Led支架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED支架及其制備方法與應(yīng)用，屬于照明技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LED作為一種固態(tài)半導(dǎo)體照明技術(shù)，實(shí)現(xiàn)照明的過程必須通過LED芯片固定在線路板上實(shí)現(xiàn)，LED芯片一般通過正裝或倒裝設(shè)置在支架上。如圖1、圖2所示，現(xiàn)有的LED支架包括一體式四周封閉的框架I及設(shè)置于框架I內(nèi)的基板2構(gòu)成，所述基板2的兩端置于截面呈凹形的連接部11內(nèi)，再將連接部11的上端12分別向內(nèi)彎折，使基板2的兩端卡接于連接部11內(nèi)。這樣的結(jié)構(gòu)容易導(dǎo)致以下幾個(gè)問題:(I)、彎折時(shí)導(dǎo)致基板2與連接部11之間為點(diǎn)接觸，使得基板2在連接部11內(nèi)產(chǎn)生間隙而晃動(dòng)，使得最終連接精度下降。(2)、由于基板2與連接部11之間為點(diǎn)接觸，導(dǎo)致整個(gè)支架的導(dǎo)熱性能下降。(3)、現(xiàn)有技術(shù)為了更好地保證基板2的穩(wěn)定位置，需要在框架I內(nèi)設(shè)置加強(qiáng)筋4，這就導(dǎo)致在一個(gè)框架內(nèi)能放置的基板2數(shù)量的減少。(4)、由于加強(qiáng)筋4的存在，導(dǎo)致該支架在被封裝形成LED燈條后，需要先對(duì)框架進(jìn)行切割形成單個(gè)LED燈條，然后再對(duì)該單個(gè)LED燈條進(jìn)行電性檢測(cè)，非常耗時(shí)，效率低下。(5)、基板2與框架I的連接部11通過機(jī)械壓合后，在制備LED燈時(shí)，導(dǎo)線需要在框架I上進(jìn)行打線，打線時(shí)需要先對(duì)框架進(jìn)行鍍銀，成本高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提出一種LED支架及其制備方法與應(yīng)用。
[0004]本實(shí)用新型的目的，將通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn):
[0005]一種LED支架，包括兩個(gè)相對(duì)稱設(shè)置的呈梳齒狀的第一引線框架與第二引線框架，及架設(shè)于所述第一引線框架與第二引線框架間的基板，所述第一引線框架與第二引線框架均包括一條形框桿及垂直設(shè)置在所述條形框桿上的一排連接端，所述第一引線框架與所述第二引線框架上的每組對(duì)應(yīng)的連接端相對(duì)設(shè)置且共軸，所述基板的兩端均涂覆有一層金屬涂層，所述基板兩端的金屬涂層側(cè)分別焊接固定于相應(yīng)的連接端。
[0006]優(yōu)選地，所述連接端分別均布于所述第一引線框架與第二引線框架的條形框桿上。
[0007]優(yōu)選地，所述金屬涂層由內(nèi)層及外層構(gòu)成，所述內(nèi)層為Cu內(nèi)層、Cr內(nèi)層或Ti內(nèi)層，所述外層為Ni外層或Ag外層。
[0008]優(yōu)選地，所述金屬涂層與連接端之間設(shè)置有用于焊接的錫膏層。
[0009]根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED支架，其特征在于:所述金屬涂層的面積大于所述錫膏層的面積。
[0010]優(yōu)選地，所述基板為藍(lán)寶石基板、陶瓷基板或玻璃基板。
[0011]一種LED支架，由至少兩個(gè)以上任一所述的LED支架平面排布連接構(gòu)成，且相鄰的所述LED支架共享一個(gè)條形框桿，共享的條形框桿兩側(cè)均背向設(shè)置有連接端。
[0012]優(yōu)選地，以上所述的一種LED支架的制備方法，包括如下步驟，
[0013]S1、采用超聲波清洗技術(shù)對(duì)基板進(jìn)行表面清洗；所述基板為藍(lán)寶石基板、陶瓷基板或玻璃基板；
[0014]S2、清洗完的基板置于鍍膜真空室內(nèi)，抽至5*10_4Pa以上的真空度；
[0015]S3、在所述基板的兩端表面采用磁控濺射技術(shù)制備金屬涂層；制備金屬涂層也可采用電子束，熱蒸發(fā)等其它PVD技術(shù)；
[0016]S4、通過印刷的方式將錫膏印刷在所述框條的連接端；
[0017]S5、采用貼片方式將所述基板貼裝到框條的連接端上；
[0018]S6、將上述完成S5工藝后的產(chǎn)品放入回焊爐，進(jìn)行焊接處理，使基板與框條的連接端熱熔固化。
