技術編號:8682506
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體制造工藝的快速發(fā)展,半導體芯片的尺寸也越來越小,因此,關鍵尺寸(Critical Dimens1n,簡稱⑶)的優(yōu)劣直接制約著工藝的發(fā)展,⑶測量不可或缺。目前常見的⑶測量過程包括粗對準(coarse alignment)、精對準(finealignment)、圖形尋址(pattern addressing)及圖形測量(pattern measurement)。如圖1所示,一種常見的⑶測量標記包括形成在曝光單元I四個頂角A、B、C、D處的四個標記2,...
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