全光譜、距離感測(cè)、三合一光感模塊封裝組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及照明設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種全光譜、距離感測(cè)、三合一光感模塊封裝組件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著目前手機(jī)市場(chǎng)的趨勢(shì)由一般按鍵手機(jī)走向智能型手機(jī)的驅(qū)勢(shì)，在人手一臺(tái)智能型手機(jī)的情況下，智能型手機(jī)的功能及規(guī)格也越來越講宄，然而智能型手機(jī)產(chǎn)品被賦予需要輕薄且功能性越來越高的情況下這樣手機(jī)待機(jī)時(shí)間就會(huì)有極大的考驗(yàn)，而屏幕又是整個(gè)手機(jī)當(dāng)中最為耗電的一環(huán)，因此要如何減少手機(jī)屏幕電力的浪費(fèi)就成了電力持續(xù)很重要的一環(huán)。因此此專利開發(fā)了距離光傳感器組件，讓用戶在手機(jī)通話時(shí)不會(huì)觀看屏幕的情形下，適時(shí)的關(guān)閉屏幕顯示，避免屏幕高耗電，增加手機(jī)的待機(jī)時(shí)間，另一方面此組件有另外一個(gè)功能可以隨著外在環(huán)境光的變化來自動(dòng)調(diào)控手機(jī)屏幕的亮暗程度，更可以大大提升手機(jī)的待機(jī)時(shí)間降低損耗，對(duì)于使用者來說但可以達(dá)到延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間的功能且可因應(yīng)環(huán)境光的明暗程度來進(jìn)行手機(jī)屏幕的調(diào)節(jié)達(dá)到亮度優(yōu)化的功效。
[0003]隨著手機(jī)的輕薄化，傳感器組件也必須朝更小的封裝前進(jìn)，有鑒于此我們將光感應(yīng)組件與紅外光發(fā)射器Infrared Light-Emitting D1de (IRLED)進(jìn)行模塊化的結(jié)合成一顆組件，這樣可以有效的減少封裝體積也可以降低客戶在SMT上需要使用多顆組件的成本及時(shí)間，因此此專利光電組件研發(fā)的重點(diǎn)為開發(fā)3.94mmX 2.36mmX 1.35mm尺寸三種功能結(jié)合在一起的光感應(yīng)模塊化產(chǎn)品。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種尺寸小、環(huán)境光偵測(cè)效能高且制作簡(jiǎn)單的全光譜、距離感測(cè)、三合一光感模塊封裝組件。
[0005]技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的一種全光譜、距離感測(cè)、三合一光感模塊封裝組件，包括發(fā)光芯片以及光檢測(cè)芯片，所述發(fā)光芯片以及光檢測(cè)芯片固定連接在PCB板上，并使用導(dǎo)電膠連接，所述發(fā)光芯片以及光檢測(cè)芯片的極性通過金線連接至所述PCB板。
[0006]作為優(yōu)化，所述發(fā)光芯片采用8mil?14mil的IR芯片。
[0007]作為優(yōu)化，所述光檢測(cè)芯片采用外在環(huán)境光及距離感測(cè)、20mil?60mil的TOIC芯片。
[0008]作為優(yōu)化，所述金線的直徑為0.8?1.25milo
[0009]作為優(yōu)化，所述該組件的外觀尺寸為:3.94mm*2.36mm*l.35mm，發(fā)光區(qū)面積為:
0.37mm*0.37mm*3.14，收光區(qū)面積為:0.48mm*0.48mm*3.14。
[0010]作為優(yōu)化，所述PCB板的尺寸為101.9mm*54.9mm*1.35mm。
[0011]作為優(yōu)化，所述光檢測(cè)芯片的可偵測(cè)光源為0.098Lux to 6390Lux及0.195Lux to12780Lux，可偵測(cè)3cm?8cm距離，并可輸出8bit?16bit檔位。
[0012]有益效果:本實(shí)用新型的組件具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0013](I)微小化:將環(huán)境光，距離感測(cè)及IR發(fā)光源三種功能的芯片整合在一起，尺寸只有 3.94mm*2.96mm*1.35mm 的體積；
