薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，屬于顯示裝置技術領域。該薄膜晶體管包括：襯底基板、有源層、柵極絕緣層、柵極、源極以及漏極；有源層設置在所述襯底基板上；柵極絕緣層設置在有源層上，并且柵極絕緣層的長度小于或者等于有源層的長度；柵極設置在柵極絕緣層上，源極和漏極設置在襯底基板上并且分別與有源層的相對的兩側連接；柵極絕緣層的長度為柵極絕緣層沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸，有源層的長度為有源層沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸。該薄膜晶體管由于不需要設置過孔即實現(xiàn)了源極和漏極與有源層的連接，因此該薄膜晶體管具有較大的溝道寬長比W/L，從而提高薄膜晶體管的電學性能。
【專利說明】
薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，簡稱“TFT”)是液晶顯示裝置中的關鍵器件，對液晶顯示裝置的工作性能起到十分重要的作用。
[0003]參見圖1，現(xiàn)有薄膜晶體管主要包括:設置在襯底基Ia上的有源層3a、覆蓋有源層3a的刻蝕阻擋層2a、以及設置在刻蝕阻擋層2a上的柵極4a、源極5a和漏極6a。其中，刻蝕阻擋層2a上設置有過孔，源極5a和漏極6a均通過過孔與有源層3a連接?，F(xiàn)有的薄膜晶體管的制作方法主要包括:用構圖工藝在襯底基板Ia上形成有源層3a圖形;在上述襯底基板Ia上沉積刻蝕阻擋層2a，并對得到的刻蝕阻擋層2a進行構圖工藝從而形成過孔;在上述刻蝕阻擋層2a上沉積柵極/源極/漏極金屬層，通過構圖工藝形成柵極4a、源極5a和漏極6a。
[0004]在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在以下問題:現(xiàn)有的薄膜晶體管需要在刻蝕阻擋層上形成過孔從而使源極和漏極與有源層連接，過孔的存在使得薄膜晶體管的溝道寬長比(W/L)較小，從而影響薄膜晶體管的電學性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為了解決現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明實施例提供一種溝道寬長比較大、電學性能良好的薄膜晶體管及其制作方法，以及基于該薄膜晶體管的陣列基板和顯示裝置。
[0006]具體而言，包括以下的技術方案:
[0007]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:襯底基板、有源層、柵極絕緣層、柵極、源極以及漏極;所述有源層設置在所述襯底基板上;所述柵極絕緣層設置在所述有源層上，并且所述柵極絕緣層的長度小于或者等于所述有源層的長度;所述柵極設置在所述柵極絕緣層上，所述源極和漏極設置在所述襯底基板上并且分別與所述有源層的相對的兩側連接。
[0008]進一步地，所述薄膜晶體管還包括:鈍化層;所述鈍化層覆蓋所述襯底基板、源極、漏極以及柵極。
[0009]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，所述制作方法包括:
[0010]在襯底基板上形成有源層的圖形以及柵極絕緣層的圖形;所述柵極絕緣層位于所述有源層上并且所述柵極絕緣層的長度小于或者等于所述有源層的長度；
[0011]在所述柵極絕緣層上形成柵極，在所述襯底基板上形成分別與所述有源層的相對的兩側連接的源極和漏極。
[0012]進一步地，當所述柵極絕緣層的長度小于所述有源層的長度時，所述在襯底基板上形成有源層的圖形以及柵極絕緣層的圖形具體包括:
[0013]在所述襯底基板上形成有源層，在所述有源層上形成所述柵極絕緣層；
[0014]在所述柵極絕緣層上涂覆光刻膠，利用半色調掩膜版或者灰色調掩膜版對所述光刻膠進行曝光以及顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全去除區(qū)；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)對應存在所述有源層和所述柵極絕緣層的區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)對應僅存在所述有源層的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)對應所述有源層以外的區(qū)域；
[0015]去除位于所述光刻膠完全去除區(qū)的所述有源層和所述柵極絕緣層；
[0016]去除所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠；
