顯示基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于顯示基板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示基板。
【背景技術(shù)】
[0002]在高級超維場轉(zhuǎn)換(ADS)模式的陣列基板中，為簡化制備工藝，可在一次構(gòu)圖工藝中形成有源區(qū)和源/漏電極，在這種情況下，像素電極位于源/漏電極上方，即像素電極“搭接”在漏極上。
[0003]如圖1所示，漏極41 (和源極42)的厚度通常較大，約數(shù)百微米，而像素電極5厚度較薄，只有數(shù)十微米。因此，當(dāng)漏極41邊緣的坡度角較大(圖中以90度為例)時，像素電極5“搭接”在漏極41上的部分(搭接部51)與處于漏極41之外的部分(主體部52)之間，容易在漏極42邊緣處(即搭接部51與主體部52的相接處)發(fā)生斷裂，從而影響陣列基板的功能。當(dāng)然，該陣列基板中還可包括基底9、柵極1、柵絕緣層2、有源區(qū)3、平坦化層6、公共電極7等其他已知結(jié)構(gòu)，在此不再詳細描述。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型針對現(xiàn)有的陣列基板中像素電極容易在漏極邊緣斷裂的問題，提供一種不易發(fā)生斷裂的顯示基板。
[0005]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板，其包括第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)；所述第二結(jié)構(gòu)具有設(shè)于第一結(jié)構(gòu)上的搭接部，以及位于第一結(jié)構(gòu)外且與搭接部相連的主體部；且
[0006]所述第一結(jié)構(gòu)具有與其邊緣相連減薄區(qū)，所述減薄區(qū)中第一結(jié)構(gòu)的厚度小于減薄區(qū)外的第一結(jié)構(gòu)的厚度；
[0007]所述搭接部至少部分位于所述減薄區(qū)上；且至少部分位于減薄區(qū)外的主體部直接與位于所述減薄區(qū)上的搭接部相連。
[0008]優(yōu)選的是，所述顯示基板為陣列基板，所述第一結(jié)構(gòu)為薄膜晶體管的漏極，所述第二結(jié)構(gòu)為像素電極。
[0009]進一步優(yōu)選的是，所述漏極完全設(shè)于有源區(qū)上。
[0010]優(yōu)選的是，所述顯示基板還包括基底，且所述第一結(jié)構(gòu)與基底間的距離大于等于所述第二結(jié)構(gòu)的主體部與基底間的距離。
[0011 ] 優(yōu)選的是，所述搭接部覆蓋整個減薄區(qū)。
[0012]優(yōu)選的是，所述減薄區(qū)被搭接部覆蓋的部分包括多個子減薄區(qū)，越靠近第一結(jié)構(gòu)邊緣的子減薄區(qū)中的第一結(jié)構(gòu)的厚度越小。
[0013]優(yōu)選的是，所述減薄區(qū)中的第一結(jié)構(gòu)的厚度在減薄區(qū)外的第一結(jié)構(gòu)的厚度的1/2至2/3之間。
【附圖說明】
[0014]圖1為現(xiàn)有的陣列基板發(fā)生像素電極斷裂時的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實用新型的實施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在形成光刻膠層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖4為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在對光刻膠層進行階梯曝光和顯影后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖5為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中形成有源區(qū)后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖6為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在對光刻膠層進行第一次灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖7為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在形成源極、漏極后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖8為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在對光刻膠層進行第二次灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖9為