[0014](2)環(huán)境光偵測(cè)效能高:可偵測(cè)光源0.098Lux to 6390Lux及0.195Lux to12780Lux靈敏度及偵測(cè)范圍大；
[0015](3)距離偵測(cè)范圍大:借由IR光電流調(diào)整，可偵測(cè)3cm?8cm距離，并可輸出8bit?16bit檔位
[0016](4)制作簡(jiǎn)單:雖利用二次壓模，二次切割技術(shù)，但仍采用一般SMD封裝方式此產(chǎn)品制作工藝成熟，無重大品質(zhì)隱患；
[0017](5)使用方便:電極位置位于產(chǎn)品兩側(cè)可以順利完成焊接；
[0018](6)固晶I父米用Tanaka含尚導(dǎo)熱的尚導(dǎo)電I父，可以讓廣品增加導(dǎo)熱，提尚質(zhì)量；
[0019](7)焊線時(shí)采用0.Smil?1.25mil線徑金線，電流可以迅速通過，降低內(nèi)阻；
[0020](8)使用型號(hào)11000膠質(zhì)作為產(chǎn)品的內(nèi)封膠，增加產(chǎn)品的光效轉(zhuǎn)換；使用不透光膠質(zhì)作為產(chǎn)品的隔絕區(qū)及外封膠，避免內(nèi)/外光干擾狀況；
[0021](9)采用高效能的發(fā)光及受光芯片，讓組件特性能達(dá)到優(yōu)化；
[0022](10)采用兩次壓模及兩次切割方式，可避免組件內(nèi)部的CrossTalk的干擾狀況。
【附圖說明】
[0023]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖2為本實(shí)用新型的組件外觀俯視圖。
[0025]圖3為本實(shí)用新型的組件外觀仰視圖。
[0026]圖4為本實(shí)用新型的組件外觀側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]如圖1所示的一種全光譜、距離感測(cè)、三合一光感模塊封裝組件，包括發(fā)光芯片I以及光檢測(cè)芯片2，所述發(fā)光芯片I以及光檢測(cè)芯片2固定連接在PCB板3上，并使用導(dǎo)電膠連接，所述發(fā)光芯片I以及光檢測(cè)芯片2的極性通過金線連接至所述PCB板3。
[0028]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)化，所述發(fā)光芯片I采用8mil?14mil的IR芯片；所述光檢測(cè)芯片2采用外在環(huán)境光及距離感測(cè)、20mil?60mil的TOIC芯片。所述金線的直徑為0.8?1.25milo所述PCB板3的尺寸為101.9mm*54.9mm*1.35mm。所述光檢測(cè)芯片 2 的可偵測(cè)光源為 0.098Lux to 6390Lux 及 0.195Lux to 12780Lux，可偵測(cè) 3cm ?8cm距離，并可輸出8bit?16bit檔位。
[0029]如圖2到圖4所示的本組件的外觀結(jié)構(gòu)圖，該組件的外觀尺寸為:3.94mm*2.36mm*1.35mm,發(fā)光區(qū)面積為:0.37mm*0.37mm*3.14，收光區(qū)面積為:
0.48mm*0.48mm*3.14。該組件的底部共有8個(gè)引腳，分別為I腳SDA, 2腳INT，3腳IRDR, 4腳 LEDK，5 腳 LEDA，6 腳 GND/ADDR，7 腳 SCL, 8 腳 VDD。
[0030]本全光譜、距離感測(cè)、三合一光感模塊封裝組件的制備工藝包括如下步驟:
[0031](1)11?固晶:將81^1?1411^1 IR芯片通過導(dǎo)電膠固定在PCB板材上，完成150°C，2H短烤，確保產(chǎn)品穩(wěn)定在PCB板上；
[0032](2) IR焊線:先利用電漿清洗機(jī)清除焊線過程中殘留的助焊劑，然后使用0.8?1.25mil金線，將IR芯片極性引入PCB板上；
[0033](3)roic固晶:將20mil?60mil HHC芯片通過導(dǎo)電膠固定在PCB板材上，完成1500C，2H短烤，確保產(chǎn)品穩(wěn)定在PCB板上；
[0034](4)H)IC焊線:先利用電漿清洗機(jī)清除焊線過程中殘留的助焊劑，然后使用0.8?
1.25mil金線，將I3DIC芯片極性引入PCB板上；
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