具有ubm的封裝件及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了封裝件結(jié)構(gòu)和形成封裝件結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)一些實施例，封裝件結(jié)構(gòu)包括：集成電路管芯；至少橫向地密封集成電路管芯的密封劑；位于集成電路管芯和密封劑上的重分布結(jié)構(gòu)；連接至重分布結(jié)構(gòu)的支撐金屬化層的連接件；偽圖案；第二介電層；以及位于支撐金屬化層的連接件上的外部連接件。重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，第一介電層具有遠離密封劑和集成電路管芯設(shè)置的第一表面。偽圖案位于第一介電層的第一表面上和支撐金屬化層的連接件周圍。第二介電層位于第一介電層的第一表面上和偽圖案的至少部分上。第二介電層不接觸支撐金屬化層的連接件。本發(fā)明還涉及具有UBM的封裝件及其形成方法。
【專利說明】
具有UBM的封裝件及其形成方法[0001]本申請涉及2015年1月26日提交的標題為“Package with UBM and Methods of Forming”的美國專利申請第14/605,848號，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此作為參考。 本申請涉及于2014年9月15日提交的標題為“UBM Metal Profile for Reliability Improvement”的美國臨時專利申請第62/050, 550號，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此作為 參考。[0002]
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及具有UBM的封裝件及其形成方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0004]例如，半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中，諸如個人電腦、移動手機、數(shù)碼相機和其他電子設(shè)備。通常通過在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層并且使用光刻圖案化各個材料層以在其上形成電路組件和元件來制造半導(dǎo)體器件。通常在單個半導(dǎo)體晶圓上制造數(shù)十或數(shù)百的集成電路。通過沿著劃線來鋸切集成電路來分割單個的管芯。然后例如，諸如單獨地或以多芯片模式或以其他封裝類型來單獨地封裝單個管芯。
[0005]半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過持續(xù)減小最小部件的大小來不斷改進各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件被集成到給定的區(qū)域內(nèi)。在一些應(yīng)用中，這些諸如集成電路管芯的更小的電子組件也需要更小的封裝件，這些更小的封裝件比過去的封裝件利用更少的區(qū)域。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種封裝件結(jié)構(gòu)， 包括:集成電路管芯；密封劑，至少橫向地密封所述集成電路管芯；重分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，所述第一介電層具有遠離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置的第一表面；支撐金屬化層的連接件，所述金屬化層連接至所述重分布結(jié)構(gòu)，所述支撐金屬化層的連接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介電層的所述第一表面上并且所述第二部分在穿過所述第一介電層的開口中延伸；偽圖案，位于所述第一介電層的所述第一表面上并且位于所述支撐金屬化層的連接件周圍；第二介電層，位于所述第一介電層的所述第一表面上并且位于所述偽圖案的至少部分上，所述第二介電層不接觸所述支撐金屬化層的連接件；以及外部連接件，位于所述支撐金屬化層的連接件上。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，提供了一種封裝件結(jié)構(gòu)，包括:集成電路管芯；密封劑，至少橫向地密封所述集成電路管芯；重分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，所述第一介電層遠離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置；支撐金屬化層的連接件，所述金屬化層連接至所述重分布結(jié)構(gòu)，所述支撐金屬化層的連接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介電層的第一表面上，所述第二部分沿著穿過所述第一介電層的第一開口的底面延伸，并且所述第三部分沿著所述第一開口的側(cè)壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之間，接合點形成在所述第二部分接觸所述第三部分的位置處；第二介電層，位于所述第一介電層的所述第一表面上和所述支撐金屬化層的連接件的所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部連接件，穿過第二開口并且位于所述支撐金屬化層的連接件上，所述第二開口穿過所述第二介電層。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，提供了一種方法，包括:用密封劑密封集成電路管芯；在所述集成電路管芯和所述密封劑上形成重分布結(jié)構(gòu)，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，所述第一介電層具有遠離所述集成電路管芯和所述密封劑設(shè)置的第一表面；在所述重分布結(jié)構(gòu)上形成凸塊下金屬化層(UBM)和偽圖案，所述偽圖案圍繞所述第一介電層的所述第一表面上的所述UBM;在所述第一介電層的所述第一表面上且在所述偽圖案的至少一部分上形成第二介電層，其中，在形成所述第二介電層之后，所述第二介電層不接觸所述UBM ; 以及在所述UBM上形成外部電連接件。【附圖說明】
[0009]當結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意， 根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
[0010]圖1至圖14是根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖。
[0011]圖15是根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0012]圖16是根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0013]圖17、圖18、圖19A、圖20和圖21是根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖。
[0014]圖19B是根據(jù)一些實施例的凸塊下金屬化層(UBM)和偽圖案的布局圖。
