關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種關(guān)鍵尺寸(CD)測(cè)量標(biāo)記。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制造工藝的快速發(fā)展，半導(dǎo)體芯片的尺寸也越來(lái)越小，因此，關(guān)鍵尺寸(Critical Dimens1n，簡(jiǎn)稱⑶)的優(yōu)劣直接制約著工藝的發(fā)展，⑶測(cè)量不可或缺。
[0003]目前常見(jiàn)的⑶測(cè)量過(guò)程包括:粗對(duì)準(zhǔn)(coarse alignment)、精對(duì)準(zhǔn)(finealignment)、圖形尋址(pattern addressing)及圖形測(cè)量(pattern measurement)。
[0004]如圖1所示，一種常見(jiàn)的⑶測(cè)量標(biāo)記包括形成在曝光單元I四個(gè)頂角A、B、C、D處的四個(gè)標(biāo)記2，每個(gè)標(biāo)記包括第一標(biāo)記21和第二標(biāo)記22，二者皆為90°折線狀，且相對(duì)設(shè)置，一般第一標(biāo)記21的長(zhǎng)度大于第二標(biāo)記22的長(zhǎng)度，每個(gè)曝光單元I的相鄰頂角處的標(biāo)記2呈鏡像對(duì)稱，在曝光形成多個(gè)曝光單元I后，相鄰四個(gè)曝光單元I四個(gè)頂角處的標(biāo)記結(jié)合成新的測(cè)量標(biāo)記2’，如圖2所示，即實(shí)際測(cè)量時(shí)所針對(duì)的CD測(cè)量標(biāo)記。
[0005]如圖2所示，四個(gè)第一標(biāo)記21結(jié)合呈一正方形，四個(gè)第二標(biāo)記22結(jié)合呈一十字形。在測(cè)量過(guò)程的精對(duì)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)使得存在于程式(recipe)中的已有圖形(即虛線框3中所圍繞的圖形)對(duì)齊形成的十字形，來(lái)實(shí)現(xiàn)精對(duì)準(zhǔn)，圖2中示出的是程式中的圖形與十字形精對(duì)準(zhǔn)的情況。
[0006]但是在實(shí)際測(cè)量時(shí)，由于對(duì)比度不高等因素，程式中的圖形并不容易與十字形對(duì)齊，就不可避免的帶來(lái)誤差。而這一誤差的大小又很難控制，因此，就會(huì)出現(xiàn)圖形尋址時(shí)發(fā)生尋址失敗(miss addressing)的情況，這對(duì)后續(xù)工藝會(huì)造成嚴(yán)重影響。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]本實(shí)用新型的目的在于，提供一種關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，以高效準(zhǔn)確的實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵尺寸測(cè)量時(shí)的精對(duì)準(zhǔn)。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，包括兩個(gè)第一標(biāo)記和兩個(gè)第二標(biāo)記，所述第一標(biāo)記和第二標(biāo)記交替分布于一曝光單元的四個(gè)頂角處，所述第一標(biāo)記包括第一子標(biāo)記和第二子標(biāo)記，所述第二標(biāo)記包括第三子標(biāo)記和第四子標(biāo)記，所述第一子標(biāo)記、第二子標(biāo)記、第三子標(biāo)記和第四子標(biāo)記均呈直角折線狀，并且，所述第一子標(biāo)記的彎折處具有缺口。
[0009]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，所述缺口為正方形缺口。
[0010]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，所述缺口的邊長(zhǎng)等于所述第一子標(biāo)記的寬度。
[0011]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，所述缺口的邊長(zhǎng)小于所述第一子標(biāo)記的寬度。
[0012]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，所述曝光單元呈正方形。
[0013]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，所述曝光單元呈長(zhǎng)方形。
[0014]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，四個(gè)曝光單元相鄰頂角處的共兩個(gè)第一子標(biāo)記和兩個(gè)第三子標(biāo)記組合呈十字形，所述兩個(gè)第一子標(biāo)記中的缺口斜對(duì)且緊鄰。
[0015]可選的，對(duì)于所述的關(guān)鍵尺寸測(cè)量標(biāo)記，所述第二子標(biāo)記和第四子標(biāo)記呈鏡像對(duì)稱，所述四個(gè)曝光單元相鄰頂角處的共兩個(gè)第二子標(biāo)記和兩個(gè)第四子標(biāo)記組合呈方環(huán)形。
[0016]本實(shí)用新型提供的⑶測(cè)量標(biāo)記，在第一子標(biāo)記的彎折處具有缺口。相比現(xiàn)有技術(shù)，利用本實(shí)用新型的CD測(cè)量標(biāo)記，由于第一子標(biāo)記的彎折處具有缺口，從而有效的增加了對(duì)準(zhǔn)時(shí)的對(duì)比度，使得對(duì)齊變得容易，提高了精對(duì)準(zhǔn)的精確度，基本上避免了尋址失敗的情況。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中⑶測(cè)量標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中曝光后在⑶測(cè)量時(shí)的不意圖；
[0019]圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中⑶測(cè)量標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中在曝光后用于測(cè)量時(shí)的⑶測(cè)量標(biāo)記的示意圖；
[0021]圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中⑶測(cè)量標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中在曝光后用于測(cè)量時(shí)的⑶測(cè)量標(biāo)記的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的關(guān)鍵尺寸(CD)測(cè)量標(biāo)記進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0024]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0025]本實(shí)用新型的中心思想是:提供一種⑶測(cè)量標(biāo)記，包括兩個(gè)第一標(biāo)記和兩個(gè)第二標(biāo)記，所述第一標(biāo)記和第二標(biāo)記交替分布于一曝光單元的四個(gè)頂角處，所述第一標(biāo)記包括第一子標(biāo)記和第二子標(biāo)記，所述第二標(biāo)記包括第三子標(biāo)記和第四子標(biāo)記，所述第一子標(biāo)記、第二子標(biāo)記、第三子標(biāo)記和第四子標(biāo)記均呈直角折線狀，并且，所述第一子標(biāo)記的彎折處具有缺口。如此設(shè)計(jì)可以使得CD測(cè)量標(biāo)記在測(cè)量時(shí)，由于缺口的存在，有著較為明顯的對(duì)比度，那么與程式中已由圖形的對(duì)齊就容易且精確。
[0026]下面對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)介紹。請(qǐng)參考圖3所示的第一實(shí)施例，本實(shí)用新型的CD測(cè)量標(biāo)記包括兩個(gè)第一標(biāo)記41和兩個(gè)第二標(biāo)記42，兩個(gè)第一標(biāo)記41和兩個(gè)第二標(biāo)記42間隔分布于曝光單元30四個(gè)順序排列的頂角A、B、C、D處；其中，所述第一標(biāo)記41包括第一子標(biāo)記411，所述第一字標(biāo)記411具有缺口 50。在曝光完成后，四個(gè)曝光單元30相鄰頂角處的共兩