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在形成減薄區(qū)后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖10為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在剝離光刻膠層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖11為本實用新型的實施例的陣列基板制備方法中在形成像素電極后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]其中，附圖標(biāo)記為:1、柵極；2、柵絕緣層；3、有源區(qū)；39、半導(dǎo)體層；41、漏極；411、減薄區(qū)；42、源極；49、源漏金屬層；5、像素電極；51、搭接部；52、主體部；6、平坦化層；7、公共電極；8、光刻膠層；9、基底；Q1、第一區(qū)域；Q2、第二區(qū)域；Q3、第三區(qū)域。
【具體實施方式】
[0026]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0027]實施例1:
[0028]如圖2所示，本實施例提供一種顯示基板，其包括第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)；第二結(jié)構(gòu)具有設(shè)于第一結(jié)構(gòu)上的搭接部51，以及位于第一結(jié)構(gòu)外且與搭接部51相連的主體部52 ;
[0029]第一結(jié)構(gòu)具有與其邊緣相連減薄區(qū)411，減薄區(qū)411中第一結(jié)構(gòu)的厚度小于減薄區(qū)411外的第一結(jié)構(gòu)的厚度；
[0030]搭接部51至少部分位于減薄區(qū)411上；且至少部分位于減薄區(qū)411外的主體部直接與位于減薄區(qū)411上的搭接部51相連。
[0031]其中，本實施例的顯示基板可為用于液晶顯示裝置、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置等中的基板，例如為陣列基板、彩膜基板、對盒基板等。在該顯示基板包括處于不同層的第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)中有部分區(qū)域(減薄區(qū)411)的厚度較薄，且該減薄區(qū)411與第一結(jié)構(gòu)的邊緣相連，即減薄區(qū)411的邊緣和第一結(jié)構(gòu)的邊緣應(yīng)有至少部分重疊，而不能是減薄區(qū)411完全位于第一結(jié)構(gòu)中部并被非減薄區(qū)圍繞。第二結(jié)構(gòu)則有一部分(搭接部51)設(shè)在該減薄區(qū)411上，另一部分(主體部52)位于減薄區(qū)411外；而且，至少有部分主體部52是直接與減薄區(qū)411上的搭接部51相連的，從而使第二結(jié)構(gòu)的主體部52與搭接部51連接時，由于搭接部51至少部分在減薄區(qū)411上，故至少可以減小這部分搭接部51和主體部52的高度差，保證連接可靠，不易發(fā)生斷裂。
[0032]可見，本實施例的顯示基板的第一結(jié)構(gòu)具有減薄區(qū)411，即第一結(jié)構(gòu)是“階梯”狀的，其“階梯”頂部具有正常的厚度，可保證第一結(jié)構(gòu)本身功能的實現(xiàn)，而第二結(jié)構(gòu)則“搭接”在第一結(jié)構(gòu)的減薄區(qū)411上(即搭接在“階梯”的較低處)，由此，第二結(jié)構(gòu)的搭接部51和主體部52之間的高度差(段差)較小，故其搭接部51和主體部52之間不容易發(fā)生斷裂，可更好的保證顯示基板的性能。
[0033]優(yōu)選的，本實施例的顯示基板為陣列基板，第一結(jié)構(gòu)為薄膜晶體管的漏極41，第二結(jié)構(gòu)為像素電極5。
[0034]也就是說，本實施例顯示基板優(yōu)選為陣列基板(更具體是液晶顯示裝置用的陣列基板)，而其中的第一結(jié)構(gòu)為薄膜晶體管的漏極41，第二結(jié)構(gòu)為像素電極5。這是因為，一般漏極41的厚度遠比像素電極5的厚度大，故當(dāng)像素電極5搭接到漏極41上時最容易發(fā)生斷裂，最適用本實用新型。
[0035]在本實施例的以下描述中，均以第一結(jié)構(gòu)為薄膜晶體管的漏極41，第二結(jié)構(gòu)為像素電極5為例進行說明。但是，應(yīng)當(dāng)理解，本實用新型的保護范圍并不限于此，在任意類型的顯示基板中，只要出現(xiàn)一個結(jié)構(gòu)搭接在另一結(jié)構(gòu)上的情況，均可使用本實用新型。例如，若薄膜晶體管的源極42、漏極41部分位于有源區(qū)3上，而另一部分位于有源區(qū)3外，則也可將有源區(qū)3作為第一結(jié)構(gòu)，而源極42、漏極41作為第二結(jié)構(gòu)。