[0015]圖22是根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0016]圖23是根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0017]圖24、圖25、圖26A、圖27和圖28是根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖。
[0018]圖26B是根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖的更詳細部分。
[0019]圖26C是根據(jù)一些實施例的穿過介電層的UBM和開口的布局圖。
[0020]圖29是根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0021]圖30是根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的截面圖。【具體實施方式】
[0022]以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可在各個實例中重復(fù)參考標號和/或字母。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0023] 而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對術(shù)語，以便于描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。
[0024] 可以在具體環(huán)境中討論本文中論述的實施例，S卩，具有扇出或扇入晶圓級封裝件的封裝件結(jié)構(gòu)。其他實施例預(yù)期其他應(yīng)用，諸如不同的封裝類型或不同的配置對閱讀本發(fā)明的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將是顯而易見的。應(yīng)當注意，本文中論述的實施例不必示出可能存在于結(jié)構(gòu)中的每一個組件或部件。例如，諸如當論述的組件中的一個可以足夠傳達實施例的各方面時，多個組件可以從圖中省略。此外，本文中論述的方法實施例可以被論述為按照特定順序?qū)嵤蝗欢?，可以以任何邏輯順序?qū)嵤┢渌椒▽嵤├?br>[0025]圖1至圖14是根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖。圖1示出了載體襯底20和在載體襯底20上形成的釋放層22。載體襯底20可以是玻璃載體襯底、陶瓷載體襯底等。載體襯底20可以是晶圓。釋放層22可以由聚合物基材料形成，可以從將在后續(xù)步驟中形成的上覆的結(jié)構(gòu)一起去除釋放層22與載物基底20。 在一些實施例中，釋放層22是諸如光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)釋放涂層的環(huán)氧基熱釋放材料，其當被加熱時將失去其粘合性能。在其他實施例中，釋放層22可以是紫外(UV)膠，當暴露于UV 光時，其失去其粘合性能。釋放層22可以作為液體分布并且固化，可以是層壓至載體襯底 20上的層壓膜等?？梢栽卺尫艑?2上形成或分布粘合劑24。粘合劑24可以是管芯附接膜(DAF)、膠、聚合物材料等。
[0026] 集成電路管芯26通過粘合劑24附接至載體襯底20 (例如，通過釋放層22)。如圖所示，附接一個集成電路管芯26,并在其他實施例中，可以附接更多的集成電路管芯。在附接至載體襯底20之前，可以根據(jù)適用的制造工藝來處理集成電路管芯26以在集成電路管芯26中形成集成電路。例如，集成電路管芯26包括塊狀半導(dǎo)體襯底、絕緣體上半導(dǎo)體(SOI) 襯底、多層襯底或梯度襯底等。襯底的半導(dǎo)體可以包括任何半導(dǎo)體材料，諸如硅、鍺等的元素半導(dǎo)體，包括 SiC、GaAs、GaP、InP、InAs、銻化銦、SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GalnAs、 GalnP和/或GalnAsP等的化合物半導(dǎo)體或合金半導(dǎo)體；或它們的組合。諸如晶體管、二極管、電容器、電阻器等的器件可以形成在半導(dǎo)體襯底中和/或上并且可以通過互連結(jié)構(gòu)互連以形成集成電路，互連結(jié)構(gòu)通過，例如，半導(dǎo)體襯底上的一個或多個介電層中的金屬化圖案來形成。
[0027] 集成電路管芯26還包括諸如鋁焊盤的焊盤28,制造至焊盤28的外部連接。焊盤 28位于集成電路管芯26的可以稱為有源側(cè)的一側(cè)上。鈍化膜30位于集成電路管芯26上和部分焊盤28上。開口穿過鈍化膜30至焊盤28。諸如導(dǎo)電柱(例如，包括諸如銅的金屬) 的管芯連接件32位于穿過鈍化膜30的開口中并且機械和電連接至相應(yīng)的焊盤28。例如，可以通過鍍等形成管芯連接件32。管芯連接件32電連接集成電路管芯26的集成電路。為了清楚和簡化的目的，在集成電路管芯26上示出了一個焊盤28和一個管芯連接件32，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，可以存在不止一個焊盤28和管芯連接件32。
[0028]介電材料34位于集成電路管芯26的有源側(cè)上，諸如位于鈍化膜30和管芯連接件32上。介電材料34橫向地封裝管芯連接件32，和介電材料34與集成電路管芯26橫向共終點。介電材料34可以是聚合物，諸如聚苯并惡唑(PBO)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)等。在其他實施例中，介電材料34是由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、硼摻雜的磷硅酸鹽玻璃(BPSG)等的氧化物等形成的?？梢酝ㄟ^諸如旋涂、化學(xué)汽相沉積(CVD)、層壓等或它們的組合的任何可接受的沉積工藝形成介電材料34?？梢灾T如通過鋸切或切割來分割集成電路管芯26，并且使用例如拾取和放置工具通過粘合劑24將集成電路管芯26粘合至載體襯底20。
[0029]在圖2中，在集成電路管芯26周圍的粘合劑24上和/或集成電路管芯26上的各個組件上形成密封劑36。密封劑36可以是模塑料、環(huán)氧樹脂等，并且可以通過壓縮模塑、傳遞模塑等施加。在固化后，密封劑36可以經(jīng)歷研磨工藝以暴露出管芯連接件32。在研磨工藝之后，管芯連接件32、介電材料34和密封劑36的頂面共面。在一些實施例中，如果已經(jīng)暴露出管芯連接件32，則可以省略研磨。
[0030]在圖3中，形成重分布結(jié)構(gòu)的第一介電層38和第一金屬化圖案40。圖3和之后的圖示出了重分布結(jié)構(gòu)的示例性配置，并且在其他實施例中，重分布結(jié)構(gòu)可以包括任何數(shù)量的介電層、金屬化圖案和通孔，如圖15和圖16所不。
[0031]第一介電層38形成在密封劑36、介電材料34和管芯連接件32上。在一些實施例中，第一介電層38是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地圖案化的諸如ΡΒ0、聚酰亞胺、BCB等的光敏材料。在其他實施例中，第一介電層38是由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通過旋涂、層壓、CVD等或它們的組合形成第一介電層38。然后圖案化第一介電層38以形成開口以暴露出部分管芯連接件32?？梢酝ㄟ^可接受的工藝進行圖案化，諸如當介電層是光敏材料時，將第一介電層38暴露至光或者，例如，通過使用各向異性蝕刻進行蝕刻。