[0019]優(yōu)選地，所述S3中的磁控濺射技術(shù)，具體為:將鍍膜腔體真空度抽到5.0 X 10_4Pa，通入純度為99.999%的高純氬氣，流量50~70sCCm，并保持真空鍍膜室內(nèi)的工藝真空度為1.0-3.0Pa，開啟帶有銅靶濺射陰極的直流濺射電源，電源功率2~4kW ;沉積時(shí)間30~60分鐘，沉積涂層厚度8，000A-10, 000A ;完成后將鍍膜腔體真空度抽到5.0 X 10_4Pa，通入純度為99.999%的高純氬氣，流量50~70sCCm，并保持真空鍍膜室內(nèi)的工藝真空度為1.0-3.0Pa,開啟帶有鎳靶濺射陰極的直流濺射電源，電源功率2~4kW ;沉積時(shí)間10~15分鐘，沉積涂層厚度 I, 000A-3, OOOAo
[0020]優(yōu)選地，所述S5中的貼片方式，具體為:將鍍膜好金屬涂層的基板使用激光或機(jī)械方式切割成規(guī)定尺寸，并采用背面貼膠方式將其放入貼片機(jī)導(dǎo)軌中；將框條放入治具中，通過自動(dòng)印刷設(shè)備在其貼合位置印上錫膏，并連同治具流轉(zhuǎn)到專用貼片機(jī)中，由貼片機(jī)將導(dǎo)軌中的基板放置到固定位置；治具、框條連同基板流轉(zhuǎn)到回焊爐，在最高溫度2800C ~320°C的條件下進(jìn)行熱熔連接。
[0021]本實(shí)用新型突出效果為:1、基板與框架焊接連接，平整度提高，在后續(xù)應(yīng)用時(shí)，取消了框架的鍍銀步驟，可直接打線進(jìn)入金屬涂層，成本大大的降低，同時(shí)，導(dǎo)熱性能也得到了提尚。
[0022]2、采用焊接連接，使得基板與框條之間為面接觸，保證了基板與框架的穩(wěn)定性，使后續(xù)應(yīng)用精度等得以保證，同時(shí)，取消了現(xiàn)有技術(shù)中的加強(qiáng)筋，使得支架上總體的基板數(shù)量增加。
[0023]3、采用累積共享框條的方式，使得每個(gè)框架能最大化的利用，極大地節(jié)省了成本，保證了量的提升。
[0024]4、由于本實(shí)用新型中的梳齒狀的相對(duì)稱設(shè)置的框條自身并無接觸，故在支架在被封裝形成LED燈條后進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，可以分別對(duì)兩個(gè)框條進(jìn)行正負(fù)極導(dǎo)電的接通，從而進(jìn)行整個(gè)支架上LED燈條的同時(shí)檢測(cè)，提高了檢測(cè)效率。
[0025]以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳述，以使本實(shí)用新型技術(shù)方案更易于理解、掌握。
【附圖說明】
[0026]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中支架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中框架與基板之間的剖面結(jié)構(gòu)示意圖
[0028]圖3是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖4是本實(shí)用新型的相對(duì)應(yīng)設(shè)置的框條結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖5是本實(shí)用新型中框架與基板之間的位置關(guān)系剖視圖。
[0031]圖6是本實(shí)用新型中另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]如圖3、圖4所示，本實(shí)用新型揭示了一種LED支架，包括兩個(gè)相對(duì)稱設(shè)置的呈梳齒狀的第一引線框架I與第二引線框架5，及架設(shè)于所述第一引線框架I與第二引線框架5間的基板。所述的基板可以為藍(lán)寶石基板、金屬基板或玻璃基板。由于玻璃基板為透明基板，故玻璃基板的透光率相較于傳統(tǒng)的基板更佳。
[0033]本實(shí)用新型中的結(jié)構(gòu)取消了現(xiàn)有技術(shù)中的加強(qiáng)筋，使得支架上總體的基板數(shù)量增加。由于本實(shí)用新型中的梳齒狀的相對(duì)稱設(shè)置的框條自身并無接觸，故在檢測(cè)時(shí)，可以分別對(duì)兩個(gè)框條進(jìn)行正負(fù)極導(dǎo)電的接通，從而進(jìn)行整個(gè)支架上LED基板的同時(shí)檢測(cè)，提高了檢測(cè)效率。
[0034]具體的，所述第一引線框架I包括一條形框桿及垂直設(shè)置在所述條形框桿上的第一引線框架連接端11，第二引線框架5包括一條形框桿及垂直設(shè)置在