Oled顯示面板的封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED顯示面板的封裝方法，通過(guò)在顯示區(qū)域外形成一圈圍繞顯示區(qū)域的彈性阻擋層，且沉積封裝層所用的掩膜板為剛性掩膜板，在沉積封裝層時(shí)，利用彈性阻擋層對(duì)剛性掩膜板進(jìn)行支撐，且通過(guò)彈性阻擋層的彈性形變，使得彈性阻擋層的上表面與剛性掩膜板之間實(shí)現(xiàn)無(wú)縫隙貼合，從而使得沉積的封裝層完全位于所述彈性阻擋層內(nèi)側(cè)，有效避免封裝層的延伸沉積，避免封裝層覆蓋IC而影響IC綁定，進(jìn)而有助于窄邊框面板的開(kāi)發(fā)。
【專利說(shuō)明】
OLED顯示面板的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種0LED顯示面板的封裝方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)，具備自發(fā)光、高亮度、 寬視角、高對(duì)比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛應(yīng)用在手機(jī)屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。 0LED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的液晶顯示技術(shù)不同，無(wú)需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此，0LED顯示面板現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于顯示技術(shù)領(lǐng)域。但是0LED顯示面板中用于形成0LED器件的金屬陰極為活潑金屬，對(duì)空氣中的水汽和氧氣非常敏感，非常容易與滲透進(jìn)來(lái)的水汽發(fā)生反應(yīng)，影響電荷的注入，另外，滲透進(jìn)來(lái)的水汽和氧氣還會(huì)與有機(jī)材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這些反應(yīng)是引起0LED器件性能下降、 0LED器件壽命縮短的主要因素，因此，0LED顯示面板對(duì)封裝的要求非常高。
[0003]目前，0LED器件有多種封裝方式，例如:玻蓋(Glass)封裝方式、玻璃粉(Frit)封裝方式、和薄膜封裝(Thin Film Encapsulat1n，TFE)方式。其中，薄膜封裝方式最常用于 0LED顯示面板封裝工藝中，尤其是柔性0LED顯示面板，即采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n，CVD)或原子層沉積(Atomic Layer Deposit1n，ALD)等技術(shù)沉積透明薄膜對(duì)0LED器件進(jìn)行封裝，該封裝方式工藝簡(jiǎn)單，能保持封裝對(duì)象的輕、薄結(jié)構(gòu)特性。
[0004]圖1為現(xiàn)有0LED顯示面板采用薄膜封裝方式時(shí)，利用掩膜板(Mask)沉積薄膜封裝層(TFE layers)的示意圖，具體地，使掩膜板900的開(kāi)口對(duì)應(yīng)于0LED基板100的顯示區(qū)域 (Active Area，AA)的上方，然后通過(guò)CVD或ALD技術(shù)沉積薄膜封裝層400,由于掩膜板900通常為厚度約100M1的因瓦合金(Invar)或不銹鋼(SUS)材質(zhì)，具有一定柔韌性，0LED基板100 與掩膜板900之間的間隙(Gap)h存在不規(guī)則分布。間隙h越大，采用CVD或ALD技術(shù)沉積薄膜時(shí)在掩膜板900下方延伸沉積(Shadow effect)的距離越大，若沉積形成的薄膜封裝層400 覆蓋到0LED基板100上的集成電路(integrated circuit，IC)200,則會(huì)影響1C綁定 (Bonding)，因此0LED基板100上的IC200與顯示區(qū)域的之間的距離d必須大于沉積薄膜封裝層400時(shí)延伸沉積的距離以防止影響1C綁定而影響面板性能，然而這便限制了 0LED顯示面板往窄邊框方向的發(fā)展。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種0LED顯示面板的封裝方法，能夠有效避免薄膜封裝層的延伸沉積，有助于窄邊框面板的開(kāi)發(fā)。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種0LED顯示面板的封裝方法，包括如下步驟:
