技術編號：8698637
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在高級超維場轉換(ADS)模式的陣列基板中，為簡化制備工藝，可在一次構圖工藝中形成有源區(qū)和源/漏電極，在這種情況下，像素電極位于源/漏電極上方，即像素電極“搭接”在漏極上。如圖1所示，漏極41 (和源極42)的厚度通常較大，約數(shù)百微米，而像素電極5厚度較薄，只有數(shù)十微米。因此，當漏極41邊緣的坡度角較大(圖中以90度為例)時，像素電極5“搭接”在漏極41上的部分(搭接部51)與處于漏極41之外的部分(主體部52)之間，容易在漏極42邊緣處(即搭接部51與主...
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