[0017]去除位于所述光刻膠部分保留區(qū)的所述柵極絕緣層；
[0018]去除所述光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠。
[0019]進一步地，采用干法刻蝕工藝去除位于所述光刻膠完全去除區(qū)以及所述光刻膠部分保留區(qū)的所述柵極絕緣層;采用濕法刻蝕工藝去除位于所述光刻膠完全去除區(qū)的所述有源層。
[0020]進一步地，所述去除所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠，具體包括:
[0021]采用預設強度的紫外光照射所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠以及所述光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠，使所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠全部分解，使所述光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠部分分解，從而去除所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠，同時保留所述光刻膠完全保留區(qū)的部分光刻膠。
[0022]進一步地，當所述柵極絕緣層的長度與所述有源層的長度相等時，所述在襯底基板上形成有源層的圖形以及柵極絕緣層的圖形具體包括:
[0023]在所述襯底基板上形成有源層，在所述有源層上形成所述柵極絕緣層；
[0024]通過一次構圖工藝同時形成所述柵極絕緣層的圖形和所述有源層的圖形。
[0025]進一步地，所述在所述柵極絕緣層上形成柵極，在所述襯底基板上形成分別與所述有源層的相對的兩側連接的源極和漏極，具體包括:
[0026]在所述襯底基板上形成源極/漏極/柵極層，所述源極/漏極/柵極層覆蓋所述襯底基板、所述柵極絕緣層以及所述有源層；
[0027]通過一次構圖工藝形成所述源極、所述漏極以及所述柵極。
[0028]進一步地，所述制作方法還包括:
[0029]在所述襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板、源極、漏極以及柵極的鈍化層。
[0030]第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括上述的薄膜晶體管。
[0031]第四方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0032]本發(fā)明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0033]本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，由于源極和漏極分別與有源層的相對的兩側直接接觸連接，從而不需要設置過孔即實現(xiàn)了源極/漏極與有源層的連接，解決了由于設置過孔而導致的薄膜晶體管溝道寬長比較小的問題，有效提高了薄膜晶體管的電學性能。
[0034]此外，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中的有源層的圖形和柵極絕緣層的圖形可以通過一次構圖工藝形成，簡化了薄膜晶體管的制作工藝，提高制作效率、降低成本。
【附圖說明】
[0035]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0036]圖1為現(xiàn)有薄膜晶體管的結構示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明一實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明又一實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明一實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程圖；
[0040]圖5為本發(fā)明又一實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程圖；
[0041]圖6-1?圖6-10為本發(fā)明又一實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的示意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明又一實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程圖；
