12的外延隔離槽無填充；由此形成底部各子級發(fā)光二極管，如圖4和圖5所示。
[0143]八，頂部各子級發(fā)光二極管制作步驟與底部各子級發(fā)光二極管幾乎相同，除了步驟四增加：同時形成頂部第一子級發(fā)光二極管、第三子級發(fā)光二極管電極空臺13。但與底部各子級發(fā)光二極管采用的芯片尺寸及電極版圖不同，如圖6所示，形成幾萬個10mil*l5mil/10mil*10mil/10mil*15mil尺寸的周期交替的獨立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)。底、頂各子級發(fā)光二極管采用不同的設(shè)計版圖，有利于各子級發(fā)光二極管形成串聯(lián)的條件下，兩層發(fā)光二極管在發(fā)光面積上相同且空間上重合。
[0144]九，底部第一子級發(fā)光二極管與頂部第一子級發(fā)光二極管鍵合：底部第一子級發(fā)光二極管的第一電極8與頂部第一子級發(fā)光二極管的第二電極10采用金屬鍵合材料形成連接；底部第一子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6與頂部第一子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6采用非導(dǎo)電鍵合材料鍵合，形成非導(dǎo)電鍵合層14。
[0145]十，頂部第一子級發(fā)光二極管與底部第二子級發(fā)光二極管鍵合：頂部第一子級發(fā)光二極管的第一電極8與底部第二子級發(fā)光二極管的第二電極10采用金屬鍵合材料形成連接；頂部第一子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6與底部第二子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6采用非導(dǎo)電鍵合材料鍵合，形成非導(dǎo)電鍵合層14。
[0146]十一，底部第二子級發(fā)光二極管與頂部第二子級發(fā)光二極管鍵合：底部第二子級發(fā)光二極管的第一電極8與頂部第二子級發(fā)光二極管的第二電極10采用金屬鍵合材料形成連接；底部第二子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6與頂部第二子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6采用非導(dǎo)電鍵合材料鍵合，形成非導(dǎo)電鍵合層14。依次連接方式至頂部第三子級發(fā)光二極管和底部第三子級發(fā)光二極管。
[0147]十二，頂部第三子級發(fā)光二極管與底部第四子級發(fā)光二極管鍵合；頂部第三子級發(fā)光二極管的第一電極8與底部第四子級發(fā)光二極管的第二電極10采用金屬鍵合材料形成連接；頂部第三子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6與底部第四子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6采用非導(dǎo)電鍵合材料鍵合，形成非導(dǎo)電鍵合層14。
[0148]十三，底部第四子級發(fā)光二極管的第一電極8與底部第一子級發(fā)光二極管的第二電極10為焊臺電極，如圖7所示。
[0149]十四，采用激光剝離技術(shù)去除頂部各子級發(fā)光二極管共有的藍(lán)寶石外延襯底1，蒸鍍氮化硅材料作為PV保護(hù)層15保護(hù)外延結(jié)構(gòu)，如圖8所示。采用背切技術(shù)，在外延襯底1上切割裂片，形成高壓發(fā)光二極管。
[0150]實施例二
[0151]一種具有立體發(fā)光結(jié)構(gòu)的高壓發(fā)光二極管，由九個具有獨立發(fā)光結(jié)構(gòu)的子級發(fā)光二極管串聯(lián)而成，串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管分為兩層，底層由五個底部子級發(fā)光二極管構(gòu)成，頂層由四個頂部子級發(fā)光二極管構(gòu)成，如圖22所示。
[0152]其中各個子級發(fā)光二極管都包含獨立的有源層4，有源層4第一接觸面上設(shè)置第一型導(dǎo)電層3，有源層4第二接觸面上設(shè)置第二型導(dǎo)電層5。第一型導(dǎo)電層3由第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層組成。具體為第一型電流擴(kuò)展層由（AluGaa^jnuPS五族化合物構(gòu)成，且厚度為5 ym。第一型限制層由（AluGaaUr^P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為600nm。有源層4由18組（Al^Gac.Un^P/GauIn^P三五族化合物交替構(gòu)成。第二型導(dǎo)電層5由第二型限制層、第二型電流擴(kuò)展層組成。第二型限制層由（AluGwUnuP三五族化合物構(gòu)成，且厚度為600nm。第二型電流擴(kuò)展層由GaP三五族化合物構(gòu)成，且厚度為4ym。電流擴(kuò)展層的蒸鍍材料采用ITO，即為ITO導(dǎo)電層。
[0153]底部各子級發(fā)光二極管于第一型導(dǎo)電層3上設(shè)置第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層31，第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層31上設(shè)置第一電極8，第二型導(dǎo)電層5上設(shè)置有Si02介質(zhì)層51，Si02介質(zhì)層51內(nèi)部設(shè)有導(dǎo)電通道，Si02介質(zhì)層51上設(shè)置金屬發(fā)射層52，金屬反射層52通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層5形成歐姆接觸，金屬反射層52上設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層53，非導(dǎo)電鍵合層53上設(shè)置基板54，Si02介質(zhì)層51上設(shè)置有第二電極10，第二電極10通過導(dǎo)電通道與金屬反射層52形成連接，第二電極10與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸面之間隔著電極絕緣層9，且與第一電極8同一側(cè)。
[0154]頂部各子級發(fā)光二極管的第二型導(dǎo)電層5上設(shè)置第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6，第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6上設(shè)置第二電極10，第一型導(dǎo)電層3上設(shè)置第一電極8，第一電極8與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸面之間隔著電極絕緣層9，且與第二電極10同一側(cè)。