[0032]在第一介電層38上形成具有通孔42的第一金屬化圖案40。作為形成第一金屬化圖案40和通孔42的實例，在第一介電層38上方形成晶種層(未示出)。在一些實施例中，晶種層是金屬層，其可以是單層或包括由不同的材料形成的多個子層的復(fù)合層。在一些實施例中，該晶種層包括鈦層和鈦層上方的銅層。例如，可以使用物理汽相沉積(PVD)等形成晶種層。然后在晶種層上形成并且圖案化光刻膠。該光刻膠可以通過旋涂等形成并且可以暴露于光以用于圖案化。光刻膠的圖案對應(yīng)于第一金屬化圖案40。圖案形成穿過光刻膠的開口以暴露晶種層。在光刻膠的開口中以及在晶種層的暴露部分上形成導(dǎo)電材料。可以通過諸如電鍍、化學(xué)鍍等的鍍來形成導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬，如銅、鈦、鎢、鋁等。然后，去除其上沒有形成導(dǎo)電材料的光刻膠和部分晶種層。可以通過諸如使用氧等離子體等的可接受的灰化或剝離工藝來去除光刻膠。一旦光刻膠被去除，諸如通過使用可接受的蝕刻工藝，諸如通過濕或干蝕刻去除晶種層的暴露部分。晶種層和導(dǎo)電材料的剩余部分形成第一金屬化圖案40和通孔42。在穿過下面的層(例如，第一介電層38)的開口中形成通孔42。
[0033]通過重復(fù)用于形成第一介電層38和第一金屬化圖案40的工藝可以在重分布結(jié)構(gòu)中形成一個或多個額外的具有通孔的金屬化圖案和介電層。如上所述，可以在形成金屬化圖案期間形成通孔。通孔可以因此互連和電連接各個金屬化圖案。描述一個介電層，例如，第一介電層38和一個金屬化圖案，例如，第一金屬化圖案40是為了便于和簡單示出的目的。
[0034]在圖4中，在第一金屬化圖案40和第一介電層38上形成第二介電層44。在一些實施例中，第二介電層44是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地圖案化的諸如ΡΒ0、聚酰亞胺、BCB等的光敏材料。在其他實施例中，第二介電層44是由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通過旋涂、層壓、CVD等或它們的組合形成第二介電層44。然后圖案化第二介電層44以形成開口 46以暴露出部分第一金屬化圖案40。可以通過可接受的工藝進行圖案化，諸如當介電層是光敏材料時，將第二介電層44暴露至光或者，例如，通過使用各向異性蝕刻進行蝕刻。
[0035]圖5至圖13示出了凸塊下金屬化層(UBM) 56和位于相應(yīng)的一個UBM56上的外部電連接件66的形成。在圖5中，在第二介電層44上方和在開口 46中，例如，在第二介電層44的側(cè)壁上和在第一金屬化圖案40上形成晶種層48。在一些實施例中，晶種層48是金屬層，其可以是單層或包括由不同的材料形成的多個子層的復(fù)合層。在一些實施例中，該晶種層48包括鈦層和鈦層上方的銅層。例如，可以使用PVD等形成晶種層48。
[0036]在圖6中，然后在晶種層上形成光刻膠50。在該實施例中，光刻膠50是負性光刻膠材料?？梢酝ㄟ^旋涂等在晶種層上形成光刻膠50。
[0037]在圖7中，在晶種層48上圖案化光刻膠50。光刻膠50可以暴露于光并且隨后顯影以用于圖案化。由于使用負性光刻膠，在圖案化之后，光刻膠50的暴露于光的部分仍然保留。在暴露于光之后，顯影光刻膠50以去除光刻膠50的可溶部分，從而使得光刻膠50的非可溶部分保留在晶種層48上，光刻膠50具有穿過光刻膠50的開口 52。開口 52可以具有傾斜的側(cè)壁54，例如，不與光刻膠50下面的諸如晶種層48和/或第二介電層44的主要表面垂直的側(cè)壁。如所述，傾斜的側(cè)壁54在遠離下面的主要表面的方向上向著開口向內(nèi)傾斜。傾斜側(cè)壁54與直接位于開口 52中的下面的表面之間的相應(yīng)的角度Θ小于90°，諸如在約60°和約85°之間。將形成與UBM56或其他金屬圖案相對應(yīng)的光刻膠50的圖案。
[0038]在圖8中，在光刻膠50的相應(yīng)的開口 52中和晶種層48上形成UBM56和上金屬圖案58。諸如通過鍍(諸如電鍍或化學(xué)鍍等)在光刻膠50的開口 52中以及在晶種層48的暴露部分上形成導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬，如銅、鈦、鎢、鋁等。UBM56和上金屬圖案58也可以具有與光刻膠50的傾斜側(cè)壁54相對應(yīng)的傾斜側(cè)壁。因此，由UBM56和上金屬圖案58與下面的主要表面形成的角度可以小于90°，諸如在約60°和約85°之間。
[0039]然后，在圖9中，去除光刻膠50?？梢酝ㄟ^可接受的灰化或剝離工藝(諸如使用氧等離子體等)去除光刻膠。在圖10中，去除晶種層48上沒有形成導(dǎo)電材料的部分。例如，通過使用諸如濕或干蝕刻的可接受的蝕刻工藝去除晶種層48的暴露部分。晶種層48的剩余部分和導(dǎo)電材料形成UBM56和上金屬化圖案58。如所示的UBM56和晶種層48的它們的相應(yīng)部分形成在穿過第二介電層44的開口 46中并且位于第一金屬化圖案40上。因此，UBM56可以電連接至第一金屬化圖案40。
[0040]在圖11中，在UBM56和上金屬化圖案58的外表面上形成粘合層60。粘合層60可以是氧化物。例如，當UBM56和上金屬化圖案58包括銅時，粘合層60可以包括氧化銅。可以通過使用可接受的處理，諸如氧化處理等形成粘合層60。在一些實施例中，UBM 56和上金屬化圖案58的表面可以暴露于含氧物質(zhì)的等離子體，例如，氧(O2)等離子體、臭氧(O3)等離子體、惰性氣體和含氧氣體的組合，諸如氮氣(N2)和氧氣(O2)的組合等?？梢允褂闷渌幚恚⑶铱梢孕纬善渌澈蠈?。
[0041 ] 在圖12中，在UBM56、上金屬化圖案58和第二介電層44上形成第三介電層62。在一些實施例中，第三介電層62是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地圖案化的諸如ΡΒ0、聚酰亞胺、BCB等的光敏材料。在其他實施例中，第三介電層62是由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的?？梢酝ㄟ^旋涂、層壓、CVD等或它們的組合形成第三介電層62。然后圖案化第三介電層62以形成開口 64以暴露部分UBM56和/或UBM56上的部分粘合層60。可以通過可接受的工藝進行圖案化，諸如當介電層是光敏材料時，將第三介電層62暴露至光或者，例如，通過使用各向異性蝕刻進行蝕刻。
[0042]在圖13中，去除通過開口 64暴露的粘合層60的部分，并且穿過開口 64在UBM56上形成外部電連接件66。在一些實施例中，當在球安裝工藝期間，例如，通過熔融形成外部電連接件66時，去除粘合層60的暴露部分。在一些實施例中，外部電連接件66可以包括使用可接受的球落工藝在UBM56上形成的低溫可回流材料，諸如焊料，諸如無鉛焊料。在一些實施例中，外部電連接件66是球柵陣列(BGA)球、可控塌陷芯片連接(C4)凸塊、微凸塊等。在另外的實施例中，外部電連接件66可以包括金屬柱。
[0043]在圖14中，實施載體襯底分離以將載體襯底20從封裝件結(jié)構(gòu)分離(脫粘)。根據(jù)一些實施例，分離包括將諸如激光或UV光的光投射在釋放層22上，從而使得釋放層22在光的熱量下分解并且可以去除載體襯底20。
[0044]雖然沒有描述，然后該結(jié)構(gòu)可以翻轉(zhuǎn)并且放置在膠帶上并且分割。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，許多這樣的封裝件結(jié)構(gòu)可以同時地形成在載體襯底20上，并且因此，諸如圖14中的描述的單獨的封裝件可以諸如通過鋸切或切割從其他封裝件分割。
