晶圓卡盤平臺的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓卡盤平臺。
【背景技術(shù)】
[0002]參考圖1所示，在現(xiàn)有的某些特定的半導(dǎo)體工藝中，需要在晶圓11表面形成金屬合成物的凸塊12 (Bump)，形成凸塊晶圓I (Bump Wafer)。之后，需要對凸塊晶圓I的背面進(jìn)行涂膠，在涂膠過程中，凸塊晶圓I位于卡盤2上，并且卡盤2上凸塊晶圓I的周圍采用墊片3，使得凸塊晶圓I位于卡盤2中心，便于之后涂膠?？ūP2中與凸塊晶圓I接觸的區(qū)域形成有排氣口，一般的，排氣口僅由一個抽氣裝置抽氣，將凸塊晶圓I與卡盤2之間的氣體排出。接著，卡盤2移動，使得凸塊晶圓I與網(wǎng)版對準(zhǔn)并結(jié)合，采用刮刀，在凸塊晶圓I的背面形成一層石墨膠?，F(xiàn)有技術(shù)中的卡盤2與凸塊晶圓I之間難以形成密封的結(jié)構(gòu)，使得凸塊晶圓2難以形成很好的吸附力。而不能牢固的吸附在卡盤2上，凸塊晶圓I脫離卡盤I吸附在網(wǎng)版上，從而影響凸塊晶圓I的工藝流程。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于，提供一種晶圓卡盤平臺，使得凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的密封性更好，從而保證涂膠過程之后凸塊晶圓可以吸附在晶圓卡盤平臺。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種晶圓卡盤平臺，所述晶圓卡盤平臺包括基底，所述基底中間形成有凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，所述倒角的斜坡上覆蓋一柔性材料層，所述凹槽中間形成有若干排氣口。
[0005]可選的，所述凹槽中形成有三個排氣口。
[0006]可選的，三個所述排氣口分別采用三個抽氣裝置同時排氣。
[0007]可選的，所述凹槽為圓形。
[0008]可選的，所述凹槽的半徑比承載的晶圓的半徑的大一預(yù)定常數(shù)。
[0009]可選的，所述預(yù)定常數(shù)大于等于1000 μπι。
[0010]可選的，所述凹槽的深度大于等于850 μπι。
[0011]可選的，所述倒角的角度為45°。
[0012]可選的，所述柔性材料層為高分子聚合物層。
[0013]可選的，所述基底為金屬基底
[0014]本實(shí)用新型提供的晶圓卡盤平臺，晶圓卡盤平臺包括有基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的邊緣形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆蓋有柔性材料層。在涂膠的過程中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，經(jīng)過若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，從而凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善涂膠的工藝流程。
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中凸塊晶圓與卡盤的連接結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓連接結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0017]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中涂膠過程中的主視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合示意圖對本實(shí)用新型的晶圓卡盤平臺進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本實(shí)用新型的限制。
[0019]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠贡緦?shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0020]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0021]本實(shí)用新型的核心思想在于，提供的晶圓卡盤平臺包括基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的邊緣形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆蓋有柔性材料層。在涂膠的過程中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，經(jīng)過若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，使得凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善涂膠的工藝流程。
[0022]以下結(jié)合圖2-圖3對本實(shí)用新型的晶圓卡盤平臺進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0023]參考圖2所不，本實(shí)用新型中的晶圓卡盤平臺包括基底4，基底4的表面中心形成有一凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，較佳的，所述倒角A的角度為45°。在所述倒角的斜坡上覆蓋有一層柔性材料層5。一般的晶圓卡盤平臺的基底4由金屬等剛性材料形成，為金屬基底，在所述倒角的斜坡上增加柔性材料5可以使得倒角與凸塊晶圓I的邊緣之間更好的密封，較佳的，所述柔性材料層5可以為高分子聚合物材料層。在本實(shí)用新型中，所述晶圓卡盤平臺中形成有多個排氣口 6，較佳的，所述晶圓卡盤平臺中形成三個排氣口 6。同樣的，晶圓卡盤平臺上覆蓋墊片3，便于后續(xù)對凸塊晶圓I涂膠。在本實(shí)施例中，所述凹槽的深度大于等于850 μπι?？梢岳斫獾氖?，所述凹槽為圓形，為了便于放置凸塊晶圓1，凹槽需要比凸塊晶圓I的尺寸要大，所述凹槽的半徑比承載的凸塊晶圓I的半徑的大一預(yù)定常數(shù)，所述預(yù)定常數(shù)大于等于1000 μπι。例如，承載的凸塊晶圓I的為12英寸的，則凹槽的直徑比12英寸大2000 μ m。