[0043]圖8-1?圖8-7為本發(fā)明又一實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的示意圖。
[0044]附圖標記分別表示:
[0045]Ia-現(xiàn)有薄膜晶體管的襯底基板；
[0046]2a_現(xiàn)有薄膜晶體管的刻蝕阻擋層；
[0047]3a_現(xiàn)有薄膜晶體管的有源層；
[0048]4a_現(xiàn)有薄膜晶體管的柵極；
[0049]5a_現(xiàn)有薄膜晶體管的源極；
[0050]6a_現(xiàn)有薄膜晶體管的漏極；
[0051 ]7a_現(xiàn)有薄膜晶體管的鈍化層；
[0052]1-襯底基板；
[0053]2-柵極絕緣層；
[0054]3-有源層；
[0055]4-柵極；
[0056]5-源極；
[0057]6_漏極；
[0058]7-鈍化層；
[0059]8-光刻膠；
[0060]9-柵極/源極/漏極層；
[0061]A-光刻膠完全保留區(qū)；
[0062]B-光刻膠完全去除區(qū)；
[0063]C-光刻膠部分保留區(qū)。
[0064]圖6-2和圖8-2中的實線箭頭表示光線。
【具體實施方式】
[0065]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。除非另有定義，本發(fā)明實施例所用的所有技術術語均具有與本領域技術人員通常理解的相同的含義。
[0066]實施例一
[0067]本實施例提供一種薄膜晶體管，參見圖2，也可參見圖3，該薄膜晶體管包括襯底基板1、有源層3、柵極絕緣層2、柵極4、源極5以及漏極6;有源層3設置在襯底基板I上;柵極絕緣層2設置在有源層3上，并且柵極絕緣層2的長度小于或者等于有源層3的長度;柵極4設置在柵極絕緣層2上，源極5和漏極6設置在襯底基板上并且分別與有源層3的相對的兩側連接;其中，柵極絕緣層2的長度為柵極絕緣層2沿平行于源極5和漏極6連線方向的尺寸(即圖2和圖3中沿00’方向的尺寸)，有源層3的長度為有源層3沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸(即圖2和圖3中沿00’方向的尺寸)。
[0068]本實施例提供的薄膜晶體管中，源極5和漏極6設置在襯底基板I上，由于柵極絕緣層2的長度小于或者等于有源層3的長度，使得源極5和漏極6分別與有源層3的相對的兩側直接接觸連接，從而不需要設置過孔即實現(xiàn)了源極5和漏極6與有源層3的連接，解決了由于設置過孔而導致的薄膜晶體管溝道寬長比較小的問題，有效提高了薄膜晶體管的電學性會K。
[0069]進一步地，本實施例中，當柵極絕緣層2的長度小于有源層3的長度時，參見圖2，有源層3相對的兩個側表面相對于柵極絕緣層2相對的兩個側表面向外凸出，呈臺階狀;優(yōu)選將柵極絕緣層2設置在有源層3的中部，即柵極絕緣層2的對稱軸與有源層3的對稱軸重合；源極5和漏極6與有源層3連接的位置包括有源層3相對的兩個側表面以及有源層3相對于柵極絕緣層2向外凸出部分的上表面。當柵極絕緣層2的長度與有源層3的長度相等時，參見圖3，柵極絕緣層2相對的兩個側表面與有源層3相對的兩個側表面分別對齊，源極5和漏極6與有源層3連接的位置僅為有源層3相對的兩個側表面。由此可見，當柵極絕緣層2的長度小于有源層3的長度時，源極5和漏極6與有源層3的接觸面積更大，有利于源極5和漏極6與有源層3的連接。需要說明的是，當柵極絕緣層2的長度小于有源層3的長度時，在保證源極5和漏極6與有源層3有效連接的情況下，可以盡可能減小有源層3相對于柵極絕緣層2向外凸出部分的長度，以增加溝道寬長比，從而提高薄膜晶體的電學性能。
[0070]進一步地，參見圖2，也可參見圖3，本實施例的薄膜晶體管還包括:鈍化層7。鈍化層7覆蓋襯底基板1、源極5、漏極6以及柵極4。
[0071]本實施例的薄膜晶體管中，襯底基板1、柵極絕緣層2、有源層3、柵極4、源極5、漏極6以及鈍化層7的材料沒有特殊限定，本領域常用的材料均可。例如，襯底基板I的材料包括但不限于玻璃、透明塑料等;柵極絕緣層2的材料包括但不限于硅的氧化物(S1x);有源層3的材料包括但不限于非晶硅、多晶硅、金屬氧化物半導體、有機半導體化合物等;柵極4、源極5以及漏極6的材料包括但不限于鋁、鋁合金等;鈍化層7的材料包括但不限于硅的氧化物(S1x)、硅的氮化物(SiNx)等。
[0072]實施例二
[0073 ]本實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，參見圖4，該制作方法包括:
[0074]步驟201，在襯底基板I上形成有源層3的圖形以及柵極絕緣層2的圖形;柵極絕緣層2位于有源層3上并且柵極絕緣層2的長度小于或者等于有源層3的長度。