[0045]圖15示出了根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的另一截面圖。在圖15所描述的實施例中，重分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成這種封裝件結(jié)構(gòu)，可以通過以上結(jié)合圖1至圖3論述的步驟進行工藝。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與第一介電層38相同或類似的材料并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后諸如以以上結(jié)合第一介電層38相同或類似的方式圖案化第二介電層70以形成開口以暴露出部分第一金屬化圖案40。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第二介電層70上并且在穿過第二介電層70的開口中形成具有通孔74的第二金屬化圖案72。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。該工藝然后可以根據(jù)以上結(jié)合圖4至圖14論述的進行，其中，第二介電層44和第三介電層62分別對應(yīng)于圖15中的第三介電層76和第四介電層78。
[0046]圖16示出了根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的進一步的截面圖。在圖16中所示的實施例中，重分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成這種封裝件結(jié)構(gòu)，工藝可以繼續(xù)進行以上結(jié)合圖1至圖3論述的步驟。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與第一介電層38相同或類似的材料，并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后諸如以以上結(jié)合第一介電層38相同或類似的方式圖案化第二介電層70以形成開口以暴露出部分第一金屬化圖案40。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第二介電層70上并且在穿過第二介電層70的開口中形成具有通孔74的第二金屬化圖案72。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。
[0047]然后，可以在第二介電層70和第二金屬化圖案72上形成第三介電層80。第三介電層80可以是與第一介電層38相同或類似的材料，并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后，圖案化第三介電層80以形成開口以暴露出部分第二金屬化圖案72，諸如以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第三介電層80上和在穿過第三介電層80的開口中形成具有通孔84的第三金屬化圖案82。通孔84將第二金屬化圖案72電連接至第三金屬化圖案82?？梢匀缓笠砸陨辖Y(jié)合圖4至圖14的論述進行該工藝，其中，第二介電層44和第三介電層62分別對應(yīng)于在圖16中的第四介電層86和第五介電層88。
[0048]圖17至圖21示出了根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖。處理根據(jù)以上結(jié)合圖1至圖5論述的進行。然后，在圖17中，在晶種層48上形成光刻膠90。在該實施例中，光刻膠90可以是正性光刻膠材料或負性光刻膠材料?？梢酝ㄟ^旋涂等在晶種層48上形成光刻膠90。在晶種層48上圖案化光刻膠90。光刻膠90可以暴露至光并且隨后被顯影以用于圖案化。在暴露至光之后，顯影光刻膠90以去除光刻膠90的可溶部分，從而使得光刻膠90的非可溶部分保持在晶種層48上，開口 92穿過光刻膠90。開口 92可以具有傾斜的側(cè)壁或垂直的側(cè)壁。光刻膠90的圖案對應(yīng)于UBM 94、偽圖案96或?qū)⑿纬傻钠渌饘倩瘓D案。
[0049]在圖18中，在光刻膠90的相應(yīng)開口 92中并且在晶種層48上形成UBM 94、偽圖案96和上金屬化圖案98。諸如通過鍍、諸如電鍍或化學(xué)鍍等在光刻膠90的開口 92中以及在晶種層48的暴露部分上形成導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬，如銅、鈦、鎢、鋁等。UBM94、偽圖案96和上金屬化圖案98也可以具有側(cè)壁對應(yīng)于光刻膠90的開口 92的側(cè)壁。
[0050]然后，在圖19中，去除光刻膠50 ;去除晶種層48的暴露部分；并且在偽圖案96、上金屬化圖案98和第二介電層44上形成第三介電層100?？梢酝ㄟ^諸如使用氧等離子體等的可接受的灰化或剝離工藝去除光刻膠。然后，去除晶種層48上沒有形成導(dǎo)電材料的部分。例如，通過使用諸如濕或干蝕刻的可接受的蝕刻工藝去除晶種層48的暴露部分。晶種層48的剩余部分和導(dǎo)電材料形成UBM94、偽圖案96和上金屬化圖案98。如所示的UBM94和晶種層48的它們的相應(yīng)部分形成在穿過第二介電層44的開口 46中并且位于第一金屬化圖案40上。因此，UBM94可以電連接至第一金屬化圖案40。偽圖案96可以電隔離并且不電連接至另一金屬化或器件。上金屬化圖案98可以電連接至另一金屬化圖案和/或器件。
[0051]在偽圖案96、上金屬化圖案98和第二介電層44上形成第三介電層100。在一些實施例中，第三介電層100是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地圖案化的諸如PBO、聚酰亞胺、BCB等的光敏材料。在其他實施例中，第三介電層100是由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的?？梢酝ㄟ^旋涂、層壓、CVD等或它們的組合形成第三介電層100。然后圖案化第三介電層100以形成開口 102，每個開口 102將UBM94暴露至相鄰的偽圖案96的部分。可以通過可接受的工藝進行圖案化，諸如當介電層是光敏材料時，將第三介電層100暴露至光或者例如通過使用各向異性蝕刻進行蝕刻。
[0052]圖19B示出了根據(jù)一些實施例的UBM 94、偽圖案96和第三介電層100的開口 102的示例性布局圖。在布局圖中，UBM 94具有八角形形狀，并且偽圖案96具有環(huán)形形狀，諸如在UBM 94周圍的八角環(huán)。圖19B的布局圖示出了在圖19A中示出的截面A-A。圖19A和圖19B示出了將UBM 94與偽圖案96分離的分離尺寸D1。此外，圖19A和圖19B示出了尺寸D2，尺寸D2是偽圖案96的寬度。在一些實施例中，分離尺寸Dl大于或等于約40 μ m，并且尺寸D2可以在從約5 μπι至約10 μm的范圍內(nèi)。
[0053]第三介電層100覆蓋偽圖案96的至少部分，但不覆蓋UBM 94。在示出的實施例中，開口 102具有與偽圖案96但是不與第二介電層44接觸或交界的側(cè)壁。在開口 102處，不存在第二介電層44與第三介電層100的界面。通過開口 102暴露出偽圖案96的部分，并且偽圖案96的暴露部分具有尺寸D3。尺寸D3可以為尺寸D2的約一半或更少。
[0054]在圖20中，外部電連接件104形成在穿過開口 102的UBM94上。在一些實施例中，外部電連接件104可以包括使用可接受的球落工藝在UBM94上形成的諸如焊料(諸如無鉛焊料)的低溫可回流材料。在一些實施例中，外部電連接件66是BGA球、C4凸塊、微凸塊等。在額外的實施例中，外部電連接件104可以包括金屬柱。