[0007]步驟1、提供一 0LED基板，所述0LED基板具有位于中央的顯示區(qū)域、及位于顯示區(qū)域外圍的周邊區(qū)域；
[0008]所述顯示區(qū)域包括襯底基板、及設(shè)于所述襯底基板上的0LED層；
[0009]所述周邊區(qū)域包括襯底基板、及設(shè)于所述襯底基板上的數(shù)個(gè)IC;
[0010]步驟2、在所述周邊區(qū)域的襯底基板上形成一圈圍繞所述顯示區(qū)域的彈性阻擋層；
[0011]所述彈性阻擋層在所述襯底基板上位于所述1C靠近所述顯示區(qū)域的一側(cè);所述彈性阻擋層的高度大于0LED層的高度；[0〇12]步驟3、提供一剛性掩膜板，將所述剛性掩膜板與所述0LED基板進(jìn)行對(duì)位后，下降所述剛性掩膜板、或上升所述0LED基板，使得所述彈性阻擋層對(duì)所述剛性掩膜板進(jìn)行支撐， 并通過(guò)彈性阻擋層的彈性形變，使得彈性阻擋層的上表面與剛性掩膜板之間無(wú)縫隙貼合， 利用所述剛性掩膜板在所述0LED基板上沉積覆蓋所述顯示區(qū)域的封裝層，從而使得沉積的封裝層位于所述彈性阻擋層內(nèi)側(cè)，避免封裝層覆蓋所述1C而影響0LED顯示面板的性能。
[0013]所述彈性阻擋層為框型，包括數(shù)條彈性阻擋單元，所述數(shù)條彈性阻擋單元首尾相接構(gòu)成所述彈性阻擋層的框型結(jié)構(gòu)。
[0014]所述彈性阻擋單元的寬度為10-1000M1，高度為1-50WI1。
[0015]所述彈性阻擋單元的縱截面呈梯形。
[0016]所述步驟2中，使用黃光工藝、或噴墨打印工藝形成所述彈性阻擋層。
[0017]所述彈性阻擋層的材料為正性光刻膠材料、或負(fù)性光刻膠材料。
[0018]所述剛性掩膜板的厚度為l-5mm，所述剛性掩膜板的材料為因瓦合金、或不銹鋼。
[0019]所述封裝層通過(guò)化學(xué)氣相沉積法、或者原子層沉積技術(shù)制得。
[0020]所述0LED基板的顯示區(qū)域還包括位于襯底基板與0LED層之間的TFT陣列層；[〇〇21] 所述0LED層包括數(shù)個(gè)呈陣列排布的紅色0LED單元、綠色0LED單元、及藍(lán)色0LED單J L 〇[〇〇22] 所述0LED基板的顯示區(qū)域還包括位于襯底基板與0LED層之間的TFT陣列層、及位于所述0LED層上的彩色濾光膜層；
[0023] 所述0LED層包括數(shù)個(gè)呈陣列排布的白色0LED單元。[〇〇24]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的0LED顯示面板的封裝方法，通過(guò)在0LED基板的顯示區(qū)域外形成一圈圍繞顯示區(qū)域的彈性阻擋層，且沉積封裝層所用的掩膜板為剛性掩膜板， 在沉積封裝層時(shí)，利用彈性阻擋層對(duì)剛性掩膜板進(jìn)行支撐，且通過(guò)彈性阻擋層的彈性形變， 使得彈性阻擋層的上表面與剛性掩膜板之間實(shí)現(xiàn)無(wú)縫隙貼合，從而使得沉積的封裝層完全位于所述彈性阻擋層內(nèi)側(cè)，有效避免封裝層的延伸沉積，避免封裝層覆蓋1C而影響1C綁定， 進(jìn)而有助于窄邊框面板的開(kāi)發(fā)。
[0025]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制?！靖綀D說(shuō)明】
[0026]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見(jiàn)。
[0027]附圖中，
[0028]圖1為現(xiàn)有0LED顯示面板進(jìn)行薄膜封裝時(shí)利用掩膜板沉積薄膜封裝層的示意圖； [〇〇29]圖2為本發(fā)明0LED顯示面板的封裝方法的流程示意圖；[〇〇3〇]圖3為本發(fā)明0LED顯示面板的封裝方法的步驟1的示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明0LED顯示面板的封裝方法的步驟2的示意圖；[〇〇32]圖5為本發(fā)明0LED顯示面板的封裝方法的步驟3的示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】[〇〇33]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。[〇〇34]請(qǐng)參閱圖2,本發(fā)明提供一種0LED顯示面板的封裝方法，包括如下步驟:[〇〇35] 步驟1、如圖3所示，提供一 0LED基板，所述0LED基板具有位于中央的顯示區(qū)域、及位于顯示區(qū)域外圍的周邊區(qū)域。[〇〇36] 具體地，所述顯示區(qū)域包括襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上的0LED層20、及位于襯底基板10與0LED層20之間的用于對(duì)0LED層20進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的TFT陣列層(未圖示)。