[0075]步驟202，在柵極絕緣層2上形成柵極4，在襯底基板I上形成分別與有源層3的相對的兩側連接的源極5和漏極6。
[0076]其中，柵極絕緣層2的長度為柵極絕緣層2沿平行于源極5和漏極6連線方向的尺寸(即圖2和圖3中沿00’方向的尺寸)，有源層3的長度為有源層3沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸(即圖2和圖3中沿00’方向的尺寸)。
[0077]采用本實施例的制作方法制作得到的薄膜晶體管中，源極5和漏極6設置在襯底基板I上，由于柵極絕緣層2的長度小于或者等于有源層3的長度，使得源極5和漏極6分別與有源層3的相對的兩側直接接觸連接，從而不需要設置過孔即實現(xiàn)了源極5和漏極6與有源層3的連接，解決了由于設置過孔而導致的薄膜晶體管溝道寬長比較小的問題，有效提高了薄膜晶體管的電學性能。同時，本實施例提供的制作方法工藝流程簡單，便于控制，從而提高薄膜晶體管的制作效率、降低制作成本。
[0078]實施例三
[0079]本實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，該制作方法用于制作如圖2所示的薄膜晶體管。
[0080]由于圖2所示的薄膜晶體管中柵極絕緣層2的長度小于有源層3的長度，即柵極絕緣層2沿00’方向的尺寸小于有源層3沿00’方向的尺寸，并且有源層3相對的兩個側表面相對于柵極絕緣層2相對的兩個側表面向外凸出呈臺階狀，因此該薄膜晶體管中包括以下三個區(qū)域:同時存在有源層3和柵極絕緣層2的區(qū)域，僅存在有源層3的區(qū)域以及有源層3以外、即既無有源層3也無柵極絕緣層2的區(qū)域。
[0081]針對該薄膜晶體管的結構，本實施例提供一種工藝流程簡單、光刻次數(shù)較少、便于控制的制作方法，參見圖5，并結合圖6-1?圖6-10，該制作方法具體包括以下步驟:
[0082]步驟301，在襯底基板I上形成有源層3，在有源層3上形成柵極絕緣層2。
[0083]如圖6-1所示，在該步驟中，有源層3覆蓋襯底基板1，柵極絕緣層2覆蓋有源層3。本領域技術人員可以理解的是，在襯底基板I上形成有源層3的方法包括但不限于沉積、涂敷、濺射等，在有源層3上形成柵極絕緣層2的方法同樣包括但不限于沉積、涂敷、濺射等，本領域技術人員可以根據(jù)有源層3和柵極絕緣層2的具體材料來選擇合適的方法。
[0084]步驟302，在柵極絕緣層2上涂覆光刻膠8，利用半色調掩膜版或者灰色調掩膜版對光刻膠8進行曝光以及顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)A、光刻膠部分保留區(qū)C以及光刻膠完全去除區(qū)B;其中，光刻膠完全保留區(qū)A對應存在有源層3和柵極絕緣層2的區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)C對應僅存在有源層3的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)B對應有源層3以外的區(qū)域。
[0085]如圖6-2和圖6-3所示，在柵極絕緣層2上涂覆光刻膠8后，利用半色調掩膜版或者灰色調掩膜版對光刻膠8進行曝光，位于光刻膠完全保留區(qū)A的光刻膠8由于未受到光照因此沒有分解，在顯影后完全保留；位于光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8由于受到的光照強度較弱，發(fā)生了部分分解，發(fā)生分解的部分在顯影后被去除，而未發(fā)生分解的部分被保留；位于光刻膠完全去除區(qū)B的光刻膠8由于受到的光照強度較強而全部分解，在顯影后被完全去除。
[0086]步驟303，去除位于光刻膠完全去除區(qū)B的柵極絕緣層2和有源層3。
[0087]如圖6-4和圖6-5所示，在對光刻膠8進行曝光和顯影之后，依次去除位于光刻膠完全去除區(qū)B的柵極絕緣層2和有源層3，從而形成柵極絕緣層2和有源層3的圖形。本領域技術人員可以根據(jù)柵極絕緣層2和有源層3的材料來選擇合適的方法去除柵極絕緣層2和有源層3，例如可以采用干法刻蝕工藝去除柵極絕緣層2，采用濕法刻蝕工藝去除有源層3。
[0088]步驟304，去除光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8。