[0055]在圖21中，實施載體襯底分離以將載體襯底20從封裝件結(jié)構(gòu)分離(脫粘)。根據(jù)一些實施例，分離包括將諸如激光或UV光的光投射在釋放層22上，從而使得釋放層22在光的熱量下分解并且可以去除載體襯底20。
[0056]雖然沒有描述，然后該結(jié)構(gòu)可以翻轉(zhuǎn)并且放置在膠帶上并且分割。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，許多這樣的封裝件結(jié)構(gòu)可以同時地形成在載體襯底20上，并且因此，諸如圖21中的描述的單獨的封裝件可以諸如通過鋸切或切割從其他封裝件分割。
[0057]圖22示出了根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的另一截面圖。在圖22中所描述的實施例中，重分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成這種封裝件結(jié)構(gòu)，可以通過以上結(jié)合圖1至圖3論述的步驟進行工藝。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與第一介電層38相同或類似的材料并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后諸如以以上結(jié)合第一介電層38相同或類似的方式圖案化第二介電層70以形成開口以暴露出部分第一金屬化圖案40。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第二介電層70上并且在穿過第二介電層70的開口中形成具有通孔74的第二金屬化圖案72。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。該工藝然后可以根據(jù)以上結(jié)合圖4、圖5和圖17至圖21論述的進行，其中，第二介電層44和第三介電層100分別對應(yīng)于圖22中的第三介電層76和第四介電層106。
[0058]圖23示出了根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的進一步的截面圖。在圖23中所示的實施例中，重分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成這種封裝件結(jié)構(gòu)，工藝可以繼續(xù)進行以上結(jié)合圖1至圖3論述的步驟。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與第一介電層38相同或類似的材料，并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后諸如以以上結(jié)合第一介電層38相同或類似的方式圖案化第二介電層70以形成開口以暴露出部分第一金屬化圖案40。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第二介電層70上并且在穿過第二介電層70的開口中形成具有通孔74的第二金屬化圖案72。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。
[0059]然后，可以在第二介電層70和第二金屬化圖案72上形成第三介電層80。第三介電層80可以是與第一介電層38相同或類似的材料并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或相似的方式形成。然后，圖案化第三介電層80以形成開口以暴露出部分第二金屬化圖案72，諸如以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第三介電層80上和在穿過第三介電層80的開口中形成具有通孔84的第三金屬化圖案82。通孔84將第二金屬化圖案72電連接至第三金屬化圖案82。該工藝可以然后進行以上結(jié)合圖4、圖5和圖17至圖21論述的工藝，其中，第二介電層44和第三介電層100分別對應(yīng)于在圖23中的第四介電層86和第五介電層108。
[0060]圖24至圖28示出了根據(jù)一些實施例的在用于形成封裝件結(jié)構(gòu)的工藝期間的中間步驟的截面圖。處理根據(jù)以上結(jié)合圖1至圖5論述的進行。然后，在圖24中，在晶種層48上形成光刻膠120。在該實施例中，光刻膠120可以是正性光刻膠材料或負性光刻膠材料?？梢酝ㄟ^旋涂等在晶種層48上形成光刻膠120。在晶種層48上圖案化光刻膠120。光刻膠120可以暴露至光并且隨后被顯影以用于圖案化。在暴露至光之后，顯影光刻膠120以去除光刻膠120的可溶部分，從而使得光刻膠120的非可溶部分保持在晶種層48上，開口122穿過光刻膠120。開口 122可以具有傾斜的側(cè)壁或垂直的側(cè)壁。光刻膠120的圖案對應(yīng)于UBM 124或?qū)⑿纬傻纳辖饘倩瘓D案126。
[0061]在圖25中，在光刻膠120的相應(yīng)開口 122中并且在晶種層48上形成UBM 94和上金屬化圖案126。諸如通過鍍，諸如電鍍或化學(xué)鍍等在光刻膠120的開口 122中以及在晶種層48的暴露部分上形成導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬，如銅、鈦、鎢、鋁等。UBM 124和上金屬化圖案126也可以具有對應(yīng)于光刻膠120的開口 122的側(cè)壁。
[0062]然后，在圖26A中，去除光刻膠120 ;去除晶種層48的暴露部分；并且在上金屬化圖案126、第二介電層44和部分UBM124上形成第三介電層128?？梢酝ㄟ^諸如使用氧等離子體等的可接受的灰化或剝離工藝去除光刻膠。然后，去除晶種層48上沒有形成導(dǎo)電材料的部分。例如，通過使用諸如濕或干蝕刻的可接受的蝕刻工藝去除晶種層48的暴露部分。晶種層48的剩余部分和導(dǎo)電材料形成UBM124和上金屬化圖案126。如所示的UBM124和晶種層48的它們的相應(yīng)部分形成在穿過第二介電層44的開口 46中并且位于第一金屬化圖案40上。因此，UBMl24可以電連接至第一金屬化圖案40。
[0063]在上金屬化圖案126和第二介電層44以及部分UBM124上形成第三介電層128。在一些實施例中，第三介電層128是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地圖案化的諸如ΡΒ0、聚酰亞胺、BCB等的光敏材料。在其他實施例中，第三介電層128是由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的?？梢酝ㄟ^旋涂、層壓、CVD等或它們的組合形成第三介電層128。然后圖案化第三介電層128以形成開口 130，每個開口 130暴露出部分UBM124?？梢酝ㄟ^可接受的工藝進行圖案化，諸如當介電層是光敏材料時，將第三介電層128暴露至光或者例如通過使用各向異性蝕刻進行蝕刻。
[0064]圖26B示出了圖26A中的UBM 124和穿過第三介電層128的開口 130的更詳細的截面圖，并且圖26C示出了 UBM 124和穿過第三介電層128的開口 130的布局圖。圖26C示出了在圖26A和圖26B中示出的截面A-A。圖26B和圖26C示出了 UBM 124的第一平面部分124a、側(cè)壁部分124b和第二平面部分124c。UBM 124的第一平面部分124a平面地延伸在第三介電層128的頂面上。UBM 124的側(cè)壁部分124b沿著第二介電層44的開口 46的側(cè)壁延伸。UBM 124的第二平面部分124c是位于第二介電層44的開口 46中并且沿著第一金屬化圖案40的頂面平面地延伸。穿過第三介電層128的開口 130暴露出部分的第二平面部分124c。第三介電層128覆蓋第一平面部分124a和側(cè)壁部分124b。第三介電層128從側(cè)壁部分124b和第二平面部分124c之間的結(jié)合點延伸尺寸D4。在一些實施例中，尺寸D4大于或等于約10 μ m。