[0036]優(yōu)選的，漏極41完全設(shè)于有源區(qū)3上。
[0037]也就是說，該漏極41優(yōu)選完全位于有源區(qū)3之上，而沒有位于有源區(qū)3之外的部分。這是因為一方面這種結(jié)構(gòu)的漏極41可與有源區(qū)3在一次構(gòu)圖工藝中同時形成，制備工藝比較簡單。
[0038]其中，以上陣列基板可為高級超維場轉(zhuǎn)換模式的陣列基板。
[0039]也就是說，該陣列基板可為高級超維場轉(zhuǎn)換(ADS)模式的陣列基板，即在其像素電極5上還設(shè)有平坦化層6 (或鈍化層)，而平坦化層6上則設(shè)有狹縫形式的公共電極7。但顯然，若該陣列基板為扭曲向列(TN)模式、沿面開關(guān)(IPS)模式等其他類型，也是可行的。
[0040]優(yōu)選的，顯示基板還包括基底9，且第一結(jié)構(gòu)與基底9間的距離大于等于第二結(jié)構(gòu)的主體部52與基底9間的距離。
[0041]也就是說，以上第一結(jié)構(gòu)(漏極41)所處的位置應(yīng)當(dāng)比第二結(jié)構(gòu)(像素電極5)的主體部52的位置更高(至少齊平)。例如，如圖2所示，像素電極5(第二結(jié)構(gòu))的主體部52直接設(shè)于柵絕緣層2上，而漏極41 (第一結(jié)構(gòu))則設(shè)于有源區(qū)3上，有源區(qū)3設(shè)于柵絕緣層2上，故漏極41 (第一結(jié)構(gòu))比像素電極5 (第二結(jié)構(gòu))的主體部52高出有源區(qū)3的厚度。這是因為，在以上情況下第二結(jié)構(gòu)的主體部52與搭接部51之間的高度差更大，更容易發(fā)生斷裂，故更需要使用本實用新型。
[0042]優(yōu)選的，減薄區(qū)411中的第一結(jié)構(gòu)的厚度在減薄區(qū)411外的第一結(jié)構(gòu)的厚度的1/2至2/3之間。
[0043]也就是說，若以第一結(jié)構(gòu)的最大厚度(減薄區(qū)411外的第一結(jié)構(gòu)的厚度)為1，則減薄區(qū)411中的第一結(jié)構(gòu)的厚度在1/2至2/3，即被減薄除去的部分的厚度為1/3至1/2。這種厚度差一般足以避免第二結(jié)構(gòu)(像素電極5)斷裂。
[0044]優(yōu)選的，搭接部51覆蓋整個減薄區(qū)411。
[0045]也就是說，第二結(jié)構(gòu)(像素電極5)的搭接部51可將第一結(jié)構(gòu)(漏極41)全部減薄區(qū)411完全覆蓋(實際還可超出減薄區(qū)411)，從而增大二者的接觸面積，降低接觸電阻。當(dāng)然，若搭接部51只覆蓋減薄區(qū)411的一部分，也是可行的。需要說明的是，減薄區(qū)411根據(jù)工藝的需要可以設(shè)定其區(qū)域的大小，只要能夠保證連接可靠即可，這里不再贅述。
[0046]優(yōu)選的，減薄區(qū)411被搭接部51覆蓋的部分包括多個子減薄區(qū)411，且越靠近第一結(jié)構(gòu)(漏極41)邊緣的子減薄區(qū)411中的第一結(jié)構(gòu)的厚度越小。
[0047]也就是說，減薄區(qū)411也可分為多級，且越靠近第一結(jié)構(gòu)(漏極41)邊緣的減薄區(qū)411越薄，或者說減薄區(qū)411也分為多個“階梯”，這樣可更好的防止第二結(jié)構(gòu)(像素電極5)在減薄區(qū)411中發(fā)生斷裂。
[0048]如圖2至圖11所不，本實施例還提供一種上述顯不基板的制備方法，其包括:
[0049]步驟1、形成第一結(jié)構(gòu)，并將第一結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域減薄，形成與第一結(jié)構(gòu)的邊緣相鄰的減薄區(qū)411 ；
[0050]步驟2、形成第二結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)具有設(shè)于第一結(jié)構(gòu)上的搭接部51，以及位于第一結(jié)構(gòu)外且與搭接部51相連的主體部52，搭接部51至少部分位于減薄區(qū)411上；且至少部分位于減薄區(qū)外的主體部52直接與位于所述減薄區(qū)上的搭接部51相連。
[0051]可見，為制備上述的顯示基板，可先形成第一結(jié)構(gòu)，并在其中形成減薄區(qū)411，之后再形成至少部分覆蓋該減薄區(qū)411的第二結(jié)構(gòu)。
[0052]優(yōu)選的，步驟I中將第一結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域減薄包括:用光刻膠覆蓋對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的非減薄區(qū)的區(qū)域，通過干法刻蝕將未被光刻膠覆蓋的第一結(jié)構(gòu)減薄。
[0053]也就是說，可以通過干法刻蝕的工藝對第一結(jié)構(gòu)進行減薄。干法刻