[0089]去除光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8的具體實現(xiàn)方式為:采用預設強度的紫外光照射光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8以及光刻膠完全保留區(qū)A的光刻膠8，使光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8全部分解，使光刻膠完全保留區(qū)A的光刻膠8部分分解。利用顯影溶液進一步顯影后，去除光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8，同時保留光刻膠完全保留區(qū)A的部分光刻膠8(如圖6-6所示)。該步驟中所用紫外光的強度沒有嚴格限定，但是要保證經(jīng)該強度的紫外光照射并顯影后光刻膠完全保留區(qū)A剩余的光刻膠8能夠對柵極絕緣層2起到保護作用，有利于對后續(xù)對柵極絕緣層2的進一步處理。
[0090]步驟305，去除位于光刻膠部分保留區(qū)C的柵極絕緣層2。
[0091]如圖6-7所示，在將光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠8去除之后，將位于光刻膠部分保留區(qū)C的柵極絕緣層2去除，從而形成柵極絕緣層2的圖案?？梢圆捎酶煞涛g工藝去除柵極絕緣層2。
[0092]步驟306，去除光刻膠完全保留區(qū)A的光刻膠8。
[0093 ]如圖6-8所示，可以利用剝離的方法將光刻膠完全保留區(qū)A剩余的光刻膠8去除。
[0094]需要說明的是，本領域技術人員可以采用其他方法替代上述步驟301?306來形成有源層3和柵極絕緣層2的圖形，例如，還可以先在襯底基板I上通過沉積、涂敷或者濺射等方法形成有源層3，然后利用構圖工藝形成有源層3的圖形，再在襯底基板I上通過沉積、涂敷或者濺射等方法形成覆蓋有源層3的柵極絕緣層2，再利用構圖工藝形成柵極絕緣層2的圖形。但是上述方法與本實施例的步驟301?306的方法相比，所需的光刻次數(shù)較多，工藝流程較為繁瑣。
[0095]步驟307，在襯底基板I上形成源極/漏極/柵極層9，源極/漏極/柵極層9覆蓋襯底基板1、柵極絕緣層2以及有源層3。
[0096]如圖6-9所示，在有源層3的圖形和柵極絕緣層2的圖形形成之后，在襯底基板I上形成覆蓋襯底基板1、柵極絕緣層2以及有源層3的源極/漏極/柵極層9?？梢圆捎贸练e、涂敷或者濺射等方法形成源極/漏極/柵極層9。
[0097]步驟308，通過一次構圖工藝形成源極5、漏極6以及柵極4。
[0098]如圖6-10所示，在形成源極/漏極/柵極層9之后，通過一次構圖工藝在柵極絕緣層2上形成柵極4、在襯底基板I上形成分別與有源層3的相對的兩側連接的源極5和漏極6。上述一次構圖工藝采用本領域常規(guī)技術手段即可，具體包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟。
[0099]步驟309，在襯底基板I上形成覆蓋襯底基板1、源極5、漏極6以及柵極4的鈍化層7。
[0100]在形成源極5、漏極6以及柵極4之后，通過沉積、涂敷或者濺射等方法形成覆蓋襯底基板1、源極5、漏極6以及柵極4的鈍化層7，從而得到圖2所示的薄膜晶體管。
[0101]綜上，采用本實施例提供的制作方法得到的薄膜晶體管中源極5和漏極6直接與有源層3連接，克服了由于設置過孔而導致的薄膜晶體管溝道寬長比較小的問題，使該薄膜晶體管具有良好的電學性能。同時，本實施例提供的制作方法中，利用半色調掩膜工藝，通過一次構圖工藝形成有源層3的圖形和柵極絕緣層2的圖形，簡化了薄膜晶體管的制作工藝，提高制作效率、降低成本。
[0102]實施例四
[0103]本實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，該制作方法用于制作如圖3所示的薄膜晶體管。
[0104]由于圖3所示的薄膜晶體管中柵極絕緣層2的長度等于有源層3的長度，即柵極絕緣層2沿00’方向的尺寸等于有源層3沿00’方向的尺寸，因此該薄膜晶體管中包括以下兩個區(qū)域:同時存在有源層3和柵極絕緣層2的區(qū)域，以及既無有源層3也無柵極絕緣層2的區(qū)域。
[0105]針對該薄膜晶體管的結構，本實施例提供一種工藝流程簡單、光刻次數(shù)較少、便于控制的制作方法，參見圖7，并結合圖8-1?圖8-7，該制作方法包括以下步驟:
[0106]步驟401，在襯底基板I上形成有源層3，在有源層3上形成柵極絕緣層2。
[0107]如圖8-1所示，該步驟的具體實現(xiàn)方式同實施例三的步驟301，在此不再贅述。
[0108]步驟402，通過一次構圖工藝同時形成柵極絕緣層2的圖形和有源層3的圖形。
[0109]具體地，首先，如圖8-2和圖8-3所示，在柵極絕緣層2上涂覆光刻膠8，利用掩膜版進行曝光以及顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)A、以及光刻膠完全去除區(qū)B;其中，光刻膠完全保留區(qū)A對應存在有源層3和柵極絕緣層2的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)B對應既無有源層3也無柵極絕緣層2的區(qū)域。