[0037]具體地，所述周邊區(qū)域包括襯底基板10、及設(shè)于所述襯底基板10上的數(shù)個(gè)IC30。 [〇〇38] 具體地，所述0LED顯示面板采用RGB三色0LED顯示器件進(jìn)行彩色顯示，則所述0LED 層20包括數(shù)個(gè)呈陣列排布的紅色0LED單元、綠色0LED單元、及藍(lán)色0LED單元;或者，[〇〇39] 所述0LED顯示面板采用白光0LED搭配彩色濾光膜進(jìn)行彩色顯示，則所述0LED層20 包括數(shù)個(gè)呈陣列排布的白色0LED單元;所述0LED基板的顯示區(qū)域還包括位于所述0LED層20 上的彩色濾光膜層(未圖示)。
[0040]步驟2、如圖4所示，在所述周邊區(qū)域的襯底基板10上使用黃光(Photo)工藝或噴墨打印(Ink-Jet Printer)工藝形成一圈圍繞所述顯示區(qū)域的彈性阻擋層40。[〇〇41] 具體地，所述彈性阻擋層40在所述襯底基板10上位于所述IC30靠近所述顯示區(qū)域的一側(cè)。[〇〇42]具體地，所述彈性阻擋層40的高度大于0LED層20的高度。[〇〇43]具體地，所述彈性阻擋層40為框型，包括數(shù)條彈性阻擋單元，所述數(shù)條彈性阻擋單元首尾相接構(gòu)成所述彈性阻擋層的框型結(jié)構(gòu);所述彈性阻擋單元的寬度為10-1000M1，高度為1-50M1;所述彈性阻擋單元的縱截面呈梯形。
[0044]具體地，所述步驟2中，形成所述彈性阻擋層的材料為正性光刻膠材料、或負(fù)型光刻膠材料。[〇〇45]步驟3、如圖5所示，提供一剛性掩膜板90，將所述剛性掩膜板90與所述0LED基板進(jìn)行對(duì)位后，下降所述剛性掩膜板90、或上升所述0LED基板，使得所述彈性阻擋層40對(duì)所述剛性掩膜板90進(jìn)行支撐，并通過(guò)彈性阻擋層40的彈性形變，使得彈性阻擋層40的上表面與剛性掩膜板90之間無(wú)縫隙貼合，利用所述剛性掩膜板90在所述0LED基板上沉積覆蓋所述顯示區(qū)域的封裝層50,從而使得沉積的封裝層50位于所述彈性阻擋層40內(nèi)側(cè)，避免封裝層50覆蓋所述IC30而影響0LED顯示面板的性能。
[0046]具體地，所述剛性掩膜板90的厚度為l-5mm，所述剛性掩膜板90的材料為因瓦合金、或不銹鋼。
[0047]具體地，所述封裝層50通過(guò)化學(xué)氣相沉積法或者原子層沉積技術(shù)制得。[〇〇48]具體地，在所述步驟3中，彈性阻擋層40的上表面與剛性掩膜板90之間無(wú)縫隙貼合后，此時(shí)由于彈性阻擋層40高于所述0LED基板的0LED層20的高度，從而避免剛性掩膜板90 與顯示區(qū)域的0LED層20接觸，從而防止剛性掩膜板90刮傷或壓傷0LED層20。
[0049]具體地，沉積形成所述封裝層50的材料為氮化硅、氧化硅、氧化鋁、或者二氧化鈦材料。
[0050]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明在沉積封裝層50時(shí)，利用所述彈性阻擋層40對(duì)所述剛性掩膜板90進(jìn)行支撐，并通過(guò)彈性阻擋層40的彈性形變，使得彈性阻擋層40的上表面與剛性掩膜板90之間無(wú)縫隙貼合，從而沉積形成的封裝層50完全位于彈性阻擋層40的內(nèi)側(cè)，有效避免了封裝層50的延伸沉積，因此，0LED顯示面板在設(shè)計(jì)過(guò)程中，所述0LED基板上的IC30與顯示區(qū)域之間的設(shè)計(jì)距離僅取決于彈性阻擋層40的彈性阻擋單元的寬度，從而有助于窄邊框面板的開(kāi)發(fā)。[〇〇51]綜上所述，本發(fā)明的0LED顯示面板的封裝方法，通過(guò)在0LED基板的顯示區(qū)域外形成一圈圍繞顯示區(qū)域的彈性阻擋層，且沉積封裝層所用的掩膜板為剛性掩膜板，在沉積封裝層時(shí)，利用彈性阻擋層對(duì)剛性掩膜板進(jìn)行支撐，且通過(guò)彈性阻擋層的彈性形變，使得彈性阻擋層的上表面與剛性掩膜板之間實(shí)現(xiàn)無(wú)縫隙貼合，從而使得沉積的封裝層完全位于所述彈性阻擋層內(nèi)側(cè)，有效避免封裝層的延伸沉積，避免封裝層覆蓋1C而影響1C綁定，進(jìn)而有助于窄邊框面板的開(kāi)發(fā)。