[0065]在圖27中，外部電連接件132形成在穿過開口 130的UBM124上。在一些實施例中，外部電連接件132可以包括使用可接受的球落工藝在UBM124上形成的諸如焊料(諸如無鉛焊料)的低溫可回流材料。在一些實施例中，外部電連接件132是BGA球、C4凸塊、微凸塊等。在額外的實施例中，外部電連接件132可以包括金屬柱。
[0066]在圖28中，實施載體襯底分離以將載體襯底20從封裝件結(jié)構(gòu)分離(脫粘)。根據(jù)一些實施例，分離包括將諸如激光或UV光的光投射在釋放層22上，從而使得釋放層22在光的熱量下分解并且可以去除載體襯底20。
[0067]雖然沒有描述，然后該結(jié)構(gòu)可以翻轉(zhuǎn)并且放置在膠帶上并且分割。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，許多這樣的封裝件結(jié)構(gòu)可以同時地形成在載體襯底20上，并且因此，諸如圖28中的描述的單獨的封裝件可以諸如通過鋸切或切割從其他封裝件分割。
[0068]圖29示出了根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的另一截面圖。在圖29中所描述的實施例中，重分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成這種封裝件結(jié)構(gòu)，可以通過以上結(jié)合圖1至圖3論述的步驟進行工藝。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與第一介電層38相同或類似的材料并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后諸如以以上結(jié)合第一介電層38相同或類似的方式圖案化第二介電層70以形成開口以暴露出部分第一金屬化圖案40。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第二介電層70上并且在穿過第二介電層70的開口中形成具有通孔74的第二金屬化圖案72。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。該工藝然后可以根據(jù)以上結(jié)合圖4、圖5和圖24至圖28論述的進行，其中，第二介電層44和第三介電層128分別對應(yīng)于圖29中的第三介電層76和第四介電層134。
[0069]圖30示出了根據(jù)一些實施例的封裝件結(jié)構(gòu)的進一步的截面圖。在圖30中所示的實施例中，重分布結(jié)構(gòu)包括額外的介電層和金屬化圖案。為了形成這種封裝件結(jié)構(gòu)，工藝可以繼續(xù)進行以上結(jié)合圖1至圖3論述的步驟。然后，可以在第一介電層38和第一金屬化圖案40上形成第二介電層70。第二介電層70可以是與第一介電層38相同或類似的材料，并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式形成。然后諸如以以上結(jié)合第一介電層38相同或類似的方式圖案化第二介電層70以形成開口以暴露出部分第一金屬化圖案40。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第二介電層70上并且在穿過第二介電層70的開口中形成具有通孔74的第二金屬化圖案72。通孔74將第一金屬化圖案40電連接至第二金屬化圖案72。
[0070]然后，可以在第二介電層70和第二金屬化圖案72上形成第三介電層80。第三介電層80可以是與第一介電層38相同或類似的材料并且可以以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或相似的方式形成。然后，圖案化第三介電層80以形成開口以暴露出部分第二金屬化圖案72，諸如以以上結(jié)合第一介電層38描述的相同或類似的方式。諸如以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的材料以及以以上結(jié)合第一金屬化圖案40和通孔42描述的相同或類似的方式在第三介電層80上和在穿過第三介電層80的開口中形成具有通孔84的第三金屬化圖案82。通孔84將第二金屬化圖案72電連接至第三金屬化圖案82。該工藝可以然后進行以上結(jié)合圖4、圖5和圖24至圖28論述的工藝，其中，第二介電層44和第三介電層128分別對應(yīng)于在圖30中的第四介電層86和第五介電層136。
[0071]實施例可以實現(xiàn)優(yōu)勢。通過在UBM56和上金屬化圖案58上形成粘合層60，第三介電層62可以具有至UBM 56和上金屬化圖案58的增強的粘附，其可以進而減少第三介電層62的分層。進一步，通過具有UBM56的傾斜側(cè)壁和上金屬化圖案58的傾斜側(cè)壁，第三介電層62可以粘附的更多的表面面積可以獲得，其可以減少分層。同樣，UBM 56的傾斜側(cè)壁可以減少UBM 56上的第三介電層62的隆起或其他積聚，諸如當?shù)谌殡妼?2是PBO或另一聚合物層時。這可以提高第三介電層62的均勻性，其可以改進封裝件的可靠性。
[0072]此外，通過具有上介電層，諸如以以上論述的一些方式中配置的第三介電層100和128，可以減少通過熔融滲透引起的分層。例如，通過使上介電層不接觸UBM，諸如圖21中所示，來自球落工藝或凸塊降落工藝的UBM上的熔融可能不接觸上介電層與另一組件之間的界面。如果熔融不接觸這樣的界面，則可以避免由熔融滲透界面引起的分層。同樣，通過具有覆蓋UBM的較大區(qū)域的上介電層，諸如在圖28中所示，熔融可能不得不進一步滲透上介電層和UBM之間的界面以引起上介電層的任何顯著的分層。進一步的滲透距離可以降低導(dǎo)致顯著分層的滲透的可能性。
[0073]雖然已經(jīng)分別論述了各個實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解，一些實施例的方面可以應(yīng)用至其他實施例。例如，粘合層60可以應(yīng)用至圖21和圖28的實施例中的上部金屬化圖案和/或UBM。此外，在圖16中示出的實施例中的上金屬化圖案和/SUBM的傾斜側(cè)壁可以應(yīng)用于圖21和圖28的實施例中。
[0074]第一實施例是一種封裝件結(jié)構(gòu)。封裝件結(jié)構(gòu)包括:集成電路管芯；至少橫向地密封集成電路管芯的密封劑；位于集成電路管芯和密封劑上的重分布結(jié)構(gòu)；連接至重分布結(jié)構(gòu)的支撐金屬化層的連接件和位于支撐金屬化層的連接件上的外部連接件。重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，第一介電層遠離密封劑和集成電路管芯設(shè)置。支撐金屬化層的連接件具有第一部分和第二部分，第一部分位于第一介電層的第一表面上并且第二部分在穿過第一介電層的開口中延伸。支撐金屬化層的連接件的第一部分具有在遠離第一介電層的第一表面的方向上延伸的傾斜側(cè)壁。
[0075]另一個實施例是一種封裝件結(jié)構(gòu)。封裝件結(jié)構(gòu)包括:復(fù)合結(jié)構(gòu)，位于復(fù)合結(jié)構(gòu)上的重分布結(jié)構(gòu)以及位于重分布結(jié)構(gòu)上的凸塊下金屬化層(UBM)。復(fù)合結(jié)構(gòu)包括集成電路管芯和至少橫向地密封集成電路管芯的密封材料。重分布結(jié)構(gòu)的第一表面遠離復(fù)合結(jié)構(gòu)。UBM具有位于第一表面上的第一部分。第一部分的側(cè)壁與第一表面形成非垂直角，并且在UBM內(nèi)部測量非垂直角。粘合層位于UBM的第一部分上。第一介電層位于重分布結(jié)構(gòu)上并且鄰接粘合層。外部電連接件設(shè)置為穿過第一介電層并且位于UBM上。