[0110]之后，如圖8-4所示，依次去除位于光刻膠完全去除區(qū)B的柵極絕緣層2和有源層3，從而形成有源層3的圖形和柵極絕緣層2的圖形。本領域技術人員可以根據(jù)有源層3和柵極絕緣層2的材料來選擇合適的方法去除有源層3和柵極絕緣層2，例如可以采用干法刻蝕工藝去除柵極絕緣層2，采用濕法刻蝕工藝去除有源層3。
[0111]之后，如圖8-5所示，去除位于光刻膠完全保留區(qū)A的光刻膠?？梢岳脛冸x的方法去除光刻膠完全保留區(qū)A的光刻膠8。
[0112]需要說明的是，本領域技術人員可以采用其他方法替代上述步驟401?402來形成有源層3和柵極絕緣層2的圖形，例如，還可以先在襯底基板I上通過沉積、涂敷或者濺射等方法形成有源層3，然后利用構圖工藝形成有源層3的圖形，再在襯底基板I上通過沉積、涂敷或者濺射等方法形成覆蓋有源層3的柵極絕緣層2，再利用構圖工藝形成柵極絕緣層2的圖形。但是上述方法與本實施例的步驟401?402的方法相比，所需的光刻次數(shù)較多，工藝流程較為繁瑣。
[0113]步驟403，在襯底基板I上形成源極/漏極/柵極層9，源極/漏極/柵極層9覆蓋襯底基板1、柵極絕緣層2以及有源層3。
[0114]如圖8-6所示，該步驟的具體實現(xiàn)方式同實施例三的步驟307，在此不再贅述。
[0115]步驟404，通過一次構圖工藝形成源極5、漏極6以及柵極4。
[0116]如圖8-7所示，該步驟的具體實現(xiàn)方式同實施例三的步驟308，在此不再贅述。
[0117]步驟405，在襯底基板I上形成覆蓋襯底基板1、源極5、漏極6以及柵極4的鈍化層7。
[0118]該步驟的具體實現(xiàn)方式同實施例三的步驟309，在此不再贅述。完成該步驟后即得到圖3所示的薄膜晶體管。
[0119]綜上，采用本實施例提供的制作方法得到的薄膜晶體管中源極5和漏極6直接與有源層3連接，克服了由于設置過孔而導致的薄膜晶體管溝道寬長比較小的問題，使該薄膜晶體管具有良好的電學性能。同時，本實施例提供的制作方法中，通過一次構圖工藝形成有源層3的圖形和柵極絕緣層2的圖形，簡化了薄膜晶體管的制作工藝，提高制作效率、降低成本。
[0120]實施例五
[0121]本實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括上述任一實施例提供的薄膜晶體管。
[0122]由于上述實施例提供的薄膜晶體管中源極和漏極直接與有源層連接，克服了由于設置過孔而導致的薄膜晶體管溝道寬長比較小的問題，使得該薄膜晶體管具有良好的電學性能，因此，利用該薄膜晶體管的陣列基板同樣具有良好的電學性能。
[0123]實施例六
[0124]本實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括實施例五提供的陣列基板。
[0125]由于實施例五提供的陣列基板所采用的薄膜晶體管具有較大的溝道寬長比以及良好的電學性能，因此，利用該陣列基板的顯示裝置同樣具有良好的電學性能。
[0126]在具體實施時，本實施例提供的顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0127]上述本發(fā)明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。
[0128]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括:襯底基板、有源層、柵極絕緣層、柵極、源極以及漏極;所述有源層設置在所述襯底基板上;所述柵極絕緣層設置在所述有源層上，并且所述柵極絕緣層的長度小于或者等于所述有源層的長度;所述柵極設置在所述柵極絕緣層上，所述源極和漏極設置在所述襯底基板上并且分別與所述有源層的相對的兩側連接； 所述柵極絕緣層的長度為柵極絕緣層沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸，所述有源層的長度為有源層沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸。2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括:鈍化層;所述鈍化層覆蓋所述襯底基板、源極、漏極以及柵極。3.