[0052]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟:步驟1、提供一 0LED基板，所述0LED基板具有位于中央的顯示區(qū)域、及位于顯示區(qū)域外 圍的周邊區(qū)域；所述顯示區(qū)域包括襯底基板(10)、及設(shè)于所述襯底基板(10)上的0LED層(20);所述周邊區(qū)域包括襯底基板(10)、及設(shè)于所述襯底基板(10)上的數(shù)個(gè)IC(30);步驟2、在所述周邊區(qū)域的襯底基板(10)上形成一圈圍繞所述顯示區(qū)域的彈性阻擋層 (40);所述彈性阻擋層(40)在所述襯底基板(10)上位于所述IC(30)靠近所述顯示區(qū)域的一 側(cè);所述彈性阻擋層(40)的高度大于0LED層(20)的高度；步驟3、提供一剛性掩膜板(90)，將所述剛性掩膜板(90)與所述0LED基板進(jìn)行對(duì)位后， 下降所述剛性掩膜板(90)、或上升所述0LED基板，使得所述彈性阻擋層(40)對(duì)所述剛性掩 膜板(90)進(jìn)行支撐，并通過(guò)彈性阻擋層(40)的彈性形變，使得彈性阻擋層(40)的上表面與 剛性掩膜板(90)之間無(wú)縫隙貼合，利用所述剛性掩膜板(90)在所述0LED基板上沉積覆蓋所 述顯示區(qū)域的封裝層(50)，從而使得沉積的封裝層(50)位于所述彈性阻擋層(40)內(nèi)側(cè)，避 免封裝層(50)覆蓋所述IC(30)而影響0LED顯示面板的性能。2.如權(quán)利要求1所述的0LED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述彈性阻擋層(40)為 框型，包括數(shù)條彈性阻擋單元，所述數(shù)條彈性阻擋單元首尾相接構(gòu)成所述彈性阻擋層(40) 的框型結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求2所述的0LED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述彈性阻擋單元的寬 度為 10-1000_，高度為 l-50iim。4.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述彈性阻擋單元的縱 截面呈梯形。5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述步驟2中，使用黃光 工藝、或噴墨打印工藝形成所述彈性阻擋層(40)。6.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述彈性阻擋層(40)的 材料為正性光刻膠材料、或負(fù)性光刻膠材料。7.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述剛性掩膜板(90)的 厚度為l-5mm，所述剛性掩膜板(90)的材料為因瓦合金、或不銹鋼。8.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述封裝層(50)通過(guò)化 學(xué)氣相沉積法、或者原子層沉積技術(shù)制得。9.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述OLED基板的顯示區(qū) 域還包括位于襯底基板(10)與OLED層(20)之間的TFT陣列層；所述OLED層(20)包括數(shù)個(gè)呈陣列排布的紅色OLED單元、綠色OLED單元、及藍(lán)色OLED單J L 〇10.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法，其特征在于，所述OLED基板的顯示 區(qū)域還包括位于襯底基板(10)與OLED層(20)之間的TFT陣列層、及位于所述OLED層(20)上 的彩色濾光膜層；所述OLED層(20)包括數(shù)個(gè)呈陣列排布的白色OLED單元。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105957830SQ201610422157
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年6月14日
【發(fā)明人】沐俊應(yīng)
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司