及紅光LED封裝器件芯片的電極導線結構，用于提高器件的穩(wěn)定性，使器件具有較好的抗振性能。該電橋體包括透明主體，所述透明主體為塊狀六面體，其包括上表面、下表面和四個側面；在透明主體的表面上設有導電層，其中在所述四個側面以及下表面的邊緣處設有所述導電層，四個側面和下表面邊緣的導電層連成一體，在所述下表面上形成一個非導電層覆蓋區(qū)。這種結構代替了焊線結構，且焊接面面積大，不容易松脫，且抗氧化能力強。具有本實用新型結構的器件，其抗振性能好。
【IPC分類】H01L33/62
【公開號】CN204927349
【申請?zhí)枴緾N201520614976
【發(fā)明人】盧楊, 張月強
【申請人】福建天電光電有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月14日