[0155]頂部各子級發(fā)光二極管與底部各子級發(fā)光二極管之間相鄰的接觸面之間設(shè)置非導(dǎo)電鍵合層14，非導(dǎo)電鍵合層14的第一接觸面與頂部各子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6接觸，非導(dǎo)電鍵合層14的第二接觸面與底部各子級發(fā)光二極管的第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層31接觸。
[0156]底部第一子級發(fā)光二極管的第二電極10與頂部第一子級發(fā)光二極管的第一電極8形成金屬連接。
[0157]頂部第一子級發(fā)光二極管的第二電極10與底部第二子級發(fā)光二極管的第一電極8形成金屬連接。
[0158]底部第二子級發(fā)光二極管的第二電極10與頂部第二子級發(fā)光二極管的一電極8形成金屬連接。依次連接方式至底、頂部第四子級發(fā)光二極管。
[0159]頂部第四子級發(fā)光二極管的第二電極10與底部第五子級發(fā)光二極管的第一電極8形成金屬連接。
[0160]底部第五子級發(fā)光二極管的第二電極10與底部第一子級發(fā)光二極管的第一電極8為焊臺電極。
[0161]一種具有立體發(fā)光結(jié)構(gòu)的高壓發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟：
[0162]一，如圖9所示，在外延襯底1的上表面由下至上依次外延緩沖層2、腐蝕截止層31、第一型導(dǎo)電層3、有源層4、第二型導(dǎo)電層5。
[0163]具體為外延襯底1采用2英寸的GaAs襯底，厚度為270 ym。緩沖層2由300nm的GaAs材料組成。腐蝕截止層31由400nm厚的材料組成。
[0164]二，制作底部各子級發(fā)光二極管，在第二型導(dǎo)電層5表面形成介質(zhì)層51，在介質(zhì)層51中形成密度為150個/ mm2，直徑為7 ym的圓形的介質(zhì)層通孔；通孔的深度至第二型導(dǎo)電層5。
[0165]三，在介質(zhì)層5表面蒸鍍金屬，形成金屬反射層52，且金屬填滿通孔形成導(dǎo)電通道511。
[0166]四，米用非導(dǎo)電鍵合材料將金屬反射層52與基板54鍵合，形成非導(dǎo)電鍵合層53，如圖10所示。
[0167]五，分別腐蝕去除外延襯底1、緩沖層2與腐蝕截止層31，露出第一型導(dǎo)電層3，如圖11所示。
[0168]六，在底部發(fā)光外延片的第一型導(dǎo)電層3表面蒸鍍ITO材料，形成第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層32，如圖12所示。
[0169]七，如圖13及圖16所示，在第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層32采用掩膜、ICP刻蝕，在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管形成寬度為5 ym的外延隔離槽7，在非串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管形成寬度為18ym切割道12，且蝕刻深度至非導(dǎo)電鍵合層53，形成幾萬個10mil*10mil尺寸的獨立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0170]八，在第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層32上采用掩膜、ICP刻蝕，制作，形成第二電極制作區(qū)域，蝕刻深度至介質(zhì)層51表面，如圖14所示。
[0171]九，在第二電極制作區(qū)域上形成第二電極10，第二電極10通過導(dǎo)電通道511與金屬反射鏡52形成連接，且第二電極10與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間隔著電極隔離槽。
[0172]十，在第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層32上形成第一電極8，且第一電極8與第二電極10在同一側(cè)，且電極表面在同一水平面。
[0173]^^一，蒸鍍絕緣材料填充外延隔離槽和電極隔離槽形成外延絕緣層11和電極絕緣層9，外延絕緣層11和電極絕緣層9且底部各子級發(fā)光二極管構(gòu)成底部高壓模塊的周圍切割道的外延隔離槽無填充；至此完成底部各子級發(fā)光二極管的制作，如圖15和圖16所不o
[0174]十二，制作頂部各子級發(fā)光二極管，在第二型導(dǎo)電層5表面蒸鍍ITO材料，形成第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6。
[0175]十三，在第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6表面采用掩膜、ICP刻蝕，在串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管形成寬度為5 ym的外延隔離槽7，在非串聯(lián)的各子級發(fā)光二極管形成寬度為18ym切割道12，且蝕刻深度至外延襯底1，形成幾萬個10mil*10mil尺寸的獨立外延發(fā)光結(jié)構(gòu)，如圖17及圖20所示。
[0176]十四，在第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6表面采用掩膜、ICP刻蝕，形成第一電極制作區(qū)域，蝕刻深度至第一型導(dǎo)電層3，如圖18所示。
[0177]十五，在第一型導(dǎo)電層3的第一電極制作區(qū)域上形成第一電極8，且第一電極8與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間隔著電極隔離槽。
[0178]十六，在第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6上形成第二電極10，且第二電極10與第一電極8在同一側(cè)，且電極表面在同一水平面。
[0179]十七，蒸鍍絕緣材料填充外延隔離槽和電極隔離槽形成外延絕緣層11和電極絕緣層9，且頂部各子級發(fā)光二極管構(gòu)成底部高壓模塊的周圍切割道12的外延隔離槽無填充；至此完成頂部各子級發(fā)光二極管的制作，如圖19和圖20所不。
[0180]十八，底部各子級發(fā)光二極管與頂部各子級發(fā)光二極管的鍵合在一起及其串聯(lián)連接的制作，如圖21所示。底部第一子級發(fā)光二極管與頂部第一子級發(fā)光二極管鍵合：底部第一子級發(fā)光二極管的第二電極10與頂部第一子級發(fā)光二極管的第一電極8采用金屬鍵合材料形成連接；底部第一子級發(fā)光二極管的第一電流擴(kuò)展導(dǎo)電層32與頂部第一子級發(fā)光二極管的第二電流擴(kuò)展導(dǎo)電層6采用非導(dǎo)電鍵合材料鍵合，形成復(fù)合非導(dǎo)電鍵合層14。
[0181]十九，頂