[0076]進一步的實施例是一種方法。該方法包括:用密封劑密封集成電路管芯和在集成電路管芯和密封劑上形成重分布結(jié)構(gòu)。重分布結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案和位于金屬化圖案上的第一介電層。第一介電層具有遠離集成電路管芯和密封劑的第一表面。該方法還包括在重分布結(jié)構(gòu)上形成凸塊下金屬化層(UBM)。UBM具有位于第一表面上的第一部分和設(shè)置在穿過第一介電層的開口中至金屬化圖案的第二部分。UBM的第一部分具有與第一介電層的第一表面不垂直的側(cè)壁表面。該方法還包括在第一介電層的第一表面上和在UBM的第一部分上形成第二介電層以及形成穿過開口至UBM的外部電連接件，開口穿過第二介電層。
[0077]另一個實施例是一種封裝件結(jié)構(gòu)。該封裝件結(jié)構(gòu)包括集成電路管芯；至少橫向地密封集成電路管芯的密封劑；位于集成電路管芯和密封劑上的重分布結(jié)構(gòu)，連接至重分布結(jié)構(gòu)的支撐金屬化層的連接件，偽圖案，第二介電層，和位于支撐金屬化層的連接件上的外部連接件。重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，第一介電層具有遠離密封劑和集成電路管芯設(shè)置的第一表面。支撐金屬化層的連接件具有第一部分和第二部分，第一部分位于第一介電層的第一表面上并且第二部分在穿過第一介電層的開口中延伸。偽圖案位于第一介電層的第一表面上和支撐金屬化層的連接件周圍。第二介電層位于第一介電層的第一表面上和偽圖案的至少部分上。第二介電層不接觸支撐金屬化層的連接件。
[0078]進一步的實施例是一種封裝件結(jié)構(gòu)。該封裝件結(jié)構(gòu)包括集成電路管芯；至少橫向地密封集成電路管芯的密封劑；位于集成電路管芯和密封劑上的重分布結(jié)構(gòu)，連接至重分布結(jié)構(gòu)的支撐金屬化層的連接件，第二介電層，和位于支撐金屬化層的連接件上的外部連接件。重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，第一介電層遠離密封劑和集成電路管芯設(shè)置。支撐金屬化層的連接件具有第一部分、第二部分和第三部分，第一部分位于第一介電層的第一表面上，第二部分沿著穿過第一介電層的第一開口的底面延伸，并且第三部分沿著第一開口的側(cè)壁延伸并且位于第一部分和第二部分之間。接合點形成在第二部分接觸第三部分的位置處。第二介電層位于第一介電層的第一表面上和支撐金屬化層的連接件的第一部分、第三部分和第二部分的至少部分上。外部連接件穿過第二開口，第二開口穿過第二介電層。
[0079]又一個實施例是一種方法。該方法包括:用密封劑密封集成電路管芯；在集成電路管芯和密封劑上形成重分布結(jié)構(gòu)，重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，第一介電層具有遠離集成電路管芯和密封劑的第一表面；在重分布結(jié)構(gòu)上形成凸塊下金屬化層(UBM)和偽圖案，偽圖案圍繞第一介電層的第一表面上的UBM ;在第一介電層的第一表面上和在偽圖案的至少部分上形成第二介電層，其中，在形成第二介電層之后，第二介電層不接觸UBM;以及在UBM上形成外部電連接件。
[0080]上面概述了若干實施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于實現(xiàn)與在此所介紹實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。
[0081]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種封裝件結(jié)構(gòu)，包括:集成電路管芯；密封劑，至少橫向地密封所述集成電路管芯；重分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，所述第一介電層具有遠離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置的第一表面；支撐金屬化層的連接件，所述金屬化層連接至所述重分布結(jié)構(gòu)，所述支撐金屬化層的連接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介電層的所述第一表面上并且所述第二部分在穿過所述第一介電層的開口中延伸；偽圖案，位于所述第一介電層的所述第一表面上并且位于所述支撐金屬化層的連接件周圍；第二介電層，位于所述第一介電層的所述第一表面上并且位于所述偽圖案的至少部分上，所述第二介電層不接觸所述支撐金屬化層的連接件；以及外部連接件，位于所述支撐金屬化層的連接件上。
[0082]在上述封裝件中，還包括位于所述偽圖案的至少部分上的粘合層。
[0083]在上述封裝件中，其中，所述偽圖案圍繞和限定所述第一介電層的所述第一表面的區(qū)域，所述支撐金屬化層的連接件位于所述第一介電層的所述第一表面的所述區(qū)域中，所述第二介電層不接觸所述第一介電層的所述第一表面的所述區(qū)域。
[0084]在上述封裝件中，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述第一表面平行，所述第二介電層位于橫向地遠離所述支撐金屬化層的連接件的所述偽圖案的所述寬度的至少一半上。
[0085]在上述封裝件中，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述第一表面平行，所述第二介電層位于橫向地遠離所述支撐金屬化層的連接件的所述偽圖案的所述寬度的一半上，所述第二介電層不位于橫向地鄰近所述支撐金屬化層的連接件的所述偽圖案的所述寬度的一半上。
[0086]在上述封裝件中，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述第一表面平行，所述寬度是在從5μηι至ΙΟμπι的范圍內(nèi)。
[0087]在上述封裝件中，其中，所述偽圖案與所述支撐金屬化層的連接件橫向地和物理地分離。
[0088]在上述封裝件中，其中，所述偽圖案與所述支撐金屬化層的連接件橫向地和物理地分離；其中，所述偽圖案與所述支撐金屬化層的連接件橫向地和物理地分離至少40 μπι。
[0089]根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，提供了一種封裝件結(jié)構(gòu)，包括:集成電路管芯；密封劑，至少橫向地密封所述集成電路管芯；重分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，所述第一介電層遠離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置；支撐金屬化層的連接件，所述金屬化層連接至所述重分布結(jié)構(gòu)，所述支撐金屬化層的連接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介電層的第一表面上，所述第二部分沿著穿過所述第一介電層的第一開口的底面延伸，并且所述第三部分沿著所述第一開口的側(cè)壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之間，接合點形成在所述第二部分接觸所述第三部分的位置處；第二介電層，位于所述第一介電層的所述第一表面上和所述支撐金屬化層的連接件的所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部連接件，穿過第二開口并且位于所述支撐金屬化層的連接件上，所述第二開口穿過所述第二介電層。