[0024]將凸塊晶圓I倒置在晶圓卡盤平臺上，凸塊晶圓I邊緣與柔性材料層5接觸。由于柔性材料層5的存在，使得凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間更好的密封。接著，通過排氣口 6將凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，分別對應(yīng)采用三個抽氣裝置(圖中為示出)，使得三個排氣口 6同時排氣，從而增加抽氣的效果?？梢岳斫獾氖?，經(jīng)過本實(shí)用新型的晶圓卡盤平臺，凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間可以很好的密封，并且增加抽氣效果之后，凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間的氣體基本排出，從而凸塊晶圓I很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，不容易脫落。
[0025]對凸塊晶圓I背面涂膠的過程中的主視圖參考圖3所示，凸塊晶圓I倒置在晶圓卡盤平臺上，置于網(wǎng)板7下方，在涂膠的過程中，先將晶圓卡盤平臺向上移動，使得凸塊晶圓I的背面正對著網(wǎng)板7中的圓孔。之后，凸塊晶圓I與所述網(wǎng)板7結(jié)合，在所述網(wǎng)板7 —側(cè)放置有石墨膠(圖中為示出)，采用刮刀將石墨膠均勻的涂在凸塊晶圓I的背面，再將晶圓卡盤平臺向下移動，凸塊晶圓I很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，從而凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺一起向下移，完成涂膠過程，可以將凸塊晶圓I取下，以進(jìn)行后續(xù)的工藝流程。
[0026]可以理解的是，本實(shí)用新型的晶圓卡盤平臺并不限于僅用于凸塊晶圓的涂膠工藝流程，只要需要將晶圓很好的吸附在一平臺上，亦可使用本實(shí)用新型的晶圓卡盤平臺，此亦在本實(shí)用新型的保護(hù)的思想范圍之內(nèi)。
[0027]綜上所述，本實(shí)用新型提供的晶圓卡盤平臺包括基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的邊緣形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆蓋有柔性材料層。在涂膠的過程中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，使得凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善涂膠的工藝流程。
[0028]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述晶圓卡盤平臺包括基底，所述基底中間形成有凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，所述倒角的斜坡上覆蓋一柔性材料層，所述凹槽中間形成有若干排氣口。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽中形成有三個排氣口。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，三個所述排氣口分別采用三個抽氣裝置同時排氣。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽為圓形。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽的半徑比承載的晶圓的半徑的大一預(yù)定常數(shù)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述預(yù)定常數(shù)大于等于1000μm。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于850μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述倒角的角度為45°。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述柔性材料層為高分子聚合物層O
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述基底為金屬基底。
【專利摘要】本實(shí)用新型的晶圓卡盤平臺中，所述晶圓卡盤平臺包括基底，基底中間形成有凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，所述倒角的斜坡上覆蓋一柔性材料層，所述凹槽中間形成有若干排氣口。本實(shí)用新型中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體基本排出，使得凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善晶圓涂膠的工藝流程。
【IPC分類】H01L21-687
【公開號】CN204391082
【申請?zhí)枴緾N201520108888
【發(fā)明人】彭及仁
【申請人】中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年2月13日