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 在襯底基板上形成有源層的圖形以及柵極絕緣層的圖形;所述柵極絕緣層位于所述有源層上并且所述柵極絕緣層的長度小于或者等于所述有源層的長度;在所述柵極絕緣層上形成柵極，在所述襯底基板上形成分別與所述有源層的相對的兩側連接的源極和漏極； 所述柵極絕緣層的長度為柵極絕緣層沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸，所述有源層的長度為有源層沿平行于源極和漏極連線方向的尺寸。4.根據(jù)權利要求3所述的制作方法，其特征在于，當所述柵極絕緣層的長度小于所述有源層的長度時，所述在襯底基板上形成有源層的圖形以及柵極絕緣層的圖形具體包括: 在所述襯底基板上形成有源層，在所述有源層上形成所述柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上涂覆光刻膠，利用半色調掩膜版或者灰色調掩膜版對所述光刻膠進行曝光以及顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)以及光刻膠完全去除區(qū)；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)對應存在所述有源層和所述柵極絕緣層的區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)對應僅存在所述有源層的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)對應所述有源層以外的區(qū)域； 去除位于所述光刻膠完全去除區(qū)的所述有源層和所述柵極絕緣層； 去除所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠； 去除位于所述光刻膠部分保留區(qū)的所述柵極絕緣層； 去除所述光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠。5.根據(jù)權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠，具體包括: 采用預設強度的紫外光照射所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠以及所述光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠，使所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠全部分解，使所述光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠部分分解，從而去除所述光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠，同時保留所述光刻膠完全保留區(qū)的部分光刻膠。6.根據(jù)權利要求3所述的制作方法，其特征在于，當所述柵極絕緣層的長度與所述有源層的長度相等時，所述在襯底基板上形成有源層的圖形以及柵極絕緣層的圖形具體包括: 在所述襯底基板上形成有源層，在所述有源層上形成所述柵極絕緣層； 通過一次構圖工藝同時形成所述柵極絕緣層的圖形和所述有源層的圖形。7.根據(jù)權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述柵極絕緣層上形成柵極，在所述襯底基板上形成分別與所述有源層的相對的兩側連接的源極和漏極，具體包括: 在所述襯底基板上形成源極/漏極/柵極層，所述源極/漏極/柵極層覆蓋所述襯底基板、所述柵極絕緣層以及所述有源層； 通過一次構圖工藝形成所述源極、所述漏極以及所述柵極。8.根據(jù)權利要求3?7任一項所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在所述襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板、源極、漏極以及柵極的鈍化層。9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求1或者權利要求2所述的薄膜晶體管。10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求9所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L29/786GK105870169SQ201610244601
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月18日
【發(fā)明人】蘇同上, 王東方, 劉廣輝, 許凱, 杜生平, 袁廣才
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司