[0090]在上述封裝件中，其中，所述第二介電層位于所述支撐金屬化層的連接件的所述第一部分上從所述接合點向著所述支撐金屬化層的連接件的所述第一部分的中心延伸至少10 μ m的距離。
[0091]在上述封裝件中，還包括:粘合層，位于所述支撐金屬化層的連接件的至少所述第一部分上。
[0092]在上述封裝件中，其中，所述重分布結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案，所述金屬化圖案限定所述第一開口的所述底面的至少一部分。
[0093]在上述封裝件中，其中，所述支撐金屬化層的連接件的所述第二部分接觸所述重分布結(jié)構(gòu)的金屬化圖案。
[0094]在上述封裝件中，其中，所述外部連接件包括焊料。
[0095]根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，提供了一種方法，包括:用密封劑密封集成電路管芯；在所述集成電路管芯和所述密封劑上形成重分布結(jié)構(gòu)，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電層，所述第一介電層具有遠離所述集成電路管芯和所述密封劑設(shè)置的第一表面；在所述重分布結(jié)構(gòu)上形成凸塊下金屬化層(UBM)和偽圖案，所述偽圖案圍繞所述第一介電層的所述第一表面上的所述UBM;在所述第一介電層的所述第一表面上且在所述偽圖案的至少一部分上形成第二介電層，其中，在形成所述第二介電層之后，所述第二介電層不接觸所述UBM ;以及在所述UBM上形成外部電連接件。
[0096]在上述方法中，還包括:在所述偽圖案的至少所述部分上形成粘合層。
[0097]在上述方法中，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述第一表面平行，所述第二介電層位于橫向地遠離所述UBM的所述偽圖案的所述寬度的至少一半上。
[0098]在上述方法中，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述第一表面平行，所述第二介電層位于橫向地遠離所述UBM的所述偽圖案的所述寬度的一半上，所述第二介電層不位于橫向地鄰近所述UBM的所述偽圖案的所述寬度的一半上。
[0099]在上述方法中，其中，所述偽圖案與所述UBM物理地分離。
[0100]在上述方法中，其中，所述UBM接觸所述重分布結(jié)構(gòu)的金屬化圖案。
【主權(quán)項】
1.一種封裝件結(jié)構(gòu)，包括:集成電路管芯；密封劑，至少橫向地密封所述集成電路管芯；重分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電 層，所述第一介電層具有遠離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置的第一表面；支撐金屬化層的連接件，所述金屬化層連接至所述重分布結(jié)構(gòu)，所述支撐金屬化層的 連接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介電層的所述第一表面上并 且所述第二部分在穿過所述第一介電層的開口中延伸；偽圖案，位于所述第一介電層的所述第一表面上并且位于所述支撐金屬化層的連接件 周圍；第二介電層，位于所述第一介電層的所述第一表面上并且位于所述偽圖案的至少部分 上，所述第二介電層不接觸所述支撐金屬化層的連接件；以及外部連接件，位于所述支撐金屬化層的連接件上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，還包括位于所述偽圖案的至少部分上的粘合層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽圖案圍繞和限定所述第一介電層的所 述第一表面的區(qū)域，所述支撐金屬化層的連接件位于所述第一介電層的所述第一表面的所 述區(qū)域中，所述第二介電層不接觸所述第一介電層的所述第一表面的所述區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述 第一表面平行，所述第二介電層位于橫向地遠離所述支撐金屬化層的連接件的所述偽圖案 的所述寬度的至少一半上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述 第一表面平行，所述第二介電層位于橫向地遠離所述支撐金屬化層的連接件的所述偽圖案 的所述寬度的一半上，所述第二介電層不位于橫向地鄰近所述支撐金屬化層的連接件的所 述偽圖案的所述寬度的一半上。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽圖案的寬度與所述第一介電層的所述 第一表面平行，所述寬度是在從5 y m至10 y m的范圍內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽圖案與所述支撐金屬化層的連接件橫 向地和物理地分離。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝件，其中，所述偽圖案與所述支撐金屬化層的連接件橫 向地和物理地分離至少40 ym。9.一種封裝件結(jié)構(gòu)，包括:集成電路管芯；密封劑，至少橫向地密封所述集成電路管芯；重分布結(jié)構(gòu)，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電 層，所述第一介電層遠離所述密封劑和所述集成電路管芯設(shè)置；支撐金屬化層的連接件，所述金屬化層連接至所述重分布結(jié)構(gòu)，所述支撐金屬化層的 連接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介電層的第一表 面上，所述第二部分沿著穿過所述第一介電層的第一開口的底面延伸，并且所述第三部分 沿著所述第一開口的側(cè)壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之間，接合點形成在所述第二部分接觸所述第三部分的位置處；第二介電層，位于所述第一介電層的所述第一表面上和所述支撐金屬化層的連接件的 所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部連接件，穿過第二開口并且位于所述支撐金屬化層的連接件上，所述第二開口穿 過所述第二介電層。10.—種方法，包括:用密封劑密封集成電路管芯；在所述集成電路管芯和所述密封劑上形成重分布結(jié)構(gòu)，所述重分布結(jié)構(gòu)包括第一介電 層，所述第一介電層具有遠離所述集成電路管芯和所述密封劑設(shè)置的第一表面；在所述重分布結(jié)構(gòu)上形成凸塊下金屬化層(UBM)和偽圖案，所述偽圖案圍繞所述第一 介電層的所述第一表面上的所述UBM ;在所述第一介電層的所述第一表面上且在所述偽圖案的至少一部分上形成第二介電 層，其中，在形成所述第二介電層之后，所述第二介電層不接觸所述UBM ;以及 在所述UBM上形成外部電連接件。
【文檔編號】H01L23/31GK106024727SQ201510667052
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年10月15日
【發(fā)明人】陳憲偉, 黃立賢
【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司