一種媒體接入控制mac芯片及終端設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及光通信領(lǐng)域，特別涉及一種媒體接入控制MAC芯片及終端設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著高速率、高帶寬光通信系統(tǒng)需要進(jìn)一步減少功耗，縮小體積，降低成本的發(fā)展趨勢(shì)，光通訊系統(tǒng)中的關(guān)鍵元器件的小型化和集成化越來(lái)越受到人們的重視。
[0003]而傳統(tǒng)的光通信系統(tǒng)終端設(shè)備，由光收發(fā)模塊，傳統(tǒng)MAC (Media Access Control，媒體接入控制)芯片及外圍電路組成，該終端設(shè)備體積較大，功耗較高，成本上面很難有降低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種媒體接入控制MAC芯片及終端設(shè)備，解決現(xiàn)有技術(shù)中的光通信系統(tǒng)終端設(shè)備體積大、功耗高、成本難以降低的問(wèn)題。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種媒體接入控制MAC芯片，所述MAC芯片包括:
[0006]硅襯底層，在所述硅襯底層的表面上形成有二氧化硅基底層，在所述二氧化硅基底層背離所述硅襯底層的表面上形成有硅基底層；
[0007]在所述硅基底層背離所述二氧化硅基底層的表面上形成有元件層，所述元件層包括激光器、無(wú)源器件、探測(cè)器、驅(qū)動(dòng)電路及MAC芯片本體；
[0008]其中，所述驅(qū)動(dòng)電路分別與所述激光器、所述探測(cè)器及所述MAC芯片本體連接，所述激光器通過(guò)所述無(wú)源器件與所述探測(cè)器連接。
[0009]其中，所述激光器為II1- V族激光器。
[0010]其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包括:
[0011]分別與所述MAC芯片本體及所述激光器連接的激光器驅(qū)動(dòng)電路。
[0012]其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括:
[0013]與所述探測(cè)器連接的放大電路；
[0014]分別與所述MAC芯片本體及所述放大電路連接的濾波電路。
[0015]其中，所述無(wú)源器件、所述探測(cè)器、所述驅(qū)動(dòng)電路及所述MAC芯片本體分別采用硅材料生長(zhǎng)方式形成于所述硅基底層上。
[0016]其中，所述激光器采用鍵合方式形成于所述硅基底層上。
[0017]其中，所述二氧化硅基底層采用硅材料生長(zhǎng)方式形成于所述硅襯底層上；所述硅基底層采用硅材料生長(zhǎng)方式形成于所述二氧化硅基底層上。
[0018]其中，所述激光器、所述無(wú)源器件、所述探測(cè)器、所述驅(qū)動(dòng)電路及所述MAC芯片本體按照預(yù)設(shè)方式均布于所述硅基底層上。
[0019]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例還提供了一種終端設(shè)備，包括:如上所述的媒體接入控制MAC芯片。
[0020]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0021]本實(shí)用新型實(shí)施例的媒體接入控制MAC芯片，包括由下向上依次形成的硅襯底層、二氧化硅基底層、硅基底層及元件層。其中元件層包括激光器、無(wú)源器件、探測(cè)器、驅(qū)動(dòng)電路及MAC芯片本體，且驅(qū)動(dòng)電路分別與激光器、探測(cè)器及MAC芯片本體連接，激光器通過(guò)無(wú)源器件與探測(cè)器連接。其中，激光器、無(wú)源器件、探測(cè)器以及驅(qū)動(dòng)電路共同構(gòu)成了 MAC芯片的光收發(fā)功能，形成了自帶光收發(fā)功能的新型MAC芯片，使新型MAC芯片的終端設(shè)備無(wú)需單獨(dú)設(shè)置光收發(fā)模塊，從而縮小了新型MAC芯片的終端設(shè)備的體積，減小了設(shè)備功耗，且降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本實(shí)用新型媒體接入控制MAC芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型媒體接入控制MAC芯片的元件層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0025]1-娃襯底層，2- 二氧化娃基底層，3-娃基底層，4_兀件層，41_激光器，42-無(wú)源器件，43-探測(cè)器，44-驅(qū)動(dòng)電路，441-激光器驅(qū)動(dòng)電路，442-放大電路，443-濾波電路，45-MAC芯片本體，5-外部業(yè)務(wù)接口模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027]本實(shí)用新型實(shí)施例的媒體接入控制MAC芯片，將光收發(fā)模塊與傳統(tǒng)MAC芯片整合到一起，利用硅基混合集成的方式構(gòu)成了一種自帶光收發(fā)功能的新型MAC芯片，解決了現(xiàn)有終端設(shè)備體積大、功耗高、成本難以降低的問(wèn)題。
[0028]如圖1-2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例的媒體接入控制MAC芯片，包括:
[0029]硅襯底層1，在所述硅襯底層I的表面上形成有二氧化硅基底層2，在所述二氧化硅基底層2背離所述硅襯底層I的表面上形成有硅基底層3 ;
[0030]在所述硅基底層3背離所述二氧化硅基底層2的表面上形成有元件層4，所述元件層4包括激光器41、無(wú)源器件42、探測(cè)器43、驅(qū)動(dòng)電路44及MAC芯片本體45 ；
[0031 ] 其中，所述驅(qū)動(dòng)電路44分別與所述激光器41、所述探測(cè)器43及所述MAC芯片本體45連接，所述激光器41通過(guò)所述無(wú)源器件42與所述探測(cè)器43連接。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例的媒體接入控制MAC芯片，采用CMOS工藝，首先在硅襯底層I上由下向上依次形成二氧化硅基底層2、硅基底層3，然后在硅基底層3上形成元件層4，其中元件層4的激光器41、無(wú)源器件42、探測(cè)器43以及驅(qū)動(dòng)電路44共同構(gòu)成了 MAC芯片的光收發(fā)功能。形成了自帶光收發(fā)功能的新型MAC芯片，使新型MAC芯片的終端設(shè)備無(wú)需單獨(dú)設(shè)置光收發(fā)模塊，從而縮小了新型MAC芯片的終端設(shè)備的體積，減小了設(shè)備功耗，且降低了生產(chǎn)成本。
[0033]其中，MAC芯片本體45與外部業(yè)務(wù)接口模塊5連接，用于與外部業(yè)務(wù)接口模塊5進(jìn)行業(yè)務(wù)交互。
[0034]本實(shí)用新型的具體實(shí)施例中，所述激光器41為II1- V族激光器。
[0035]其中，所述驅(qū)動(dòng)電路44可以包括:
[0036]分別與所述MAC芯片本體45及所述激光器41連接的激光器驅(qū)動(dòng)電路441。
[0037]此時(shí)，激光器驅(qū)動(dòng)電路441可根據(jù)MAC芯片本體45傳遞的信號(hào)控制激光器41進(jìn)行工作，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)MAC芯片的光收發(fā)功能。
[0038]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)電路44還可以包括:
[0039]與所述探測(cè)器43連接的放大電路442 ；
[0040]分別與所述MAC芯片本體41及所述